DE2027041A1 - - Google Patents
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- DE2027041A1 DE2027041A1 DE19702027041 DE2027041A DE2027041A1 DE 2027041 A1 DE2027041 A1 DE 2027041A1 DE 19702027041 DE19702027041 DE 19702027041 DE 2027041 A DE2027041 A DE 2027041A DE 2027041 A1 DE2027041 A1 DE 2027041A1
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
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- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
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- F16C33/00—Parts of bearings; Special methods for making bearings or parts thereof
- F16C33/02—Parts of sliding-contact bearings
- F16C33/04—Brasses; Bushes; Linings
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- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
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Description
20J7841
DR. I. MAAS
β MÜNCHEN 23
UNQERERSTR. a· - TEL. 39 02 36
Dow Coming Corporation/ Midland, Michigan, V. St .A.
Graphitgegenstände mit Giliclumcarbiduinhüllung und
ihre Herstellung
Die Erfindung bezieht sich auf verbesserte Graphitgegenstände
und betrifft insbesondere Graphitkärper,
die von einer harten abriebfesten Umhüllung mit mikroskopischen GberflächenunregelmäSigkeiten eingeschlossen
sind, und auf ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
Graphitgegenstände werden gegenwärtig auf vielen
Gebieten verwendet, auf denen sie zerstörendem Verschleiß ausgesetzt sind«, Dies gilt beispielsweise
für Anwendungen, bei denen sich Flüssigkeiten iait hoher Geschwindigkeit während längerer Zeitdauer
gegen die Oberfläche der Graphitgegenstände bewegen.
BAD ORIGiNAL
O098S1M4O4
Einein solchen zerstörenden Verschleiß sind auch Graphitlager fliehen und steetsaaiieh© Graphitdiehtungen unterwarfen.
Ferner werden «Sie meietea dai-artigea Qsaphlfcgegenstlmd© mit
einem Bindemittel f «uns Beispiel Asphalt oder eine® Phenolharz,
geformt und gebunden. Pm ihre Zerstörung 25ti vermeiden
, können daher solche Graphltgegens.tände nur in
solchen Umgebungen angewandt werden, ate mit ihren
Bindemitteln nicht reagieren«, - ,
um die Zerstörung von Graphitgegenständenf die
längerem Verschleiß ausgesetzt
kann auf dm& Außenfläche!» solebes Gegenstände ein© sehr harte Schale oder ein sehr harter Überzug erzeugt werden« Eine «©Ich« «ate tArt© Scfeal® oder ein solcher •ehr harter Obersaf kann Misf^ielirwdse aus einem Carbid·= SBement bestehen, der ira allges»!»«» ffolfsamcarbid^-f TltancarfeiÄ«- end/oiei> TeatalceffMöt©ilehen ta @in@m Bindemittel!^, (
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BAD ORIGiNAL
20.2 7.QA1
ein genaues .\fcbild der Außenfläche dieses Graphitgegenstands.
Da diese harten schalen überzüge auf der Außenfläche der Gegenstände sind, konvat ferner zu den Abmessungen der Gegenstände ein zusätzliches Dickenmaß
hinzu. Wenn also eine genaue Form, Abmessung oder Ebenheit des Gegenstands erforderlich ist, muß wegen
der Härte und Ungleichmäßigkeit der überzüge viel Zeit und Mühe für die Endbearbeitung der Graphltgegenstände
bis zur gewünschten Form, Abmessung oder Ebenheit
aufgewendet werden.
Ferner sind die meisten Stoffe für harte Schalen oder
Überzüge, die zum Überziehen von Graphitgegenständen
verwendet werden, dicht und nicht imprägniert)ar. In
vielen Fällen sind solche dichten und nicht imprägnierbaren Oberflächen auf den Graphitgegenständen erwünscht.
Wenn jedoch ein solcher Gegenstand in Kombination mit einem Schmiermittel zur Verminderung der Reibung und
Verschleißwirkung auf den Gegenstand verwendet werden soll, läßt eich die Kombination eines sehr harten
Überzugs mit einen Schmiermittel nicht leicht erreichen, da es außerordentlich schwierig ist, das Schmiermittel
auf einer solchen dichten und nicht imprägnierbaren Oberfläche anzubringen oder darauf festzuhalten. "
Deshalb wurden verschiedene Methoden zur Erzeugung mikroskopischer Oberflächenunregelmäßigkeiten in den
oben beschriebenen sehr harten Schalen oder überzügen entwickelt. Diese mikroskopischen Oberflächenunregelmäßigkeiten
können dann mit einem geeigneten Schmiermittel beladen oder imprägniert werden. Zu solchen
Methoden gehören beispielsweise Herausätsen des Bindemittels aus dem überzug mit Säure zur Erzeugung der
BAD ORiGiNAl
Oberflächenunregelmäßigkeiten, Sandstrahlen des Überzugs
s Dampfstrahlen des Überzugs, anodische Ätzung des
Überzugs und Kathodenzerstäubung des Überzugs» Ferner mußten verschiedene .organische Bindemittel verwendet
werden, um das Schmiermittel an die Ober£läehenunregelmä0ig~
ketten ssu binden. Solche Bindemittel-habest Im ©!!gemeinen
den Nachteil,, daß sie die Eigenschaften des Schmiermittels,
besonders die thermischen Eigenschaften, verändern«
ψ Es beeteht datier die
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Die Erf IsAtBg fe®8w®e!st GraphAfeffocpiaafctode „ dia üs@iLa
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Die Erfiacluag betiÄÄt §®ru
gung der «rfiaäößfsf©sa
aufwendig und i-»ialg©r
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Durch die Erfisidmsf) w
abriebfest© AuB@afS.Seh© alt in^sSgniorbaren
pischaa OBsrfIaeheniaMregelmaSigkeiten aufweisen» Bie
harte 'abriebfeste Oberfläche ist eine poröse flüssigununterbrochene Umhüllung mit
"bad original
!01IS 1 / 1 4Q&
praktisch gleichmäßiger Dicke, die mit der gesamten
Außenfläche des Graphitgegenstands eine Einheit bildet und darin eindiffundiert ist. Die ununterbrochene Umhüllung ist tatsächlich eine chemisch gebundene Grenzschicht aus einzelnen Graphitteilchen, die selbst von
Siliciumcarbid umhüllt sind.
