DE2504245C2 - - Google Patents
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
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- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Bilderfassungsvorrichtung
nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, wie sie
aus der DE-OS 23 31 093 bekannt ist.
Diese bekannte Bilderfassungsvorrichtung enthält ein
Substrat aus Halbleitermaterial eines Leitfähigkeitstyps,
auf dem eine Vielzahl von Speicherstellen in einer
Vielzahl von Zeilen und Spalten zur Speicherung von durch
Strahlung erzeugten Minoritätsträgern angeordnet ist.
Jede Speicherstelle enthält eine zeilenorientierte
kapazitive Zelle aus Leiter-Isolator-Halbleiter und eine fest
mit dieser gekoppelte spaltenorientierte kapazitive Zelle
aus Leiter-Isolator-Halbleiter. Jede der zeilenorientierten
leitenden Platten einer Zeile dieser Plätze ist mit
einem entsprechenden Zeilenleiter verbunden. Jede der
spaltenorientierten leitenden Platten einer Spalte der
Speicherplätze ist mit einem entsprechenden Spaltenleiter
verbunden.
Es sind Schalteinrichtungen vorgesehen, um das Substrat
periodisch mit Masse oder einem Punkt mit Bezugspotential
zu verbinden und abzutrennen. Ferner sind Einrichtungen
zur Aufladung der Zeilen- und Spaltenleiter auf vorgegebene
Potentiale, bezogen auf das Bezugspotential, vorgesehen,
um Verarmungs- oder Raumladungszonen in dem Substrat unter
jeder der ersten und zweiten leitenden Platten aufzubauen,
wobei die Verarmungszonen unter benachbarten ersten und
zweiten leitenden Platten miteinander gekoppelt sind. Die
selektive Auslesung (Ausgabe) der in einer Zeile dieser
Speicherplätze gespeicherten Ladung wird dadurch erreicht,
daß das Potential des Zeilenleiters so abgeändert wird,
daß ein Fließen der in den zeilenorientierten Speicherzellen
gespeicherten Ladung in die spaltenorientierten
Speicherzellen bewirkt wird. Die Ausgabe der in den
spaltenorientierten Zellen gespeicherten Ladung wird dadurch
erreicht, daß das Potential jedes der Spaltenleiter in
Sequenz so abgeändert wird, daß eine Injektion der dort
gespeicherten Ladungsträger in das Substrat in der gleichen
Sequenz erfolgt und gleichzeitig das Substrat während
jeder Injektion von Ladungsträgern von Masse oder dem
Bezugspotential abgetrennt wird. Jede Injektion erzeugt
einen entsprechenden Stromfluß in einem Stromkreis, in dem
das Substrat liegt. Dieser Stromfluß wird über einer
Integrationskapazität erfaßt, die auch die Eigenkapazität der
Leiter und der mit ihnen verbundenen leitenden Platten,
bezogen auf das Substrat, beinhaltet.
Sodann sind Einrichtungen vorgesehen, um periodisch die
Spannungsänderung abzutasten, die an der Integrationskapazität
entsteht, und auf diese Weise ein elektrisches Ausgangssignal
zu erhalten, das sich zeitlich gemäß der Änderung
dieser Abtastwerte ändert.
Mit der Erhöhung der Anzahl von Speicherplätzen in einer
solchen Anordnung vergrößert sich die gesamte Eigenkapazität
des Substrats bezüglich Masse oder des Punktes mit
Bezugspotential, und daher verringert sich die an der
Kapazität erzeugte Signalspannung. Daher kann bei Anordnungen
mit einer großen Anzahl von Paaren von Speicherzellen
der Signalpegel sehr niedrig werden. Weiterhin können
durch Photonen erzeugte Ströme, die ihren Ursprung in
anderen als den der ausgewählten Stelle entsprechenden
kapazitiven Zellen aus Leiter-Isolator-Halbleiter haben, durch
die Integrationskapazität fließen, wenn sie nicht von den
Schalteinrichtungen umgeleitet werden, und der gesamte
durch Photonen erzeugte Strom kann den Strom von der
ausgewählten Stelle übersteigen und dementsprechend das
gewünschte Signal überdecken. Auch wenn der Injektionsstrom
den Photonenstrom übersteigt, der infolge der Erzeugung
von durch Photonen erzeugten Paaren von Elektronen und
Löchern an anderen Stellen als an der ausgelesenen Stelle
fließt, wird durch diesen durch Photonen erzeugten Strom
dem Signalstrom ein Rauschanteil und damit auch der
Spannung, die an der Integrationskapazität auftritt, ein
Rauschanteil zugesetzt. In Anordnungen wie der hier
beschriebenen, bei der das Substrat periodisch von Erde oder
vom Bezugspotential abgetrennt wird, müssen die Stromkreise
für die Betätigung von auf dem gleichen Substrat
untergebrachten Anordnungen voneinander isoliert werden, um
das Entstehen eines Rauschanteils im erfaßten Signal zu
vermeiden. Weiterhin kann bei einer Vorrichtung, bei der
die injizierte Ladung durch das Substrat ausgelesen wird,
jeweils nur eine einzige Einrichtung der Anordnung auf
einmal ausgelesen werden. Dadurch werden die Abmessungen
und die Betriebsgeschwindigkeit der Anordnung begrenzt.
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Verbesserung einer
Bilderfassungsvorrichtung der vorstehend beschriebenen
Art, bei der auch eine sehr große Anzahl von Bildelementen mit
einem Mindestmaß der Verschlechterung ihres Ausgangssignals
ermöglicht wird.
Die Lösung dieser Aufgabe ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet.
Bei dieser Lösung können Hilfsschaltungen und Hilfselemente,
wie Zeilen- und Spalten-Schieberegister, auf dem Substrat
ausgebildet werden, ohne daß eine weitere Isolation
erforderlich ist, um Störsignale (Rauschen), Nebensprechen
oder Streukapazitäten zu vermeiden.
Weiterbildungen sind in Unteransprüchen gekennzeichnet.
Soweit sich die Weiterbildungen auf die Verwendung mehrerer
Sätze von Spaltenleitern zur Farbdarstellung beziehen,
sind diese aus IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.
ED-20, Nr. 3, März 1973, Seiten 244 bis 252, an sich bekannt,
jedoch mit dem Unterschied, daß anstelle eines integrierten
Bauelements dieskrete, jeweils einer Farbe zugeordnete
Bauelemente verwendet werden. Eine entsprechende
Farbfiltertechnik ist aus der US-PS 37 71 857 bekannt.
Die Erfindung und ihre Weiterbildungen und Vorteile werden
nachstehend anhand der Zeichnungen von Ausführungsbeispielen
beschrieben. Die
Fig. 1A bis 1D zeigen Darstellungen von Paaren von
Zellen aus Leiter-Isolator-Halbleiter für eine Strahlungsempfänger-
Einrichtung in der entsprechenden Schaltungsanordnung
und veranschaulichen verschiedene Stufen beim Betrieb
der Anordnung. Die
Fig. 2A bis 2C sind Kurven der verschiedenen
Spannungs- und Stromsignale, wie sie in der Anordnung nach
den Fig. 1A bis 1D erscheinen und dienen zur Erläuterung
der Arbeitsweise derselben. Die
Fig. 3 zeigt eine Draufsicht einer Anordnung einer
Vielzahl von Strahlungsempfängerzellen nach Fig. 1A bis
1D, die auf einem gemeinsamen Halbleiter-Substrat gebildet
sind. Die
Fig. 4 zeigt eine Schnittansicht der Anordnung nach
Fig. 3 entlang der Schnittlinien 4-4 der Fig. 3. Die
Fig. 5 ist eine Schnittansicht der Anordnung nach Fig.
