DE202009018552U1 - Lichtemittierende Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) mit einer ersten leitenden Halbleiterschicht (110), einer aktiven Schicht (120) und einer zweiten leitenden Halbleiterschicht (130); eine Kanalschicht (140) auf der lichtemittierenden Struktur (135), wobei die Kanalschicht (140) Vorsprünge (145) aufweist, eine Elektrodenschicht (150) auf der lichtemittierenden Struktur (135) und der Kanalschicht (140); und ein leitendes Stützelement (160) auf der Elektrodenschicht (150), wobei die Kanalschicht (140) entlang eines peripheren Bereichs einer obere und die Elektrodenschicht (150) an einem Innenbereich der oberen Oberfläche der lichtemittierenden Struktur (135) ausgebildet ist, wobei die Kanalschicht (140) einen Innenbereich, der in Kontakt mit einem Außenbereich einer oberen Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht (130) steht, und einen Außenbereich aufweist, der sich so weit nach außen erstreckt, dass der Außenbereich der Kanalschicht (140) bzgl. einer Umfangsoberfläche (103) der der lichtemittierenden Struktur (135) frei liegt, wobei die...

Description

  • Die vorliegende Erfindung beansprucht die Priorität gemäß 35 U.S.C. 119 und 35 U. S. C. 365 der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2008-0113228 (angemeldet am 14. November 2008), die hiermit unter Bezugnahme in ihrer Gesamtheit aufgenommen wird.
  • Die Vorrichtung betrifft eine Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung.
  • Gruppen III-V-Nitridhalbleiter wurden in unterschiedlichen optischen Vorrichtungen, wie zum Beispiel blauen und grünen lichtemittierenden Dioden (LED), einer Hochgeschwindigkeitsschaltvorrichtung, wie zum Beispiel einem MOSFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) und einem HEMT (Hetero junction Field Effect Transistor) und einer Lichtquelle einer Beleuchtungsvorrichtung oder einer Anzeigevorrichtung verwendet.
  • Ein Nitridhalbleiter wird hauptsächlich für die LED oder eine LD (Laserdiode) verwendet und Untersuchungen wurden kontinuierlich durchgeführt, um den Herstellungsprozess oder die Lichteffizienz der Nitridhalbleiter zu verbessern.
  • Eine Ausführungsform sieht eine Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung vor, die geeignet ist, die Haltekräfte zwischen einer Halbleiterschicht zu erhöhen.
  • Eine Ausführungsform sieht eine Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung vor, die die Haltekraft zwischen einer zweiten leitenden Halbleiterschicht und einer Kanalschicht auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht durch Ausbilden eines Rauigkeits-Musters auf einer äußeren Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht erhöhen kann.
  • Eine Ausführungsform sieht eine Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung vor umfassend: Mehrere Verbindungshalbleiterschichten einschließlich einer ersten leitenden Halbleiterschicht, einer aktiven Schicht und einer zweiten leitenden Halbleiterschicht; eine Elektrodenschicht auf den mehreren Verbindungshalbleiterschichten; und eine Kanalschicht, umfassend einen Vorsprung, wobei die Kanalschicht entlang eines peripheren Abschnittes bzw. Umfangsbereiches einer oberen Oberfläche der mehreren Verbindungshalbleiterschichten ausgebildet ist.
  • Eine Ausführungsform sieht eine Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung vor, umfassend: Mehrere Verbindungshalbleiterschichten einschließlich einer ersten leitenden Halbleiterschicht, einer aktiven Schicht auf der ersten leitenden Halbleiterschicht und einer zweiten leitenden Halbleiterschicht auf der aktiven Schicht; eine Elektrode, die elektrisch mit der ersten leitenden Halbleiterschicht verbunden ist; eine Elektrodenschicht auf den mehreren Verbindungshalbleiterschichten; ein leitendes Stützelement auf der Elektrodenschicht; eine Kanalschicht, die entlang eines Umfangsabschnitts einer oberen Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht ausgebildet ist, und einen Vorsprung, der von der Kanalschicht nach unten vorsteht.
  • Die Details einer oder mehrerer Ausführungsformen sind in den beigefügten Zeichnungen und der folgenden Beschreibung dargelegt. Weitere Merkmale gehen aus der Beschreibung und den Zeichnungen und aus den Ansprüchen hervor.
  • 1 ist eine seitliche Schnittansicht, die eine Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt;
  • 2 ist eine Ansicht von unten, die die Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung aus 1 zeigt;
  • 3 bis 12 sind Ansichten, die das Verfahren zum Herstellen der Halbleiter-lichtemittierenden-Vorrichtung aus 1 zeigen; und
  • 13 ist eine seitliche Schnittansicht, die eine Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt.
  • Nachfolgend wird eine Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. In der Beschreibung des Ausführungsbeispiels werden die Ausdrücke „auf” oder „unter” einer jeden Schicht in Bezug zu den beigefügten Zeichnungen verwendet und die Dicke einer jeden Schicht ist nicht auf die in den Zeichnungen gezeigte Dicke beschränkt.
  • Es versteht sich, dass in der der Beschreibung eines Ausführungsbeispiels, wenn eine Schicht (oder Lage bzw. Film), ein Bereich, ein Muster oder eine Struktur als „auf” oder „unter” einem anderen Substrat, einer anderen Schicht (oder Lage bzw. Film), einem anderen Bereich, einem anderen Kontakt oder einem anderen Muster Bezug genommen wird, es „direkt” oder „indirekt” auf dem anderen Substrat, Schicht (oder Lage bzw. Film), Bereich, Kontakt oder Muster sein kann.
  • 1 ist eine seitliche Schnittansicht, die eine Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel zeigt und 2 ist eine Ansicht von unten, die die Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung aus 1 zeigt.
  • Unter Bezugnahme auf die 1 und 2 umfasst die Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung 100 eine lichtemittierende Struktur 135, eine Kanalschicht 140 mit Vorsprüngen 145, eine Elektrodenschicht 150 und ein leitendes Stützelement bzw. Substrat 160.
  • Die Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung 100 umfasst einen Verbindungshalbleiter, wie zum Beispiel eine LED auf Grundlage eines III–V-Verbindungshalbleiters und die LED kann ein blaues Licht, grünes Licht oder rotes Licht emittierende Farb-LED oder eine UV-LED umfassen. Das von der LED emittierte Licht kann unterschiedlich innerhalb dem technischen Bereich des vorliegenden Ausführungsbeispiels realisiert werden.
