DE202012013740U1

DE202012013740U1 - Stromversorgungsschaltung eines Stromverstärkers und Endgerät

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Publication number: DE202012013740U1
Application number: DE202012013740.9U
Authority: DE
Original assignee: Huawei Device Co Ltd
Current assignee: Huawei Device Co Ltd
Priority date: 2011-01-21
Filing date: 2012-01-20
Publication date: 2020-10-08
Anticipated expiration: 2022-01-21
Also published as: EP2479888B1; ES2868273T3; US8659356B2; EP2479888A1; US20120188017A1; CN102158078B; EP3866336B1; JP5519031B2; JP2013520950A; CN102158078A; EP3866336A1; WO2012097745A1

Abstract

Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers, mit einem Gleichstrom/Gleichstrom-Wandler, wobei der Gleichstrom/Gleichstrom-Wandler aufweist:
einen Eingangsstift (IN);
einen Induktivitätsstift (LX); und
einen Rückkopplungsstift (FB);
wobei der Eingangsstift (IN) zur Verbindung mit einer Stromversorgung (VIN) konfiguriert ist und der Induktivitätsstift (LX) über eine LC-Speicherschaltung mit einem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) verbunden ist;
wobei eine Steuerschaltung zwischen das Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) und den Rückkopplungsstift (FB) geschaltet ist;
wobei die Steuerschaltung so konfiguriert ist, dass sie eine Steuerspannung (Vc) empfängt und über die Steuerspannung (Vc) eine Spannung (V_OUT) am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) einstellt, und wobei die Steuerspannung (Vc) variabel ist;
wobei der Leistungsverstärker mindestens zwei Arbeitsfrequenzpunkte hat und der Leistungsverstärker mindestens zwei Nennleistungen hat;
wobei sich die Steuerspannung (Vc) entsprechend einer Änderung der mindestens zwei Nennleistungen des Leistungsverstärkers (PA) bei einem bestimmten Arbeitsfrequenzpunkt ändert und sich die Steuerspannung (Vc) entsprechend einer Änderung der mindestens zwei Arbeitsfrequenzpunkte des Leistungsverstärkers (PA) bei einer bestimmten Nennleistung ändert; und
wobei der bestimmte Arbeitsfrequenzpunkt einer der mindestens zwei Arbeitsfrequenzpunkte ist und die bestimmte Nennleistung eine der mindestens zwei Nennleistungen ist.

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf den Kommunikationsbereich, insbesondere auf eine Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers und auf ein Endgerät.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Mit der rasanten Entwicklung der mobilen Kommunikationstechnologien nutzen immer mehr Nutzer drahtlose Datendienste zur Kommunikation. Gegenwärtig gehören zu den Endgeräten, die drahtlose Datendienste unterstützen, hauptsächlich: eine drahtlose Datenkarte und ein Mobiltelefon.
Während des Uplink-Übertragungsprozesses von Signalen, die von einem Endgerät gesendet werden, werden Hochfrequenzsignale durch einen PA (Power Amplifier, Leistungsverstärker, kurz Leistungsverstärker) verstärkt und die verstärkten Hochfrequenzsignale dann durch eine Antenne in den Raum übertragen. Der PA ist ein wesentliches leistungsverbrauchendes Element während des Uplink-Übertragungsprozesses des Terminals. Wenn der Wirkungsgrad der PA gering ist, ist der Stromverbrauch der gesamten Anlage groß. Im Folgenden werden die Stromversorgungsschaltungen von zwei Arten von Endgeräten nach dem Stand der Technik vorgestellt.
Wie in 1 gezeigt, ist in einer Stromversorgungsschaltung einer PA in einem batteriebetriebenen Endgerät wie einem Mobiltelefon, V_BAT eine Ausgangsspannung, und die Spannung ist im Bereich von 3,7V~4,2V stabil, wobei die Spannung als Stromversorgungsspannung der PA verwendet wird.
Wie in 2 gezeigt, ist U₁ in einer üblicherweise verwendeten Stromversorgungsschaltung eines PA in einer drahtlosen Datenkarte ein Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchip (d.h. ein DC/DC-Schaltleistungschip). V_IN ist eine Arbeitsstromversorgung der drahtlosen Datenkarte, wobei die Stromversorgung von einem tragbaren Computer über allgemein verwendete Peripherieschnittstellen, wie z.B. eine USB-Schnittstelle (Universal Serial Bus, Universal Serial Bus), eine PCMCIA-Schnittstelle (Personal Computer Memory Card International Association, Personal Computer Memory Card International Association) oder eine ExpressCard-Schnittstelle, bereitgestellt wird. $V_{O U T} = (1 + \frac{R_{1}}{R_{2}}) • V_{F B}$
ist eine eine Stromversorgungsspannung der PA und V_FB ist ein Rückkopplungsreferenzwert des DC/DC-Schaltleistungschips, wobei der Wert ein fester Wert ist. Natürlich ist auch die Stromversorgungsspannung V_OUT der PA nach R₁ und nach R₂ ein fester Wert.
Nach dem Stand der Technik ist die Versorgungsspannung des PA konstant. In der praktischen Anwendung ändert sich die erforderliche Ausgangsleistung der PA mit der Änderung des Netzzustandes der Klemme. Aus den Eigenschaften des PA ist bekannt, dass unter der Voraussetzung, dass die gesamte Anlage einen Hochfrequenzindex erfüllt, bei Verringerung einer geforderten Ausgangsleistung des PA auch die Versorgungsspannung des PA reduziert wird. In diesem Fall ist der Wirkungsgrad des PA umso höher, je näher die tatsächliche Versorgungsspannung des PA an der erforderlichen Ausgangsleistung des PA liegt. Darüber hinaus weist die PA eine gewisse Diskrepanz auf, und unter der Voraussetzung, dass die gesamte Ausrüstung den Hochfrequenzindex erfüllt, ist die erforderliche Versorgungsspannung der PA unterschiedlich. Nach dem Stand der Technik ist die Versorgungsspannung der PA jedoch ein konstanter Wert und kann sich nicht entsprechend der Änderung der erforderlichen Versorgungsspannung ändern, was dazu führt, dass der Wirkungsgrad der PA gering und der Stromverbrauch der gesamten Anlage groß ist.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen eine Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers und ein Terminal zur Verfügung, um den Wirkungsgrad des Leistungsverstärkers im Terminal zu verbessern und die Leistungsaufnahme des Terminals zu verringern.
Um das oben genannte Ziel zu erreichen, werden die folgenden technischen Lösungen in die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung übernommen:
Eine Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers umfasst einen Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchip, wobei der Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchip einen Eingangsstift, einen Induktivitätsstift und einen Rückkopplungsstift umfasst, wobei der Eingangsstift so konfiguriert ist, dass er mit der Stromversorgung verbunden ist und der Induktivitätsstift über eine LC-Speicherschaltung mit einem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers verbunden ist, und zusätzlich eine Steuerschaltung zwischen dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers und dem Rückkopplungsstift angeschlossen ist; und
die Steuerschaltung eine Steuerspannung enthält, wobei die Steuerspannung die Spannung am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers über die Steuerschaltung einstellt; und die Steuerspannung variabel ist.
Ein Terminal enthält eine Basisbandverarbeitungseinheit, einen Leistungsverstärker und eine Leistungsversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers, wobei die Leistungsversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers einen Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchip enthält und der Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchip einen Eingangsstift, einen Induktivitätsstift und einen Rückkopplungsstift enthält, wobei der Eingangspin so konfiguriert ist, dass er mit der Stromversorgung verbunden ist und der Induktivitätspin über eine LC-Speicherschaltung mit dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers verbunden ist, und zusätzlich eine Steuerschaltung zwischen das Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers und den Rückkopplungspin geschaltet ist, und die Steuerschaltung eine Steuerspannung enthält; und
die Basisbandverarbeitungseinheit zur Einstellung der Steuerspannung konfiguriert ist, wobei die Steuerspannung über die Steuerschaltung die Spannung am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers einstellt.
Entsprechend der Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers und dem in den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung vorgesehenen Terminal wird zusätzlich eine Steuerschaltung zwischen dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers und dem Rückkopplungspin des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips gesetzt und eine variable Steuerspannung in die Steuerschaltung eingeführt. Die Steuerspannung kann über die Steuerschaltung die Spannung auf der Spannungseingangsseite des Leistungsverstärkers so einstellen, dass sich die Spannung auf der Spannungseingangsseite des Leistungsverstärkers entsprechend dem tatsächlichen Bedarf ändert. Dadurch kann der Wirkungsgrad des Leistungsverstärkers verbessert werden, und dann wird die Verlustleistung des Terminals reduziert.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Um die technischen Lösungen, die in Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung oder des Standes der Technik vorgesehen sind, deutlicher zu veranschaulichen, werden im Folgenden begleitende Zeichnungen, die zur Beschreibung der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung oder des Standes der Technik zu verwenden sind, kurz vorgestellt. Offensichtlich sind die begleitenden Zeichnungen nur einige der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, und Personen mit gewöhnlichen Kenntnissen auf dem technischen Gebiet können aus diesen begleitenden Zeichnungen ohne schöpferischen Aufwand andere Zeichnungen ableiten.