3 entlang der Schnittlinien 5-5 der Fig. 3. Die
Fig. 6 ist eine Schnittansicht der Anordnung nach Fig.
entlang den Schnittlinien 6-6 der Fig. 3. Die
Fig. 7 zeigt ein Blockschaltbild einer
Bilderfassungsvorrichtung, welche die
Strahlungsempfängeranordnung nach den Fig. 3 bis 6 enthält. Die
Fig. 8A bis 8U sind Kurven des zeitlichen Verlaufs
der Amplitude mit gemeinsamen Zeitmaßstab für die Signale,
die an verschiedenen Punkten in der Bilderfassungsvorrichtung
nach Fig. 7 auftreten. Der Punkt, an dem eines der
Signale nach den Fig. 8A bis 8U in dem Blockschaltbild
der Fig. 7 auftritt, ist in Fig. 7 mit einem Bezugszeichen
entsprechend der Bezeichnung der Figur versehen. Die
Fig. 9 zeigt eine Schaltung einer Strahlungsempfänger-
Einrichtung. Die
Fig. 10A bis 10C sind Kurven für die verschiedenen
Spannungen und Stromsignale, wie sie in dem Schaltbild
nach Fig. 9 auftreten, und dienen zur Erklärung der
Arbeitsweise derselben. Die
Fig. 11 zeigt ein Schaltbild einer Strahlungsempfänger-
Einrichtung, das in einer weiteren Schaltungsanordnung
enthalten ist. Die
Fig. 12A bis 12E sind Kurven der verschiedenen
Signale, wie sie in der Schaltung nach Fig. 11 auftreten,
und dienen zur Erläuterung der Arbeitsweise der Anordnung.
Die Fig. 1A, 1B, 1C und 1D stellen jeweils ein Paar
gekoppelter Empfängerzellen dar, die für den Betrieb in
zweidimensionalen Anordnungen besonders geeignet sind.
Fig. 1A zeigt eine Einrichtung 10 mit einem Substrat 11
aus Halbleitermaterial mit n-Leitfähigkeit, ein isolierendes
Teil 12, das über der Hauptoberfläche 13 des Substrats
11 liegt, und ein Paar leitender Teile oder Platten 14
und 15, die über dem isolierenden Teil 12 liegen. Die
Platten 14 und 15 haben einen geringen Abstand, und das
Substrat 11 unter dem Raum zwischen den Platten enthält
eine Zone 20 mit p-Leitfähigkeit, so daß eine Überführung
der Oberflächenladung in dem Substrat unter den Platten
möglich ist. Alternativ hierzu können andere Einrichtungen
vorgesehen sein, wie sie in der DE-OS 23 31 093 beschrieben
sind, um die Oberflächenladung in dem Substrat zwischen
den Platten zu koppeln. Das Substrat 11 ist mit Erde
oder einem Punkt eines festen Bezugspotentials verbunden.
Die Platte 14 ist zum Anschluß an einen Zeilenleiter einer
Anordnung eingerichtet, die aus Zeilen und Spalten von
Strahlungsempfänger-Einrichtungen besteht. Die Platte 15
ist zum Anschluß an einen mit einer Steuerleitung 16
verbundenen Spaltenleiter der Anordnung eingerichtet. Ferner
ist ein Integrationskondensator 17 mit zwei Anschlüssen
18 und 19 vorgesehen. Der Anschluß 18 ist mit der
Steuerleitung 16 und der Anschluß 19 mit einem Anschluß einer
Spannungsversorgung 24 für den Spaltenleiter verbunden,
deren anderer Anschluß mit Masse verbunden ist. Zwischen
die Anschlüsse des Kondensators 17 ist ein Rückstellschalter
25 geschaltet. Das Ausgangssignal wird an den Anschlüssen
18 und 19 des Kondensators abgenommen.
Wenn Spannungen mit richtiger Polarität bezüglich des
Substrats und richtiger Amplitude an den Platten 14 und 15
angelegt werden, beispielsweise -15 Volt gemäß Fig. 1A,
dann werden zwei Verarmungs- oder Sperrzonen 21 und 22
gebildet, die durch die Zone 20 mit hoher p-Leitfähigkeit
verbunden sind, der ebenfalls eine Sperrzone 23 zugeordnet
ist. Daher kann die in einer der Verarmungs- oder Sperrzonen
21, 22 unter einer der Platten 14 und 15 gespeicherte
Ladung leicht durch die Zone 20 mit p-Leitfähigkeit in
die andere Verarmungszone fließen. Die in die Verarmungszonen
eindringende Strahlung bewirkt die Bildung von
Minoritätsträgern, die an der Oberfläche der Verarmungszonen
gespeichert werden. Fig. 1B zeigt den Betriebszustand der
Einrichtung, in dem die Spannung an der Platte 14 auf Null
gebracht wird, um die Verarmungszone 21 dieser Platte
zusammenbrechen zu lassen und zu bewirken, daß die dort
zuvor gespeicherte Ladung in die Verarmungszone 22 unter
der Platte 15 fließt oder dorthin überführt wird. Um die
Ladung auszulesen oder zu erfassen, die zuvor in der
Verarmungszone 22 gespeichert wurde, wird der Rückstellschalter
25 geöffnet und die Spannung an der Platte 15
abgeschaltet oder auf einen geeigneten Wert, beispielsweise
auf den Wert Null, verringert. Dies geschieht durch die
Spaltenleiter-Versorgung 24. Dieser Vorgang bewirkt, daß
die in der Verarmungszone 22 gespeicherten Träger in das
Substrat 11 injiziert werden und einen Stromfluß in der
Platte 15 erzeugen (einen Elektronenfluß aus der Platte
heraus), wie dies in Fig. 1C dargestellt ist.
Die Erhöhung des Potentials der Platte 15 von einem
negativen Wert auf den Wert Null bewirkt eine Verringerung
des elektrischen Feldes, das zuvor die Ladung in der
Oberflächen-Inversionsschicht aufrechterhalten hat, und
bewirkt, daß die in der Inversionsschicht gespeicherten
Minoritätsträger in das Substrat injiziert werden. Die
Injektion von Minoritätsträgern ist in Fig. 1C durch die
Verteilung der positiven Ladung in dem Substrat 11
angedeutet. Eine solche Injektion bewirkt, daß eine
neutralisierende negative Ladung in das Substrat fließt, d. h. es
fließt ein Strom in konventioneller Festlegung aus dem
Substrat heraus und in die Platte 15. Der Stromfluß in
die Platte 15 bewirkt eine Aufladung des integrierenden
Kondensators 17 auf einen Wert entsprechend der injizierten
Ladung. Die in das Substrat injizierten Minoritätsträger
diffundieren schließlich oder rekombinieren dort. Der
Neuaufbau der Verarmungszone für einen weiteren Betriebszyklus
sollte erst nach dem Verschwinden dieser Minoritätsträger
aus der Zone 22 erfolgen, da sonst die gespeicherte
Ladung bei der erneuten Verarmung der Zone 22 erneut
angesammelt wird. Das Potential der Platte 15 wird
vor dem Schließen des Rückstellschalters 25 und nach dem
Zeitpunkt, in dem die injizierten Minoritätsträger gemäß
der Darstellung in Fig. 1D aus der Zone 22 verschwunden
sind, auf seinen ursprünglichen Wert zurückgeführt. Der
Stromfluß zur Platte 15 subtrahiert sich vom Stromfluß
aus der Platte 15, und dies führt zu einer resultierenden
Spannung am Kondensator 17, die der aus der Einrichtung
abgezogenen gespeicherten Ladung entspricht. Durch Abtastung
der aus aufeinanderfolgenden Betriebszyklen der Einrichtung
herrührenden Spannung am Integrations-Kondensator
17 erhält man ein Video-Signal, das die integrierten
Werte der Strahlung darstellt, die während aufeinanderfolgender
Betriebszyklen auf die Einrichtung trifft.
Die Fig. 2A, 2B und 2C zeigen den zeitlichen Verlauf der
Betriebsspannung V y für die spaltenorientierte Platte
bzw. den Auslesestrom bzw. die Spannung des Integrations-
Kondensators im gleichen Zeitmaßstab und für die Einrichtung
nach den Fig. 1A, 1B, 1C und 1D für zwei verschiedene
Verhältnisse der Ladungsspeicherung in den Zellen der
Einrichtung. In einem Falle wurde keine durch Strahlung
erzeugte Ladung gespeichert. Es wird angenommen, daß die
Spannung V x der zeilenorientierten Platte auf Null
verringert wurde. Fig. 2A zeigt identische Impulse 31 und 32
der Betriebsspannung aus der Versorgung 24, die der Platte
15 in verschiedenen Betriebszyklen zugeführt werden.