  • Die lichtemittierende Struktur 135 umfasst eine erste leitende Halbleiterschicht 110, eine aktive Schicht 120 und eine zweite leitende Halbleiterschicht 130.
  • Eine Elektrode 171 mit einer vorbestimmten Form oder einem vorbestimmten Muster ist unter der ersten leitenden Halbleiterschicht 110 ausgebildet und kann eine vorbestimmte Form haben oder kann in einem vorbestimmten Muster geformt sein. Jedoch ist das Ausführungsbeispiel hierauf nicht beschränkt. Die erste leitende Halbleiterschicht 110 kann an einer unteren Oberfläche ein raues Muster bzw. eine raue Oberfläche aufweisen.
  • Die aktive Schicht 120 ist auf der ersten leitenden Halbleiterschicht 110 ausgebildet und kann eine Einfach-Potential-Topf-Struktur (single quantum well structure) oder eine Mehrfach-Potential-Topf-Struktur (multi-quantum well structure) aufweisen. Die aktive Schicht 120 kann eine Anordnung aus Potential-Topf-Schicht und Barriere-Schicht unter Verwendung eines Verbindungshalbleitermaterials der III–V-Gruppenelemente aufweisen. Beispielsweise kann die aktive Schicht 120 eine Anordnung aus einer InGaN-Potential-Topf-Schicht und einer GaN-Barriere-Schicht aufweisen. Eine leitende Hüllschicht (clad layer) kann auf und/oder unter der aktiven Schicht 120 ausgebildet sein und eine Schicht basierend auf AlGaN umfassen.
  • Die zweite leitende Halbleiterschicht 130 ist auf der aktiven Schicht 120 ausgebildet und kann ein Halbleitermaterial, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN,k InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP und AlGaInP umfassen, welche Verbindungshalbleiter aus III–V-Gruppenelementen sind, die mit einem zweiten leitenden Dotierstoff dotiert sind. Wenn die zweite leitende Halbleiterschicht 130 eine Halbleiterschicht des P-Typs ist, umfasst der zweite leitende Dotierstoff einen Dotierstoff des P-Typs, wie zum Beispiel Mg und Zn. Die zweite leitende Halbleiterschicht 130 kann eine einzelne Schicht oder eine mehrlagige Schicht aufweisen. Jedoch ist das Ausführungsbeispiel hierauf nicht beschränkt.
  • Die lichtemittierende Struktur 135 kann eine Halbleiterschicht des N-Typs oder eine Halbleiterschicht des P-Typs auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 aufweisen. Weiterhin kann die erste leitende Halbleiterschicht 110 mit einer Halbleiterschicht des P-Typs und die zweite leitende Halbleiterschicht 130 als eine Halbleiterschicht des N-Typs vorgesehen sein. Die lichtemittierende Struktur 135 kann zumindest eine aus einer N-P-Übergangsstruktur, einer P-N-Übergangsstruktur, einer N-P-N-Übergangsstruktur und einer P-N-P-Übergangsstruktur umfassen.
  • Halbleiterschicht 120 kann eine einzelne Schicht oder eine mehrlagige Schicht aufweisen. Jedoch ist das Ausführungsbeispiel hierauf nicht beschränkt.
  • Die lichtemittierende Struktur 135 kann eine Halbleiterschicht des N-Typs oder eine Halbleiterschicht des P-Typs auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 120 aufweisen. Weiterhin kann die erste leitende Halbleiterschicht 110 mit einer Halbleiterschicht des P-Typs und die zweite leitende Halbleiterschicht 130 als eine Halbleiterschicht des N-Typs vorgesehen sein. Die lichtemittierende Struktur 135 kann zumindest eine aus einer N-P-Übergangsstruktur, einer P-N-Übergangsstruktur, einer N-P-N-Übergangsstruktur und einer P-N-P-Übergangsstruktur umfassen.
  • Die Kanalschicht 140 und die Elektrodenschicht 150 sind auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 ausgebildet. Die Kanalschicht 140 ist entlang dem Umfangsabschnitt bzw. dem peripheren Bereich einer oberen Oberfläche der lichtemittierenden Struktur 135 und die Elektrodenschicht 150 ist im Innenbereich bzw. der Innenseite der oberen Oberfläche der lichtemittierenden Struktur 135 ausgebildet.
  • Die Kanalschicht 140 kann eine Bandform, eine Ringform oder eine Rahmenform aufweisen und kann entlang der peripheren Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 in der Form eines Kreises oder Polygons ausgebildet sein.
  • Eine Innenseite bzw. ein Innenbereich der Kanalschicht 140 ist in Kontakt mit einer Außenseite bzw. ein Außenbereich einer oberen Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 und eine Außenseite der Kanalschicht 140 erstreckt sich so weit, dass die äußere Seite bzw. der äußere Bereich der Kanalschicht 140 bezüglich der Umfangsoberfläche 103 der lichtemittierenden Struktur 135 freilegt. Folglich ist die Kanalschicht 140 derart angeordnet, dass eine äußere Wandung der lichtemittierenden Struktur 135 von der Elektrodenschicht 150 oder dem leitenden Stützelement 160 beabstandet sein kann.
  • Die Kanalschicht 140 kann ein optisch durchlässiges isolierendes Material oder ein optisch durchlässiges leitendes Material sein. Die Kanalschicht 140 kann zumindest eine Verbindung umfassen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2, Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Indiumzinkzinnoxid (IZTO), Indiumaluminiumzinkoxid (IAZO), Indiumgalliumzinkoxid (IGZO), Indiumgalliumzinnoxid (IGTO), Aluminiumzinkoxid (AZO), Antimonzinnoxid (ATO), Galliumzinkoxid (GZO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au und Ni/IrOx/Au/ITO.
  • Die Kanalschicht 140 kann Material umfassen, das ermöglicht, dass Laserlicht es durchdringen kann, oder Material, das keine Fragmente erzeugt, wenn Laserlicht es durchdringt. Weiterhin kann die Kanalschicht 140 optisch durchlässiges Material umfassen, das mit dem Material der zweiten Verbindungshalbleiterschicht 130 verbunden werden kann.
