DE2008321C3 - Halbleiter-Bildaufnahmeanordnung sowie Schaltungsanordnung zum Betrieb einer solchen Anordnung - Google Patents
Halbleiter-Bildaufnahmeanordnung sowie Schaltungsanordnung zum Betrieb einer solchen AnordnungInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 241000251730 Chondrichthyes Species 0.000 description 1
- 206010040030 Sensory loss Diseases 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
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- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/7795—Circuitry for generating timing or clock signals
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- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/12—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by switched stationary formation of lamps, photocells or light relays
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Description
13, ...) elektrisch in Reibe geschaltet sind, daß , ._. . H.iLi,ito
jeweils das erste Photoelement (beispielsweise 10) Die vorliegende Erfindung betrifft eine Haibiet ter-
einer Zeile einen Eingang und das letzte Photo- Bildaufnahmeanordnung mit in Form einer Matrix
element (beispielsweise 12) einer Zeile einen »5 angeordneten lichtgesteuerten Photoelementen in
Ausgang für die elektrische Abfragung bildet Form von Schaltern, deren elefctnscner acnait-
und daß eine Auskoppeleinrichtung (50, 51 oder scbwellwert vom gesperrten in den leitenden /.u-
52, 53) zur Auskopplung der beim Umschalten stand eine Funktion der Beleuchtungsstartee ist.
der Photoelemente vom gesperrten in den lei- Derartige Halbleiter-Bildaufnahmeanerdnungen in
tenden Zustand entstehenden elektrischen Signale *o Matrixform sind bereits bekannt. Anordnungen aus
vorgeseheD ist. Halbleitern ermöglichen eine dichtere Packung der
2. Bildaufnahmeanordnung nach Anspruch 1, Photoelemente und somit eine bessere Auflösung
dadurch gekennzeichnet, daß für alle Photo- als etwa aus Vakuumphotozellen aufgebaute Anelemente
(10, 11, 12, 13, ...) der Matrix eine Ordnungen. . .
gemeinsame Auskoppeleinrichtung vorgesehen »5 Photoelemente auf Halbleiterbasis sind normalerfst. weise Thyristoren, die sich zwischen dem nicht-
gemeinsame Auskoppeleinrichtung vorgesehen »5 Photoelemente auf Halbleiterbasis sind normalerfst. weise Thyristoren, die sich zwischen dem nicht-
3. Bildaufnahmeanordnuiig nach Anspruch 1 leitenden und dem leitenden Zuband durch einen
und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Photo- elektrischen Impuk umschalten lassen, dessen Amelemente
(10, 11, 12, 13, ...) als Zweipole aus- plitude größer als die Kippspannung des Thyristors
gebildet sind. 30 ist. Die Kippspannung ändert sich dabei umgekehrt
4. Bildaufnahmeanordnung nach einem der proportional zur Beleuchtungsstärke bzw. der AnAnsprüche
1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zahl der auf das Element auftreffenden Photonen,
die Phctoeiemente (10, 11, 12, 13, ...) als in Beim Umschalten des Elementes wird ein elemneinem
gemeinsamen halölei .^nden Substrat (15) sches Ausgangssignal erzeugt; seine Amplitude isl
voneinander isoliert angeordnete Planar-Thy- 35 ein Maß für die Beleuchtungsstärke.