1 ist ein Schaltbild einer Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers nach dem Stand der Technik;
2 ist ein Schaltplan einer anderen Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers nach dem Stand der Technik;
3 ist ein schematischer Schaltplan einer Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
3 ist ein schematischer Schaltplan einer Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers nach dem Stand der Technik;
4 ist ein Flussdiagramm einer Methode zum Kalibrieren einer Steuerspannung;
5 ist ein Schaltbild einer Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers nach einer Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung;
6 ist ein Schaltbild einer weiteren Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers gemäß der Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung; [0018] 6 ist ein Schaltbild einer weiteren Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers gemäß der Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung;
7 ist ein Schaltplan einer Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers nach der Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung;
8 ist ein Schaltbild einer weiteren Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers nach der Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung;
9 ist ein Schaltplan einer Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers gemäß der Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung;
10 ist ein Schaltbild einer weiteren Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers gemäß der Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung;
11 ist ein schematischer Strukturplan eines Terminals gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
12 ist ein schematischer Strukturplan einer Basisband-Verarbeitungseinheit in 11;
13 ist ein weiteres schematisches Strukturdiagramm der Basisband-Verarbeitungseinheit in 11; und
14 ist eine schematische Darstellung eines Kalibriersystems nach der in 4 gezeigten Methode.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Die technischen Lösungen in Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden klar und vollständig beschrieben, wobei auf begleitende Zeichnungen in den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung Bezug genommen wird. Es ist offensichtlich, dass es sich bei den Ausführungsformen nur um einen Teil und nicht um alle Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung handelt. Alle anderen Ausführungsformen, die von Personen mit gewöhnlichen Fertigkeiten auf dem Gebiet der Kunst ohne schöpferische Anstrengung hergestellt werden, fallen in den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung.
Um den Wirkungsgrad des Leistungsverstärkers zu verbessern, sieht eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers vor. Wie in 3 dargestellt, enthält die Stromversorgungsschaltung einen Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchip (d.h. einen DC/DC-Schaltleistungschip). Der Gleichstrom-/Gleichstromwandler-Chip enthält einen Eingangspin IN, einen Induktivitätspin LX und einen Rückkopplungspin FB. Der Eingangspin IN ist mit einer Stromversorgung V_IN verbunden, und der Induktivitätspin LX ist über eine LC-Speicherschaltung mit dem Spannungseingang des Leistungsverstärkers, PA, verbunden. Eine Steuerschaltung ist zwischen dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA und dem Rückkopplungsstift FB angeschlossen.
Die Steuerschaltung enthält eine Steuerspannung Vc, wobei die Steuerspannung Vc über die Steuerschaltung die Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers, PA, einstellt und die Steuerspannung Vc variabel ist.
In der Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers, die in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorgesehen ist, wird die Steuerschaltung zusätzlich zwischen das Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers und den Rückkopplungspin des DC/DC-Wandlerchips gesetzt, und die variable Steuerspannung wird in die Steuerschaltung eingeführt. Die Steuerspannung kann über die Steuerschaltung die Spannung auf der Spannungseingangsseite des Leistungsverstärkers so einstellen, dass sich die Spannung auf der Spannungseingangsseite des PA entsprechend dem tatsächlichen Bedarf ändert. Das heißt, wenn der Leistungsverstärker nur eine Spannung mit einem relativ kleinen Wert am Spannungseingangsende benötigt, um normal zu arbeiten, kann die Steuerspannung über die Steuerschaltung die Spannung am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers auf den relativ kleinen Wert einstellen. Auf diese Weise kann der Wirkungsgrad der PA verbessert werden.
Die oben erwähnte Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers kann an ein Terminal angeschlossen werden.
Ferner besteht in der Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers eine entsprechende Beziehung zwischen der Steuerspannung Vc, der Nennleistung des Leistungsverstärkers PA und dem Arbeitsfrequenzpunkt des Leistungsverstärkers PA. Konkret kann auf Tabelle 1 verwiesen werden.
Tabelle 1
Die Arbeitsfrequenzpunkte des Leistungsverstärkers PA sind n (n ≥ 1) Frequenzpunkte, die durch Teilung der in den Leistungsverstärker eingegebenen Hochfrequenz erhalten werden, und unter jedem Arbeitsfrequenzpunkt können m Nennleistungen eingestellt werden. Die Nennleistungen können entsprechend dem Wert der Ausgangsleistung des Leistungsverstärkers geteilt werden. Ein bestimmter Leistungsnennwert eines Arbeitsfrequenzpunktes des Leistungsverstärkers PA wird als Zustand des Leistungsverstärkers PA bezeichnet. Wenn das Terminal einschließlich der obigen Stromversorgungsschaltung des PA normal arbeitet, ändert sich die Nennleistung des PA und/oder der Arbeitsfrequenzpunkt des PA in Echtzeit. In Tabelle 1 ist der Wert der Steuerspannung Vc entsprechend dem Leistungsverstärker PA in jedem Zustand aufgezeichnet. Das heißt, die Steuerspannung Vc kann sich in Abhängigkeit von einer Änderung der Nennleistung des Leistungsverstärkers PA und/oder des Arbeitsfrequenzpunktes des Leistungsverstärkers PA ändern. Darüber hinaus kann die Steuerspannung Vc über die Steuerschaltung die Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA so einstellen, dass sich die Spannung VOUT am Spannungseingangsende des PA zusammen mit der Änderung der Nennleistung des Leistungsverstärkers PA und/oder des Arbeitsfrequenzpunktes des Leistungsverstärkers PA ändern kann. In dieser Ausführungsform gilt unter der Voraussetzung, dass das Terminal (das gesamte Gerät) den Hochfrequenzindex erfüllt, dass die Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA umso besser ist, je kleiner die Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA ist. Auf diese Weise wird der Wirkungsgrad des Leistungsverstärkers verbessert.
Es ist zu beachten, dass im WCDMA-Standard (Wideband Code Division Multiple Access, Breitband-Code Division Multiple Access) der Hochfrequenz-Index enthalten ist: ACLR (Adjacent Channel Leakage Ratio, Nachbarkanal-Leckverhältnis), und die Ausgangsleistung des Leistungsverstärkers PA und die Empfindlichkeit des Leistungsverstärkers PA. Im CDMA2000-Standard (Code Division Multiple Access 2000, Code Division Multiple Access 2000) umfasst der Funkfrequenzindex: ACLR (Adjacent Channel Leakage Ratio, Nachbarkanal-Leckageverhältnis, Nachbarkanal-Leckverhältnis) und die Ausgangsleistung des Leistungsverstärkers PA und die Empfindlichkeit des Leistungsverstärkers PA: ACPR (Adjacent Channel Power Ratio, Nachbarkanal-Leistungsverhältnis), und die Ausgangsleistung des Leistungsverstärkers PA und die Empfindlichkeit des Leistungsverstärkers PA.
Was die Bestimmung der Steuerspannung Vc des PA in jedem in Tabelle 1 aufgeführten Zustand während der Herstellung betrifft, so kann im Folgenden die in 4 gezeigte Methode zur Kalibrierung des Vc-Wertes verwendet werden, und die durch die Kalibrierung erhaltene Vc ist in Tabelle 1 aufgezeichnet.
401: Wählen einer Nennleistung des PA, zum Beispiel P1 in Tabelle 1.
402: Wählen eines Punkts der Arbeitsfrequenz bei dieser Nennleistung (Pi), z.B. Fi in Tabelle 1.
403: Wählen der Vc, die dem minimalen V_OUT entspricht, damit der PA in diesem Zustand arbeiten kann (z.B. der Zustand von P1 und F1 in Tabelle 1).
404: Beurteilen, ob die gesamte Ausrüstung den Hochfrequenzindex erfüllt.
Konkret stellt die Stromversorgungsschaltung des PA im Terminal den Wert des V_OUT unter Verwendung der Vc in Schritt 403 ein. Unter der Bedingung, dass die PA unter Verwendung des V_OUT mit Strom versorgt wird, wird der Hochfrequenzindex des gesamten Geräts getestet und es wird beurteilt, ob das Gerät den Hochfrequenzindex erfüllt.
Wenn das Gerät den Hochfrequenzindex erfüllt, wird Schritt 405 durchgeführt; wenn das Gerät den Hochfrequenzindex nicht erfüllt, wird der Wert der Vc in Schritt 403 erhöht und Schritt 404 wiederholt.