  • Die Vorsprünge 145 sind auf der unteren Oberfläche der Innenseite bzw. des Innenbereichs der Kanalschicht 140 ausgebildet. Die Vorsprünge 145 stehen in Richtung zur lichtemittierenden Struktur 135 vor, d. h., dass die Vorsprünge 145 nach unten vorstehen, so dass die Haftkraft der Kanalschicht 140 erhöht werden kann.
  • Der Vorsprung 145 der Kanalschicht 140 kann auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht in der Form eines Bandes mit einem konkav-konvexen Abschnitt ausgebildet sein. Der Vorsprung 145 kann in einem kontinuierlichen Muster, wie zum Beispiel einer geschlossenen Schleife oder einem diskontunierlichen Muster entlang des peripheren Bereichs des oberen Abschnittes der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 ausgebildet sein. Ferner kann der Vorsprung 145 auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 eine einzelne Konfiguration, eine doppelte Konfiguration oder eine vielfache Konfiguration aufweisen und kann ein Zick-Zack-förmiges Muster, ein Muster in unregelmäßiger Form und dergleichen aufweisen.
  • Der Vorsprung 145 der Kanalschicht 140 kann eine polygonale sektionale Form, wie zum Beispiel ein Dreieck, ein Rechteck, eine Raute oder ein Trapez, eine Hornabschnittsform, eine Halbkreisabschnittsform und eine halb-oval-Abschnittsform aufweisen. Die Form des Vorsprungs 145 kann innerhalb des technischen Bereichs des Ausführungsbeispiels modifiziert werden.
  • Der Vorsprung 145 kann eine Höhe H1 (d. h. Vorsprungslänge) von etwa 10 nm bis etwa 300 nm haben. Bei einem Doppelvorsprung 145 können die Vorsprünge die gleiche Höhe oder unterschiedliche Höhen aufweisen. Beispielsweise kann die Höhe eines Doppelvorsprungs 145 in Richtung zum äußeren Abschnitt bzw. peripheren Bereich der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 vermindert oder erhöht werden.
  • Der Vorsprung 145 der Kanalschicht 140 kann von der äußeren Wandung der lichtemittierenden Struktur 135 um einen vorbestimmten Abstand D1, wie zum Beispiel etwa 1 μm bis etwa 5 μm, beabstandet sein und der Abstand D1 kann entsprechen der Größe der lichtemittierenden Struktur 135 variiert werden.
  • Ein Kontaktbereich zwischen der Kanalschicht 140 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 ist aufgrund der Vorsprünge 145 vergrößert. Der Vorsprung 145 kann verhindern, dass sich die zweite leitende Halbleiterschicht 130 in eine Richtung nach außen A1 bezüglich der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 bewegt.
  • Weiterhin kann der Vorsprung 145 der Kanalschicht 140 das Eindringen von Feuchtigkeit in die Richtung A2 nach innen bezüglich der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 verzögern oder verhindern.
  • Die Elektrodenschicht 150 ist auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 ausgebildet. Die Elektrodenschicht 150 kann auf der Kanalschicht 140 ausgebildet sein.
  • Eine Schicht oder mehrere Muster sind zwischen der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 und der Elektrodenschicht 150 ausgebildet, so dass eine Stromverteilung aufgrund der Widerstandsunterschiede aufgelöst bzw. dispergiert werden kann. Die Schicht oder die vielen Muster umfassen zumindest eine Verbindung aus SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, GZO, IrOx und RuOx.
  • Die Elektrodenschicht 150 ist auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 ausgebildet. Die Elektrodenschicht 150 kann zumindest eine von einer reflektierenden Elektrodenschicht, einer ohmschen Kontaktschicht oder einer Haftschicht umfassen.
  • Die Elektrodenschicht 150 kann zumindest eines von einem metallischen Material und einem Oxidmaterial aufweisen. Die reflektierende Elektrodenschicht kann zumindest eines der Elemente von Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf oder eine ausgewählte Kombination davon aufweisen. Die Ohmsche Kontaktschicht kann zumindest ein Material, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus ITO (Indiumzinnoxid), IZO (Indiumzinkoxid), IZTO (Indiumzinkzinnoxid), IAZO (Indiumaluminiumzinkoxid), IGZO (Indiumgalliumzinkoxid), IGTO (Indiumgalliumzinnoxid), AZO (Aluminiumzinkoxid), ATO (Antimonzinnoxid), GZO (Galliumzinkoxid), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, und Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh und Pd aufweisen. Die Haftschicht kann zumindest eines der Elemente von Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag und Ta aufweisen. Die Elektrodenschicht 150 kann ein Keimmetall(seed metal) aufweisen.
  • Die Elektrodenschicht 150 kann in der Form einer Schicht oder mehreren Mustern bzw. mehreren Musterelementen ausgebildet sein. Jedoch ist das Ausführungsbeispiel hierauf nicht beschränkt.
  • Eine ohmsche Kontaktschicht (nicht dargestellt) kann zwischen der Elektrodenschicht 150 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 ausgebildet sein. Die Ohmsche Kontaktschicht kann zumindest eine der Verbindungen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, GZO, IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au und Ni/IrOx/Au/ITO aufweisen.
  • Das leitende Stützelement 160 ist auf der Elektrodenschicht 150 ausgebildet. Das leitende Stützelement 160 kann als Basissubstrat fungieren und wird zum Zuführen von Strom verwendet. Das leitende Stützelement 160 kann in der Form einer Schicht oder aus mehreren Mustern bzw. mehreren Musterelementen ausgebildet sein.
  • Das leitende Stützelement 160 kann Cu, Au, Ni, Mo, Cu-W und einen Trägerwafer, wie zum Beispiel Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, und GaN umfassen. Das leitende Stützelement 160 kann durch ein elektrolytisches Plattieren bzw. Galvaniseren ausgebildet sein oder kann in der Form eines Bogens hergestellt sein.
  • Die Elektrodenschicht 150 und das leitende Stützelement 160 können in der Form einer einzelnen Elektrodenschicht mit einer vorbestimmten Dicke ausgebildet sein.
  • 3 bis 12 sind Ansichten, die das Herstellungsverfahren der Halbleiteremittierenden-Vorrichtung gemäß 1 zeigen.
  • Unter Bezugnahme auf 3 wird ein Substrat 101 auf eine Wachstumsvorrichtung aufgebracht und eine Verbindungshalbleiterschicht aus II- und VI-Gruppenelementen wird auf dem Substrat 101 ausgebildet.
