DE2033204B2 - Aus transistor und elektrischem widerstandskoerper bestehender schaltungsbauteil - Google Patents

Description

tungsbauteii, insbesondere zur Anwendung bei einem Scheibe eingespannt ist, die leitend am tiaueien au-Transistorverstärker, mit einer an den leitenden Bo- gestützt ist. niese Anordnung wird z. B. mit Vorteil den des Transistorgehäuses angeschlossenen Elek- ^J—" ««™»«i

T,.„si_S.orve_ntärkem in Eminerschaltung, bei » . Vorzüge« »(.de,

der Stromversorgung angeschlossen. Dabei besteht erstreckenden Haitet

die Forderung nach einem niedrigen Blindwider- Bei Anwendung ^HE^X

stand, der zwischen Emitter und dem Schaltungs- tungsbauteils m einer Verstärkerschaltung ist der

Emitter des Transistors an den Gehäuseboden angeschlossen.

Die Erfindung ist nachfolgend an Hand in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert Es zeigt

Fig. 1 ein Schaltungsbauteil nach der Erfindung in einer ersten Befestigungsart auf einem Aufbaurahmen und

F i g. 2 den gleichen Schaltungsbauteil in einer anderen Befestigungsart.

Entsprechend der Zeichnung umfaßt der Schaltungsbauteil 1 einen Transistor mit einem Gehäuse 2, das einen leitenden Gehäuseboden 3 aufweist, an die eine der Transistorelektroden, im vorliegenden Fall der Emitter, angeschlossen ist Vom Gehäuseboden 3 erstreckt sich ein leitender Halteteil in Form eines metallischen Gewindebolzens 4 nach unten. Auf den Gewindebolzen sind eine Mutter 6 sowie eine Kontermutter? aufgeschraubt Der Schaltungsbauteil umfaßt ferner einen zylindrischen Widerstandskörper 5 mit einer zentralen Durchgangsöffnung, durch die sich der Gewindebolzen ohne Berührung der Öffnungswandungen hindurcherstreckt.

Bei der Ausführungsform nach F i g. 1 liegt die obere Stirnseite des Widerstandskörpers 5 leitend an dem Gehäuseboden 3 an, während die untere Stirnseite auf einem abgebrochen dargestellten leitenden Aufbaurahmen 11 aufliegt. Zur Befestigung des Schaltungsbauteils dient eine Isolierscheibe 8, gegen die die Muttern 6,7 angezogen sind, so daß der äFSSÄoS

SttteAufbaurahmeiis 11 isoliert Som Am Emitter fließt vom Gehäusebo-3dXhden Widerstandskörpers zum Aufbau-

obere

ührungstorm nach Fig.2 liegt die sene des Widerstandskörpers 5 am Auf-11 und die untere Stirnseite an einer Mean, die über die Mutter 6 Kontakt mit 30lzen4 hat. Der Gehäuseboden 3 liegt Zwischenschaltung einer Isolierscheibe 9 auf dem AXurahmen auf. Der Gewmdebolzen 4 ist nffAusnahme seiner oberen und unteren Enden ge-Snüber dem Widerstandskörpers isohert. Der genuDci us- _ ... _ «5-oj __nm;_{t vom} Gehausebo-

Strom aus dem Emitter fließt somit vom GehausebüdSTdurch den Gewindebolzen 4 und durch die Mctelkcheibe 10 zum Widerstandskörper 5 und ^n so dort zum 4i\fbaurahmen 11. .

Bd der Anordnung nach Fig.2 umgibt eine Iso-

liertiülse 12 den Gewindebolzen 4 und zentriert die-

efin de7Dr^hgangsöffnung des Widerstandskör-

ne.Vs5 Auf Grund dieses Schaltungsaufbaues bleiben

_e elektrischer Widerstand und Impedanz zwischen dem

tSurahme; 11 und einer an den Gehäuseboden 3

angeschlossenen Elektrode des Transistors niedrig.