Außenfläche des Graphitgegenstands eine Einheit bildet und darin eindiffundiert ist. Die ununterbrochene Umhüllung ist tatsächlich eine chemisch gebundene Grenzschicht aus einzelnen Graphitteilchen, die selbst von
Siliciumcarbid umhüllt sind.
Die Umhüllung wird durch Diffusion eines Siliciummonoxiddampfs
durch die gesamte Außenfläche des Graphitgegenstand* und der daraus resultierenden stöchiometrischen "
Reaktion des Dampfs und von Graphitteilchen des Gegen-* stands unter Bildung der einzelnen, von Siliciumcarbid
umhüllten Graphitteilchen erzeugt. Die so erzeugt®
Umhüllung ist ein genaues Abbild der Außenfläche des
Graphitgegenstand« Vor Erzeugung der Umhüllung und
verändert die Abmessungen des Graphitgegenstands
lediglich in einem Auemaß, das nur ein Minimum an weiterer Bearbeitung des Gegenstands xur Vorbereitung
für sein· beabsichtigte Verwendung erforderlich macht«
Umhüllung ist ein genaues Abbild der Außenfläche des
Graphitgegenstand« Vor Erzeugung der Umhüllung und
verändert die Abmessungen des Graphitgegenstands
lediglich in einem Auemaß, das nur ein Minimum an weiterer Bearbeitung des Gegenstands xur Vorbereitung
für sein· beabsichtigte Verwendung erforderlich macht«
Schließlich bilden' die Poren der Umhüllung mikroskopisch·
QbeJtflXdtieminreg«l»Afilgkelt6n auf der Außenfläche dee λ
Graph!tgeg»n*t«nd·, die leicht mit ®ia«n Schmiermittel.
werden können.
Xm folgenden werden vereehiede&e AiiaführungsfoxMeii des.'
Erfindung erläutert,
Di« erflmkmgsgemäßen Gegenstände können allgezaeln auf
jedem porueen und für Siliciummonoxid durchlässigen
Graph!tkörper erzeugt werden. Ein solcher Körper
mit einer gewünschten vorgegebenen Gestalt wird in
eine geeignete Reaktionskaxmner oder einen geeigneten
Ofen gebracht und auf wenigstens 1400 Grad C erwärmt.
Dann wird zu dem Graphitkörper in dem Ofen ein
Graph!tkörper erzeugt werden. Ein solcher Körper
mit einer gewünschten vorgegebenen Gestalt wird in
eine geeignete Reaktionskaxmner oder einen geeigneten
Ofen gebracht und auf wenigstens 1400 Grad C erwärmt.
Dann wird zu dem Graphitkörper in dem Ofen ein
00!851/UQ* ." -.
Siliciiramonosclddampf in solcher Weise befördert, daß
die gesamte Außenfläche des Graphitkörpers von 'diesen
Dampf umgeben ist ο Hierauf wird der Dampf in die
Poren des Graphitkörpers eindiffundiert und mit den Graphitteilehen des Körpers nach der Reaktionsgleichung
SiO 4» 2C «■ SiC + CO stöshiomstrisch umgesetzt.
Diese stöehieasetrische Dampf-Feststoff-Reaktion
führt dasUi, dal ©ia Teil jedes
BLtu in ©is»© SiiIeimeaieM<äö»Milu»w auf des T&iXch@iftS übergefüllst WiM5 dar nicht in Siliciumcarbid isag€»sajKl©lfc wisdL Di© physikalisch© Groß© des Siliciumcarbid=· miä Graph! tt©£-i<sh@»s„ das durch die
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GrapiiitteilefeeSi? ii@ mit ä®s ^
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erreicht als solch© 6raphittei3aehexiff.die sich weiter
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BAD ORIQfNAt
Verhältnis von Siliciumcarbid zu Graphit in der Umhüllung von der Außenfläche des erzeugten Gegenstands in Richtung
auf das Zentrum des Graphitkörpers ab.