Fig. 2B zeigt die Ströme, die im äußeren Stromkreis
zwischen der Platte 15 und dem Substrat entsprechend der
Zuführung dieser Imulse fließen. Fig. 2C zeigt die
Spannungen, die am Kondensator 17 infolge der Stromflüsse nach
Fig. 2B entstehen. Fig. 2C zeigt auch noch die
Zeitperioden, in denen der Rückstellschalter 25 geöffnet ist, und
die Zeitperioden, in denen dieser Schalter geschlossen
ist. Die beiden ersten in Fig. 2B dargestellten Stromimpulse
33 und 34 stellen einen Betriebszustand dar, in dem
keine Strahlung empfangen und daher keine Ladung in der
spaltenorientierten Zelle der Einrichtung 10 gespeichert
wurde. Während der Änderung der Spannung von -15 Volt auf
Massepotential fließt die zum Aufbau der Verarmungszone
22 verwendete Ladung aus der Platte 15 heraus und
erscheint als positiv verlaufender Impuls 33. Nach der
Ausleseperiode wird die Spannung an der Platte auf -15 V
zurückgeführt. Dabei entsteht ein Ladungsfluß, der durch
einen Stromimpuls 34 zum Aufbau der ursprünglichen
Verarmungszone unter der Platte 15 dargestellt wird; dieser
Impuls ist gleich dem Stromimpuls 33. Demgemäß entsteht
am Kondensator ein Spannungsimpuls 35, der in seiner Form,
mit Ausnahme der Amplitude, praktisch identisch ist dem
Impuls 31. Die resultierende Ausgangsspannung am Ende des
Integrationsvorgangs ist Null, wie dies aus Fig. 2C
ersichtlich ist.
Nach Zuführung des Impulses 32 zur spaltenorientierten
Zelle werden zwei weitere Impulse 37 und 38 erzeugt. Der
positive Impuls 37 mit der größeren Amplitude stellt die
in der Verarmungszone 22 bei Vorhandensein der Strahlung
gespeicherte Ladung und einen Teil der Ladung dar, die
zum Aufbau der Verarmungszone in die Platte geflossen ist.
Der negative Impuls 38 hat eine kleinere Amplitude und
stellt den Strom dar, der zum Aufbau der ursprünglichen
Verarmungszone in die Platte geflossen ist. Die Integration
der Impulse 37 und 38 im Kondensator 17 ergibt einen
Impuls 40 mit der dargestellten Form. Zunächst steigt die
Spannung am Kondensator 17 infolge des ersten Stromimpulses
37 auf eine großen Wert 41 an. Beim Auftreten des
zweiten Stromimpulses 38 fällt die Spannung am Kondensator
17 auf einen zweiten Wert 42 ab, der als "rückwärtige
Stufe" des Impulses bezeichnet wird. Der zweite Wert 42
stellt eine Spannung entsprechend der Ladung dar, die in
der Inversionsschicht der Zone 22 gespeichert wurde. Es
ist zu beachten, daß während des Abtast-Intervalls der
Rückstellschalter 25 geöffnet ist, d. h. in jedem
Betriebszyklus der Empfängereinrichtung während des Auftretens
der Spannungsimpulse nach Fig. 2C. Während des übrigen
Teils des Zyklus oder der Periode, in der die Speicherung
der Ladung in der Einrichtung entsprechend der auftreffenden
Strahlung erfolgt, bleibt der Schalter geschlossen.
In aufeinanderfolgenden Betriebszyklen der Einrichtung
werden aufeinanderfolgende Spannungsimpulse ähnlich dem
Impuls 40 erzeugt, wobei sich dann die rückwärtige Stufe
42 des Impulses gemäß der während der Speicherperiode auf
der Einrichtung auftreffenden Strahlung ändert. Die
Abtastung dieses rückwärtigen Impulsteils der aufeinanderfolgenden
Spannungsimpulse liefert ein Signal, das die
Änderung der auf der Einrichtung auftreffenden Strahlung
in Abhängigkeit von der Zeit darstellt.
Vor der Beschreibung der Bilderfassungsvorrichtung nach
Fig. 7 als Ausführungsform der Erfindung wird zunächst
die in der Vorrichtung verwendete Strahlungsempfängeranordnung
anhand der Fig. 3 bis 6 beschrieben, die nach einem
bestimmten Verfahren hergestellt ist. Die in der
Bilderfassungsvorrichtung verwendete Anordnung kann aber auch
andere Bauformen aufweisen, und es kann irgendeines der
für die Herstellung von Einrichtungen mit Überführung von
Oberflächenladung üblichen Verfahren für die Herstellung
angewandt werden. Die Fig. 3 bis 6 zeigen eine
Strahlungsempfänger-Anordnung aus Strahlungsempfänger-
Einrichtungen 51, die beispielsweise jeweils der Einrichtung 10 nach
den Fig. 1A, 1B und 1C entsprechen und in vier Zeilen und
Spalten angeordnet sind. Die Anordnung enthält vier Zeilenleiter
X₁, X₂, X₃ und X₄, die jeweils die zeilenorientierten
Platten einer Zeile von Einrichtungen 51 miteinander
verbinden. Die Anordnung enthält ferner vier Spaltenleiter
Y₁, Y₂, Y₃ und Y₄, die jeweils die spaltenorientierten
Platten einer Spalte von Einrichtungen 51 verbinden.
Die leitenden Verbindungen mit den äußeren Leitungen
erfolgen über leitende Anschlüsse oder Kontaktplättchen
52, die an allen Leiterenden vorgesehen sind. Nach Fig. 3
kreuzen die Zeilenleiter die Spaltenleiter; die Zeilenleiter
sind jedoch gegenüber den Spaltenleitern durch eine
Schicht 54 aus durchsichtigem Glas isoliert, wie dies aus
den Fig. 4, 5 und 6 ersichtlich ist. In Fig. 3 sind die
Umrisse der unterhalb der Glasschicht 54 liegenden Teile
zur deutlicheren Darstellung mit voll ausgezogenen Linien
wiedergegeben.
Die Anordnung enthält ein plattenförmiges Substrat 55 aus
n-leitendem Halbleitermaterial, auf dem eine isolierende
Schicht 56 in Kontakt mit einer Hauptoberfläche des
Substrats 55 aufgebracht ist. Eine Vielzahl von Vertiefungen
57 sind in der isolierenden Schicht 56 jeweils für eine
entsprechende Einrichtung 51 vorgesehen. Dementsprechend
besitzt die isolierende Schicht 56 dicke oder erhabene
Teile 58, die jeweils eine Vielzahl von dünnen Teilen 59
im Boden der Vertiefungen umgeben. Auf dem Boden jeder
Vertiefung ist ein Paar im wesentlichen identischer
leitfähiger Platten oder leitfähiger Teile 61 und 62 mit
rechteckigem Umriß angebracht. Die Platte 61 ist hier als
zeilenorientierte Platte und die Platte 62 als spaltenorientierte
Platte bezeichnet. Die Platten 61 und 62 einer
Einrichtung 51 sind in der Richtung einer Zeile eng zueinander
beabstandet, wobei benachbarte Kanten im wesentlichen
parallel zueinander sind. Fortschreitend vom linken
Teil der Anordnung zum rechten Teil wechseln die zeilenorientierten
Platten 61 mit den spaltenorientierten Platten
62 ab. Demgemäß sind die zeilenorientierten Platten
61 von Paaren benachbarter Einrichtungen einer Zeile
zueinander benachbart und miteinander durch einen Leiter
63 verbunden, der einstückig mit den Platten 61 ausgebildet
ist.
Bei einer solchen Anordnung kommt man mit einer einzigen
Verbindung 64 von einem Zeilenleiter durch eine Öffnung
69 in der Glasschicht 54 zu dem Leiter 63 aus, der ein
Paar zeilenorientierter Platten miteinander verbindet.