Der Widerstandskörper kann z.B. aus emem hohlen

zylindrischen Block aus Kohle oder einem anderen

Widerstandsmaterial bestehen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. it

   ¹ chassis liegenden Säeeke, damit die Hochfrequenz-

   • i«ÄeWb eines Frequenzbereiches von \ Patentansprüche: ffSSÄ 30 Mhz <*wa konstant bleibt ±

   w ^nder Emitter mit dem Transistotgehause

   1. Aus Transistor und elektrischem Wider- wenn nun ^.^ ^ _Streckj} ^₀J_{1611 Emitt}^ Standskörper bestehender Schaltungsbauteil, mse- 5 ^^schaitungschassis bei einem mit üblichen besondere zur Anwendung in einem Transistor- Hf", ^r_chlüssen versehenen Emitterwiderstaad verstärker, mit einer an den leitenden Boden des ^^ächtlicben induktiven Blindwiderstand, der Transistorgehäuses angeschlossenen Elektrode, ^,JSJkungsvediistea bei iiöheren Frequenzen dadurchgekennzeichnet, daß ein vom zu J™¹" i_nstabilität des zugeordneten Verstär-Gehäuseboden (3) ausgehender stiftförmiger Ua- » oder zu einer

   tender Haiteteil (4) elektrisch isoliert durch eine Kersru»£· _üe^ ^₆ Aufgabe zugrunde, in der

   Öffnung des dazu parallel augeordnete» sund an _Δ "^,.,ß^aitung eines Transistors den elektrischen beiden Stirnseiten mit Kontaktflächen versehenen £™£j£mdund die Impedanz der einen Widerstand elektrischen Widerstandskörper (S) hindurchge, ^ ^2Sn Strecke zwischen Emitter und Schal-

   ^SchaltungsbauteU nach Anspruch 1, dadurch ^f^^f wSd^rSm^sgeinaB dadurch gegekennzeichnet, daß der HalteteU (4) unter Em- »«se^«£B Gehäuseboden ausgehender stiftspannung des Widerstandskörpers zwischen dem lost, aaü HalteteU elektrisch isoliert du. cn Gehäuseboden und einem leitenden Aufbaurah- ™™ί _{des dazu} parallel angeordneten und an men (11) elektrisch isoliert am Aufbaurahmen *o eine 9"""JJ^_{n m}/Kontaktflächen versenken

   befestigt ist. ^_ΛΛΑ u SivnLhen Widerstandskörper hindurchgefühn .st.

   3. Schaltungsbauteil nach Anspruch 1, dadurch elektousüien wia ^ _{e ibt sich eine Io},._ht gekennzeichnet, daß der Gehäuseboden (3) unter ^^^Jj^Ju« und Wid.rstandskor-Zwischenschaltung einer Isoliersche,be (9) auf zu^η^^ηα _{ü die als zusammcn}gceinem leitenden Aufbaurahmen (11) aufliegt und »5 ^' Jf "SSnebauteil beispielsweise an einem daß der Widerstandskörper (5) zwischen dem ^J^ffSt werden kann, wobei sich Aufbaurahmen (11) und einer leitenden Scheibe Arfbau^meng^ Widerstandsk.Wper (10) eingespannt ist, die leitend am Halteteil (4) das J^'2^_{5011 abstützen}. _Durch Ausnutzung abgestützt ist. ,„ Lt Transistorgehäusebodens oder des an diesem Bo

   4. Schaltungsbauteil nach einem der An- 30 £22 Halteteils als Kontaktglied für die jcsprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der den betestig«n " _angeschlossene Transistor-Widerstandskörper (5) ein aus einem mit elektn- ^^^„eTj^iiche Lötanschlüsse für den schem Widerstand behafteten Matenal bestehen- ^J_n"?_auc| _das Entstehen einer ζ B. bei der zylindrischer Block ist. Hochfreauenzverstärkern schädlichen Induktivität

   5. Schaltungsbauteil nach Anspruch 4, dadurch 35 ^Hoc*™^™?

   gekennzeichnet, daß der Widerstandskörper (5) ^w™^r*J™· Ausführungsform der Erfindung ist ein hohler zylindrischer Block ist, der mit Ab- Gemäß ^{e ne}J 7|~J _des Widerstandskörstand zu dem sich durch den hohlen Bereich er- ^"^^^SEeboden und einem leitenstreckenden Halteteil (4) angeordnet ist. den Aufbaurahmen elektrisch isoliert am Aufbaurah-

   6. Schaltungsbauteil nach einem der An- 4<> J^{n Au}jg^rf ^i _die Einspannung des Widersprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet daß der J^Jg**' ^S_n Aufbaurahmen und Gehäu-Emitter des Transistors an den Gehauseboden (3) si^^⁰^^ _Kontaktgabe gewährleistet, und angeschlossen ist. _{die Ha]terung der} zusammengesetzten Baueinheit am

   45 Aufbaurahmen gestaltet sich denkbar einfach.

   Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung liegt der Gehäuseboden unter Zwischenschaltung einer Isolierscheibe auf einem leitenden