Da forner die Siliciumcarbidumhüllung aus Anteilen der
Graphitteilchen des Graphitkörpers erzeugt wird und diese ersetzt, werden die Poren oder Hohlräume des Körpers
durch das so erzeugte Siliciumcarbid nicht veratopft
oder gefüllt, sondern bleiben praktisch so erhalten, wie sie vor dem Eindiffundieren von Slliciunraonoxid
vorlagen. Gleichzeitig mit der Bildung der einzelnen i
Siliciumcarbidumhüllungen entweicht das in der oben
beschriebenen Reaktion entstandene Kohlenmonoxid aus dem Graphitgegenatand durch dessen Poren und sorgt
wahrscheinlich dafür, daß diese offenbleibe.». Daher
wird gefunden, daß die Umhüllung auf dem Graphltkörper
ebenso porös und fItieeigkeltsdurchlässig Ist
wie der Graphitkörper, den sie eimschlleSt. Dies®
Porosität 1st außerordentlich günsfeig, da die Poren
oder Hohlräume der Umhüllung TOrtellhüfterweis©
mikroskopische Oberfl&chenunregeImSSlgkaiten auf
dem Produkt ergeben, wodurch die Notwendigkeit, solche Unregelmäßigkeiten künstlich su erseugen, entfällt,.
wenn belaplelevelse der Gegenstand mit einem Schäler- "
mittel Imprägniert werden soll.
Ein weiteres Merkmal der nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren erzeugten Umhüllung ist, daß die Umhüllung keinen Überzug oder keine Schale im eigentliches
Sinn dieser Worte darstellt, sondern vielmehr eine
Haut oder AuBenschicht ist, die ein genaues Abbild der Außenfläche des ursprünglichen Graphitkörpers unabhängig von der Topographie oder von Unregelmäßigkeiten
diesea Körpers darstellt. Wenn daher die erfindungsgemäße
Umhüllung auf einem Graphitkörper erzeugt wird, hat aie
auf der gesagten Außenfläche dieses Körpers praktisch gleichnKBice Dicke und bildet eine harte abriebfeste
0088S1/U04 "^AD-ORIGINAL
Oberfläche, die ein Minimum an v.'eiterer Bearbeitung
des Gegenstände zur Vorbereitung für seine beabsichtigte
Verwendung erfordert. Diese Tatsache kann von großer Bedeutung sein, wenn ein Gegenstand benötigt wird, der
bis zu einer genauen Form, Abnessung oder Ebenheit bearbeitet ist.
Im allgemeinen bestir.imt die beabsichtigte Verwendung
der erfindungsgemäß erzeugten Gegenstände die Eigenschaften des Graphitkörpers oder -kerns des Gegenstands.
Da die Reaktion, durch die die Umhüllung auf dem Gegenstand erzeugt wird, von dem Eindiffundieren von
Siliciummonoxid in den Gegenstand abhängt, 'muß der Graphitkörper des Gegenstands mit. anderen Worten
genügend porös und flüssigkeitsdurchlässig sein, um eine solche Diffusion zu ermöglichen. Wenn aber
der erzeugte Gegenstand beispieleweise als Flüssigkeitsdichtung verwendet werden soll, darf der Graphitkörp©r
nicht so porös eein, daß die Flüssigkeit, die abgedichtet
werden soll, auslaufen kann, noch »oll die Porenr
struktur des Graphits einen kontinuierlichen Kanal in dem Körper bilden, durch den die Flüssigkeit auslaufen
kann. Außerdem müssen auch dl© Oberflächengüte*
und die Ebenheit, die für eine solch® Dichtung erforderlich
sind, berücksichtigt werden f da si© ©be»£alls
von der Porosität und Teilchengröße des Graphite in dem
Graphitkörper abhängen. Daher wird die Grftphitaoirte,
die für einen bestirnten Gegenstand verwindet wird«,
von einer annehiobares} Abstimmung der Porosität, die
für diesen Gegenstand erforderlich ist, und der Dicke der Umhüllung« die für diesen Gegenstand gewünsefet
wird, besttrcnt.
Bezüglich der Graphitsorte, die für einen bestimmten Gegenstand verwendet wird, ist ferner zu berücksichtigen,
' BAD GR161NAL
Q09851/U04
daß die Stöchiometrie der Umhüllung durch Abänderung
der Teilchengröße des verwendeten Graphits oder der Menge von Siliciummonoxiddanpf, die zu dem Graphitkörper
befördert wird, verändert werden kann. Wenn also eine Umhüllung mit verhältnismäßig großen Graphitteilchen
und verhältnismäßig dünnen einzelnen Siliciumcarbidumhüllungen gewünscht wird, kann eine grobe
Körnung, z. B, 0,94 mm angewandt werden. Wenn eine Umhüllung mit verhältnismäßig kleinen Graphitteilchen
und verhältnismäßig dicken einzelnen Siliciumcarbidumhüllungen gewünscht wird, kann eine geringere
Korngröße, zum Beispiel von 0,005 cm verwendet werden. Durch Beförderung des gleichen Volumens an SiIlciummojvoxiddampf
zu jedem der Graphitkörper mit den angegebenen Korngrößen wird dann die gewünschte Umhüllung
durch die anschließende Dampf-Feststoff-Reaktion erzeugt. Ebenso können dieselben beiden gewünschten
Umhüllungen, die oben beschrieben wurden, durch Anwendung der gleichen Korngröße in jedem der
Graphitkörper und anschließende Beförderung einer jeweils verschiedenen Meng· an Siliciurononoxiddampf zu
jedem Körper erxeugt werden. Die Korngröße der
Graphitteilchen, dl· zur Erzeugung der erfindungsgemäßen
Graphitkörper verwendet werden, kann zwar inner halb eines weiten Bereichs von Korngrößen abgeändert
werden, bevorzugt wird jedoch eine durchschnittliche Größe der Graphtteilchen von 0,005 bis 0,020 cm.