405: Speichern des Werts des Vc, der die Anforderung erfüllt, d.h. V11 in Tabelle 1.
Zu diesem Zeitpunkt ist die Abtastung eines Arbeitsfrequenzpunktes (z.B. F1) bei der Nennleistung (P1) abgeschlossen, und Schritt 406 kann durchgeführt werden.
406: Beurteilen, ob die Abtastung aller Arbeitsfrequenzpunkte bei der Nennleistung (P1) abgeschlossen ist.
Wenn die Abtastung abgeschlossen ist, wird Schritt 407 durchgeführt; wenn die Abtastung nicht abgeschlossen ist, kehrt der Prozess zu Schritt 403 zurück, und ein Vc, der einem nächsten Frequenzpunkt (z.B. F2) entspricht, wird kalibriert.
407: Beurteilen, ob die Nennleistung (P1) die letzte Nennleistung ist, d.h. ob die Abtastung aller Nennleistungen abgeschlossen ist.
Wenn die Abtastung abgeschlossen ist, ist die Kalibrierung der jedem Arbeitsfrequenzpunkt entsprechenden Vc bei verschiedenen Nennleistungen der PA abgeschlossen, und die durch die Kalibrierung erhaltene Vc wird in Tabelle 1 gespeichert.
Wenn die Abtastung nicht abgeschlossen ist, kehrt der Prozess zu Schritt 402 zurück. Die Vc, die einem Arbeitsfrequenzpunkt bei einer nächsten Nennleistung (P2) entspricht, wird ausgewählt und kalibriert, bis alle Werte von Vc in Tabelle 1 kalibriert sind.
Das obige Kalibrierungsverfahren für Vc kann von einem Computer mit installierter Kalibrierungssoftware durchgeführt werden.
Um die Kalibrierungszeit zu verkürzen, können die Kalibrierungszeiten verkürzt werden. Das heißt, dass die entsprechende Vc des Leistungsverstärkers PA nur in einigen Zuständen kalibriert wird; und für die entsprechenden Vc-Werte des PA in anderen Zuständen können die optimalen Werte der Vc des PA in anderen Zuständen durch einen bestimmten Interpolationsalgorithmus erhalten werden.
Es ist zu beachten, dass das obige Verfahren zur Kalibrierung der Vc eine spezifische Implementierung ist, um die Kalibrierung der Vc des Leistungsverstärkers PA in verschiedenen Zuständen zu implementieren. Die Kalibrierungsmethode ist in dieser Ausführungsform nicht darauf beschränkt, solange das Verfahren das gleiche Ziel erreichen kann.
Ausführungsform 1
Wie in 5 gezeigt, stellt diese Ausführungsform eine spezifische Implementierung einer Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers dar.
Die Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers enthält einen Gleichstrom/Gleichstromwandler-Chip U1. Der Gleichstrom/Gleichstrom-Wandler-Chip U1 enthält einen Eingangspin IN, einen Induktivitätspin LX und einen Rückkopplungspin FB. Der Eingangspin IN ist mit einer Stromversorgungsschaltung VIN verbunden und der Induktivitätspin LX ist über eine LC-Speicherschaltung mit dem Spannungseingang des Leistungsverstärkers PA verbunden. Eine Steuerschaltung ist zwischen das Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA und den Rückkopplungsstift FB geschaltet.
Die Steuerschaltung ist in 5 durch ein gepunktetes Kästchen gekennzeichnet. Die Steuerschaltung enthält eine Steuerspannung Vc, wobei die Steuerspannung Vc über die Steuerschaltung die Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA einstellt und die Steuerspannung Vc variabel ist. Insbesondere kann die Steuerspannung Vc gemäß der entsprechenden Beziehung zwischen der Steuerspannung Vc, der Nennleistung des Leistungsverstärkers PA und dem Arbeitsfrequenzpunkt des Leistungsverstärkers PA eingestellt werden, wobei die entsprechende Beziehung in Tabelle 1 aufgezeichnet ist.
Zusätzlich enthält die LC-Speicherschaltung eine Induktivität L und einen Kondensator C2. Die Induktivität L ist mit dem Induktivitätspin LX des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips U₁ und dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA verbunden, und das Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA ist über den Kondensator C2 geerdet.
In dieser Ausführung enthält die Steuerschaltung eine Differenzverstärkerschaltung und der Differenzverstärker einen Operationsverstärker U2.
Ein nichtinvertierendes Eingangsende des Operationsverstärkers U2 ist über einen ersten Widerstand R11 mit dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA verbunden, und das nichtinvertierende Eingangsende ist über einen zweiten Widerstand R12 geerdet.
Die Steuerspannung Vc wird über einen dritten Widerstand R13 an das invertierende Eingangsende des Operationsverstärkers U2 angelegt, und das invertierende Eingangsende ist über einen vierten Widerstand R14, der eine Rückkopplungsschleife bildet, mit dem Ausgangsende des Operationsverstärkers U2 verbunden.
Das Ausgangsende des Operationsverstärkers U2 ist mit dem Rückkopplungspin FB des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips U1 verbunden.
Entsprechend dem obigen Entwurf der Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers können die folgenden relationalen Ausdrücke erhalten werden. In den relationalen Ausdrücken bezeichnet V- die Spannung am invertierenden Eingangsende des Operationsverstärkers U2, V+ die Spannung am nichtinvertierenden Eingangsende des Operationsverstärkers U2 und Vo die Spannung am Ausgangsende des Operationsverstärkers U2. ${\begin{array}{l} V_{+} = \frac{R 12}{R 11 + R 12} V_{O U T}; \\ \frac{V c - V_{-}}{R 13} = \frac{V_{-} - V o}{R 14}; \\ V_{+} = V_{-}; \\ V o = V_{F B}; \end{array}$
Aus den obigen Ausdrücken ergibt sich schließlich ein relationaler Ausdruck zwischen V_OUT und Vc: $V_{O U T} = \frac{R 14 (R 11 + R 12)}{R 12 (R 13 + R 14)} V c + \frac{R 13 (R 11 + R 12)}{R 12 (R 13 + R 14)} V_{F B}$
In dem Ausdruck ① ist V_FB ein fester Wert. Es ist daher leicht zu verstehen, dass V_OUT in einer linearen Beziehung zu Vc steht.
Weiterhin ist, bezogen auf 6, die Differenzverstärkerschaltung in der Stromversorgungsschaltung des in 5 gezeigten Leistungsverstärkers optimiert. Das Ausgangsende des Operationsverstärkers U2 ist über einen Widerstand R15 mit dem Rückkopplungsstift FB des DC/DC-Wandlerchips U1 verbunden, und der Rückkopplungsstift FB ist über einen Widerstand R16 geerdet.
In diesem Fall können die folgenden relationalen Ausdrücke erhalten werden: ${\begin{array}{l} V_{+} = \frac{R 12}{R 11 + R 12} V_{O U T}; \\ \frac{V c - V_{-}}{R 13} = \frac{V_{-} - V o}{R 14}; \\ V_{+} = V_{-}; \\ V_{F B} = \frac{R 16}{R 15 + R 16} V o; \end{array}$
Aus den obigen Ausdrücken kann der folgende Ausdruck zwischen V_OUT und Vc erhalten werden: $V_{O U T} = \frac{R 14 (R 11 + R 12)}{R 12 (R 13 + R 14)} V c + \frac{R 13 (R 11 + R 12) (R 15 + R 16)}{R 12 • R 16 (R 13 + R 14)} V_{F B}$
In dem Ausdruck (2) ist V_FB ein fester Wert. Es ist daher leicht zu verstehen, dass V_OUT in einer linearen Beziehung zu Vc steht.
Ferner ist beim Entwurf der Differenzverstärkerschaltung im Allgemeinen der Widerstand des ersten Widerstands R11 gleich dem des dritten Widerstands R13 und der Widerstand des zweiten Widerstands R12 gleich dem des vierten Widerstands R14.
In diesem Fall kann in Bezug auf die in 6 dargestellte Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers ein Beziehungsausdruck zwischen V_OUT und Vc erhalten werden: $V_{O U T} = V c + \frac{R 13 (R 15 + R 16)}{R 12 • R 16} V_{F B}$
In dem Ausdruck (3) ist V_FB ein fester Wert. Es kann daher erkannt werden, dass V_OUT in einer linearen Beziehung zu Vc steht. Daher kann die Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers durch Einstellen von Vc angepasst werden. Darüber hinaus kann die entsprechende Beziehung zwischen der Steuerspannung Vc, der Nennleistung des Leistungsverstärkers PA und dem Arbeitsfrequenzpunkt des Leistungsverstärkers PA, wo die entsprechende Beziehung in Tabelle 1 aufgezeichnet ist, auf einer Platine des Terminals einschließlich der Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers gespeichert werden, und zwar im Speicherchip des Terminals, so dass Vc entsprechend einem Zustand des Leistungsverstärkers PA eingestellt werden kann. Es besteht eine funktionelle Beziehung zwischen V_OUT und Vc; und daher kann sich V_OUT entsprechend einer Änderung der Nennleistung und/oder des Arbeitsfrequenzpunktes des PA ändern. Wenn sich der Leistungsverstärker PA in einem bestimmten Zustand befindet, kann V_OUT in diesem Zustand auf einen Mindestwert entsprechend dem Wert von Vc eingestellt werden, der dem Zustand entspricht und in Tabelle 1 eingetragen ist, unter der Voraussetzung, dass die Ausrüstung den Hochfrequenzindex erfüllt. Dadurch wird die Effizienz der PA verbessert.