  • Die Wachstumsvorrichtung kann eine Elektronenstrahlabscheidevorrichtung, eine physikalische Gasphasenabscheidevorrichtung (PVD), chemische Gasphasenabscheidevorrichtung (CVD), Plasmalaserabscheidevorrichtung (PLD), eine Vorrichtung zum thermischen Verdampfen des Doppeltyps (dual-type thermal evaporator), eine Sputter-Vorrichtung und eine Vorrichtung zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD) umfassen. Jedoch ist das Ausführungsbeispiel hierauf nicht beschränkt.
  • Das Substrat 101 kann eines, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Saphir (Al2O3), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, GA2O3, einem leitenden Substrat und GaAs umfassen. Das Substrat 101 wird darauf mit einem konkav-konvexen Muster vorgesehen. Weiterhin kann eine Schicht oder ein Muster, das Verbindungshalbleiter aus II- bis VI-Gruppenelementen verwendet, auf dem Substrat 101 ausgebildet werden. Beispielsweise kann zumindest eine Schicht aus einer ZnO-Schicht (nicht gezeigt), einer Pufferschicht (nicht gezeigt) und einer undotierten Halbleiterschicht (nicht gezeigt) auf dem Substrat 101 ausgebildet werden.
  • Die Pufferschicht und die undotierte Halbleiterschicht können Verbindungshalbleiter der III–V-Gruppenelemente umfassen. Die Pufferschicht vermindert eine Gitterkonstantendifferenz des Substrats 101 und die undotierte Halbleiterschicht kann eine undotierte Halbleiterschicht auf Basis von GaN umfassen.
  • Die lichtemittierende Struktur 135 einschließlich der Verbindungshalbleiterschichten wird auf dem Substrat 101 ausgebildet. Die erste leitende Halbleiterschicht 110 wird III–V-Gruppenelementen verwendet. Zum Beispiel kann die aktive Schicht 120 eine Anordnung aus InGaN-Potential-Topf-Schichten und GaN-Barriere-Schichten aufweisen.
  • Eine leitende Hüllschicht (clad layer) kann auf und/oder unter der aktiven Schicht 120 ausgebildet sein und eine Schicht, basierend auf AlGaN aufweisen.
  • Die zweite leitende Halbleiterschicht 130 ist auf der aktiven Schicht 120 ausgebildet und kann eine Verbindung umfassen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP und AlGaInP, welche Verbindungshalbleiter mit III–V-Gruppenelementen sind, die mit dem zweiten leitenden Dotierstoff dotiert sind. Wenn die zweite leitende Halbleiterschicht 130 eine Halbleiterschicht des P-Typs ist, dann umfasst der z weite leitende Dotierstoff einen Dotierstoff des P-Typs, wie zum Beispiel Mg und Zn. Die zweite leitende Halbleiterschicht 130 kann einzelne Schicht oder mehrere Schichten (multilayer) aufweisen. Jedoch ist das Ausführungsbeispiel hierauf nicht beschränkt.
  • Die erste leitende Halbleiterschicht 110, die aktive Schicht 120 und die zweite leitende Halbleiterschicht 130 können als die lichtemittierende Struktur 135 definiert werden. Eine dritte leitende Halbleiterschicht (nicht dargestellt), wie zum Beispiel eine Halbleiterschicht des N-Typs oder eine Halbleiterschicht des P-Typs können auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 ausgebildet sein. Die lichtemittierende Struktur 135 kann zumindest eine der N-P-Übergangs-, P-N-Übergangs-, N-P-N-Übergangs- und P-N-P-Übergangsstruktur aufweisen.
  • Gemäß 4 können Nuten 115 entlang des Umfangsabschnittes bzw. des peripheren Bereichs der oberen Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 in einem einzelnen bzw. individuellen Chipbereich ausgeformt sein. Die Nuten 115 können eine Rauigkeitsstruktur aufweisen, wie zum Beispiel eine konkav-konvexe Struktur. Die Nuten 115 können eine einzelne Konfiguration, eine doppelte Konfiguration oder eine mehrfache Konfiguration aufweisen.
  • Die Nuten 115 sind an Positionen und mit Formen ausgebildet, die jenen der Vorsprünge 145 der Kanalschicht 140 entsprechen.
  • Halbleiterschicht 120 kann einzelne Schicht oder mehrere Schichten (multilayer) aufweisen. Jedoch ist das Ausführungsbeispiel hierauf nicht beschränkt.
  • Die erste leitende Halbleiterschicht 110, die aktive Schicht 120 und die zweite leitende Halbleiterschicht 130 können als die lichtemittierende Struktur 135 definiert werden. Eine dritte leitende Halbleiterschicht (nicht dargestellt), wie zum Beispiel eine Halbleiterschicht des N-Typs oder eine Halbleiterschicht des P-Typs können auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 ausgebildet sein. Die lichtemittierende Struktur 135 kann zumindest eine der N-P-Übergangs-, P-N-Übergangs-, N-P-N-Übergangs- und P-N-P-Übergangsstruktur aufweisen.
  • Gemäß 4 können Nuten 115 entlang des Umfangsabschnittes bzw. des peripheren Bereichs der oberen Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 in einem einzelnen bzw. individuellen Chipbereich ausgeformt sein. Die Nuten 115 können eine Rauigkeitsstruktur aufweisen, wie zum Beispiel eine konkav-konvexe Struktur. Die Nuten 115 können eine einzelne Konfiguration, eine doppelte Konfiguration oder eine mehrfache Konfiguration aufweisen.
  • Die Nuten 115 sind an Positionen und mit Formen ausgebildet, die jenen der Vorsprünge 145 der Kanalschicht 140 entsprechen.
  • Die Nuten 115 werden durch Ausbilden eines Maskenmusters bezüglich der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130, und durch Ätzen des Maskenmusters unter Verwendung eines vorbestimmten Ätzverfahrens, wie zum Beispiel dem Trockenätzen, ausgebildet. Jedoch ist das Ausführungsbeispiel hierauf nicht beschränkt.
  • 5 ist eine Draufsicht, die ein erstes Muster der Nut aus 4 zeigt.
  • Gemäß den 4 und 5 sind die Nuten 115 entlang des äußeren Umfangsabschnittes bzw. des peripheren Bereichs eines einzelnen Chips in der Form eines doppelten Bandes geformt und können in der Form eines kontinuierlichen Musters, wie zum Beispiel einer geschlossenen Schleife, vorgesehen sein. Die doppelten Nuten 115 können regelmäßig oder unregelmäßig voneinander beabstandet sein, wobei die Haftkraft hierbei berücksichtigt ist.