ristoren ausgebildet sind. Die bei Anordnungen auf Halbleiterbasis erziel-
5. Bildaufnahmeanordnung nach einem der bare Auflösung ist auf Grund der zur Auslesung
Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß erforderlichen elektrischer. Verbindungen zwischen
die zeilenweise Reihenschaltung der Photobau- den Einzelelementen begrenz*, da sie die Photoelemente
(10, 11, 12, 13, ...) durch über eine 40 elemente wenigstens teilweise verdunkeln. Um die
Isolierschicht (30) auf dem Substrat (15) ver'.au- Auflösung zu verbessern, sind die Einzelelemente
fende Leitbahnen (41, 43, 45, 44, 46) vorge- zwecks Vermeidung einer Verdunkelung durch die
nommen ist. elektrischen Verbindungen verkleinert worden. Eine
6. Bildaufnahmeanordnung nach einem der solche Verkleinerung verringert indessen die Emp-Ansprüchel
bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß 45 findlichkeil der Anordnung. Außerdem ist bei bedie
Auskoppeleinrichtung (50, 51) als auf der kannten Anordnungen eine umfangreiche Schal-Isolierschicht
(30) angeordnete, mit den Photo- tungslogik zur Auslesung und Weiterverarbeitum
elementen (10, 11, 12, 13, ...) kapazitiv gekop- der Information erforderlich.
pelte und mit einem Außenanschluß (51) ver- Es ist weiterhin aus der britischen Patentschrif
sehene Leitbahn (50) ausgebildet ist. 50 1 108 761 eine Halbleiter-Bildaufnahmeanordnunf
7. Bildaufnahmeanordnung nach einem der bekanntgeworden, bei der die Photoelemente durcl
Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß Dreielektroden-Elemente gebildet sind. Diese EIedie
Auskoppeleinrichtung (52, 53) als mit einem mente werden dabei durch Schichtfolgen aus trans·
Außenanschluß (53) versehene leitende, kapazi- parentem leitendem Material, photoleitendem Ma
tiv an das Substrat (15) angekoppelte Schicht 55 terial, leitendem Material, isolierendem Materia
(52) auf der Fläche (3) des Substrates (15) aus- sowie Halbleitermaterial gebildet. Die Schichtstruk
gebildet ist, welche der mit der Isolierschicht (30) tür ist dabei derart auf ein Substrat aufgebracht, dai
bedeckten Fläche (2) des Substrats (15) abge- die Dreielsktroden-Elemente sowohl mit ihren Aus
wandt ist. gangskreisen in Zeilenrichtung als auch mit ihrer
8. Schaltungsanordnung zum Betrieb einer 6o Steuereingängen in Spaltenrichtung parallel geschal·
Bildaufmahmeanordnung nach einem der An- tet sind. Daraus resultiert, daß die Schichtfolg«
Sprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch einen von relativ aufwendig und daher kompliziert ist, ins
einem Taktgeber (71) gesteuerten Ringzähler besondere deshalb, weil auch im System der Drei
(70) zur sequentiellen Abfragung der Photo- elektroden-Elemente noch Isolationsschichten vor
eiemeiitzeilen (10, 11, 12, 13, ...), eine mit 65 gesehen werden müssen.
ihrem Ablenksystem (81, 82) über einen Ablenk- Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabi
generator (100) an dem Taktgeber (71) gekop- zugrunde, eine Halbleiter-Bildaufnahmeanordnunj
pelte Bildröhre (80) und durch eine Ankopplung anzugeben, welche einfach im Aufbau ist, d. h. be
[f
deren Herstellung die an sich bekannte Planartechnik einem mehrlagigen Halbleiter, wie z. B, einem photo-
{Hjsnutzbar ist und bei der die elektrische Verschal- empfindlichen Thyristor.
