DE2020182C3 - Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitermaterial beim tiegelfreien Zonenschmelzen - Google Patents

Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitermaterial beim tiegelfreien Zonenschmelzen

Info

Publication number
DE2020182C3
DE2020182C3 DE19702020182 DE2020182A DE2020182C3 DE 2020182 C3 DE2020182 C3 DE 2020182C3 DE 19702020182 DE19702020182 DE 19702020182 DE 2020182 A DE2020182 A DE 2020182A DE 2020182 C3 DE2020182 C3 DE 2020182C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
heating coil
induction heating
doping
nozzle
semiconductor material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19702020182
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2020182B2 (de
DE2020182A1 (de
Inventor
Wolfgang Dr. 8551 Pretzfeld Keller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19702020182 priority Critical patent/DE2020182C3/de
Priority to NL7104547A priority patent/NL7104547A/xx
Priority to GB1095271A priority patent/GB1303944A/en
Priority to FR7114488A priority patent/FR2090608A5/fr
Priority to DK195971A priority patent/DK138257C/da
Priority to BE766213A priority patent/BE766213A/xx
Publication of DE2020182A1 publication Critical patent/DE2020182A1/de
Publication of DE2020182B2 publication Critical patent/DE2020182B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2020182C3 publication Critical patent/DE2020182C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
    • C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
    • C30B13/12—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials in the gaseous or vapour state

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • General Induction Heating (AREA)
DE19702020182 1970-04-24 1970-04-24 Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitermaterial beim tiegelfreien Zonenschmelzen Expired DE2020182C3 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702020182 DE2020182C3 (de) 1970-04-24 1970-04-24 Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitermaterial beim tiegelfreien Zonenschmelzen
NL7104547A NL7104547A (enrdf_load_stackoverflow) 1970-04-24 1971-04-05
GB1095271A GB1303944A (enrdf_load_stackoverflow) 1970-04-24 1971-04-23
FR7114488A FR2090608A5 (enrdf_load_stackoverflow) 1970-04-24 1971-04-23
DK195971A DK138257C (da) 1970-04-24 1971-04-23 Apparat til dotering af halvledermateriale ved digelfri zonesmeltning
BE766213A BE766213A (fr) 1970-04-24 1971-04-23 Dispositif de dopage de matiere semi-conductrice lors d'une fusion par zones sans creuset

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702020182 DE2020182C3 (de) 1970-04-24 1970-04-24 Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitermaterial beim tiegelfreien Zonenschmelzen

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2020182A1 DE2020182A1 (de) 1971-11-11
DE2020182B2 DE2020182B2 (de) 1973-09-20
DE2020182C3 true DE2020182C3 (de) 1974-05-02

Family

ID=5769283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19702020182 Expired DE2020182C3 (de) 1970-04-24 1970-04-24 Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitermaterial beim tiegelfreien Zonenschmelzen

Country Status (6)

Country Link
BE (1) BE766213A (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE2020182C3 (enrdf_load_stackoverflow)
DK (1) DK138257C (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR2090608A5 (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1303944A (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL7104547A (enrdf_load_stackoverflow)

Also Published As

Publication number Publication date
DE2020182B2 (de) 1973-09-20
FR2090608A5 (enrdf_load_stackoverflow) 1972-01-14
GB1303944A (enrdf_load_stackoverflow) 1973-01-24
BE766213A (fr) 1971-10-25
NL7104547A (enrdf_load_stackoverflow) 1971-10-26
DK138257C (da) 1979-01-22
DE2020182A1 (de) 1971-11-11
DK138257B (da) 1978-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1017795B (de) Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen
DE2544137C2 (de) Vorrichtung zum Erhitzen und Schmelzen von Material
DE2020182C3 (de) Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitermaterial beim tiegelfreien Zonenschmelzen
DE2363609B2 (de) Verfahren und vorrichtung zum giessen von metall
EP0068224A1 (de) Kühlverfahren
DE1180723B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von feinteiliger amorpher Kieselsaeure
DE935688C (de) Lichtbogen-Schutzgas-Schweissgeraet mit magnetischer Ablenkung des Lichtbogens
DE2327085C3 (de) Vorrichtung zum Dotieren beim tiegelfreien Zonenschmelzen
DE1596606B2 (de) Verfahren und einrichtung zur herstellung von flachglas
DE2319700C3 (de) Verfahren zur Beeinflussung des radialen Widerstandsverlaufs in einem Halbleitereinkristallstab beim tiegellosen Zonenschmelzen und Vorrichtungen zur Durchführung des Verfahrens
DE69012657T2 (de) Verfahren zum Entfernen von NOx aus Abgas mit elektrischer Entladung.
DE2800871A1 (de) Anlage zur herstellung von draht
DE1433461A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur UEberwachung und Steuerung des Reaktionsablaufes beim Sauerstoffaufblasverfahren
EP0054656B1 (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen
DE2746318B2 (de) Einrichtung zum Stranggießen dünner Drähte aus Metall oder einer Legierung
DE3236037A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum erzeugen heisser gase
DE316349C (enrdf_load_stackoverflow)
DE3717241C1 (en) Process for producing test gas mixtures containing oxides of nitrogen and apparatus for carrying out such a process
AT216303B (de) Verfahren zum Biegen und Deformieren von kristallinen, spröden Stoffen
DE1544276C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines dotierten Halbleiterstabes durch tiegelloses Zonenschmelzen
DE2051703A1 (de) Verfahren zum Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere aus Silicium
DE198240C (enrdf_load_stackoverflow)
DE1205057B (de) Vorrichtung zum Herstellen von Halbleitermaterial durch thermische Zersetzung einer gasfoermigen Verbindung und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung
DE1075099B (de) Verfahren zur Herstellung von Kohlenmonoxyd
DE1205950B (de) Halterung in einer Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase auf stabfoermigen Traegern aus Halbleitermaterial gleicher Gitterstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E771 Valid patent as to the heymanns-index 1977, willingness to grant licences
8339 Ceased/non-payment of the annual fee