Der für die erfindungsgemäßen Zwecke verwendete Siliciuaunonoxiddanipf kann leicht durch Erwärmen von
voraugeweise hochreinem Siliclumpulver und Siliciumdioxid
auf eine Temperatur von wenigstens 14OO Grad C erzeugt werden. Diese Reaktion entspricht der Gleichung
Si + SiO2 = 2S10
BAD ORIGINAL 009851/UiK
und ist in der Chemie seit vielen Jahren bekannt.
Im allgemeinen kann das Verhältnis von Siliciumpulver
zu Siliciumdioxidpulver 0,75 : 1 bis 1,25 : 1 betragen.
Diese Methode zur Herstellung des Siliciummonoxids wird für die erfindungsgemäßen Zwecke bevorzugt, da
dabei keine anderen Dämpfe oder Produkte entstehen, die die auf dem erfindungsgemäßen Gegenstand erzeugte
Umhüllung verunreinigen, ätzen oder in anderer Weise nachteilig beeinflussen könnten. Jedoch können andere
organische oder anorganische binäre, ternäre oder quaternäre Oxide des Siliciuma in Verbindung mit
Silicium oder anderen Reduktionsmitteln zur Erzeugung des erforderlichen Silieiummonoxids angewandt werden.
Typische Oxid«, die für die erfindüngsgemäßen Zwecke
geeignet sind, sind daher beispielsweise Ca^Lciumsllicat,
Natriumailicat, Bauxit, Äthylsilicat, Methylsilicat,
Aryloxysilane und Alkoxysilane.
Im allgemeinen wird es bevorzugt, das Silicium- und
Sillciumdioxidpulver in der gleichen Raaktionskammer
oder dem gleichen Ofen tn&sueetsen, worin sich der
Graphitkörper befindet, wo daß der SiliciumBtonoxiddanqpf
aufgrund seine» eigenen Dampfdruck* *u diesem Körper
gelangen kann, ohne dafi Str&Bungsverh<nisse in
dem Ofen entstehen, die eich nachteilig auf die
Glelohn&eigkeit der äut dem Gegenstand erzeugten
Umhüllung auswirken kannten. Der Siliciunmonoxiddampf
kann aber auch in"einer eigenen Sone oder einem
eigenen Reaktor ersetagt und durch ein Inertgas,
zum Beispiel Argon oder HeIIiSa6, sra dem zu umhüllenden
Graphitkörper befördert
Wie oben angegeben, kam die Reaktion zwischen dem
Siliciummonoxiddainpf und de» Graphitteilchen bei einer
BAD ORiGfMAL 00S8S1/1404
Temperatur von 14(X) Grad C stattfinden. Die besten
Temperaturen für diese Stufe des erfindungsgemäßen Verfahrens liegen vorzugsweise im Bereich von 1950
bis 2050 Grad C. Es wurde gefunden, daß Reaktionen, die bei Temperaturen unterhalb dieses bevorzugten
Bereiche durchgeführt werden, zu langsam ablaufen und eine weniger vorteilhafte Umhüllung ergeben,
während Reaktionen, die bei Temperaturen oberhalb dieses Bereichs durchgeführt werden, infolge der
konkurrierenden Reaktionen
die bei solchen höheren Temperaturen auftreten
und die Umhüllung zersetzen kOnnen, ebenfalls eine weniger vorteilhafte Umhüllung liefern.
Wenn eine unbegrenzte Fortsetzung der stöchiome tr löschen Reaktion zwischen dem Slllduramonoxiddanpf
und den Graph!ttellchen zugelassen wird, werden
die Graphittellchen des Graphitkörpera schließlich
vollständig in Siliciumcarbid umgewandelt, soweit
der Silicivsvaonoxiddanpf in den Gxaphltkörper
eindiffundieren Kann. Die« 1st selbstverständlich
der Fall, da die Siliclutaoarbidumhüllung *uf den
einzelnen Graphittellchen ströniungadurchllssig
bleibt, so daß der Slliciun&onoxiddaxnpf weiter
in das Graphittellchen eindiffundieren und damit reagieren kann.