tung in einfacher Weise unter Ausnutzung des in der In dem Beispiel von Fig. 1 ist die Trägerschicht
Planartechnik immer vorhandenen Oxids des Halb- 15 von p-Material. Jedes der Thyristor-Elemente ist
Jeitermaterfals durchführbar ist. 5 Von identischem Aufbau und besteht unter Bezug
Diese Aufgabe wird bei einer Halbleiter-Bild- auf Element 10 aus einem ersten Bereioh 20 aus
aufnabmeanordnung der eingangs genannten Art p-Material, einem zweiten Bereich 21 aus n-Mste-
arfindungsgemäß dadurch gelost, daß die Photo- rial, einem dritten Bereich 22 aus p-Material und
elemente elektrisch in Reihe geschaltet sind, daß einem vierten Bereich 23 aus n-MateriaL
jeweils das erste Photoelement einer Zeile einen Ein- io Jeder der aufeinanderfolgenden Bereiche oder '
gang und das letzte Photoelement einer Zeile einen Lagen wird in dem nächstfolgenden Bereich als Insel
Ausgung für die elektrische Abfragung bildet und aufgenommen, und alle Bereiche enden in einem
daß eine Auskoppeleinnchtung zur Auskopplung Teil, der sich in einer gemeinsamen ebenen Ober-
der beim Umschalten der Photoelemente vom ge- fläche 2 der Anordnung darstellt Ein Teil der
sperrten in den leitenden Zustand entstehenden elek- 15 Trägerfläche 15 erstreckt sich auf der gemeinsamen
Irischen Signale vorgesehen ist. ebenen Oberfläche 2 und umgibt die Thyristor-
Weitere Merkmale und Einzelheiten der Erfin- elemente, so daß diese jewdls wirkungsvoll von
dung ergeben sich aus den nachfolgenden Erläute- ihren Nachbarelementen getrennt sind. Gezeigt sind
Hingen und aus der Beschreibung von Ausführungs- Thyristoren des Typs pnpn, f^ ist aber offensichtlich,
beispielen an Hand der F i g. 1 bis 4. ao daß auoh npnp-Thyristoren ^s Alternative benutzt
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf einen Teil der werden könnten und daß in diesea Fall eine Träger-Anordnung
gemäß der Erfindung; schicht vom Typ η benutzt werden würde. Die ge-
F i g. 2 zeigt einen Querschnitt entlang der Linie naue Ausführung der Bereiche jedes Elementes ist
2-2 inFig. 1; nicht beschränkt auf die dargestellte, und jedes pas-
Fig. 3 zeigt eine schematische Darstellung der as senüe Schaltelement mit Eigenschaften wie nachAnordnung
von den Fig. 1 und 2; stehend beschrieben läßt sich bei der Anordnung
F i g. 4 zeigt ein Blockschaltbild eines Abbildungs- benutzen.
systems gemäß der Erfindung mit der in den F i g. 1 Eine Lage 30 aus im wesentlichen durchsichtigem
bis 3 dargestellten Anordnung. Isoliermaterial ist auf die ebene Oberfläche 2 der
Die photoempfindliche Anordnung der Erfindung 30 Anordnung 1 aufgetragen. Unter Benutzung üblicher
bietet hohe Auflösung und hohe Empfindlichkeit in- Abdeckungs- und Ätzverfahren werden verschiedene
folge des einzigartigen Aufbaus und der Ablese- zu beschreibende Fenster in der Isolierschicht 30
möglichkeit der Anordnung. Insbesondere, obgleich hergestellt, um an der Oberfläche 2 bestimmte Bejedes
Element der Anordnung individuell abgefragt reiche der Thyristoren freizulegen. In jeder der
oder ausgelesen wird, ist nur ein einziger Eingang 35 Reihen wird eine erste Reihe von Fenstern 31, 32
für jede Elementreihe erforderlich, und nur ein ein- und 33 gebildet, um die darunterliegende erste
ziger allen Elementen der Anordnung gemeinsamer p-Zone 20 freizulegen, und eine zweite Serie von
Ausgang ist erforderlich, wodurch individuelle Ver- Fenstern 35, 36 und 37 ist vorgesehen, um die darbindungen
mit jedem Element der Anordnung be- unterliegende vierte η-Zone der Thyristoren 10, 11
seitigt sind. Die Elemente der Anordnung können 40 bzw. 12 freizulegen. Die erste und vierte Zone steldaher