Die Spaltenleiter sind einteilig mit den spaltenorientierten
Platten 62 ausgebildet. Der oberflächennahe Teil des
Substrats 55 unterhalb des Raumes zwischen den Platten
61 und 62 jeder Einrichtung 51 enthält eine p-leitende
Zone 66, die der p-Zone 20 in Fig. 1A entspricht. Die Zone
67 in dem Substrat 55 ist ebenfalls p-leitend und wird
gleichzeitig mit der p-Zone 66 nach dem gleichen
Diffusionsverfahren gebildet, wobei die Platten 61 und 62 als
Diffusionsmasken benutzt werden. Die Glasschicht 54 liegt
über dem dicken Teil 58 und dem dünnen Teil 59 der
isolierenden Schicht 56 und über den Platten 61 und 62, den
Leitern 63 und den Spaltenleitern Y₁ bis Y₄ mit Ausnahme
der Kontaktplättchen 52. Die Glasschicht 54 kann einen
Akzeptor-Aktivator enthalten und zur Bildung der p-Zonen 66
und 67 verwendet werden. Auf der anderen Hauptoberfläche
des Substrats, die zu der die Einrichtungen 51 aufweisenden
Hauptoberfläche entgegengesetzt ist, ist eine ringförmige
Elektrode 68 vorgesehen. Eine solche Verbindung zum
Substrat gestattet es, Strahlung von einem zu erfassenden
Objekt (Bild) nicht nur auf der vorderen Fläche, sondern
auch auf der rückwärtigen Fläche aufzunehmen.
Die Bildempfänger-Anordnung 50 und die Einrichtungen 51,
aus denen sie besteht, können aus verschiedensten Materialien
und mit verschiedensten Abmessungen nach bekannten
Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungen hergestellt
werden, wie sie beispielsweise in der DE-OS 23 31 093
beschrieben sind.
Fig. 7 zeigt ein Blockschaltbild einer Bilderfassungsvorrichtung,
die eine Bildempfänger-Anordnung 50 nach Fig.
3 enthält und ein Video-Signal bei Vorhandensein einer
auf der Anordnung abgebildeten Strahlung liefert; zur
Abbildung kann beispielsweise ein nicht dargestelltes
Linsensystem verwendet werden. Das Video-Signal kann einer
geeigneten Anzeige- oder Sichteinrichtung zugeführt werden,
beispielsweise einer Kathoden-Strahlröhre, wie dies
auch in der DE-OS 23 31 093 beschrieben ist. Dabei werden
dann der Anordnung noch Ablenkspannungen synchron zur
Abtastung zugeführt, um das Video-Signal in eine Bildwiedergabe
der Abbildung auf der Anordnung umzuwandeln.
Die Bilderfassungsvorrichtung wird nachstehend unter
Bezugnahme auf die Fig. 8A bis 8U beschrieben, die im
gleichen Zeitmaßstab den Verlauf von Signalen darstellen, die
an verschiedenen Punkten der Vorrichtung nach Fig. 7
auftreten. In Fig. 7 ist der jeweilige Punkt, an dem eines
der Signale nach den Fig. 8A bis 8U auftritt, durch eine
entsprechende Bezeichnung gekennzeichnet. Die Amplituden
der Signale nach den Fig. 8A bis 8U sind nicht im gleichen
Maßstab für die Spannung oder Stromstärke wiedergegeben,
um eine leichtere und klarere Erläuterung der Arbeitsweise
der Vorrichtung zu ermöglichen.
Die Vorrichtung enthält einen Taktgenerator 71, der eine
Folge von regelmäßig auftretenden Impulsen 72 für die Y-
Achse mit kurzer Dauer gemäß Fig. 8A erzeugt. Diese Impulse
erscheinen in Sequenz zu Zeitpunkten r₁ bis t₈ und
stellen eine halbe Abtastperiode für den Betrieb der Anordnung
dar. Das Ausgangssignal des Taktgenerators 71 wird
einem ersten Zähler 73 zugeführt, der die Impulsfrequenz
des Taktgenerators durch vier teilt, um Taktimpulse 74
für die X-Achse nach Fig. 8B zu bilden. Das Ausgangssignal
des ersten Zählers 73 wird auch noch einem zweiten
Zähler 75 zugeführt, der die Frequenz der zugeführten
Impulse nochmals durch vier teilt, um die Bildsynchronisierungs-
Impulse für den Bildsynchronisations-Generator 76
zu bilden.
Die Empfängeranordnung 50, die mit der Bildempfänger-
Anordnung nach Fig. 3 identisch ist, enthält Zeilenleiter
X₁ bis X₄ und Spaltenleiter Y₁ bis Y₄. Die Steuerschaltungen
für die Zeilenleiter X₁ bis X₄ und für die Spaltenleiter
Y₁ bis Y₄ der Anordnung 50 sind auf dem gleichen
Substrat 70 vorgesehen, das in gleicher Weise wie die
Anordnung geerdet ist, um die Anzahl von äußeren Verbindungen
auf ein Minimum zu bringen, die für die Verwendung der
Anordnung 50 in der Bilderfassungsvorrichtung vorgenommen
werden müssen. Eine Vielzahl analoger Schalter 81 bis 84
für die Zeilenleiter sind MOS-Feldeffekt-Transistoren (MOS
= Metall-Oxyd-Silizium) mit einer Source-Elektrode (Kathode)
S, einer Drain-Elektrode D (Anode) und einer Gatt-
Elektrode (Gitter) G bzw. einen Steueranschluß. Jede der
Kathoden S der Schalter 81 bis 84 ist mit einem Ende eines
entsprechenden Zeilenleiters X₁ bis X₄ und jede der Anoden
D der Schalter 81 bis 84 mit einem Anschluß 85 für die
Vorspannung der Zeilenleiter verbunden. Der Anschluß 85
ist mit dem negativen Pol einer Versorungs- bzw. Spannungsquelle
86 für -15 V verbunden, deren positiver Pol mit
Masse verbunden ist. In ähnlicher Weise sind analoge
Schalter 91 bis 94 für die Spaltenleiter in Form von
MOSFET-Transistoren vorgesehen. Jede der Kathoden S der
Schalter 91 bis 94 ist mit einem Ende eines Spaltenleiters
Y₁ bis Y₄ und jede der Anoden D der Schalter 91 bis 94
mit dem Vorspannungsanschluß 85 verbunden. Die MOSFET-
Transistoren 81 bis 84 und 91 bis 94 sind p-Kanal-
Einrichtungen. Wenn daher die Gitter-Elektrode G eines solchen
Schalters negativ bezüglich der Kathode S vorgespannt
wird, erhält man einen niedrigen Widerstand zwischen
Kathode S und Anode D, und umgekehrt ist bei Abwesenheit
einer solchen Vorspannung ein hoher Widerstand zwischen
Kathode S und Anode D vorhanden. Die Steuerung der anderen
Enden der Zeilenleiter X₁ bis X₄ wird durch Schalter in
Form von MOSFET-Transistoren 101 bis 104 bewirkt, die
integriert auf dem Substrat 70 ausgebildet sind und deren
Anoden-Elektrode D jeweils mit dem anderen Ende eines
entsprechenden Zeilenleiters X₁ bis X₄ verbunden ist. Ihre
Kathoden-Elektroden S sind mit einem Anschluß 105 für die
Vorspannung der Zeilenleiter verbunden, der beim Betrieb
des Systems mit dem negativen Pol einer Spannungsquelle
109 für -5 Volt verbunden ist, deren positiver Pol mit
Masse verbunden ist. Jede der Gitter-Elektroden G der
Transistoren 101 bis 104 wird durch ein entsprechendes
Steuersignal aus einem Zeilenschieberegister 106 angesteuert.
Das Zeilenschieberegister 106 kann irgendein an sich
bekanntes Schieberegister sein. Die Elemente des
Schieberegisters 106 können gleichzeitig mit der Bildempfänger-
Anordnung 50 auf dem Substrat ausgebildet sein.
Das Schieberegister 106 hat einen Anschluß 107, dem
Taktimpulse 74 für die vertikale Abtastung bzw. für die X-
Achse zugeführt werden, wie sie in Fig. 8B dargestellt
sind. Die Folgefrequenz dieser Impulse beträgt ein Viertel
der Folgefrequenz der Taktimpulse für die Y-Achse.
Die Bildsynchronisierungs-Impulse vom Zähler 75 werden
einem Bildsynchronisierungs-Impulsgenerator 76 zur
Erzeugung eines Ausgangssignals zugeführt, das einem
Bildsynchronisierungsanschluß 108 zugeführt wird. Jeder der
Bildsynchronisierungs-Impulse hat eine Dauer, die praktisch
gleich der Summe der Perioden von vier Zyklen der Taktimpulse
für die X-Achse ist. Die Bild-Synchronisierungsimpulse
werden im Schieberegister 106 mit der Frequenz der
Taktimpulse für die X-Achse verschoben, so daß nacheinander
die Transistoren 101 bis 104 durchgesteuert werden,
die mit den Zeilenleitern X₁ bis X₄ verbunden sind, um
nacheinander die Impulsspannung zwischen einem Wert von
-15 Volt und einem Wert von -5 Volt zu verändern. Der
Verlauf der Steuerspannung an dem Zeilenleiter X₁ ist inFig.