  • Die Nuten 115 können eine Zick-Zack-Form oder eine unregelmäßige Form entlang dem äußeren Umfangsabschnitt der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 aufweisen. Weiterhin können die Nuten 115 eine polygonale Abschnittsform, wie zum Beispiel ein Dreieck, ein Rechteck, eine Raute oder ein Trapez, eine Hornabschnittsform, eine halbkreisförmige Abschnittsform und eine halb-oval-Abschnittsform aufweisen. Die Form der Nuten 115 kann innerhalb des technischen Bereichs des Ausführungsbeispiels modifiziert werden, wobei die Nuten 115 in einer Reihe, zwei Reihen oder mehreren bezüglich einer äußeren Oberfläche des Chips angeordnet werden können und die gleiche Tiefe oder eine unterschiedliche Tiefe aufweisen können. Eine jede Nut 115 kann eine Tiefe H1 von etwa 100 nm bis etwa 300 nm von der oberen Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 aufweisen.
  • 6 ist eine Ansicht, die ein zweites Muster der Nut aus 4 zeigt.
  • Gemäß 6 können die Nuten 115A und 115B eine Doppelbandstruktur aufweisen und können in der Form eines diskontinuierlichen Musters ausgebildet sein. Weiterhin können die Doppelnuten 115A und 115B zueinander versetzt sein, um die Haftfestigkeit zu erhöhen.
  • Gemäß 4 und 6 ist die Kanalschicht 140 entlang dem peripheren Bereich der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 ausgebildet.
  • Die Kanalschicht 140 ist entlang der Umfangsoberfläche der oberen Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 in der Form eines Ringes oder Rahmens in einem Grenz- bzw. Randbereich eines einzelnen bzw. individuellen Chips geformt. Die Kanalschicht 140 kann in der Form eines kontinuierlichen Musters ausgebildet sein.
  • Die Kanalschicht 140 kann ein Isolationsmaterial oder ein leitendes Material aufweisen. Beispielsweise kann die Kanalschicht 140 zumindest eine Verbindung, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, GZO, IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au und Ni/IrOx/Au/ITO aufweisen.
  • Weiterhin kann die Kanalschicht 140 ein Material aufweisen, welches erlaubt, dass es von Laserlicht durchdrungen wird, oder ein Material, das keine Fragmente erzeugt, wenn es von Laserlicht durchdrungen wird. Ferner kann die Kanalschicht 140 ein durchlässiges Material aufweisen, das die Haftkraft zwischen der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 und der Kanalschicht 140 erhöht.
  • Die Vorsprünge 145 der Kanalschicht 140 sind entsprechend den Nuten 115 der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 ausgerichtet. Da die Vorsprünge 145 eine Form und Position aufweisen, die jenen der Nuten 115 entsprechen, wird eine detaillierte Beschreibung derselben weggelassen.
  • Die Vorsprünge 145 der Kanalschicht 140 können von der äußeren Wandung der lichtemittierenden Struktur 135 um einen vorbestimmten Abstand, wie zum Beispiel etwa 1 μm bis etwa 5 μm beabstandet sein und der Abstand kann in Abhängigkeit der Größe der lichtemittierenden Struktur 135 variieren.
  • Der Kontaktbereich zwischen der Kanalschicht 140 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 wird aufgrund der Vorsprünge 145 vergrößert. Die Vorsprünge 145 erhöhen die Haftkraft bezüglich der nach außen gerichteten Richtung (siehe A1 in 2) der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130, um eine Bewegung der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 und der Kanalschicht 140 zu verhindern.
  • Ferner kann der Vorsprung 145 der Kanalschicht 140 das Eindringen von Feuchtigkeit in den Innenbereich (siehe A2 in 2) der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 verzögern oder verhindern. Gemäß 8 und 9 ist die Elektrodenschicht 150 auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 oder der dritten leitenden Halbleiterschicht ausgebildet. Die Elektrodenschicht 150 kann auf der Kanalschicht 140 ausgebildet sein. Das leitende Stützelement 160 ist auf der Elektrodenschicht 150 ausgebildet. Die Elektrodenschicht 150 kann auf einem Abschnitt oder dem gesamten Abschnitt der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 durch Verwendung einer Sputter-Vorrichtung ausgebildet werden. Die Elektrodenschicht 150 kann durch Verwendung zumindest eines Materials, umfassend eines Keimmaterials, ohmsches Material, eines reflektierenden Materials und eines Haftmaterials ausgebildet werden.
  • Die Elektrodenschicht 150 kann zumindest eine der reflektierenden Elektrodenschicht, ohmschen Kontaktschicht und Haftschicht umfassen. Die Elektrodenschicht 150 kann zumindest ein metallisches Material oder ein Oxidmaterial aufweisen. Die reflektierende Elektrodenschicht kann zumindest ein Element aus Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf oder eine ausgewählte Kombination davon aufweisen. Die ohmsche Kontaktschicht kann zumindest eine Verbindung bzw. ein Element, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus ITO (Indiumzinnoxid), IZO (Indiumzinkoxid), IZTO (Indiumzinkzinnoxid), IAZO (Indiumaluminiumzinkoxid), IGZO (Indiumgalliumzinkoxid), IGTO (Indiumgalliumzinnoxid), AZO (Aluminiumzinkoxid), ATO (Antimonzinnoxid), GZO (Galliumzinkoxid), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, und Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh und Pd aufweisen. Die Haftschicht kann zumindest ein Element aus Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag und Ta aufweisen. Die Elektrodenschicht 150 kann ein Keimmetall (seed metal) aufweisen.
  • Eine Schicht oder mehrere Muster bzw. mehrere Musterelemente können weiterhin zwischen der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 und der Elektrodenschicht 150 ausgebildet werden, so dass eine durch eine Widerstandsdifferenz verursachte Stromverteilung dispergiert werden kann. Die Schicht oder die mehreren Musterelemente umfassen wenigstens eine Verbindung aus SiO2 , SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, GZO, IrOx und RuOx.
