DE2033204A1

DE2033204A1 - Transistorgerat

Info

Publication number: DE2033204A1
Application number: DE19702033204
Authority: DE
Inventors: Ernest William Burstow Horley SurreyrLearney Lewis Philip Crawley Down Sussex Rogers, (Großbritannien)
Original assignee: Thales Communications Ltd
Current assignee: Thales Communications Ltd
Priority date: 1969-07-14
Filing date: 1970-07-04
Publication date: 1971-03-25
Also published as: GB1257730A; US3624453A; FR2051724A1; ZA703323B; DE2033204B2; FR2051724B1

Description

Dipl.-ING. WILFRID RAECK

PATENTANWALT

7 STUTTGART 1, MOSERSTRASSE 8 · TELEFON (0711) 244003

-j>, Juli 1970 / F - R 93 -

REDIPON LIMITED,
CharIton House, Lower Regent Street, London S.W.I,

England

Transistorgerät

Die Erfindung bezieht sich auf Transistorgeräte und auf Verstärker, bei denen Transistoren verwendet werden.

Beispielsweise bei Transistorenverstärkern der Emitter-Schaltung, bei denen der Transistor in Durchlaßrichtung vorgespannt ist und bei fehlendem Eingangssignal leitet, wie irn Fall des A- oder B-Verstärkerbe tr lebe s, wird ein Emitter-Widerstand verwendet, um die Stabilisierung der Gleichspannungs-Vorspannung und der Hochfrequenz-Verstärkung durch Gegenkopplung zu unterstützen.

Del einer bekannten Schaltungsanordnung wird ein,nlederohmiger Widerstand, z.B. mit weniger als 2 Ohm, verwendet, um den Emitter an die eine Klemme der Stromversorgung anauschlieflen.

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Dabei besteht die Forderung, daß die Reaktanz der Strecke zwischen Emitter und dem Gehäuse (Aufbaurahmen) auf einem niedrigen Wert liegt, so daß die Hochfrequenzimpedanz innerhalb eines Hochfrequenzbandes, z.B. zwischen 2 und J>0 MHz, etwa konstant bleibt. Wenn der Emitter mit dem Transistorgehäuse verbunden ist, enthält die Strecke zwischen dem Emitter und den Aufbaurahmen aufgrund eines mit üblichen Drahtanschlußenden versehenen Emitter-Widerstandes eine nennenswerte induktive Reaktanz, die zu einem Verstärkungsverlust bei höheren Frequenzen oder zu einer Instabilität des zugeordneten Verstärkers führt.

Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Transistorgerätes mit einem zugeordneten Widerstand, durch deren Kombination eine Stredce mit niedrigem Widerstand und niedriger Impedanz entsteht. Davon ausgehend ist weiterhin die Schaffung eines Transistorverstärkers mit einer oder mehreren Transistor-Widerstand-Kombinationen beabsichtigt, der gegenüber den vorerwähnten' Nachteilen bekannter Verstärker ein verbessertes Betriebsverhalten aufweist.

Gemäß einer Ausführung der Erfindung enthält ein Transistorgerät ein äußeres Gehäuse mit einer leitenden Auflagefläche, an die eine Efelitrode des Gerätes angeschlossen ist, ferner ψ einen in Längsrichtung von der Auflagefläche ausgehenden leitenden Befestigungsbauteil, und einem mit einer öffnung versehenen, entlang des Befestigungsteils angeordneten Widerstandsbauteil, wobei sich der Befestigungsbauteil mit seiner Längsfläche elektrisch isoliert durch die öffnung hindurcherstreckt und während der Widerstandsbauteil an seinen beiden Enden als elektrisch anschließbar ist.

Gemäß einer weiteren AusfUhrungsform der Erfindung wird ein Transistorverstärker mit wenigstens einem Transistorgerät der vorbeschriebenen Art ausgestattet.

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Die Erfindung ist nachfolgend anhand in den Figuren dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen

Fig. 1 ein Transistorgerät nach der Erfindung in einer ersten Befestigungsart auf einem Aufbaurahmen,

Flg. 2 ein ähnliches Transistorgerät in einer anderen Befestigungsart.

Entsprechend beiden Figuren* der Zeichnung ist ein Transistorgerät 1 vorgesehen mit einem äußeren Gehäuse 2, das eine leitende Auflagefläche J> aufweist, an die eine der TransistoreiLektroden, im vorliegenden Fall der Emitter, angeschlossen ist.

Ein leitfähiger Befestigungsteil bestehend aus einem metallischen Gewindebolzen 4, erstreckt sich von der Auflagefläche nach unten. Der Gewindebolzen 4 trägt eine Mutter sowie eine Kontermutter 6 bzw. 7. Ein hohl ausgeführter zylindrischer Widerstandsbauteil 5 ist gemäß beiden Figuren so angeordnet, daß sich der Gewindebolzen durch die mittlere Öffnung erstreckt, jedoch nicht die Innenwandung dieses Bauteils berührt .