8C und der Verlauf der Steuerspannung an dem Zeilenleiter
X₂ in Fig. 8D für eine Hälfte des Betriebszyklus der
Anordnung dargestellt.
Steuerbare Schalter In Form von MOSFET-Transistoren 111
bis 114 für die Spaltenleiter sind ebenfalls auf dem
Substrat 70 integriert ausgebildet. Ihre Anoden-Elektroden
D sind jeweils mit dem anderen Ende eines entsprechenden
Spaltenleiters Y₁ bis Y₄ und die Kathoden-Elektroden S
der Transistoren 111 und 113 mit einem ersten
Spaltenleiteranschluß 115 a, dagegen die Kathoden-Elektroden S der
Transistoren 112 und 114 mit einem zweiten Spaltenleiteranschluß
115 b verbunden. Die Gitter-Elektroden der Transistoren
111 und 112 sind mit einer Stufe in dem Spalten-
Schieberegister 116 und die Gitter-Elektroden der Transistoren
113 und 114 mit einer nachfolgenden Stufe in dem
Spaltenregister 116 verbunden. Die Spaltenleiter Y₁ und
Y₂ werden hier als ein Satz aufeinanderfolgend numerierter
Spaltenleiter und die Spaltenleiter Y₃ und Y₄ als ein
nachfolgender Satz aufeinanderfolgend numerierter
Spaltenleiter betrachtet. Jeder dieser Sätze besitzt dabei die
gleiche Anzahl von Leitern. Die Spaltenleiter Y₁ und Y₃
sind die ersten in ihrem jeweiligen Satz und die Spaltenleiter
Y₂ und Y₄ die zweiten in ihrem jeweiligen Satz.
Das Spalten-Schieberegister 116 hat einen Eingangsanschluß
117. Zwischen den Takt-Impulsgenerator 71 und den Anschluß
117 ist ein durch zwei teilender Zähler 120 geschaltet.
Er liefert Impulse mit der halben Folgefrequenz der
Taktimpulse für die Y-Achse. Das Spalten-Schieberegister 116
hat ferner einen Zeilen-Synchronisierungsanschluß 118,
dem von einem Zeilen-Synchronisationsimpuls-Generator 119
Zeilen-Synchronisationsimpulse zugeführt werden. Der Zeilen-
Synchronisationsimpuls-Generator 119 ist mit dem Zähler
73 verbunden und liefert ein Ausgangssignal, das synchron
mit den Takt-Impulsen für die X-Achse ist. Die Zeilen-
Synchronisationsimpulse werden in dem Spalten-Schieberegister
116 entsprechend den Ausgangsimpulsen des Zählers
120 verschoben. Ihre Folgefrequenz ist gleich der halben
Folgefrequenz der Taktimpulse der Y-Achse. Der Verlauf
der dem Zeilen-Synchronisierungsanschluß 118 zugeführten
Zeilensynchronisationsimpuls 121 ist in Fig. 8E
dargestellt, die auch das Ausgangsignal der ersten Stufe des
Spalten-Schieberegisters 121 darstellt. Jeder Zeilen-
Synchronisierungsimpuls 121 hat eine Breite, die kleiner ist
als das Intervall zwischen zwei aufeinanderfolgenden
Taktimpulsen für die Y-Achse. An den Ausgangsanschlüssen des
Spalten-Schieberegisters 116 treten Steuerimpulse 121 bis
124 auf, wie sie in den Fig. 8E bis 8H dargestellt sind.
Sie werden jeweils den Transistoren 111 bis 114 zugeführt.
Diese Steuerimpulse oder Durchschalt-Impulse haben eine
Amplitude von -20 Volt während des dargestellten Intervalls.
Die Steuerimpulse 121 und 122, die den Transistoren
111 bzw. 112 zugeführt werden, sind identisch, und in
ähnlicher Weise sind die den Transistoren 113 und 114
zugeführten Steuerimpulse 123 bzw. 124 identisch.
Von einer Spalten-Spannungsversorgung 125 werden
Versorgungsspannungsimpuls 127 für die Spaltenleiter erzeugt.
Das Eingangssignal der Spalten-Spannungsversorgung 125
wird von einer Schaltung 126 für die Taktgabe und
Steuerung erzeugt; sie liefert Impulse mit der halben
Folgefrequenz der Taktimpulse für die Y-Achse, wie dies in Fig.
8I dargestellt ist. Das Ausgangssignal der Spalten-
Spannungsversorgung 125 wird dem ersten Spaltenleiteranschluß
115 a über einen Integrationskondensator C 1 zugeführt und
ist auch noch mit dem zweiten Spaltenleiteranschluß 115 b
über einen Integrationskondensator C 2 verbunden. Jeder
der Impulse 127 besitzt eine kurze Dauer entsprechend dem
Zeitraum, in dem eine Auslesung oder Ausgabe der von der
Strahlung erzeugten Ladung erwünscht ist, die in einer
Einrichtung in einer einzigen Spalte gespeichert ist, wie
dies nachstehend noch erläutert wird. Diese Impulse bewirken
eine Injektion der gespeicherten Ladung, die dann an
den Integrationskoindensatoren abgenommen oder erfaßt wird.
Die Impulse 127 haben eine Amplitude von 10 Volt zwischen
den Werten -15 und -5 Volt. Demgemäß werden in dem Zeitintervall
von t₀ bis t₁ zwei Strahlungsempfänger-Einrichtungen
51 in der obersten Zeile und in dem ersten mit den
Leitern Y₁ und Y₂ verbundenen Satz ausgelesen, gefolgt
von den Einrichtungen in dem zweiten Satz, die mit den
Leitern Y₃ und Y₄ verbunden sind und während des
Zeitintervalls von t₂ bis t₃ ausgelesen werden.
Nach der Beendigung der Abfragung oder Abtastung der
Einrichtungen einer Zeile werden Steuerimpulse 131 gemäß der
Darstellung in Fig. 8J den Gittern der Schalter 81 bis
84 und 91 bis 94 zugeführt, die mit den Leitern X₁ bis
X₄ und Y₁ bis Y₄ und der Quelle 86 für die
Betriebsspannung verbunden sind, wodurch das richtige die Verarmung
erzeugende Potential an allen Platten aller Einrichtungen
51 hergestellt wird. Wie gezeigt, tritt jeder der
Steuerimpulse 131 nach dem Spalten-Versorgungsspannungsimpuls
127 auf, der die letzte Einrichtung in jeder Zeile
ansteuert. Der Gitter-Impuls tritt nach dem Ausgangssignal der
zweiten Stufe des Spaltenschieberegisters auf. Die Dauer
der Gitter-Impulse wird so gewählt, daß sie ausreicht,
das Speicherpotential von -15 Volt an allen Leitungen
erneut aufzubauen. Die Gitter-Impulse werden von einem
Gitterimpulsgenerator 135 erzeugt, der seinerseits von einem
Zähler 136 angesteuert wird, der nach jeweils vier
Eingangsimpulsen einen Ausgangsimpuls erzeugt. Der Zähler
136 wird durch die Taktimpulse für die Y-Achse vom
Taktimpulsgenerator 71 angesteuert.
Beim Betrieb der beschriebenen Bilderfassungsvorrichtung
werden zunächst die Spaltenleiter Y₁ und Y₂ des ersten
Satzes durch einen den Transistoren 111 und 112 zugeführten
Gitter-Impuls mit den entsprechenden Anschlüssen 115 a
und 115 b verbunden und diesen Spaltenleitern Spalten-
Steuerimpulse über die entsprechenden integrierenden Kondensatoren
C 1 und C 2 zugeführt. Hierdurch wird bewirkt,
daß die Ladung in das Substrat injiziert und in den integrierenden
Kondensatoren C 1 und C 2 in dem Steuerleitungskreis
erfaßt wird. Nachdem die Kondensatoren C 1 und C 2
zurückgestellt wurden, wird der zweite Satz von Transistoren
113 und 114 zur Verbindung der Spaltenleiter Y₃ und
Y₄ mit den Anschlüssen 115 a und 115 b durchgesteuert und
ein Spalten-Steuerimpuls zugeführt, um die gespeicherte
Ladung in das Substrat zu injizieren, die dann in den Kondensatoren
C 1 und C 2 erfaßt wird.