Gemäß der in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorgesehenen Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers ist die Steuerschaltung zusätzlich zwischen dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers und dem Rückkopplungspin des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips eingestellt, und die Steuerschaltung ist eine Differenzverstärkerschaltung. Die Steuerspannung ändert sich entsprechend einer Änderung des Leistungs- und/oder Arbeitsfrequenzpunktes des Leistungsverstärkers, und die Spannung am Spannungseingangsende des PA steht in einem linearen Zusammenhang mit der Steuerspannung. Wenn sich der Leistungsverstärker in einem bestimmten Zustand befindet, kann daher die Steuerspannung die Spannung am Spannungseingangsende des PA so steuern, dass ein Mindestwert erreicht wird, der es dem Gerät ermöglicht, den Hochfrequenzindex in diesem Zustand zu erfüllen. Auf diese Weise kann der Wirkungsgrad des PA verbessert werden, und dann wird der Leistungsverlust des Terminals reduziert.
Ausführungsform 2
Diese Ausführungsform stellt eine spezifische Implementierung einer weiteren Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers dar. Wie in 7 gezeigt, unterscheidet sich die technische Lösung in dieser Ausführungsform von der in der Ausführungsform 1 nur in der Gestaltung der Steuerschaltung. Andere Teile sind ähnlich und werden hier nicht nochmals detailliert.
Der Regelkreis in dieser Ausführungsform ist in 7 durch einen gepunkteten Kasten gekennzeichnet. Die Steuerschaltung enthält einen p-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor Q₁ (P-MOSFET). Q₁ in 7 wird am Beispiel eines P-MOSFET im Anreicherungsmodus beschrieben, und für eine Schaltungsverbindung eines P-MOSFET im Verarmungsmodus kann auch auf 7 verwiesen werden. Eine Source-Elektrode S von Q₁ ist mit dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers verbunden, und eine Drain-Elektrode D ist mit einem Rückkopplungspin FB eines Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips verbunden und über einen Widerstand R22 geerdet. Eine Steuerspannung Vc wird an eine Gitterelektrode G von Q₁ angelegt.
Angenommen, der Durchlasswiderstand von Q₁ ist R_ON. Vc kann zur Steuerung von Q₁ verwendet werden, um in einem verstärkten Bereich zu arbeiten. Daher ist der funktionelle Zusammenhang zwischen Vc und R_ON monoton. Insbesondere für den P-MOSFET im Anreicherungsmodus in einem verstärkten Bereich ist die funktionelle Beziehung zwischen Vc und R_ON ein monotoner Anstieg, d.h. je kleiner Vc ist, desto kleiner ist R_ON.
Es lässt sich leicht feststellen, dass die funktionelle Beziehung zwischen der Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des PA und dem Durchlasswiderstand R_ON wie folgt aussieht: $V_{O U T} = V_{F B} • \frac{R_{22}}{R_{22} + R_{O N}};$
und es besteht eine funktionelle Beziehung zwischen Vc und R_ON, und die funktionelle Beziehung ist monoton. Daher kann das Ziel der Einstellung von V_OUT durch eine adaptive Einstellung von Vc erreicht werden.
Weiterhin kann der Regelkreis gemäß 8 optimiert werden, um die Anforderungen an die Genauigkeit von Vc zu reduzieren und so die Einstellung von Vc zu erleichtern. Die Quelle S von Q₁ ist über einen Widerstand R23 mit dem Spannungseingangsende des PA verbunden, und das Spannungseingangsende ist über einen Widerstand R21 mit dem Rückkopplungspin FB des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips verbunden.
In diesem Fall lässt sich leicht feststellen, dass die funktionale Beziehung zwischen der Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des PA und dem Einschaltwiderstand R_ON wie folgt aussieht: $V_{O U T} = V_{F B} • \frac{R_{22}}{R_{22} + R_{21} / / (R_{23} + R_{O N})};$
ebenso besteht eine funktionale Beziehung zwischen Vc und R_ON, und die funktionale Beziehung ist monoton. Daher kann das Ziel der Einstellung von V_OUT durch Einstellung von Vc erreicht werden.
Zusätzlich kann, ähnlich wie bei der Ausführungsform 1, die entsprechende Beziehung zwischen den in Tabelle 1 aufgezeichneten Daten auf einer Platine (bei der es sich spezifisch um einen Speicherchip handeln kann) des Terminals gespeichert werden, so dass Vc, die einem bestimmten Zustand entspricht, entsprechend der Nennleistung und dem Arbeitsfrequenzpunkt des Leistungsverstärkers PA herausgesucht und dann V_OUT eingestellt wird.
In der in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorgesehenen Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers wird zusätzlich die Steuerschaltung zwischen dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers und dem Rückkopplungspin des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips eingestellt, und die Steuerschaltung enthält einen P-MOSFET. Die Steuerspannung ändert sich in Abhängigkeit von der Änderung des Nennleistungs- und/oder Arbeitsfrequenzpunktes des Leistungsverstärkers und macht den P-MOSFET leitend, und der Durchlasswiderstand des P-MOSFET steht in einem funktionalen Zusammenhang mit der Spannung am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA. Wenn sich der Leistungsverstärker in einem bestimmten Zustand befindet, kann daher die Steuerspannung die Spannung am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers so steuern, dass ein Mindestwert erreicht wird, der es dem Gerät ermöglicht, den Hochfrequenzindex in diesem Zustand zu erfüllen. Dadurch kann der Wirkungsgrad des Leistungsverstärkers verbessert werden, und dann wird der Leistungsverlust des Terminals reduziert.
Ausführungsform 3
Diese Ausführungsform stellt eine spezifische Implementierung einer Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers dar. Wie in 9 dargestellt, unterscheidet sich die technische Lösung dieser Ausführungsform von der in der Ausführungsform 1 nur in der Gestaltung der Steuerschaltung. Andere Teile sind ähnlich und werden hier nicht nochmals detailliert.
Der Regelkreis in dieser Ausführungsform ist in 9 durch ein gepunktetes Kästchen gekennzeichnet. Die Steuerschaltung enthält einen n-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor Q2 (N-MOSFET). Q2 in 9 wird am Beispiel eines N-MOSFET im Anreicherungsmodus beschrieben, und für eine Schaltungsverbindung eines N-MOSFET im Verarmungsmodus kann auch auf 9 verwiesen werden. Eine Source-Elektrode S von Q2 ist geerdet, eine Drain-Elektrode D ist mit einem Rückkopplungspin FB eines Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips verbunden, und eine Steuerspannung Vc wird an eine Gitterelektrode G von Q2 angelegt. Zusätzlich ist das Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA über einen Widerstand R31 mit dem Rückkopplungspin FB des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips verbunden.
Nehmen wir an, dass der Durchlasswiderstand von Q2 R_ON ist. In diesem Fall kann Vc zur Steuerung von Q2 verwendet werden, um in einem verstärkten Bereich zu arbeiten. Daher ist die funktionelle Beziehung zwischen Vc und R_ON monoton. Insbesondere für den N-MOSFET im Anreicherungsmodus in einem verstärkten Bereich ist die funktionelle Beziehung zwischen Vc und R_ON monoton, d.h. je größer Vc ist, desto kleiner ist R_ON.
lässt sich leicht feststellen, dass die funktionelle Beziehung zwischen der Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA und dem Einschaltwiderstand R_ON ist: $V_{O U T} = V_{F B} • \frac{R_{31} + R_{O N}}{R_{O N}}$
und es besteht eine funktionelle Beziehung zwischen Vc und R_ON, und die funktionelle Beziehung ist monoton. Daher kann das Ziel der Einstellung von V_OUT durch eine adaptive Einstellung von Vc erreicht werden.
Weiterhin kann der Regelkreis gemäß 10 optimiert werden, um die Anforderungen an die Genauigkeit von Vc zu reduzieren und so die Einstellung von Vc zu erleichtern. Die Drain-Elektrode D von Q2 ist über einen Widerstand R33 mit dem Rückkopplungsstift FB des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips verbunden, und der Rückkopplungsstift FB ist über einen Widerstand R32 geerdet.