  • Eine ohmsche Kontaktschicht (nicht dargestellt) kann weiterhin zwischen der Elektrodenschicht 150 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 ausgebildet sein. Die Ohmsche Kontaktschicht kann eine Schicht oder mehrere Musterelemente umfassen. Die Ohmsche Kontaktschicht umfasst wenigstens eine Verbindung, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Indiumzinkzinnoxid (IZTO), Indiumaluminiumzinkoxid (IAZO), Indiumgalliumzinkoxid (IGZO), Indiumgalliumzinnoxid (IGTO), Aluminiumzinkoxid (AZO), Antimonzinnoxid (ATO), Galliumzinkoxid (GZO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au und Ni/IrOx/Au/ITO, wobei das Ausführungsbeispiel hierauf nicht beschränkt ist.
  • Das leitende Stützelement 160 ist auf der Elektrodenschicht 150 ausgebildet. Das leitende Stützelement 160 kann als Basissubstrat fungieren. Das leitende Stützelement 160 kann Cu, Au, Ni, Mo, Cu-W und einen Trägerwafer, wie zum Beispiel Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe und GaN aufweisen. Das leitende Stützelement 160 kann mittels eines elektrolytischen Plattierungsprozesses bzw. Galvanisieren ausgebildet werden oder kann in der Form eines Bogens vorbereitet werden. Jedoch ist das Ausführungsbeispiel hierauf nicht beschränkt.
  • Die Elektrodenschicht 150 und das leitende Stützelement 160 können in der Form einer Schicht oder eines Musters ausgebildet werden. Das leitende Stützelement 160 kann eine Dicke von etwa 30 μm bis etwa 150 μm aufweisen. Das Ausführungsbeispiel ist jedoch hierauf nicht beschränkt. Die Elektrodenschicht 150 und das leitende Stützelement 160 können in der Form einer einzelnen Elektrodenschicht, wie zum Beispiel der Elektrodenschicht, ausgebildet werden. Jedoch ist das Ausführungsbeispiel hierauf nicht beschränkt.
  • Gemäß 9 und 10 wird, nachdem das leitende Stützelement 160 auf einer Basis angeordnet ist, das Substrat 101 entfernt. Das Substrat 101 kann unter Verwendung eines physikalischen Prozesses und/oder eines chemischen Prozesses entfernt werden. Gemäß dem als Laser-Lift-Off (LLO) bezeichneten physikalischen Prozess wird Laserlicht mit einem vorbestimmten Wellenlängenbereich auf das Substrat 101 gestrahlt, so dass das Substrat 101 von der ersten leitenden Halbleiterschicht 110 getrennt wird. Gemäß dem chemischen Prozess wird, wenn eine weitere Halbleiterschicht (z. B. eine Pufferschicht) zwischen dem Substrat 101 und der ersten leitenden Halbleiterschicht 110 ausgebildet ist, die Pufferschicht unter Verwendung einer Nassätzlösung entfernt, so dass das Substrat 101 von der ersten leitenden Halbleiterschicht 110 getrennt wird.
  • Nachdem das Substrat 101 entfernt ist, wird die erste leitende Halbleiterschicht 110 einem Ätzprozess unterzogen, bei dem induktiv gekoppeltes Plasmaätzen/reaktives Ionenätzen (ICP/RIE) verwendet werden.
  • Die Kanalschicht 140 und die Vorsprünge 145 können daher ein Delaminieren der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 verhindern.
  • Gemäß den 11 und 12 wird die lichtemittierende Struktur 135 teilweise durch Isolationsätzen bezüglich eines Rand- bzw. Grenzbereiches (d. h. eines Kanalbereiches) zwischen den Chips entfernt. Das Isolationsätzen wird derart ausgeführt, dass die Kanalschicht 140 in dem Chiprandbereich (d. h. im Kanalbereich) freigelegt wird. Jedoch ist das Ausführungsbeispiel hierauf nicht beschränkt. In solch einem Fall können die Kanalschicht 140 und die Vorsprünge 145 das seitliche Delaminieren der lichtemittierenden Struktur minimieren, das während des Isolationsätzen auftreten kann, d. h., dem KOH-Ätzprozess.
  • Während des Isolationsätzens wird der äußere Randabschnitt der lichtemittierenden Struktur 135 geschnitten, so dass die lichtemittierende Struktur 135 weiter von dem leitenden Stützelement 160 beabstandet ist.
  • Das Laserlicht dringt durch die Kanalschicht 140, so dass Fragmente, verursacht durch das leitende Stützelement 160 oder der Elektrodenschicht 150 minimiert werden können.
  • Dann wird die Halbleiterlicht-emittierende-Vorrichtung 100 mittels eines Brechprozesses in eine Chipeinheit aufgeteilt, wie es in 12 gezeigt ist. Der Laser kann zur Aufbereitung der Chipeinheit verwendet werden.
  • Die Elektrode 171 ist unter der ersten leitenden Halbleiterschicht 110 ausgebildet und kann eine vorbestimmte Form aufweisen. Ferner kann die Elektrode 171 in der Form eines vorbestimmten Musters ausgebildet sein. Die Elektrode 171 kann ausgebildet werden, bevor oder nachdem der Isolationsätzprozess ausgeführt wird, oder nachdem der Chiptrennprozess ausgeführt wird. Das Ausführungsbeispiel ist jedoch hierauf nicht beschränkt.
  • Nachdem der Isolationsätzprozess ausgeführt ist, kann das Rauigkeitsmuster auf der unteren Oberfläche der ersten leitenden Halbleiterschicht 110 ausgebildet sein, um die externe Quanteneffizienz zu steigern.
  • 13 ist eine seitliche Schnittansicht, die eine Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt. Die gleichen Bezugszeichen sind den identischen Elementen des ersten Ausführungsbeispiels zugeordnet und eine detaillierte Beschreibung von diesen wird weggelassen.
  • Gemäß 13 umfasst die Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung 100A die lichtemittierende Struktur 135, die Kanalschicht 140 mit den Vorsprüngen 145, eine ohmsche Kontaktschicht 155, die Elektrodenschicht 150 und das leitende Stützelement 160.
  • Die ohmsche Kontaktschicht 155 kann auf einer Zwischenfläche zwischen der Elektrodenschicht 150 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 in der Form von mehreren Mustern bzw. mehreren Musterelementen ausgebildet sein. Die ohmsche Kontaktschicht 155 kann ein Matrixmuster oder ein Streifenmuster aufweisen.
  • Die ohmsche Kontaktschicht 155 kann die Haftkraft bezüglich der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 zusammen mit der Kanalschicht 140 und den Vorsprüngen 145 erhöhen.