Der Stromfluß in dem Steuerleitungskreis des Kondensators
C 1 beim Abtasten der Einrichtungen in der ersten und
zweiten Zeile der Anordnung in Sequenz ist als Kurve 137 in
Fig. 8K dargestellt. In der Fig. 8K sind vier Paare von
Stromimpulsen dargestellt, die den Stromfluß in dem
Steuerleitungskreis des Kondensators C 1 während der
Auslesung der ersten und dritten Einrichtungen der ersten und
zweiten Zeilenleiter X₁ und X₂ in Sequenz zeigt. Der erste
Impuls jedes Paares entspricht dem Stromfluß infolge der
durch Strahlung erzeugten Ladung und eines Teils der die
Verarmung erzeugenden Ladung, die im Augenblick der
Zuführung des Speicherpotentials an die spaltenorientierte
Platte der Einrichtung gespeichert wurde. Der zweite
Impuls entspricht dem vorgenannten Stromfluß, der sich aus
der Zuführung von Spannung zur spaltenorientierten Platte
der Einrichtung ergibt. Der erste Impuls jedes Paares
tritt an der Vorderflanke eines entsprechenden Spalten-
Steuerimpulses 127 und der zweite Impuls jedes Paares bei
der Rückflanke eines entsprechenden Spalten-Steuerimpulses
auf. Die ersten Impulse haben verschiedene Amplituden
infolge der verschiedenen Amplituden der in den verschiedenen
Einrichtungen der ersten beiden Zeilen gespeicherten
Ladung. Die Amplituden der zweiten Impulse sind identisch,
da die spaltenorientierten Zellen jeder der Einrichtungen
identisch aufgebaut sind und damit einen identischen Strom
zur Aufladung oder zur Erzeugung der Verarmungszone aufnehmen.
Die Impulse nach Fig. 8K werden durch den Kondensator
C 2 integriert.
Zwischen den Anschluß 115 a und den negativen Pol einer
Spannungsquelle 141 für -15 Volt ist die Kathoden-
Anodenstrecke eines Feldeffekt-Transistors 140 geschaltet. Der
positive Pol der Spannungsquelle 141 ist zur Rückstellung
des Kondensators C 1 mit Masse verbunden. In ähnlicher
Weise ist die Kathoden-Anodenstrecke eines weiteren Feldeffekt-
Transistors 142 zwischen den Anschluß 115 b und den
negativen Pol der Quelle 141 geschaltet. Die Gitter (oder
"Gatts") der Transistoren 140 und 142 sind mit der
Schaltung 126 für Taktgabe und Steuerung verbunden, die
Rückstell-Impulse 143 gemäß Fig. 8P liefert. Die Rückstell-
Impulse springen von einem positiven Spannungswert auf
Massepotential zur Sperrung der Transistoren. Die Vorderflanke
jedes Rückstell-Impulses ist koinzident mit der
Vorderflanke eines entsprechenden Spaltenleiter-Steuerimpulses
127. Demgemäß ist der Kondensator C 1, ausgenommen
in dem Ausleseintervall für die ersten und dritten
Einrichtungen jeder Zeile, nach Masse kurzgeschlossen. Der
Kondensator C 2 ist ebenfalls nach Masse kurzgeschlossen,
ausgenommen in dem Ausleseintervall für die zweite und
vierte Einrichtung jeder Zeile. Beim Auftreten eines Spalten-
Versorgungsspannungsimpulses wird ein Paar der oben
erwähnten Stromimpulse erzeugt, die durch die Kondensatoren
C 1 und C 2 integriert werden und zu einem
entsprechenden Ausgangsimpuls mit zwei Stufungswerten führen, wobei
die erste Stufe der Ladung des ersten Stromimpulses und
die zweite Stufe der Ladung des ersten Stromimpulses,
vermindert um die Ladung des zweiten Stromimpulses,
entspricht. Der Verlauf des Ausgangssignals am Kondensator
C 1 ist in Fig. 8L dargestellt, in der jeder der
zweistufigen Impulse 145 eine höhere erste Stufe 146 und eine
niedrigere zweite Stufe 147 hat, wobei diese jeweils einem
entsprechenden Paar von Impulsen nach Fig. 8K entsprechen.
Bei dem ersten und vierten Impuls nach Fig. 8L ist die
zweite Stufe Null. Dies bedeutet, daß in den entsprechenden
den Einrichtungen keine durch Strahlung erzeugte Ladung
gespeichert war. Der Verlauf des Ausgangssignals am
Kondensator C 2 ist in Fig. 8N dargestellt.
Das am Integrations-Kondensator C 1 erscheinende
Ausgangssignal wird einem ersten Video-Kanal zugeführt, der einen
Differenzverstärker 151 und eine Abtast- und Halteschaltung
enthält, um ein erstes Video-Ausgangssignal zu erzeugen.
Die Abtast- und Halteschaltung enthält einen Transistor
152 mit einer Anode 153, einer Kathode 154 und
einem Gitter 155 und einen Kondensator C 3. Die Kathoden-
Anodenstrecke des Transistors 152 ist zwischen den Ausgang
des Verstärkers 151 und einen Anschluß 157 des Kondensators
C 3 geschaltet, dessen anderer Anschluß mit Masse
verbunden ist. Das Gitter 155 ist mit einem Abtast-
Impulsgenerator 158 verbunden, der durch die Schaltung 126 für
Taktgabe und Steuerung gesteuert wird und eine Folge von
Abtast-Impulsen 160 liefert, wie sie in Fig. 8O dargestellt
sind. Die Impulse 160 haben eine kurze Dauer, gleiche
Abstände. Ein Abtast-Impuls 160 tritt bei jedem zweiten
Taktimpuls für die Y-Achse auf. Jeder der Impulse 160
hat eine solche Phasenlage, daß er während des Auftretens
der rückwärtigen (zweiten) Stufe der zweistufigen Video-
Impulse nach Fig. 8L auftritt, die am Integrationskondensator
C 1 auftreten. Während der Abtastintervalle wird der
Transistor 152 eingeschaltet, so daß er eine Aufladung
des Kondensators C 3 auf eine Spannung entsprechend der
Spannung der zweiten Stufe 158 der Impulse 145 nach Fig.
8L gestattet. Es wird daher ein erstes Video-Signal 161
gemäß Fig. 8Q am Anschluß 157 erzeugt, wobei sich das
Signal im Abtast-Intervall von einem Videowert auf einen
anderen gemäß der Spannung am Integrationskoindensator C 1
ändert.
In ähnlicher Weise wird das am Integrationskondensator
C 2 erscheinende Ausgangssignal einem zweiten Video-Kanal
zugeführt, der einen Differenzverstärker 163 und eine
Abtast- und Halteschaltung enthält, um auf diese Weise ein
zweites Video-Ausgangssignal zu erhalten. Die Abtast- und
Halteschaltung enthält einen Transistor 164 mit einer Anode
165, einer Kathode 166 und einem Gitter 167 und einen
Kondensator C 4. Die Kathoden-Anodenstrecke des Transistors
164 ist zwischen den Ausgang des Verstärkers 163 und einen
Anschluß 168 des Kondensators C 4 geschaltet, dessen
anderer Anschluß mit Masse verbunden ist. Das Gitter 167 ist
mit dem Generator 158 für die Abtast-Impulse verbunden.
Während des Abtastintervalls der Impulse 160 wird der
Transistor 164 eingeschaltet, so daß er eine Aufladung
des Kondensators C 4 auf eine Spannung gestattet, die den
zweiten Stufenwerten der Impulse nach Fig. 8N entspricht.
Daher wird am Anschluß 168 ein zweites Videosignal 169
nach Fig. 8R erzeugt, wobei sich das Signal während des
Abtastintervalls von einem Video-Pegelwert auf einen anderen
gemäß der Spannung am Integrationskondensator C 4 ändert.
Die Video-Ausgangssignale, die an den Anschlüssen 157 und
168 des ersten und zweiten Video-Kanals erscheinen, können
getrennt weiterverarbeitet und verwendet werden oder sie
können durch Multiplexverfahren zu einem zusammengesetzten
Videosignal umgeformt werden.