In diesem Fall lässt sich leicht feststellen, dass die funktionale Beziehung zwischen der Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA und dem Einschaltwiderstand R_ON wie folgt aussieht: $V_{O U T} = V_{F B} • [\frac{R_{31}}{R_{32} / / (R_{33} + R_{O N})}];$
ebenso besteht eine funktionale Beziehung zwischen Vc und R_ON, und die funktionale Beziehung ist monoton. Daher kann das Ziel der Einstellung von V_OUT durch eine adaptive Einstellung von Vc erreicht werden.
Darüber hinaus kann, ähnlich wie bei der Ausführungsform 1, die entsprechende Beziehung zwischen den in Tabelle 1 aufgezeichneten Daten auf einer Platine (bei der es sich spezifisch um einen Speicherchip handeln kann) des Terminals gespeichert werden, so dass Vc, die einem bestimmten Zustand entspricht, entsprechend der Nennleistung und dem Arbeitsfrequenzpunkt des Leistungsverstärkers PA herausgesucht und dann V_OUT eingestellt wird.
In der in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorgesehenen Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers wird zusätzlich eine Steuerschaltung zwischen dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers und dem Rückkopplungspin des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips eingestellt, und die Steuerschaltung enthält einen N-MOSFET. Die Steuerspannung kann sich in Abhängigkeit von der Änderung der Nennleistung und/oder des Arbeitsfrequenzpunktes des Leistungsverstärkers ändern und den N-MOSFET leitend machen, und der Durchlasswiderstand des N-MOSFET steht in einem funktionalen Zusammenhang mit der Spannung am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA. Wenn sich der Leistungsverstärker in einem bestimmten Zustand befindet, kann daher die Steuerspannung die Spannung am Spannungseingangsende des PA so steuern, dass ein Mindestwert erreicht wird, der es dem Gerät ermöglicht, den Hochfrequenzindex in diesem Zustand zu erfüllen. Dadurch kann der Wirkungsgrad des PA verbessert werden, und dann wird die Verlustleistung des Terminals reduziert.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung stellt ebenfalls eine Klemme zur Verfügung. Wie in 11 dargestellt, enthält das Terminal eine Basisbandverarbeitungseinheit, einen Leistungsverstärker PA und eine Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers. Die Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers enthält einen Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchip (d.h. einen DC/DC-Schaltleistungschip). Der Gleichstrom/Gleichstromwandler-Chip enthält einen Eingangspin IN, einen Induktivitätspin LX und einen Rückkopplungspin FB. Der Eingangspin IN ist mit einer Stromversorgung verbunden und der Induktivitätspin LX ist über eine LC-Speicherschaltung mit dem Spannungseingang des Leistungsverstärkers PA verbunden. Eine Steuerschaltung ist zwischen dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA und dem Rückkopplungsstift FB angeschlossen, und die Steuerschaltung enthält eine Steuerspannung Vc.
Die Basisbandverarbeitungseinheit ist so konfiguriert, dass sie die Steuerspannung Vc einstellt, und die Steuerspannung Vc stellt die Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des PA über die Steuerschaltung ein.
In dem in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorgesehenen Terminal stellt die Basisbandverarbeitungseinheit die Steuerspannung ein, und die Steuerspannung kann über die Steuerschaltung die Spannung am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA einstellen, so dass sich die Spannung am Spannungseingangsende des PA entsprechend dem tatsächlichen Bedarf ändert. Dadurch kann der Wirkungsgrad des Leistungsverstärkers PA verbessert und die Verlustleistung des Terminals verringert werden.
Außerdem enthält die Basisband-Verarbeitungseinheit, wie in 12 dargestellt, einen Basisband-Prozessorchip und einen DAC (Digital-Analog-Wandler, Digital-Analog-Wandler). Der Basisbandprozessor-Chip steuert den DAC zur Einstellung der Steuerspannung Vc. In praktischen Anwendungen kann der DAC in den Basisbandprozessorchip integriert werden.
Alternativ dazu enthält die Basisband-Verarbeitungseinheit, wie in 13 dargestellt, einen Basisband-Prozessorchip und einen PMIC (Power-Management-IC, Leistungsmanagement-IC). Der Basisbandprozessor-Chip steuert den Low-Dropout-Regler LDO (Low Dropout Regulator) des PMIC zur Einstellung der Steuerspannung Vc.
Ferner besteht eine entsprechende Beziehung zwischen der Steuerspannung Vc, der Nennleistung des Leistungsverstärkers PA und dem Arbeitsfrequenzpunkt des Leistungsverstärkers PA. Im Einzelnen kann auf Tabelle 1 verwiesen werden.
Darüber hinaus kann während der Herstellung ein in 14 dargestelltes System zur Kalibrierung der Steuerspannung Vc konstruiert werden, wobei Teil A ein bei der Kalibrierung verwendetes HF-Prüfgerät (Hochfrequenz, Hochfrequenz) und eine Gerätekalibrierungsplattform zeigt und zwischen beiden ein Kommunikationsbus, z.B. ein GPIB (General-Purpose Interface Bus, Allzweck-Schnittstellenbus) oder Ethernet, liegt. Bei der Gerätekalibrierungsplattform kann es sich um einen Computer mit installierter Kalibrierungssoftware handeln. Teil B zeigt das Terminal in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Darüber hinaus ist das HF-Prüfgerät über ein HF-Testkabel mit dem HF-Testanschluss im Terminal verbunden. Das HF-Testgerät ist so konfiguriert, dass es prüft, ob die vom Leistungsverstärker PA verstärkte Hochfrequenz dem Hochfrequenzindex entspricht. Die Gerätekalibrierungsplattform steuert das Terminal oder liest die Informationen des Terminals über einen asynchronen Bus UART (Universal Asynchronous Receiver/Transmitter, Universal Asynchronous Receiver/Transmitter) oder USB.
Die Gerätekalibrierungsplattform kann die Kalibriersoftware verwenden, um die in 4 dargestellte Methode zur Kalibrierung von Vc auszuführen, so dass Vc entsprechend jedem Arbeitsfrequenzpunkt des PA bei verschiedenen Nennleistungen bestimmt wird, um die Kalibrierung aller Werte von Vc in Tabelle 1 abzuschließen. Die entsprechende Beziehung zwischen der Steuerspannung Vc, der Nennleistung des Leistungsverstärkers PA und dem in Tabelle 1 aufgezeichneten Arbeitsfrequenzpunkt des PA kann auf einer Platine (bei der es sich spezifisch um einen Speicherchip handeln kann) des Terminals gespeichert werden, so dass die Vc entsprechend einem Zustand des Leistungsverstärkers PA eingestellt werden kann.
In dem in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorgesehenen Terminal stellt die Basisbandverarbeitungseinheit die Steuerspannung ein, und die Steuerspannung kann über die Steuerschaltung die Spannung am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA einstellen. Wenn sich der Leistungsverstärker PA in einem bestimmten Zustand befindet, kann daher die Spannung am Spannungseingangsende des PA auf einen Mindestwert eingestellt werden, der es der gesamten Anlage ermöglicht, in diesem Zustand den Hochfrequenzindex zu erfüllen. Auf diese Weise kann der Wirkungsgrad des Leistungsverstärkers PA verbessert und die Verlustleistung des Terminals reduziert werden.
Ausführungsform 4
Diese Ausführungsform stellt eine spezifische Implementierung eines Terminals dar.
Das Terminal enthält eine Basisbandverarbeitungseinheit, einen Leistungsverstärker PA und eine Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers. Die Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers enthält einen Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchip (d.h. einen DC/DC-Schaltleistungschip). Der Gleichstrom/Gleichstromwandler-Chip enthält einen Eingangspin IN, einen Induktivitätspin LX und einen Rückkopplungspin FB. Der Eingangspin IN ist mit einer Stromversorgung verbunden und der Induktivitätspin LX ist über eine LC-Speicherschaltung mit dem Spannungseingang des Leistungsverstärkers PA verbunden. Eine Steuerschaltung ist zwischen dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA und dem Rückkopplungsstift FB angeschlossen, und die Steuerschaltung enthält eine Steuerspannung Vc.
Die Basisbandverarbeitungseinheit ist so konfiguriert, dass sie die Steuerspannung Vc einstellt, und die Steuerspannung Vc stellt über die Steuerschaltung die Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA ein.
Wie in 12 dargestellt, enthält die Basisbandverarbeitungseinheit einen Basisbandprozessorchip und einen DAC (Digital-Analog-Wandler, Digital-Analog-Wandler). Der Basisbandprozessor-Chip steuert den DAC zur Einstellung der Steuerspannung Vc. In praktischen Anwendungen kann der DAC in den Basisband-Prozessorchip integriert werden.