  • Die ohmsche Kontaktschicht 155 kann zumindest eine Verbindung, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, GZO, IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au und Ni/IrOx/Au/ITO, umfassen.
  • Die ohmsche Kontaktschicht 155 kann in der Form von Vorsprüngen entsprechend Nuten, die auf der Innenseite bzw. dem Innenbereich der oberen Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht 130 ausgebildet sind, ausgebildet werden.
  • Ferner steht die zweite leitende Halbleiterschicht 130 in Kontakt mit der ohmschen Kontaktschicht 155 und der Elektrodenschicht 150, so dass eine Stromverteilung aufgrund ohmscher Widerstandsdifferenzen dispergiert werden kann.
  • Ein Ausführungsbeispiel sieht ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-lichtemittierenden-Vorrichtung vor, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Ausbilden einer lichtemittierenden Struktur, umfassend eine erste leitende Halbleiterschicht, eine aktive Schicht auf der ersten leitenden Halbleiterschicht und eine zweite leitende Halbleiterschicht auf der aktiven Schicht; Ausbilden von Nuten entlang einem oberen peripheren Bereich der zweiten leitenden Halbleiterschicht; Ausbilden einer Kanalschicht entlang einem peripheren Bereich einer oberen Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht, und Ausbilden einer Elektrodenschicht auf einer Innenseite bzw. einem Innenbereich der oberen Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht.
  • Gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird die Zwischenschichthaftkraft zwischen der Verbindungshalbleiterschicht und einer weiteren Schicht erhöht, so dass eine seitliche Delaminierung minimiert werden kann.
  • Gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist das leitende Stützelement von der lichtemittierenden Struktur beabstandet bzw. räumlich getrennt, so dass die Chipzuverlässigkeit gesteigert werden kann und der Herstellungsprozess vereinfacht werden kann.
  • Gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann die Zuverlässigkeit einer vertikalen Halbleiter-lichtemittierenden-Vorrichtung gesteigert werden.
  • Das Ausführungsbeispiel kann eine Halbleiter-lichtemittierende-Vorrichtung, wie zum Beispiel eine LED vorsehen.
  • Die Ausführungsbeispiele können die elektrische Zuverlässigkeit der Halbleiter-lichtemittierenden-Vorrichtung verbessern.
  • Die Ausführungsbeispiele können die Lichteffizienz der Halbleiter-lichtemittierenden-Vorrichtung verbessern.
  • Gemäß den Ausführungsbeispielen kann eine Lichtquelle, ausgerüstet mit der Halbleiter-lichtemittierenden-Vorrichtung in den Bereichen Beleuchtung, Anzeige (indication), Anzeige (display) und dergleichen verwendet werden.
  • Obwohl Ausführungsbeispiele mit Bezug zu mehreren erläuterten Ausführungsbeispielen beschrieben worden sind, ist es selbstverständlich, dass eine Vielzahl anderer Modifikationen und Ausführungsbeispiele von Fachleuten abgeändert werden können, die innerhalb des Geistes und des Bereiches der Prinzipien dieser Offenbarung liegen. Insbesondere liegen unterschiedliche Abwandlungen und Modifikationen der Komponenten und/oder Anordnungen von kombinierten Anordnungen bzw. Ausbildung der Ausführungsbeispiele innerhalb des Bereichs dieser Offenbarung, der Zeichnungen und der beigefügten Ansprüche. Zusätzlich zu Variationen und Modifikationen der Komponenten und/oder Anordnungen sind alternative Verwendungen offensichtlich für Fachleute.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 10-2008-0113228 [0001]

Claims (16)

  1. Eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100), umfassend: eine lichtemittierende Struktur (135) mit einer ersten leitenden Halbleiterschicht (110), einer aktiven Schicht (120) und einer zweiten leitenden Halbleiterschicht (130); eine Kanalschicht (140) auf der lichtemittierenden Struktur (135), wobei die Kanalschicht (140) Vorsprünge (145) aufweist, eine Elektrodenschicht (150) auf der lichtemittierenden Struktur (135) und der Kanalschicht (140); und ein leitendes Stützelement (160) auf der Elektrodenschicht (150), wobei die Kanalschicht (140) entlang eines peripheren Bereichs einer oberen Oberfläche der lichtemittierenden Struktur (135) und die Elektrodenschicht (150) an einem Innenbereich der oberen Oberfläche der lichtemittierenden Struktur (135) ausgebildet ist, wobei die Kanalschicht (140) einen Innenbereich, der in Kontakt mit einem Außenbereich einer oberen Oberfläche der zweiten leitenden Halbleiterschicht (130) steht, und einen Außenbereich aufweist, der sich so weit nach außen erstreckt, dass der Außenbereich der Kanalschicht (140) bzgl. einer Umfangsoberfläche (103) der der lichtemittierenden Struktur (135) frei liegt, wobei die Vorsprünge (145) an einer unteren Oberfläche des Innenbereichs der Kanalschicht (140) derart ausgebildet sind, dass die Vorsprünge (145) zur lichtemittierende Struktur (135) vorstehen, während die untere Oberfläche des Außenbereichs der Kanalschicht (140) flach ist, und die erste leitende Halbleiterschicht (110) eine raue Oberfläche auf ihrer unteren Oberfläche aufweist.
  2. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Kanalschicht (140), die Elektrodenschicht (150) und das leitende Stützelement (160) die gleiche Breite aufweisen, die breiter als die Breite der lichtemittierenden Struktur (135) ist.
  3. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste leitende Halbleiterschicht (110) eine Verbindung, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP und AlGaInP und die zweite leitende Halbleiterschicht (130) eine Verbindung, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN,k InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP und AlGaInP umfasst.
  4. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die lichtemittierende Struktur eine blaues Licht, grünes Licht oder rotes Licht emittierende Farb-LED oder eine UV-LED umfasst.
  5. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die lichtemittierende Struktur (135) zum Emittieren von rotem Licht ausgebildet ist.
  6. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die erste leitende Halbleiterschicht (110) aus einer Halbleiterschicht des P-Typs und die zweite leitende Halbleiterschicht (130) aus einer Halbleiterschicht des N-Typs ausgebildet ist.
  7. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Vorsprung (145) in Form einer geschlossenen Schleife ausgebildet ist.