nahe nebeneinander liegen oder auf der Ober- len den Eingang und Ausgang des Elementes dar
fläche der Anordnung dicht gepackt sein, was ein und die Zonen, zwischen denen sich der Umschalthohes
Maß an Auflösung ohne Verlust an Empfind- Vorgang zwischen Nichtleiten und Leiten vollzieht,
lichkeit ermöglicht. Das vereinfachte Ablesesybtem Nach der Herstellung der Fenster in der Isoliervermeidet
die verwickelte Schaltungslogik, wie sie +5 schicht 30 und unter Benutzung von passenden
bisher erforderlich war, um auf die Signalinforma- Niederschlags- und Abdeckverfahren wird eine
tion, die von der Anordnung abgeleitet wurde, an- Mehrzahl von Leitern auf deir Anordnung niederzusprechen
und sie zur Benutzung in einer Anzeige- geschlagen, um eine Reihenschaltung der Thyristoanlage
zu verarbeiten. ren innerhalb jeder Reihe herzustellen. Beispiels-
F i g. 1 zeigt eine stark vergrößerte Ansicht eines 50 «/eise wird ein erster Leiter 41 auf der Anordnung
Ausschnittes aus einer Anordnung 1, die entspre- niedergeschlagen, und er erstreckt sich durch das
chend der Erfindung aufgebaut ist. F i g. 2 ist ein Fenster 31 hindurch, um eine Verbindung mit der
Schnitt durch einen Teil von Anordnung 1 entlang n-Zone 20 des ersten Thyristors 10 der ersten Reihe
der Linie 2-2 in Fig. 1. herzustellen und mit einem Re:iheneingangsanschhiß
Die photoempfindlichen Elemente werden her- 55 42. Ein zweiter Leiter 43 erstreckt sich durch das
gestellt als eine Vielzahl isolierter Inseln in einer Fenster 35 zu der n-Zone 23 des ersten Thyristors
gemeinsamen Tragschicht 15 unter Benutzung üb- 10 und durch das Fenster 32 zu der ersten p-Zone
lieher Diffusionsverfahren. Die Elemente sind in des nächstfolgenden Thyristors 11 der ersten Reihe,
einer Matrix angeordnet, die aus einer Mehrzahl Die Leiterbahn 45 erstreckt sieb durch das Fenster
paralleler Reihen mit je einer Mehrzahl von Einzel- 60 37 bis zum Kontakt mit der Zone η des letzten Thy-
elementen besteht, wobei die entsprechenden EIe- ristors 12 dtr ersten Reihe und ist dort mit einem
mente jeder Reihe zweckmäßigerweise in vertikalen Erdpolentialamchluß 46 verbunden. Zweckmäßiger-
Spalten angeordnet sind. Die Elemente 10 und 1.1 weise werden die Leiterbahnen gesintert, um eine
bilden beispielsweise die beiden ersten Elemente ohmsche Verbindung mit den Zonen des Thyristors
eilier ersten Reihe der Anordnung und das Element 65 zu ergeben, mit denen sie jeweils im Kontakt stehen.
12 das letzte Elenwat dieser Anordnung. Das EIe- Wie noch im einzelnen in der Betriebsbeschreibung
ment 13 ist das erste Element dtt zweiten Reihe im nachstehenden dargelegt wird, bieten die oben*
der Anordnung. Jedes der Elemente besteht aus genannten Leiterbahnen eine Serienverbindung der
aufeinanderfolgenden Elemente jeder Reihe der Anordnung zwischen den Anschlüssen 42 und 46 der
Reihe.
Eine gemeinsame Ausgangseinrichtung ist für alle Elemente der Anordnung vorgesehen. Alternativformen dieses gemeinsamen Ausgangs können benutzt werden. Eine erste Form umfaßt eine Ausgangsplatte SO4 die auf einen kleinen Teil der Isolierschicht 30 niedergeschlagen ist, wobei sie kapazitiv mit jedem der Elemente der Anordnung gekoppelt ist. Ein Ausgangsanschluß Sl ist an die
Plante 50 angeschlossen. Eine zweite alternative Ausgangsform, die all den Elementen der Anordnung
gemeinsam ist, umfaßt eine leitende Schicht oder Platte, die auf der unteren Fläche 3 der Trägerschicht 15 aufgebracht ist und entgegengesetzt liegt
zu der Oberfläche 2, wo jedes der Thyristorelemente freigelegt ist. Die Platte 52 ist entsprechend kapazitiv mit jedem dieser Elemente gekoppelt und an
einem Ausgangsanschluß 53 angeschlossen.