Alternativ dazu enthält die Basisband-Verarbeitungseinheit, wie in 13 dargestellt, einen Basisband-Prozessorchip und einen PMIC (Power-Management-IC, Leistungsmanagement-IC). Der Basisbandprozessor-Chip steuert den Low-Dropout-Regler LDO (Low Dropout Regulator) des PMIC zur Einstellung der Steuerspannung Vc.
In dieser speziellen Ausführungsform kann für die Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers im Terminal auf 5 verwiesen werden, wo die Steuerschaltung durch ein gepunktetes Kästchen gekennzeichnet ist. Die Steuerschaltung enthält eine Differenzverstärkerschaltung, und der Differenzverstärker enthält einen Operationsverstärker U2.
Ein nichtinvertierendes Eingangsende des Operationsverstärkers U2 ist über einen ersten Widerstand R11 mit dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA verbunden, und das nichtinvertierende Eingangsende ist über einen zweiten Widerstand R12 geerdet.
Die Steuerspannung Vc wird über einen dritten Widerstand R13 an das invertierende Eingangsende des Operationsverstärkers U2 angelegt, und das invertierende Eingangsende ist über einen vierten Widerstand R14, der eine Rückkopplungsschleife bildet, mit dem Ausgangsende des Operationsverstärkers U2 verbunden.
Das Ausgangsende des Operationsverstärkers U2 ist mit dem Rückkopplungspin FB des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips U1 verbunden.
Entsprechend dem obigen Entwurf der Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers können die folgenden relationalen Ausdrücke erhalten werden. In den relationalen Ausdrücken bezeichnet V- die Spannung am invertierenden Eingangsende des Operationsverstärkers U2, V+ die Spannung am nichtinvertierenden Eingangsende des Operationsverstärkers U2 und Vo die Spannung am Ausgangsende des Operationsverstärkers U2. ${\begin{array}{l} V_{+} = \frac{R 12}{R 11 + R 12} V_{O U T}; \\ \frac{V c - V_{-}}{R 13} = \frac{V_{-} - V o}{R 14}; \\ V_{+} = V_{=}; \\ V o = V_{F B}; \end{array}$
Aus den obigen Ausdrücken ergibt sich schließlich ein Beziehungsausdruck zwischen V_OUT und Vc: $V_{O U T} = \frac{R 14 (R 11 + R 12)}{R 12 (R 13 + R 14)} V c + \frac{R 13 (R 11 + R 12)}{R 12 (R 13 + R 14)} V_{F B};$
und in diesem Ausdruck ist V_FB ein fester Wert. Daher ist es leicht zu verstehen, dass V_OUT in einer linearen Beziehung zu Vc steht.
Ferner wird unter Bezugnahme auf 6 die Differenzverstärkerschaltung in der Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers, wie in 5 dargestellt, optimiert. Das Ausgangsende des Operationsverstärkers U2 ist über einen Widerstand R15 mit dem Rückkopplungsstift FB des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips U1 verbunden, und der Rückkopplungsstift FB ist über einen Widerstand R16 geerdet.
In diesem Fall können die folgenden relationalen Ausdrücke erhalten werden: ${\begin{array}{l} V_{+} = \frac{R 12}{R 11 + R 12} V_{O U T}; \\ \frac{V c - V_{-}}{R 13} = \frac{V_{-} - V o}{R 14}; \\ V_{+} = V_{=}; \\ V_{F B} = \frac{R 16}{R 15 + R 16} V o; \end{array}$
Aus den obigen Ausdrücken kann ein Beziehungsausdruck zwischen V_OUT und Vc erhalten werden: $V_{O U T} = \frac{R 14 (R 11 + R 12)}{R 12 (R 13 + R 14)} V c + \frac{R 13 (R 11 + R 12) (R 15 + R 16)}{R 12 • R 16 (R 13 + R 14)} V_{F B};$
und in diesem relationalen Ausdruck ist V_FB ein fester Wert. Daraus kann geschlossen werden, dass der V_OUT in einer linearen Beziehung zu Vc steht.
Weiterhin ist beim Entwurf der Differenzverstärkerschaltung im allgemeinen der Widerstand des ersten Widerstands R11 gleich dem des dritten Widerstands R13 und der Widerstand des zweiten Widerstands R12 gleich dem des vierten Widerstands R14.
In diesem Fall erhält man in Bezug auf die in 6 gezeigte Stromversorgungsschaltung des PA einen endgültigen Beziehungsausdruck zwischen dem V_OUT und dem Vc: $V_{O U T} = V c + \frac{R 13 (R 15 + R 16)}{R 12 • R 16} V_{F B},$
und in diesem Ausdruck ist V_FB ein fester Wert.
Daher kann man wissen, dass der V_OUT in einer linearen Beziehung zu Vc steht. Daher kann die Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des PA durch Einstellen von Vc eingestellt werden.
Darüber hinaus kann die entsprechende Beziehung zwischen der Steuerspannung Vc, der Nennleistung des Leistungsverstärkers PA und dem Arbeitsfrequenzpunkt des Leistungsverstärkers PA, wo die entsprechende Beziehung in Tabelle 1 aufgezeichnet ist, auf einer Platine (die speziell ein Speicherchip sein kann) des Terminals gespeichert werden, so dass Vc entsprechend einem Zustand des Leistungsverstärkers PA eingestellt werden kann. Es besteht eine funktionale Beziehung zwischen V_OUT und Vc; und daher kann sich der V_OUT entsprechend einer Änderung der Nennleistung und/oder des Arbeitsfrequenzpunktes des Leistungsverstärkers PA ändern. Wenn sich der PA in einem bestimmten Zustand befindet, kann der V_OUT des PA in diesem Zustand auf einen Mindestwert entsprechend dem Wert von Vc eingestellt werden, der dem Zustand entspricht und in Tabelle 1 festgehalten ist, unter der Voraussetzung, dass das Gerät den Hochfrequenzindex erfüllt. Daher kann die Effizienz der PA verbessert werden.
In der in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorgesehenen Klemme ist zusätzlich eine Steuerschaltung zwischen der Spannungseingangsseite des Leistungsverstärkers und dem Rückkopplungspin des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips eingestellt, und die Steuerschaltung ist eine Differenzverstärkerschaltung. Die Steuerspannung kann sich entsprechend der Änderung des Nennleistungs- und/oder Arbeitsfrequenzpunktes des Leistungsverstärkers ändern, und die Spannung am Spannungseingangsende des PA steht in einem linearen Zusammenhang mit der Steuerspannung. Wenn sich der PA in einem bestimmten Zustand befindet, kann daher die Steuerspannung die Spannung am Spannungseingangsende des PA so steuern, dass ein Mindestwert erreicht wird, der es der gesamten Ausrüstung ermöglicht, den Hochfrequenzindex in diesem Zustand zu erfüllen. Dadurch kann der Wirkungsgrad des Leistungsverstärkers verbessert und die Verlustleistung des Terminals reduziert werden.
Ausführungsform 5
Für eine Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers in der in dieser speziellen Ausführungsform vorgesehenen technischen Lösung kann auf 7 verwiesen werden, wobei sich die in dieser Ausführungsform vorgesehene technische Lösung von der in der vierten Ausführungsform vorgesehenen nur durch den Entwurf der Steuerschaltung unterscheidet. Andere Teile sind denen in der Ausführungsform 4 ähnlich und werden hier nicht näher erläutert.
Die Steuerschaltung in dieser Ausführungsform enthält einen p-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor Q1 (P-MOSFET). Q1 in 7 wird am Beispiel eines P-MOSFET im Anreicherungsmodus beschrieben, und für eine Schaltungsverbindung eines P-MOSFET im Verarmungsmodus kann auch auf 7 verwiesen werden. Eine Source-Elektrode S von Q1 ist mit dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers verbunden, und eine Drain-Elektrode D ist mit einem Rückkopplungspin FB eines Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips verbunden und über einen Widerstand R22 geerdet. Eine Steuerspannung Vc wird an eine Gitterelektrode G von Q1 angelegt.
Angenommen, der Durchlasswiderstand von Q1 ist R_ON. In diesem Fall kann Vc zur Steuerung von Q1 verwendet werden, um in einem verstärkten Bereich zu arbeiten. Daher ist eine funktionelle Beziehung zwischen Vc und R_ON monoton. Insbesondere für den P-MOSFET im Anreicherungsmodus in der verstärkten Region ist die funktionelle Beziehung zwischen Vc und R_ON monoton, d.h. je kleiner Vc ist, desto kleiner ist R_ON.
Es ist leicht festzustellen, dass eine funktionelle Beziehung zwischen der Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des PA und dem Durchlasswiderstand R_ON wie folgt aussieht: $V_{O U T} = V_{F B} • \frac{R_{22}}{R_{22} + R_{O N}};$
und es besteht eine funktionelle Beziehung zwischen Vc und R_ON, und die funktionelle Beziehung ist monoton. Daher kann das Ziel der Einstellung von V_OUT durch eine adaptive Einstellung von Vc erreicht werden.