Gemäß Fig. 1 steht das obere Ende des Widerstandsbauteils 5 in leitendem Kontakt mit der Auflagefläche J, während sein unteres Ende leitend auf dem abgebrochen dargestellten Aufbaurahmen 11 aufliegt. Bei dieser Anordnung wird die Halterung durch eine Isolierseheibe 8 vervollständigt« Der Gewindebolzen ist somit sowohl bezüglich des Widerstandsbauteils 5 als auch bezüglich des Aufbaurahmens 11 isoliert. Strom aus dem Emitter fließt von der Auflagefläche 5 durch den gesamten Körper des Widerstandsbauteils 5 zum Aufbaurahmen 11.

Gemäß Fig. 2 steht das obere Ende des Widerstandsbauteils 5 in leitendem Kontakt mit dem Aufbaurahmen 11 und das untere Ende in leitendem Kontakt mit einer Metallscheibe 10, die

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über die Mutter 6 leitend mit dem Gewindebolzen 4 verbunden ist. In diesem Fall ist die leitende Auflagefläche jj von dem Aufbaurahmen durch eine Isolierscheibe 9 isoliert. Der Gewindebolzen 4 ist mit Ausnahme seiner oberen und unteren Enden gegenüber dem Widerstandsbauteil 5 isoliert. Strom aus dem Emitter fließt somit von der Auflagefläche j5 durch den Gewindebolzen 4, durch die Metallscheibe 10 zum Widerstandsbauteil 5 und von dort durch den gesamten Körper des Bauteils 5 zum Aufbaurahmen

Bei der Anordnung nach Fig. 2 umgibt eine IsolierhUlse 12 den Gewindebolzen 4 und richtet diesen in der öffnung des Bauteils isolierend gegenüber der Innenwandung der öffnung aus.

Mit dem erfindungsgemäßen Aufbau wird somit ein Bauelement mit niedrigem Widerstand und niedriger Impedanz zwischen dem Aufbaurahmen 11 und einer beliebigen an die Auflagefläche J angeschlossene Elektrode des Transistorgerätes 1 geschaffen. Der Widerstandsbauteil kann zweckmäßigerweise aus einem hohlen zylindrischen Block aus Kohle oder einem anderen geeigneten Widerstandsmaterial bestehen.

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Claims

DIPL.-INQ. WILFRID RAECK

7 STUTTGART 1, MOSERSTRASSE 8 · TELEFON (0711)5844003

REDIPON LIMITED,

London / England 3· Juli 1970 / P

- R 93 -

Patentansprüche

lJ Transistorgerät, gekennzeichnet durch ein äußeres Gehäuse mit einer leitenden Auflagefläche (3), an die eine Elektrode des Gerätes angeschlossen ist, durch einen leitenden Halteteil (4),- der in Längsrichtung von der Auflagefläche ausgeht und sich durch einen mit einer öffnung versehenen Widerstandsbauteil (5) erstreckt, der längs zu dem Halteteil (4) derart gehaltert ist, daß der Halteteil sich mit seiner Längsoberfläche elektrisch isoliert dirch die öffnung des Widerstandsbauteils erstreckt, der an beiden Enden elektrisch anschließbar ist.
2. Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstandsbauteil (5) mit seinem einen Ende leitend nit der Auflagefläche (3) und mit seinem anderen Ende leitend mit einem Aufbaurahmen (11) in Berührung steht, und daß der Halteteil (4) ohne direkt leitenden Kontakt zum Aufbaurahmen das Gerät auf dem Aufbaurahmen haltert. i
3. G_erät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es auf einem leitenden Aufbaurahmen (11) gehaltert ist und ein Isolierteil (9) die leitende Auflagefläche (3) von dem Aufbaurahmen trennt, und daß der Widerstandsbauteil (5) an seinem einen Ende mit dem Aufbaurahmen und an seinem anderen Ende mit einem leitfähigen Bauteil (10) in Berührung steht, der leitend auf dem Halteteil (4) gehaltert ist.

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4. Transistorverstärker mit einem Aufbaurahmen, dadurch

gekennzeichnet, daß auf dem Aufbaurahmen wenigstens ein Transistorgerät nach Anspruch 2 befestigt ist«
5. Transistorverstärker mit einem Aufbaurahmen, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Aufbaurahmen wenigstens ein Trai-sistorgerät nach Anspruch 5 befestigt ist»
6. Transistorgerät nach einem der Ansprüche 1 bis J, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstandsbauteil (5) ein zylindrischer Block, bestehend aus einem mit elektrischem Widerstand behafteten Material, ist*
7. Transistorgerät nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstandsbauteil (5) ein hohler zylindrischer Block ist, der mit Abstand zu dem sich durch den hohlen Bereich erstreckenden Halteteil (4) angeordnet ist«
8. Transistorgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 3, oder 6 und 7# dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Transistor· gerätes mit der leitenden Auflagefläche (3) verbunden ist.

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