Die Wirkungsweise der Anordnung wird beschrieben unter Bezug auf die schematische Darstellung
einer Einzelreihe der im Detail gezeigten Anordnung. Die Elemente 10', 11', 12' entsprechen den
Thyristoretementen 10, 11 und 12 der Anordnung nach den F i g. 1 und 2. Die Eingangsverbindung 41'
zwischen der Eingangsklemme 42' und dem Element IC entspricht der durch die Leiterbahn 41 in F i g. 1
hergestellten Verbindung. In ähnlicher Weise entsprechen die Verbindungen 43' und 44' den Leitern
43 und 44 in den F i g. 1 und 2. Die Widerstände 60, 61, 62 stellen den inneren Eigenwiderstand der Thyristoren dar und bieten einen niedrigen Widerstand
für die entsprechenden Thyristoren, an denen beim Schalten eine Spannung entstellt Die gemeinsame
Ausgangsplatte 50* kann einem der Elemente 50 und
52 von F i g. 1 entsprechen und liegt in einem Abstand von den schaltenden Elementen 10', 11', 12',
um die dazwischenliegende kapazitive Kopplung darzustellen. Die Platte SO' ist an einem Ausgangsanschluß 51' angeschlossen.
Alle photoempfindlichen Thyristorelemente sind im wesentlichen von identischem Aufbau und haben
daher gemeinsame Schalteigenschaften. Insbesondere bietet jedes eine gemeinsame Kippspannung, bei der
das Element van einem ersten stabilen Zustand des Lehens umschaltet, bei dem die am Element liegende
Spannung auf einen Mindesthaltewert zum Leiten abfällt Weiter ändert sich die Kippspannung für
alle Elemente in praktisch identischer Weise als Funktion der auf die Elemente auftreffenden Beleuchtung.
Beim Betrieb wird ein Ablese- oder Abfrageimpuls, wie bei 65 dargestellt, an den Eingangsanschluß 42' angelegt, und er liegt somit an der
Reihenschaltung aller Elemente der ersten Reihe zwischen dem Eingangsanschluß 42' und Erdpotential.
Zunächst ist nach dem Anlegen des Impulses #5
keines der Elemente 10', 11', 12' usw. leitend. Der Impuls 65 erscheint daher effektiv am ersten Element IC der Reihe. Der Impuls 65 ist praktisch
Rechteckimpuls und hat daher eine steile Vorderflanke. Die Amplitude des Impulses 65 übersteigt
die Kippspannung aller Elemente IC, 11', 12', und daher wird selbst ohne auftfeffende Beleuchtung der
erste Halbleiter IC leitend geschaltet und erzeugt einen Ausgangsimpuls, der effektiv an dem Eigen
belastungswiderstand 60 Hegt. Dieser Impuls wird
kapazitiv auf die gemeinsame Ausgangsplatte 50' angekoppelt und an den Ausgangsanschluß 51'
übertragen. Die Amplitude der Kippspannung eines S gegebenen Elementes ist eine inverse Funktion der
auf das Element auftreffenden Beleuchtungsstärke. Der Ausgangsimpuls ändiirt sich daher in seiner
Amplitude umgekehrt proportional zu der auftreffenden Beleuchtungsstärke.