Ferner kann der Regelkreis gemäß 8 optimiert werden, um die Anforderungen an die Genauigkeit von Vc zu reduzieren und so die Einstellung von Vc zu erleichtern. Die Quellenelektrode S von Q1 ist über einen Widerstand R23 mit dem Spannungseingangsende des PA verbunden, und das Spannungseingangsende ist über einen Widerstand R21 mit dem Rückkopplungspin FB des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips verbunden.
In diesem Fall lässt sich leicht feststellen, dass eine funktionelle Beziehung zwischen der Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des PA und dem Einschaltwiderstand R_ON besteht: $V_{O U T} = V_{F B} • \frac{R_{22}}{R_{22} + R_{O N}};$
und in ähnlicher Weise besteht eine funktionelle Beziehung zwischen Vc und R_ON, und die funktionelle Beziehung ist monoton. Daher kann das Ziel der Einstellung von V_OUT durch Einstellung von Vc erreicht werden.
Darüber hinaus kann die entsprechende Beziehung zwischen den in Tabelle 1 aufgezeichneten Daten auf einer Platine (bei der es sich spezifisch um einen Speicherchip handeln kann) des Terminals gespeichert werden, so dass Vc, die einem bestimmten Zustand entspricht, entsprechend der Nennleistung und dem Arbeitsfrequenzpunkt der PA herausgesucht und dann V_OUT eingestellt wird.
In dem in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorgesehenen Terminal wird zusätzlich eine Steuerschaltung zwischen dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers und dem Rückkopplungspin des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips eingestellt, und die Steuerschaltung enthält einen P-MOSFET. Die Steuerspannung kann sich in Abhängigkeit von der Änderung der Nennleistung und/oder des Arbeitsfrequenzpunktes des Leistungsverstärkers ändern und den P-MOSFET leitend machen, und der Durchlasswiderstand des P-MOSFET steht in einem funktionalen Zusammenhang mit der Spannung am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA. Daher kann die Steuerspannung die Spannung am Spannungseingangsende des PA so steuern, dass ein Mindestwert erreicht wird, der es der gesamten Ausrüstung ermöglicht, den Hochfrequenzindex in einem bestimmten Zustand zu erfüllen. Dadurch kann der Wirkungsgrad des Leistungsverstärkers verbessert und die Verlustleistung des Endgerätes reduziert werden.
Ausführungsform 6
Diese Ausführungsform stellt eine spezifische Implementierung eines Terminals dar. Für die Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers in der in dieser Ausführungsform vorgesehenen technischen Lösung kann auf 9 verwiesen werden. Wie in 7 dargestellt, unterscheidet sich die in dieser Ausführungsform vorgesehene technische Lösung von der in der vierten Ausführungsform vorgesehenen nur in der Gestaltung der Steuerschaltung. Andere Teile ähneln denen in der Ausführungsform 4 und werden hier nicht näher erläutert.
Die Steuerschaltung in dieser Ausführungsform enthält einen n-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor Q2 (N-MOSFET). Q2 in 9 wird am Beispiel eines N-MOSFET im Anreicherungsmodus beschrieben, und für eine Schaltungsverbindung eines N-MOSFET im Verarmungsmodus kann auf 9 verwiesen werden. Eine Source-Elektrode S des Q2 ist geerdet, eine Drain-Elektrode D des Q2 ist mit einem Rückkopplungsstift FB eines Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips verbunden, und eine Steuerspannung Vc wird an eine Gitterelektrode G des Q2 angelegt. Zusätzlich ist das Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA über einen Widerstand R31 mit dem Rückkopplungspin FB des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips verbunden.
Nehmen wir an, dass der Durchlasswiderstand von Q2 R_ON ist. In diesem Fall kann Vc zur Steuerung von Q2 verwendet werden, um in einem verstärkten Bereich zu arbeiten. Daher ist eine funktionelle Beziehung zwischen Vc und R_ON monoton. Insbesondere für den N-MOSFET im Anreicherungsmodus im verstärkten Bereich ist die funktionelle Beziehung zwischen Vc und R_ON monoton, d.h. je größer Vc ist, desto kleiner ist R_ON.
Es ist leicht zu verstehen, dass eine funktionelle Beziehung zwischen der Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des PA und dem Durchlasswiderstand R_ON wie folgt aussieht: $V_{O U T} = V_{F B} • \frac{R_{31} + R_{O N}}{R_{O N}};$
und es besteht eine funktionelle Beziehung zwischen Vc und R_ON, und die funktionelle Beziehung ist monoton. Daher kann das Ziel der Einstellung von V_OUT durch eine adaptive Einstellung von Vc erreicht werden.
Weiterhin kann der Regelkreis gemäß 10 optimiert werden, um die Genauigkeitsanforderung von Vc zu reduzieren und so die Einstellung von Vc zu erleichtern. Die Drain-Elektrode D von Q2 ist über einen Widerstand R33 mit dem Rückkopplungsstift FB des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips verbunden, und der Rückkopplungsstift FB ist über einen Widerstand R32 geerdet.
In diesem Fall lässt sich leicht feststellen, dass die funktionale Beziehung zwischen der Spannung V_OUT am Spannungseingangsende des PA und dem Einschaltwiderstand R_ON wie folgt aussieht: $V_{O U T} = V_{F B} • [1 + \frac{R_{31}}{R_{32} / / (R_{33} + R_{O N})}];$
und in ähnlicher Weise besteht eine funktionale Beziehung zwischen Vc und R_ON, und die funktionale Beziehung ist monoton. Daher kann das Ziel der Einstellung von V_OUT durch eine adaptive Einstellung von Vc erreicht werden.
Darüber hinaus kann die entsprechende Beziehung zwischen den in Tabelle 1 aufgezeichneten Daten auf einer Platine (bei der es sich spezifisch um einen Speicherchip handeln kann) des Terminals gespeichert werden, so dass Vc, die einem bestimmten Zustand entspricht, entsprechend der Nennleistung und dem Arbeitsfrequenzpunkt der PA herausgesucht und V_OUT eingestellt wird.
In dem in der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorgesehenen Terminal wird zusätzlich eine Steuerschaltung zwischen dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers und dem Rückkopplungspin des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlerchips eingestellt, und die Steuerschaltung enthält einen N-MOSFET. Die Steuerspannung kann sich in Abhängigkeit von der Änderung der Nennleistung und/oder des Arbeitsfrequenzpunktes des Leistungsverstärkers ändern und den N-MOSFET leitend machen, und der Durchlasswiderstand des N-MOSFET steht in einem funktionalen Zusammenhang mit der Spannung am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers PA. Daher kann die Steuerspannung die Spannung am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers so steuern, dass ein Mindestwert erreicht wird, der es dem Gerät ermöglicht, den Hochfrequenzindex in einem bestimmten Zustand zu erfüllen. Dadurch kann der Wirkungsgrad des Leistungsverstärkers verbessert und der Leistungsverlust des Endgerätes reduziert werden.
Durch die obige Beschreibung der Implementierungsmethoden können diejenigen, die sich auf dem Gebiet der Technik auskennen, klar verstehen, dass die vorliegende Erfindung durch die Verwendung von Software in Kombination mit notwendiger Hardware oder nur durch Hardware implementiert werden kann. In den meisten Fällen ist jedoch Ersteres eine bevorzugte Implementierungsweise. Auf der Grundlage eines solchen Verständnisses können die technischen Lösungen in der vorliegenden Erfindung oder die Teile, die zum Stand der Technik beitragen, im Wesentlichen in Form eines Softwareprodukts verkörpert sein. Das Softwareprodukt kann auf einem lesbaren Speichermedium wie einer Diskette, einer Festplatte oder einer optischen Platte eines Computers gespeichert werden und enthält mehrere Anweisungen, die es einem Computergerät (das ein Personalcomputer, ein Server oder ein Netzwerkgerät sein kann) ermöglichen, die Methoden in den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung auszuführen.
Bei den oben beschriebenen Methoden handelt es sich lediglich um spezifische Ausführungsarten der vorliegenden Erfindung. Der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Änderungen oder Ersetzungen, die von Fachleuten auf dem Gebiet des Standes der Technik in dem hier offengelegten technischen Bereich ohne weiteres durchschaut werden können, fallen in den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung. Daher unterliegt der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung den beigefügten Ansprüchen.