  8. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Vorsprung (145) eine einzelne Konfiguration, eine doppelte Konfiguration oder eine vielfache Konfiguration aufweist.
  9. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Vorsprung (145) eine Höhe (H1) von etwa 10 nm bis etwa 300 nm aufweist.
  10. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Vorsprung (145) von der äußeren Wandung der lichtemittierenden Struktur (135) um einen vorbestimmten Abstand von etwa 1 um bis etwa 5 um beabstandet ist.
  11. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Elektrodenschicht (150) auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht (130) und der Kanalschicht (140) ausgebildet ist.
  12. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei mehrere Musterelemente zwischen der zweiten leitenden Halbleiterschicht (130) und der Elektrodenschicht (150) ausgebildet sind.
  13. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei das leitende Stützelement (160) Cu, Au, Ni, Mo, Cu-W, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, oder GaN aufweist.
  14. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei, die Elektrodenschicht (150) zumindest eine von einer reflektierenden Elektrodenschicht, einer ohmschen Kontaktschicht oder einer Haftschicht umfasst.
  15. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 14 wobei die reflektierende Elektrodenschicht zumindest eines der Elemente von Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf oder eine Kombination davon umfasst.
  16. Die lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei die zweite Halbleiterschicht (130) einen zu den Vorsprüngen (145) komplementären Abschnitt umfasst.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101449005B1 (ko) * 2007-11-26 2014-10-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100992776B1 (ko) * 2008-11-14 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
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JP2011119491A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Showa Denko Kk 半導体発光素子、電子機器および発光装置
KR101020945B1 (ko) 2009-12-21 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
KR101039946B1 (ko) * 2009-12-21 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
KR101154511B1 (ko) * 2010-10-18 2012-06-13 서울옵토디바이스주식회사 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101028277B1 (ko) * 2010-05-25 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101125025B1 (ko) 2010-07-23 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8890178B2 (en) * 2010-09-13 2014-11-18 Epistar Corporation Light-emitting element
KR101694175B1 (ko) * 2010-10-29 2017-01-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템
KR101896659B1 (ko) * 2011-09-02 2018-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치
KR101634370B1 (ko) * 2011-12-09 2016-06-28 서울바이오시스 주식회사 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101886156B1 (ko) * 2012-08-21 2018-09-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP5988782B2 (ja) * 2012-09-04 2016-09-07 パナソニック デバイスＳｕｎｘ竜野株式会社 Ｌｅｄパッケージ及びｌｅｄ発光素子
CN102931314B (zh) * 2012-09-29 2015-02-11 安徽三安光电有限公司 一种防止金属迁移的半导体发光器件
KR102376468B1 (ko) * 2014-12-23 2022-03-21 엘지이노텍 주식회사 적색 발광소자 및 조명장치
CN107785475B (zh) * 2015-07-17 2020-02-07 开发晶照明（厦门）有限公司 发光装置复合基板及具有该发光装置复合基板的led模组
US11152540B2 (en) 2019-07-29 2021-10-19 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode structure and method of manufacturing thereof
US11038088B2 (en) 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080113228A (ko) 2006-03-13 2008-12-29 헤드워터스 헤비 오일, 엘엘씨 촉매 전구체를 중유 공급원료에 도입하기 위한 방법 및 혼합 시스템

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2927158B2 (ja) * 1993-09-29 1999-07-28 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
US7547921B2 (en) 2000-08-08 2009-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor chip for optoelectronics
US6657237B2 (en) * 2000-12-18 2003-12-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same
US6900476B2 (en) 2001-11-30 2005-05-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting semiconductor component
CA2466141C (en) 2002-01-28 2012-12-04 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
TW578318B (en) * 2002-12-31 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and method of making the same
JP2007251221A (ja) 2003-02-07 2007-09-27 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
US7372077B2 (en) * 2003-02-07 2008-05-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
KR100452749B1 (ko) 2003-08-12 2004-10-15 에피밸리 주식회사 고밀도 미세 표면격자를 가진 ⅲ-질화물 반도체 발광소자
US7622742B2 (en) * 2003-07-03 2009-11-24 Epivalley Co., Ltd. III-nitride compound semiconductor light emitting device
KR100580276B1 (ko) 2003-10-18 2006-05-15 에피밸리 주식회사 질화물 반도체 발광소자
TWI244220B (en) 2004-02-20 2005-11-21 Epistar Corp Organic binding light-emitting device with vertical structure
US7420218B2 (en) * 2004-03-18 2008-09-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Nitride based LED with a p-type injection region
DE102004021175B4 (de) 2004-04-30 2023-06-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchips für die Optoelektronik und Verfahren zu deren Herstellung
US7228741B2 (en) 2004-09-16 2007-06-12 The Boeing Company Alignment compensator for magnetically attracted inspecting apparatus and method
US20060237735A1 (en) 2005-04-22 2006-10-26 Jean-Yves Naulin High-efficiency light extraction structures and methods for solid-state lighting
JP4359263B2 (ja) * 2005-05-18 2009-11-04 ローム株式会社 半導体発光装置
KR20070012930A (ko) * 2005-07-25 2007-01-30 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100716790B1 (ko) * 2005-09-26 2007-05-14 삼성전기주식회사 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
TW200717843A (en) 2005-10-19 2007-05-01 Epistar Corp Light-emitting element with high-light-extracting-efficiency
JP4947954B2 (ja) * 2005-10-31 2012-06-06 スタンレー電気株式会社 発光素子
US7829909B2 (en) * 2005-11-15 2010-11-09 Verticle, Inc. Light emitting diodes and fabrication methods thereof
US8513878B2 (en) * 2006-09-28 2013-08-20 Fujifilm Corporation Spontaneous emission display, spontaneous emission display manufacturing method, transparent conductive film, electroluminescence device, solar cell transparent electrode, and electronic paper transparent electrode
KR101364167B1 (ko) 2007-02-15 2014-02-18 서울바이오시스 주식회사 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7714339B2 (en) * 2007-05-29 2010-05-11 Neoton Optoelectronics Corp. Light emitting diode
KR100999688B1 (ko) * 2008-10-27 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100992776B1 (ko) * 2008-11-14 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080113228A (ko) 2006-03-13 2008-12-29 헤드워터스 헤비 오일, 엘엘씨 촉매 전구체를 중유 공급원료에 도입하기 위한 방법 및 혼합 시스템

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