Ein· solche Umhüllung kann zwar zweckmäßig sein,
wenn der Graphitgegenstead zur Venrendung als-Lager oder Dichtung, zum Beispiel als Gleitlager,
Zapfenlager, Kugellager, Pumpendichtung oder
BAD OBlGiNAL
009851/U04
Wellendichtung hergestellt wird, Graphitteilchen in der Umhüllung werden jedoch bevorzugt. $ie werden
deshalb bevorzugt, weil mit beginnendem Verschleiß der Lagerfläche oder des Dichtungskörpers die exponierten
äußeren Teile der einzelnen Siliciumcarbidumhüllungen
von den Graphitteilchen in der Umhüllung abgerieben
werden. Infolgedessen werden dann diese Graphitteilchen freigelegt und können die Lagerfläche oder
den Dichtungskörper mit einem eingebauten Selbstschjmierungsnechanismus
versehen, wenn sie aus der Umhüllung hervorkommen.
Es wurde gefunden, daß bei Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens unter den bevorzugten Bedingungen,
d. h. bei Temperaturen zwischen 1950 und 2050 Grad C und Korngrößen zwischen 0,005 und 0,020 cm, die Graphitteilchen
nicht vollständig in Siliciumcarbid umgewandelt werden,,wenn man die Temperatur 15 Minuten,
nachdem der Siliciummonoxiddampf damit begonnen hat, mit den Graphitteilchen bei diesen bevorzugten Temperaturen
zu reagieren, unter den bevorzugten Bereich absinken IMBt.
Wie oben angegeben, ist die Dicke der umhüllung auf
dem erfindungsgemäßen Gegenstand direkt von der Tiefe abhängig, in die der Siliciuiranonoxiddarapf von der Oberfläche
des Graphitkörpers aus diffundieren kann. Die Verwendung von hochreinem Graphit wird zwar bevorzugt,
in manchen Fällen kann d®r verwendete Graphit jedoch nur eine minimale Menge an Verunreinigungen enthalten.
BAD ORIGINAL
009051/1404
Eg let daher angebracht und bevorzugt, so viele
Verunreinigungen und adsorbierte Gase aus dem Graphitkörper wie möglich zu entfernen, bevor die Umhüllung
auf dem Körper erzeugt wird/ damit der Siliciummonoxiddampf ohne Störung durch Abgasen solcher Gase und
Verunreinigungen in den Körper diffundieren kann. Solche Verunreinigungen und adsorbierten Gase können aus dem
Graphitkörper durch Erwärmen des Graphitkörpers im Vakuum auf eine für diesen Sweck ausreichende Temperatur
ausgetrieben werden. Es wurde gefunden, daß . für die erfindungsgemäßen Zwecke der Graphitkörper (
durch 4 bis 6 Stunden langes Entgasen bei 1J53O Grad C
und 10 mm Hg zweckmäßig gereinigt werden kann.
Außer den Selbstschmierungaeigenschaftan der Umhüllung
dei erfindangsgemäfien Gegenstands bilden die Poren der
Umhüllung mikroskopische Oberfl&Ghenunregelraäßigkelten,
die mit einem Schmiermittel zur Schmierung zwischen einer Lagerfläche und einem anderen Körper oder zwischen
einer DichtmxgeflHche und einem anderen Dichfcungskörper
mit einen Schmiermittel gefüllt oder imprägniert «erden können. Beders gUnstig find trockene oder fette
Schmiermittel * und es wurde gefunden,. d*J. tie keine
weitere Bindung oder Verechmelsung nötig haben, qs in "
den Poren der Umhüllung au verbleiben. Iu geeigneten -Schmiermitteln gehören beispielsweise Graphit, der
bevorzugt wird, Glimmer, Polytetrafluorethylen, fluorierte
Xthylen-Propylen-Copolymere, Vermiculit, Bornitrid,
tfolfraadisulfid und Kolybdändisulfid. Ferner wurde
gefunden, d*ß ein nach dem erfinduncfsgemäßen Verfahren
erzeugter Gegenstand eine gute Schmierung ergibt, wenn seine Poren mit nichts welter als Wasser imprägniert
sind.
Hegen «einer porösen Natur ist der Erfindungsgegenstand
ferner ideal für ein ölimprägnierte» Lager. Der gesamte
001 ii 51/1404 ' BAD ORIGINAL
Gegenstand Kann leicht mit Ul imprägniert werden. Zusätzlich können die mikroskopischen Oberflächenunregelmäßigkeiten
mit einem festen Schmiermittel imprägniert werden, wodurch eine weitere Schmierung
zwischen dem erfindungsgemäßen Gegenstand und einem weiteren Körper, der damit in Berührung steht,
erzielt wird.
Die Imprägnierung der Poren der Umhüllung des erfindungsgemäßeη
Gegenstands mit einem Schmiermittel kann, durch bloßes Aufreiben oder Aufstreichen des
Schmiermittels auf die Oberfläche der Umhüllung erreicht werden. Bei Bedarf kann jedoch das
Schmiermittel in die Poren mit Hilfe eines Tuchs, eines Achats, von Stahlwolle, einer Stahlkugel
oder dergleichen einpoliert werden, wobei der Begriff "Polieren" in der gleichen Weise gebraucht wird, wie
er allgemein auf dem Gebiet der Metalibearbeitung angewandt wird.
