DE2020182C3 - Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitermaterial beim tiegelfreien Zonenschmelzen - Google Patents

Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitermaterial beim tiegelfreien Zonenschmelzen

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DE2020182C3 DE19702020182 DE2020182A DE2020182C3 DE 2020182 C3 DE2020182 C3 DE 2020182C3 DE 19702020182 DE19702020182 DE 19702020182 DE 2020182 A DE2020182 A DE 2020182A DE 2020182 C3 DE2020182 C3 DE 2020182C3
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
    • C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
    • C30B13/12—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials in the gaseous or vapour state

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