ίο Wenn einmal ein bestimmtes Element leitend geschaltet ist, fällt sein innerer Widerstand auf einen
minimalen und fast vernachlässigbaren Wert ab, wodurch praktisch ein Rechteckimpuls von derselben Amplitude an das nächstfolgende Element
der Reihe angelegt wird. Wenn somit das Element 10' in den leitenden Zustand umgeschaltet hat, wird
der Impuls 65 an das nächstfolgende Element 11/ angelegt, das einen Schaltvorgang mitmacht, der dem
des Elementes 10' identisch ist. In dieser Weise
ao läuft der Impuls 65 die Reihe schaltender Elemente entlang und veranlaßt der Reihe nach jedes einzelne
zum Umschalten. Bei der Abfrage jeder Reihe entsteht somit eine Folge von Ausgangsimpulsen, die
kapazitiv durch die Platte 50' an den Ausgangs-
anschluß 51' angeschlossen sind und deren Amplituden sich umgekehrt proportional zu der auf die
entsprechenden schaltenden Elemente der Reihe auftreffenden Beleuchtung ändern. Die Amplitude jedes
Ausgangsimpulses ist praktisch unabhängig von der
des Ablese- oder Schaltimpulses 65 und hängt in erster Linie von den Eigenschaften des Thyristors
ab, insbesondere seinen Materialkonstanten und der Stärke der auftreffenden Beleuchtung. In gleicher
Weise hängt die Ausbreitungsgeschwindigkeit von
den Umschalteigenschaften ab, wobei die langsamste Ausbreitungsgeschwindigkeit diejenige ist, bei der
keine Beleuchtung auf irgendeines der Elemente einer gegebenen Reihe fällt. Der Umschalte- oder
Ableseimpuls 65 dauert hinreichend lange, um die
zum Ablesen aller Elemente bei der langsamsten Ausbreitungsgeschwindigkeit erforderliche Zeit zu
erreichen oder zu übertreffen. Bei der Hinterflanke des Impulses kehrt der Eingangsanschluß 42' auf
Erdpotential zurück, und alle Elemente der Reihe
der Anordnung, an die der Impuls angelegt worden
war, kehren in ihren ersten nichtleitenden Zustand zurück. Unter Bezug auf F i g. 1 wird dann ein Impuls derselben Wellenform und Dauer an die nächste
Reihe der Anordnung angelegt, um die aufeinander-
folgende Ablesung der Elemente dieser Reihe zu bewirken, und dies für jede Reihe hintereinander,
bis die ganze Anordnung ausgelesen worden ist.
Fig.4 zeigt ein Bildsystem unter Benutzung dei
Anordnung 1 von Fig. i, wo die Einzelelemente
IC, II', 12', 13'... schematisch dargestellt sind
Abhängig von der verlangten Auflösung läßt sicli eine beliebige Anzahl von Einzelelementen in der Anordnung vorsehen. Üblicherweise kann eine Anordnung von 100 · 100 Elementen bis zu 300 · 300 EIe
menten benutzt werden. Jeder der Reiheneingangs· anschlüsse, wie z. B. 42', liegt an einer entsprechen
den Ausgangsstufe eines Ringzählers 70. Ein Takt geber 71 erzeugt eine Folge von Taktimpulsen fü:
den Ringzähler 70, um in selektiver Weise jede sei ner aufeinanderfolgenden Stufen 70a, 706, ... 70»
einzustellen, deir Reihe nach mit einer von der Fre quenz der Taktgeberimpulse bestimmten Geschwin
digkeit. Wenn irgendeine Stufe des Ringzählers ein
gestellt wird, to erzeugt sie einen Ausgangsimpuls, tikalen Intervallimpulse an, um eine Sägezahndargestellt
durch den Abfrageimpuls 65' am Aus- ablenkspannung auf die Ausgangsleitungen 92 zu
gang der ersten Stufe IQa, der an einen entsprechen- legen, die an die vertikalen Ablenkplatten 82 zur
den Reiheneingangsarischluß, z. B. den Anschluß Steuerung der vertikalen Ablenkung des Strahles
42', für die erste Reihe der Anordnung angelegt 5 angelegt werden. Der Sägezahn ist so eingerichtet,