Claims

Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers, mit einem Gleichstrom/Gleichstrom-Wandler, wobei der Gleichstrom/Gleichstrom-Wandler aufweist: einen Eingangsstift (IN); einen Induktivitätsstift (LX); und einen Rückkopplungsstift (FB); wobei der Eingangsstift (IN) zur Verbindung mit einer Stromversorgung (VIN) konfiguriert ist und der Induktivitätsstift (LX) über eine LC-Speicherschaltung mit einem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) verbunden ist; wobei eine Steuerschaltung zwischen das Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) und den Rückkopplungsstift (FB) geschaltet ist; wobei die Steuerschaltung so konfiguriert ist, dass sie eine Steuerspannung (Vc) empfängt und über die Steuerspannung (Vc) eine Spannung (V_OUT) am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) einstellt, und wobei die Steuerspannung (Vc) variabel ist; wobei der Leistungsverstärker mindestens zwei Arbeitsfrequenzpunkte hat und der Leistungsverstärker mindestens zwei Nennleistungen hat; wobei sich die Steuerspannung (Vc) entsprechend einer Änderung der mindestens zwei Nennleistungen des Leistungsverstärkers (PA) bei einem bestimmten Arbeitsfrequenzpunkt ändert und sich die Steuerspannung (Vc) entsprechend einer Änderung der mindestens zwei Arbeitsfrequenzpunkte des Leistungsverstärkers (PA) bei einer bestimmten Nennleistung ändert; und wobei der bestimmte Arbeitsfrequenzpunkt einer der mindestens zwei Arbeitsfrequenzpunkte ist und die bestimmte Nennleistung eine der mindestens zwei Nennleistungen ist.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach Anspruch 1, wobei die Steuerschaltung eine Differenzverstärkerschaltung umfasst und die Differenzverstärkerschaltung einen Operationsverstärker (U2) umfasst; ein nichtinvertierendes Eingangsende des Operationsverstärkers (U2) über einen ersten Widerstand (R11) mit dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) verbunden ist und das nichtinvertierende Eingangsende über einen zweiten Widerstand (R12) geerdet ist; und die Steuerspannung (Vc) über einen dritten Widerstand (R13) an ein invertierendes Eingangsende des Operationsverstärkers (U2) angelegt ist, und das invertierende Eingangsende über einen vierten Widerstand (R14), der eine Rückkopplungsschleife bildet, mit einem Ausgangsende des Operationsverstärkers (U2) verbunden ist; und das Ausgangsende des Operationsverstärkers (U2) mit dem Rückkopplungsstift (FB) des Gleichstrom/Gleichstromwandlers verbunden ist.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach Anspruch 2, wobei das Ausgangsende des Operationsverstärkers (U2) über einen Widerstand (R15) mit dem Rückkopplungsstift (FB) des Gleichstrom/Gleichstromwandlers verbunden ist und der Rückkopplungsstift (FB) über einen Widerstand (R16) geerdet ist.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach Anspruch 2 oder 3, wobei der Widerstand des ersten Widerstandes (R11) gleich dem des dritten Widerstandes (R13) ist und der Widerstand des zweiten Widerstandes (R12) gleich dem des vierten Widerstandes (R14) ist.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach Anspruch 1, wobei die Steuerschaltung einen p-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (Q1) umfasst; wobei: eine Source-Elektrode (S) des p-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (Q1) mit dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers verbunden ist; eine Drain-Elektrode (D) des p-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (Q1) mit dem Rückkopplungsstift (FB) des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlers verbunden ist und die Drain-Elektrode (D) des p-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (Q1) über einen Widerstand (R22) geerdet ist; und die Steuerspannung (Vc) an eine Gitterelektrode (G) des p-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (Q1) angelegt ist.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach Anspruch 5, wobei die Source-Elektrode (S) des p-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (Q1) über einen Widerstand (R23) mit dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) verbunden ist und das Spannungseingangsende über einen Widerstand (R21) mit dem Rückkopplungsstift (FB) des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlers verbunden ist.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach Anspruch 1, wobei die Steuerschaltung einen n-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (Q2) umfasst; wobei: eine Source-Elektrode (S) des n-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (Q2) geerdet ist; eine Drain-Elektrode (D) des n-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (Q2) mit dem Rückkopplungsstift (FB) des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlers verbunden ist; die Steuerspannung (Vc) an eine Gitterelektrode (G) des n-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (Q2) angelegt ist; und das Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) über einen Widerstand (R31) mit dem Rückkopplungsstift (FB) des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlers verbunden ist.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach Anspruch 7, wobei die Drain-Elektrode (D) des n-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (Q2) über einen Widerstand (R33) mit dem Rückkopplungsstift (FB) des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlers verbunden ist und der Rückkopplungsstift (FB) über einen Widerstand (R32) geerdet ist.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach Anspruch 1, wobei die LC-Speicherschaltung eine Induktivität (L) und einen Kondensator (C2) umfasst; und die Induktivität (L) mit dem Induktivitätsstift (LX) des Gleichstrom/Gleichstrom-Wandlers und dem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers verbunden ist, und das Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) über den Kondensator (C2) geerdet ist.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach einem der Ansprüche 1-9, wobei eine entsprechende Beziehung zwischen der Steuerspannung (Vc) und jeder Kombination von einer der mindestens zwei Nennleistungen des Leistungsverstärkers (PA) mit einem der mindestens zwei Arbeitsfrequenzpunkte des Leistungsverstärkers (PA) besteht.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach einem der Ansprüche 1-10, wobei die mindestens zwei Arbeitsfrequenzpunkte durch Teilen einer Hochfrequenz erhalten werden, die in den Leistungsverstärker eingegeben wird.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach einem der Ansprüche 10, wobei die entsprechende Beziehung in einem Speicherchip eines Terminals gespeichert ist.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach einem der Ansprüche 1-12, wobei eine Basisband-Prozessoreinheit die Steuerspannung einstellt.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach Anspruch 13, wobei die Basisbandverarbeitungseinheit einen Basisbandprozessorchip und einen Digital-Analog-Wandler (DAC) umfasst und der Basisbandprozessorchip die Steuerspannung über den Digital-Analog-Wandler einstellt.
Terminal, umfassend eine Basisbandverarbeitungseinheit, einen Leistungsverstärker (PA) und eine Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die Basisbandverarbeitungseinheit so konfiguriert ist, dass sie die Steuerspannung (Vc) einstellt.
Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers mit einem Gleichstrom/Gleichstromwandler, wobei der Gleichstrom/Gleichstromwandler umfasst: einen Eingangsstift (IN); einen Induktivitätsstift (LX); und einen Rückkopplungsstift (FB); wobei der Eingangsstift (IN) zur Verbindung mit einer Stromversorgung (VIN) konfiguriert ist und der Induktivitätsstift (LX) über eine LC-Speicherschaltung mit einem Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) verbunden ist; wobei eine Steuerschaltung zwischen das Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) und den Rückkopplungsstift (FB) geschaltet ist; wobei die Steuerschaltung so konfiguriert ist, dass sie eine Steuerspannung (Vc) empfängt und über die Steuerspannung (Vc) eine Spannung (V_OUT) am Spannungseingangsende des Leistungsverstärkers (PA) einstellt, und wobei die Steuerspannung (Vc) variabel ist; wobei der Leistungsverstärker mindestens zwei Arbeitsfrequenzpunkte aufweist und der Leistungsverstärker mindestens zwei Nennleistungen aufweist; und wobei sich die Steuerspannung (Vc) entsprechend einer Änderung der mindestens zwei Nennleistungen des Leistungsverstärkers (PA) ändert und sich die Steuerspannung (Vc) entsprechend einer Änderung der mindestens zwei Arbeitsfrequenzpunkte des Leistungsverstärkers (PA) ändert.
Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers nach Anspruch 16, wobei eine entsprechende Beziehung zwischen der Steuerspannung (Vc) und jeder Kombination von einer der mindestens zwei Nennleistungen des Leistungsverstärkers (PA) mit einem der mindestens zwei Arbeitsfrequenzpunkte des Leistungsverstärkers (PA) besteht.
Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers nach Anspruch 17, wobei die entsprechende Beziehung in einem Speicherchip eines Terminals gespeichert ist.
Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers nach einem der Ansprüche 16-18, wobei die mindestens zwei Arbeitsfrequenzpunkte durch Teilen einer Hochfrequenz erhalten werden, die in den Leistungsverstärker eingegeben wird.
Stromversorgungsschaltung eines Leistungsverstärkers nach einem der Ansprüche 16-19, wobei eine Basisbandprozessoreinheit die Steuerspannung einstellt.
Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach einem der Ansprüche 20, wobei die Basisbandverarbeitungseinheit einen Basisbandprozessorchip und einen Digital/Analog-Wandler (DAC) umfasst und der Basisbandprozessorchip die Steuerspannung über den Digital/Analog-Wandler einstellt.
Terminal, der eine Basisbandverarbeitungseinheit, einen Leistungsverstärker (PA) und eine Stromversorgungsschaltung des Leistungsverstärkers nach einem der Ansprüche 16 bis 21 umfasst, wobei die Basisbandverarbeitungseinheit so konfiguriert ist, dass sie die Steuerspannung (Vc) einstellt.