Die ersten und zweiten an den Anschlüssen 157 und 168
auftretenden Videosignale werden durch eine Multiplex-Schaltung
170 zur Bildung eines zusammengesetzten Videosignals
verarbeitet und durch den Verstärker 171 verstärkt. Die
Multiplex-Schaltung 170 enthält zwei Transistoren 172 und
173 und einen Multiplex-Impulsgenerator 174. Die Kathoden-
Anodenstrecke des Transistors 172 ist zwischen den Anschluß
157 und den Eingang des Verstärkers 171 geschaltet.
Die Kathoden-Anodenstrecke des Transistors 173 ist
zwischen den Anschluß 168 und den Eingang des Verstärkers
171 geschaltet. Der Multiplex-Impulsgenerator 174 wird
durch die Schaltung 126 gesteuert und erzeugt die in den
Fig. 8S und 8T dargestellten Multiplex-Impulse. Die Impulse
nach Fig. 8S werden der Gitterelektrode des Transistors
172 und die Impulse nach Fig. 8T der Gitterelektrode des
Transistors 173 zugeführt. Wenn einer der Multiplex-Impulse
nach Fig. 8S den Transistor 172 einschaltet, dann
erscheint ein Segment des Videosignals 161 nach Fig. 8Q am
Eingang des Verstärkers 171. In gleicher Weise erscheint
ein Segment des Videosignals 169 nach Fig. 8R am Eingang
des Verstärkers 171, wenn ein Multiplex-Impuls nach Fig.
8T den Transistor 173 durch Gitter-Steuerung einschaltet.
Das zusammengesetzte Ausgangssignal als Ergebnis der Multiplex-
Operation an den Videosignalen Nr. 1 und dem Videosignal
Nr. 2 ist in Fig. 8U dargestellt.
Wenn die Bilderfassungsvorrichtung nach Fig. 7 drei
getrennte Videosignale erzeugen soll, werden die Spaltenleiter
in aufeinanderfolgenden Sätzen angeordnet, wobei jeder
Satz dann drei aufeinanderfolgend bezifferte Spaltenleiter
enthält. In diesem Falle würde ein dritter Integrationskondensator
und ein dritter Videokanal vorgesehen. Andere
dann in dem System notwendige Änderungen können leicht
anhand der Beschreibung des Zwei-Kanalsystems ausgeführt
werden. In ähnlicher Weise kann auch eine größere Anzahl
von Kanälen vorgesehen werden. Es ist weiterhin ersichtlich,
daß zur Erfassung des Stromflusses in jeder der
Versorgungsleitungen ein einziger Integrationskondensator
vorgesehen sein kann.
Ein Vorteil der Bilderfassungsvorrichtung nach Fig. 7
besteht darin, daß das Substrat auf einem festen Potential
oder geerdet gehalten wird. Dies ermöglicht die Ausbildung
von Hilfskreisen und Elementen, beispielsweise des Zeilen-
Schieberegisters und des Spalten-Schieberegisters auf dem
gleichen Substrat des Halbleitermaterials, das auch für
die Empfängerelemente der Anordnung verwendet wird, und
diese können betrieben werden, ohne daß eine weitere
Isolation zur Beseitigung von Rauschen, Übersprechen oder
Schaltkapazitäten erforderlich ist. Bei der Anordnung nach
der DE-OS 23 31 093, bei der das Substrat zwecks Erfassung
der an einem bestimmten Speicherplatz gespeicherten Ladung
periodisch ungeerdet oder mit gleitendem Potential
ausgestattet ist, wird ein unerwünschtes Übersprechen in das
Signal der gerade ausgelesenen Einrichtung dadurch bewirkt,
daß durch Photonen erzeugte Ströme zu anderen Plätzen
oder Einrichtungen während der Periode der Auslesung
aus einer bestimmten Einrichtung bei gleitendem Potential
fließen. Bei der Anordnung nach Fig. 7 geht in das Signal
des Platzes oder der ausgelesenen Einrichtung nur derjenige
durch Photonen erzeugte Aufladestrom ein, der auf
die Spalte der adressierten Einrichtung zurückzuführen
ist. Ein besonderer Vorteil der Erfassung von Strom in
der Steuerleitung infolge der Ladungsinjektion besteht
darin, daß die Streukapazität aller anderen Steuerleitungen
aus der Abtastschaltung herausgenommen ist und demgemäß
die integrierende Kapazität klein genug gehalten werden
kann, besonders im Falle einer Anordnung mit einer
großen Anzahl von Einrichtungen, um die gewünschte
Signalamplitude zu erhalten. Die Abtastung in der Steuerleitung
macht es auch noch möglich, die Steuerleitungen der Anordnung
in einer Vielzahl von fortlaufend numerierten Sätzen
anzuordnen, wobei jeder Satz die gleiche Zahl von fortlaufend
numerierten Leitern besitzt, um die Einrichtungen
eines Satzes in einer bestimmten Zeile gleichzeitig zu
adressieren oder abzufragen. Daher kann eine Anzahl von
Ausgangssignalen erzeugt werden, die der Anzahl der Leiter
in einem Satz entspricht. Die Ausgangssignale können durch
ein Multiplex-Verfahren zur Erzielung eines zusammengesetzten
Ausgangssignals weiterverarbeitet werden. Die Abmessungen
der Anordnung und damit die Zahl der in ihr enthaltenen
Einrichtungen kann bei dieser Anordnung wesentlich
vergrößert werden, ohne die Adressiergeschwindigkeit
für einen einzelnen Platz zu vergrößern.
Die Bilderfassungsvorrichtung nach Fig. 7 kann leicht dazu
benutzt werden, eine Vielzahl von ineinandergeschalteten
Videosignalen zu erzeugen, die jeweils ein anderes
Farbfeld darstellen. Die für diese Betriebsart an der
Bilderfassungsvorrichtung vorzunehmenden Erweiterungen
enthalten ein erstes Farbfilter, das eine Strahlung durchläßt,
die beispielsweise der Farbe Blau entspricht, und das alle
Einrichtungen überdeckt, die mit den Spaltenleitern Nr. 1
aller Sätze verbunden sind. Ein zweites Filter, das die
Strahlung einer anderen Farbe, beispielsweise Rot, durchläßt
und dann alle Einrichtungen der Anordnung überdeckt,
die mit den Spaltenleitern Nr. 2 aller Sätze der Anordnung
verbunden sind. Die Filter können mechanisch an der Anordnung
50 nach Fig. 3 angebracht oder darin nach an sich
bekannten Verfahren ausgebildet sein. Beispielsweise können
durch Dünnschicht-Filmverfahren Interferenzfilter für
selektive Wellenlängen gebildet werden, wobei dann mehrere
Schichten mit geeigneter Dicke und dielektrischer Konstante
auf einem Substrat aufgebracht werden. Für die vorliegende
Anordnung können solche Schichten unmittelbar
auf dem Substrat durch eine Aperturmaske aufgebracht
werden, die die Abmessungen jedes Filters bestimmt. Die Lage
der Ecken des ersten Filters auf den Einrichtungen, die
mit dem Spaltenleiter Y₁ verbunden sind, ist durch die
Punkte a₁, b₁, c₁ und d₁ und die Lage der Ecken des
zweiten Filters auf den Einrichtungen, die mit dem Spaltenleiter
Y₂ verbunden sind, durch die Punkte a₂, B₂, C₂ und
D₂ angedeutet. Die Filter werden dann in ähnlicher Weise
über den Einrichtungen angebracht, die mit den Spaltenleitern
Y₃ und Y₄ verbunden sind. Die Filter können alternativ
sowohl für nicht sichtbare als auch für sichtbare
Strahlung durchlässig sein.
Für ein Drei-Farben-System werden die Spaltenleiter der
Anordnung in Sätzen zusammengefaßt, die jeweils drei
Spaltenleiter enthalten. Ein erstes Farbfilter zum Durchlassen
der Strahlung der einen Farbe, beispielsweise Rot,
wird dann über allen Anordnungen angebracht, die mit den
Spaltenleitern Nr. 1 aller Sätze verbunden sind. Ein
zweites Filter zum Durchlassen der Strahlung einer anderen
Farbe, beispielsweise Grün, wird über allen Einrichtungen
der Anordnung angebracht, die mit den Spaltenleitern Nr. 2
aller Sätze verbunden sind. Ein drittes Filter zum Durchlassen
der Strahlung einer dritten Farbe, beispielsweise
Blau, wird über allen Einrichtungen der Anordnung angebracht,
die mit den Spaltenleitern Nr. 3 aller Sätze verbunden
sind.