wird. Wie bereits erwähnt, entspricht die Zeitdauer daß ein vollständiges Abtasten des Wiedergabedes
Ablese- oder Abfrageimpulses der Zeit, die der schirms 85 des Oszillographen 80 mit einer Häufigimpuls
für die Ausbreitung entlang aller Elemente keit bewirkt wird, die der Frequenz der vertikalen
einer einzelnen Reihe der Anordnung benötigt. Die Ablenkintervallimpulse entspricht und somit der Ab-Taktgeberimpulse
liegen zeitlich in solchem Ab- io lesegeschwindigkeit aller Zeilen der Anordnung entstand,
daß der nächstfolgende Taktgeberimpuls die spricht. Der Zeitablenkgenerator erzeugt in ähnlicher
vorhergehende bereits eingestellte Stufe zurückstellt Weise eine Sägezahnablenkspannung auf den Aus-
und die nächste darauffolgende Stufe des Ring- gangsleitungen 91 auf Grund jedes der horizontalen
Zählers einstellt. Stufe 70/) erzeugt daher einen Ab- Intervallimpulse, die an die horizontalen Ablenkfrageimpuls
66, dessen Vorderflanke seitlich direkt 15 platten 81 angelegt werden, um die horizontale Abauf
die Hinterflanke des vorhergehenden Abfrage- lenkung des Abtaststrahls mit einer Geschwindigkeit
impulses 65' folgt. In dieser Weise werden aufein- zu bewirken, die der Ausbreitungsgeschwindigkeit
anderfolgende Stufen des Ringzählers eingestellt und der Ableseimpulse durch jede Reihe der Anordnung
sodann wieder rückgestellt, um eine selektive, der entspricht.
Reihe nach erfolgende Ablesung der Reihen der An- ao Die gemeinsame Ausgangsplatte SO' ist an ihrem
Ordnung zu bewirken. Nach der Rückstellung der Ausgangsanschluß 51' über Leitung 101 an einem
letzten Stufe 7On des Ringzählers 70 wird ein Zy- Verstärker 102 angeschlossen. Der Verstärker 102
klus- oder Periodenimpuls, wie 67 dargestellt, er- veranlaßt auf Grund der Ausgangsimpulse, die
zeugt und an den Taktgeber gegeben. Jedes Auf- durch das Umschalten der aufeinanderfolgenden
treten des Impulses 67 bedeutet somit den Vollzug 35 Elemente der Anordnung entstehen, die Lieferung
ei«. er Abtastung der Anordnung. eines Strahlintensitäts-Steuersignals an seiner Aus-
Das Bildanzeigesystem kann einen üblichen Ka- gangsleitung 103, das an die Strahlsteuerelektrode
thodenstrahloszillographen 8Oi enthalten mit z. B. 84 des Oszillographen 80 angelegt wird. Der Verwaagerechten
Ablenkplatten ftl und vertikalen Ab- stärker kann die Impulse entsprechend umformen
lenkplatten 82. Ein üblicher Elektronenstrahlerzeu- 30 oder ein Signal sich ändernder Amplitude herstellen,
ger besteht aus einer Kathode: 83, angeschlossen an das den Amplitudenänderungen der aufeinander-Erde,
und einem Strahlstärkesteuergitter 84. Über folgenden Impulse entspricht, um eine stetige Strahlentsprechende
Leitungen 91 sind die horizontalen steuerung zu bewirken. Entsprechende Austast-Ablenkplatten
81 mit einem Zeitablenkgenerator impulse werden auch an die Strahlstärke-Steuer-
100 verbunden und die vertikalen Ablenkplatten 82 35 elektroden durch nicht dargestellte übliche Einrichüber
entsprechende Leitungen 92 mit dem Zeit- tungen geliefert. Daher werden die Stärke de? Strahles
ablenkgenerator 100. Der von dem Taktgeber 71 er- und die daraus folgende Ausleuchtung des Wiederzeugte
Taktimpuls wird auch über Leitung 93 an gabeschirmes 85 gesteuert als Funktion der auf die
den Zeitablenkgenerator 100 angelegt, um die hori- Einzelelemente der Anordnung 1 auftreffenden Bezontalen
Ablenkintervalle festzulegen, und ein Zy- 40 leuchtung für jede Stellung des Strahles entsprechend