Für dl« Siliciuaraurhlduahüllung, dl® erf indungsgemäß.
auf einem Grapiiitkörper erzeugt wird, ist kennzeichnend,
daß in der »ononolekularen SöMeht auf der &tiBeti£3Jlchft
der Umhülluag «!alge freie SiüeiunatcxM vorhand·* sind.
Bei Bedarf können diese freien SilieiuBatosse leicht
von der Oberfläche entfernt werde», indem stan dl·
Oberflache einer Behandlung mit Mineralsäure oder
Alkali, zum Beispiel mit Flußsäus© oder kaustischem
Soda, unterwirft. Wenn der erfindungsgesetB®
al· Lager oder als Dichtung verwendet werden «oll«
wurde jedoch festgestellt, daß es vorteilhaft
wenn diese freien Silicium«tome hydbeafcis3i@iri
und als Teil der Oberfläche des Gegenstands verbleiben «>'
Eine solche Hydratisierung kann dadurch erreicht werd®«,ä
1 Ί w- _ ' - · f
OQ98S1/U04
daß man den Gegenstand, auf dessen Außenfläche die freien Siliciunatoine vorliegen, einer wasserhaltigen
Atmosphäre aussetzt. Unter der Bezeichnung "hydratisiert", wie sie hierin verwendet wird, ist zu verstehen, daß
sich die freien Siliciumatonte mit Wasser entweder in
Form von Wassemolekülen oder als Hydroxyreste, die
an die Silicivunatone gebunden werden, vereinigen.
Der N'utzen solcher hydratisierter auf der Oberfläche des Gegenstands liegt
darin, daß feste Schmiermittel,
zun Beispiel Graphit oder MolyL<1vnsulfi<i, ,wenigstens
etwas Feuchtigkeit benötigen, dar.it sie als Schmiermittel wirken. So können in einer wasserfreien Umgebung
die hydratisieren Siliciunatoir.e die Feuchtigkeit
liefern, die von dem Schmiermittel benötigt wire,
das auf den erfindungsger.äßen Gegenstand und eineweiteren
Körper, der danit in Berührung steht, verwendet wird.
Für den Fachmann ist daher ersichtlich, dar! der erfindungsgemäße
Gegenstand einen Graphitgegenstand darstellt» der kein Bindemittel benötigt, damit er zusammengehalten
wird, und eine harte abriebfeste Oberfläche aufweist, die ein genaues Abbild der Aufienfl&ch® des
Graphitgegenstand« vor der Erzeugung dieser harten
Oberflache darauf darstellt. Ferner bietet diese harte abriebfeste Oberfläche mikroskopische Oberflächenunregelmafiigkeiten,
die eine Imprägnierung des so erzeugten Gegenstands mit einem Schmiermittel
erlauben, ohne daß zuerst künstliche Oberflächenunregelmäßigkeiten
auf den Gegenstand geschaffen werden müssen und ohne daß das Schmiermittel an den ' ·
Gegenstand gebunden werden muß.
BAD ORIGiNAL··
009SSWUOi-
Ea ist ferner zu ersehen, daß die Ausgangsstoffe oder Rohstoffe/ die für das erfindungsgemäße Verfahren
verwendet werden, wohlfeil und in Handel erhältlich sind. Ebenso sind das erfindungsgenäße Verfahren
und die Vorrichtung zu seiner Durchführung direkt, einfach, unkompliziert und billig durchzuführen oder
aufzubauen.
Durch die folgenden Beispiele wird die Erfindung näher erläutert.
Eine geschlitzte Rotationsdichtung aus Graphit mit einem Außendurchmesser von 3,94 cm, einen Innendurchmesser
von 2,58 cm, einer Breite von 1,43 cm und einem
konzentrisch zum Innen- und Außendurchmesser angeordneten
Hohlraum mit einer Tiefe von 0,95 cm. und
einem Durchmesser von 3,175 cm wird nach den erfindungsgeinäßen
Verfahren mit einer Umhüllung von 0,038 cm versehen. Die Dichtung wird maschinell aus einem Block
von Graphit mit einer Teilchengröße von 0,005 cm gefertigt. Da Ebenheit ein Haupterfordernie von Dichtungeflächen
ist, wird die Fläche anschließend rait Al3O3
Schleifstaub 2000 und Viaseer geläppt, bis sie
Innerhalb einer Differenz von 0,0000984 cm plan ist.
Dann wird die Dichtung an einem Graphitstab aufgehängt, der in einem Graphitschiffchen oder einer Graphitkaromer
mit einen abnehmbaren Deckel befestigt ist, in dem- eieh
©in Ablaß befindet, der ein langsames Entweichen von
Reaktionsprodukten und Reaktionsteilnehroem aus dem '
Schiffchen ernogllcht. Der Boden dies Graphitschiffchens
BAD ORiGiNAL
wird mit Siliciumpulver und Siliciumdicxidpulver in
einem Verhältnis von 1 : 1 beladen. Dann wird das Schiffchen mit aufgesetztem Deckel in einen Ofen gestellt.