klusimpulsausgang, der dem Zyklusimpuls 67 ent- der Lage der jeweiligen Elemente innerhalb der Anspricht,
wird von dem Taktgeber 71 über die Lei- Ordnung 1. Das auf dem Schirm 85 wiedergegebene
tung 94 an den Zeitablenkgenerator 100 angelegt, Bild stellt somit eine sichtbare Reproduktion der auf
um die vertikalen Ablenkintervalle zu definieren. die Anordnung 1 auffallenden Beleuchtungsvertei-
Der Zeitablenkgenerator 100 spricht auf die ver- 45 lung dar.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- des Steuergitters (84) der Bildröhre (80) an die... Ankpppeleinricrrtung (50', 51'),Patentansprüche: 9 schaltungsanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die AblenkfrequenzJ. Halbleiter-Bildaufnahmeanordnung mit in 5 TUr die Bildröhre (80) über-dw J^er (71)Form einer Matrix angeordneten lichtgesteuerten mit der Abfragefolgefrequenz der BUdwieder-Photoelementen in Form von Schaltern, deren gabeanordnung synchronisiert ist.
elektrischer Schaltschwellwert vom gesperrten inden leitenden Zustand eine Funktion der Be-leuchtungsstärke ist, dadurch gekenn- "
zeichnet, daß die Photoelemente (10, 11,12,
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US80150369A | 1969-02-24 | 1969-02-24 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2008321A1 DE2008321A1 (de) | 1970-11-19 |
DE2008321B2 DE2008321B2 (de) | 1974-08-08 |
DE2008321C3 true DE2008321C3 (de) | 1975-03-27 |
Family
ID=25181279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2008321A Expired DE2008321C3 (de) | 1969-02-24 | 1970-02-23 | Halbleiter-Bildaufnahmeanordnung sowie Schaltungsanordnung zum Betrieb einer solchen Anordnung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3504114A (de) |
JP (1) | JPS5012972B1 (de) |
DE (1) | DE2008321C3 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3701914A (en) * | 1970-03-03 | 1972-10-31 | Bell Telephone Labor Inc | Storage tube with array on pnpn diodes |
US3679826A (en) * | 1970-07-06 | 1972-07-25 | Philips Corp | Solid state image sensing device |
US3832732A (en) * | 1973-01-11 | 1974-08-27 | Westinghouse Electric Corp | Light-activated lateral thyristor and ac switch |
US3882271A (en) * | 1973-11-13 | 1975-05-06 | Columbia Broadcasting Syst Inc | Display using array of charge storage devices |
JPS52103982U (de) * | 1976-02-04 | 1977-08-08 | ||
JPS5765677U (de) * | 1980-10-09 | 1982-04-19 | ||
DE3546717C2 (de) * | 1984-06-21 | 1993-06-03 | Kyocera Corp., Kyoto, Jp |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1108761A (en) * | 1964-07-03 | 1968-04-03 | Emi Ltd | Improvements relating to electrical scanning apparatus |
US3400273A (en) * | 1964-09-02 | 1968-09-03 | Ibm | Two dimensional radiation scanner locating position by the time it takes a group of minority carriers to reach a terminal of the device |
US3435138A (en) * | 1965-12-30 | 1969-03-25 | Rca Corp | Solid state image pickup device utilizing insulated gate field effect transistors |
-
1969
- 1969-02-24 US US801503A patent/US3504114A/en not_active Expired - Lifetime
-
1970
- 1970-02-23 DE DE2008321A patent/DE2008321C3/de not_active Expired
- 1970-02-24 JP JP45015322A patent/JPS5012972B1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2008321A1 (de) | 1970-11-19 |
DE2008321B2 (de) | 1974-08-08 |
US3504114A (en) | 1970-03-31 |
JPS5012972B1 (de) | 1975-05-16 |
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E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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