Hierauf wird der Ofen durch kontinuierliches Durchleiten eines Stroms des Inertgases Argon gespült.
Der Ofen wird dann auf eine Temperatur von 2000 Grad C erwärmt und 15 Minuten lang bei dieser Temperatur belassen,
worauf der Ofen auf normale Raumtemperatur abkühlen gelassen wird. IJach Entnahme der Rotationsdichtung aus dem Graphitschiffchen vrlrd festgestellt,
daß sie eine harte abriebfeste Umhüllung aufweist, j
die mit ihrer Außenfläche eine Einheit bildet und darin eindiffundiert ist. Es wird festgestellt,
daß die Tiefe der Umhüllung 0,038 cm beträgt. Die Außenfläche der Rotationsdichtung wird dann 4 bis 6
Minuten mit einem 30 Mikron-Diamantrad geläppt und dann mit einer 1 Mlkron-Diamant-Paste fertig
bearbeitet, bis sie innerhalb einer Toleranz von 0,0000984 cm eben ist. Hierauf wird die Rotationsdichtung in eine Pumpe installiert und mit einen gewöhnlichen stationären Graphitdichtungseinsatz in Eingriff
gebracht. Die Pump« wird kontinuierlich mit 1OO Grad C und 3500 UpM betrieben, um eine Siliconflüssigkeit,
die einen scheuernden Tonkatalyaator enthält, zu . ·' ((
pumpen. Nach 720 Stunden arbeitet die Rotationsdichtung imroer noch wirksam ohne Auslecken. Wenn eine gewöhnliche
Graphitdichtung der gleichen Art mit einer keramischen Rotationsdichtung in Eingriff gebracht und damit in
derselben Pumpe betrieben wird, beginnt die Pumpe gewöhnlich nach nur 2 Stunden schwer zu lecken.
BAD ORIGINAL 009851/UOA
Beispiel 2
Mit der gleichen Vorrichtung und nach der gleichen Arbeitsweise, wie sie in Beispiel 1 angegeben wurde,
wird ein stationärer Dichtungsring mit einem Außendurchmesser von 4,13 cm, einem Innendurchmesser von 2,70 cm
und einem konzentrisch zum Außen- und Innendurchmesser angeordneten Rand mit dem gleichen Innendurchmesser
und einem Außendurchmesser von 3,64 em mit einer Umhüllung versehen. Die Korngröße des verwendeten
Graphits beträgt 0,020 era. Es wird festgestellt, daß die Tiefe der auf dem stationären Dichtungsring erzeugten
Umhüllung 0,051 cm beträgt. Wenn dieser stationäre Dichtungsring mit einem keramischen Rotationsdichtungering
in Eingriff gebracht und in einer· Wasser™ pumpe installiert wird, die kontinuierlich bei 85 Grad C
und 35CX) UpM betrieben wird, wird gefunden, daß die Pumpe noch 2000 Stunden ohne Ausleeken arbeitet«.
Hit der gleichen Vorrichtung und naek der gleichen
Arbeitsweise, wie sie in Beispiel 1 beschrieben mir öl©,
wird eine Rotationsdichtung mit einer Umhüllung γοη
0,038 cm hergestellt» Die Umhüllung wird dann mit Molybdänsulfid durch Einpolierera des Molybdänsulfids
in die Poren der Umhüllung imprägniert.
BAD ORIGINAL
003851/1404
Claims (21)
- Patentansprüche[V) Formkörper mit einer harten abriebfesten Außenfläche, die iraprägnierbare mikroskopische OberflächenunregelmäSigkeiten aufweist, gekennzeichnet durcheinen porösen flüssigkeitsdurchlässigen Graphitkern,ej.ne poröse flüssigkeitsdurchlässige ununterbrochene |Umhüllung mit praktisch gleichmäBiger Dicke, die mit der gesamten Auftenfläche dee Graphitkerns eine Einheit bildet und darin eindiffundiert ist und im wesentlichen aus Graphitteilchen besteht, die einzeln von Siliciumcarbid umschlossen sind, wob«!das Verhältnis von Siliciumcarbid zu Graphit von der Außenfläche des Formkörper β in Richtung auf das Sentrum des Graphitkerns aJbnlsiat, undmikroskopische OberflÄchenunregeimäfligkeiten, die * auf der Außenseite des Formkörper« von den Poren der porösen Umhüllung gebildet werden.
- 2. Formkörper nach Anspruch 1,, dadurch gekennzeichnet, daß der Formkörper eine aelbstsehmlerende Lagerfläche aufweist, die für den Kontakt mit einem weitere» Körper und für eine relativ« Bewegung in Kontakt mit diesem weiteren Körper gestaltet ist, wobei die Selbstschmierung durch die Graphitteilchen in der ununterbrochenen Umhüllung erfolgt.BAD ORIGINAL00$8S1/U<H
- 3. Formkörper nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß er außerdem eine nonomolekulare Schicht von hydratisierten Siliciumatomen auf der Oberfläche der ununter- ' brochenen Umhüllung aufweist, dis die selbstschnierende Lagerfläche mit Feuchtigkeit versorgen.
- A. Formkörper nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenunregelmäßigkeiten zur weiteren Schmierung zwischen dem Formkörper und dew weiteren Körper außerdem ruit einem Schmiermittel imprägniert sind.
- 5. Formkörper nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Schmiermittel ein festes Schmiermittel ist.
- 6. Formkörper nach Anspruch 5, dadurch "gekennzeichnet, daß da« feste Schmiermittel aus Graphit, Glimmer, PoIytetrafluorÄthylen, fluorierten Xthylen-Propylen-Copoly" neren, Vermiculit, Bornitrid/ WolframdisulfId oder Molybdändisulfia besteht.
- 7. Formkörper nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß er als mechanische Dichtung mit einer Seite, die für den Eingriff einer weiteren Dichtung mit Gleitkontakt gestaltet ißt, zur Abdichtung von Flüssigkeiten ausgebildet ist.BAD- ORfGfNAL009861/1404
- 8» ÖiehtungskÖrper nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Umhüllung auf dem Graphitkern aus von Siliciumcarbid umschlossenen Graphitteilchen und der Graphitkern aus Graphitteilchen besteht, d&ren Durchschnittsdurchmesser nicht weniger als 0,005 cm und nicht mehr als 0,020 cm beträgt.
- 9. Dichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche der Dichtung innerhalb einer Toleranz von 0,0000983 cm eben ist.
- 10. Dichtung nach Ansprach 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenunregelmäßigkeiten zur Schmierung zwischen der Dichtung und dem weiteren Körper mit einem Schmiermittel Imprägniert sind.
- 11. Verfahren zur Erzeugung eines Formkörpers mit einer harten abriebfesten AuSenflache, die mikroskopische Oberflächenunregelmäßigkeiten aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß man .einen porösen flüssigkeitsdurchlässigen Graphitkörper mit vorgegebener Gestalt erzeugt,den Graphitkörper in einen Ofen bringt und den Ofen auf wenigstens 140O Grad C erwärmt,einen Siliciunaoonoxiddarepf erzeugt und den Dampf xu dem Graphitkörper In dem Ofen befördert,• BAD ORIGINAL-00ei51/U04den Siliciummonoxiddampf in den porösen Graphitkörper durch die gesamte AuBenflache des Körpers eindiffundieren und mit den Graphitteilchen des Körpers unter Bildung einzelner Siliciumcarbidumhüllungen auf den Graphitteilchen in situ reagieren läßt unddadurch eine poröse fIüssigkeitsdurchläs3ige ununterbrochene Umhüllung praktisch gleichmäßiger Dicke aus von Siliciumcarbid umschlossenen Graphitteilchen erzeugt/ die mit der gesaraten Außenfläche des Graphitkörpers eine Einheit bildet und darin eindiffundiert ist Und deren Poren mikroskopische Oberflächenunregelmäßigkeiten auf der Außenseite des Fornkörners bilden.
- 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß man den Ofen auf eine Temperatur zwischen 1950 und 2050 Grad C erwärmt.
- 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet/ daß man die Temperatur in dem Ofen nicht mehr als 15 Minuten aufrechterhält.
- 14. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß man außerdem die mikroskopischen Oberflächenunregelmäßigkeiten auf der Außenfläch© des Formkörper« mit einem Schmiermittel imprägniert.
- 15. Verfahren nach taeprach 14, dadurch fekena zeichnet, daß aaa ein £®st©e Setatftsaitt®!BAD 0098S1/UQ4 .
- 16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß man als Schmiermittel Graphit, Glimmer, Polytetrafluorethylen, fluorierte ."thylen-Prcpylen-Copolvr.vsre, Vermiculit, Bornitrid, '.'olfra. ..lisulfid oder llol"h«IMndisulfiu verwendet.
- 17. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch jr I-.enn zeichnet, daß r.an diese; Irr.prä-r.inrur.^ der y'.erfläc.ienunregelmäßigkeiten .vit einen CcV iernittcl durCii Hinpoliorcn des !"curie rr.ittcl;; in c'.io Oterflichenunrcj'-len durchfuhrt.
- 18. Verfahren nach Anspruch 11, dadirch gekennzeichnet, daß man den Graphitkörper in Vakuum bei einer Temperatur, die zur Entfernung von Verunreinigungen und adsorbierten Gasen aus deir. Graphitkörper hoch genug ist, entgast, bevor nan den Graphitkörper in den Ofen bringt.
- 19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß man die Entgaaung wenigstens 4 Stunden bei 1530 Grad C und 10 mm Hg durchführt.
- 20. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß man auf dem Graphitkörper eine Lagerfläche erzeugt, die für den Kontakt mit einem weiteren Körper und für eine relative Belegung im Kontakt mit diesem weiteren Körper ausgebildet ist.BADORIQINAL009851/UCU
- 21. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekenn zeichnet , daß nan den Graphitkörper in Form einer
Dichtung mit einer Fläche, die für den Eingriff
einer weiteren Dichtung mit Gleit-Reibungs-Kontakt zur Abdichtung von Flüssigkeiten ausgestaltet ist, ausbildet.009451/1404
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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