Vorstehend wurde eine Betriebsart der Bilderfassungsvorrichtung
nach Fig. 7 beschrieben, bei der die Spaltenleiter
eines Satzes gleichzeitig angesteuert werden, um eine
Injektion der Ladung der durch diese gesteuerten Einrichtungen
zu bewirken. Es können aber auch die Spaltenleiter
eines Satzes in Sequenz angesteuert werden. Beispielsweise
werden dann bei einem Drei-Farben-System, bei dem drei
Spaltenleiter in jedem Satz vorgesehen sind, die Spaltenleiter
Nr. 1 der Sätze zur Auslesung während des ersten
Abtastfeldes, die Spaltenleiter Nr. 2 der Sätze zur
Auslesung während des zweiten Abtastfeldes und die
Spaltenleiter Nr. 3 der Sätze für die Auslesung während des
dritten Abtastfeldes adressiert. Die auf diese Weise erhaltenen
drei Videosignale ergeben dann bei Zuführung zu einer
geeigneten Sichtwiedergabe-Einrichtung ein verschachteltes
Muster in dem reproduzierten Farbbild.
Fig. 9 stellt eine weitere Art der Integration des
Stromflusses in der Steuerleitung der Einrichtung nach Fig. 1A
dar. Die Elemente der Einrichtung und Schaltung nach
Fig. 9, die identisch sind mit den Elementen und
Schaltungselementen der Einrichtung nach Fig. 1A, sind mit
gleichen Bezugszahlen versehen. In der Anordnung nach Fig. 9
ist ein Stromtransformator 180 vorgesehen, dessen
Primärwicklung zwischen die Platte 15 und Spannungsversorgung
24 geschaltet ist. Ein hoher ohmscher Widerstand 181 liegt
an der Sekundärwicklung des Transformators. Ferner ist
ein Ladungsdetektor vorgesehen, der einen Verstärker 182
mit hoher Impedanz und einen Integrator 183 enthält. Der
Integrator enthält einen ohmschen Widerstand 185 und einen
Integrations-Kondensator 186 in Reihenschaltung und einen
Rechenverstärker 187, dessen Ausgang durch den Kondensator
186 mit seinem umkehrenden Eingang verbunden ist. Der
Rückstellschalter 25 überbrückt den Integrationskondensator
186. Der Betriebsablauf der Schaltung nach Fig. 9 ist
identisch mit dem nach den Fig. 1A bis 1D und ist am
besten verständlich anhand der Impulsdiagramme der Fig.
10A bis 10C, die mit denen der Fig. 2A bis 2C übereinstimmen.
Fig. 10A zeigt den Verlauf der Versorgungsspannung
am Ausgang der Versorgung 24. Die Fig. 10B zeigt den
Verlauf des Stromflusses in der Primärwicklung des Transformators
180. Fig. 10C zeigt den Verlauf der Spannung am
Integrationskondensator 186. Dabei stellen die Fig. 10A
bis 10C den Betriebsablauf für gleiche Verhältnisse der
Ladungsspeicherung in der Einrichtung wie in den Fig. 1A
bis 1C dar, d. h. für einen Zustand, in dem keine durch
Strahlung erzeugte Ladung gespeichert wurde, und den
anderen Zustand, in dem eine durch Strahlung erzeugte Ladung
gespeichert wurde. Der grundsätzliche Unterschied zwischen
den Schaltungen nach Fig. 1A und Fig. 9 besteht darin,
daß anstelle des Integrationskondensators in der
Steuerleitung ein Stromtransformator vorgesehen ist und die
Steuerspannung der Steuerleitung 16 unmittelbar zugeführt
wird.
Fig. 11 stellt eine weitere Art der Auslesung der in der
Einrichtung 10 gespeicherten Ladung dar. Die Elemente der
Einrichtung und Schaltung nach Fig. 11, die identisch sind
mit den Elementen und der Schaltung nach Fig. 1A, sind
mit gleichen Bezugszahlen versehen. Der wesentliche Unterschied
der Schaltung nach Fig. 11 gegenüber der Schaltung
nach Fig. 1A besteht darin, daß ein Anschluß des
Integrationskondensators 17 geerdet ist und dadurch ein
Differenzverstärker zur Verstärkung der Videosignale, die am
Integrationskondensator abgenommen werden, entfällt. In
dieser Schaltung ist die Versorgungsleitung 16 über einen
ersten Schalttransistor 191 mit einem Anschluß des
Integrationskondensators 17 verbunden, dessen anderer Anschluß
geerdet ist. Die Steuerleitung 16 ist auch noch über
einen zweiten Schalttransistor 192 mit dem negativen Pol
einer Spannungsquelle 193 für 15 V verbunden, deren positiver
Pol mit dem ungeerdeten Anschluß des Integrationskondensators
17 verbunden ist. Ein Steuerteil 194 liefert
zwei Steuerspannungen G₁ und G₂. Die Steuerspannung G₁
betätigt den Steueranschluß des ersten Transistors 191
und die Steuerspannung G₂ den Steueranschluß des zweiten
Transistors 192. Der Rückstellschalter 25 liegt parallel
zum Kondensator 17. Das Ausgangssignal wird zwischen dem
ungeerdeten Anschluß des Kondensators 17 und Masse abgenommen.
Die Arbeitsweise der Einrichtung und Schaltung nach Fig.
11 wird nachstehend anhand der Fig. 12A, 12B, 12C, 12D
und 12E erläutert. Die Fig. 12A zeigt die Spannung, die
auf der Steuerleitung 16 oder der Platte 15 erscheint und
hat den gleichen Verlauf wie die in Fig. 2A dargestellte.
Fig. 12B stellt den Verlauf des Auslesestroms in der
Steuerleitung 16 dar. Dieser gleicht dem Auslesestrom nach
Fig. 2B. Fig. 12C stellt die Spannung am Integrationskondensator
17 dar, die mit Ausnahme der Polarität dem
Spannungsverlauf nach Fig. 2C gleicht. Fig. 12D stellt den
Verlauf der Steuerspannung G₁ dar, die dem Steueranschluß
des ersten Schalttransistors 191 zugeführt wird. Fig. 12E
stellt den Verlauf der Steuerspannung G₂ dar, die dem
Steueranschluß des zweiten Schalttransistors 192 zugeführt
wird. Wie in den Fig. 2A bis 2C sind zwei Betriebszyklen
der Einrichtung dargestellt, wobei einmal keine Ladung
in der Einrichtung gespeichert wird und im anderen Falle
eine Ladung in der Einrichtung gespeichert wird. Die Teile
der Kurven nach den Fig. 12A bis 12C, die Teilen der
Kurven nach den Fig. 2A bis 2C gleichen, sind mit gleichen
Bezugszahlen versehen.
Um die in der Verarmungszone 22 gespeicherte Ladung
auszulesen, wird zunächst der Steuerimpuls 195 nach Fig. 12D
dem Steueranschluß des Schalttransistors 191 zugeführt.
Er erdet praktisch die Steuerleitung 16 und die Platte
15 und bewirkt, daß ein Stromimpuls in den Integrationskondensator
17 fließt. Durch Rückführung der Steuerspannung
am Schalttransistor 191 auf Null und Zuführung eines
Steuerimpulses 196 nach Fig. 12E zum zweiten Schalttransistor
192 wird die Steuerleitung 16 auf den Wert von -15
Volt bzw. den Spannungswert für die Speicherung zurückgeführt.
Diese beiden Schaltvorgänge schalten die Spannungsquelle
193 für 15 Volt in Reihe mit der geringen Spannung
am Integrationskondensator 17 an die Steuerleitung 16.
Wie gezeigt, wird der zweite Schalttransistor durch den
Steuerimpuls 196 über denjenigen Zeitpunkt hinaus
eingeschaltet gehalten, in dem der Rückstellschalter 25
geschlossen wird, um den Spannungswert an der Steuerleitung
16 und an der Platte 15 auf genau 15 Volt zu setzen. Durch
diese Schaltvorgänge wird der Spannungsverlauf nach Fig.
12C bewirkt. Die im Zusammenhang mit den Fig. 9 und 11
beschriebene Art der Abtastung der Ladung kann leicht in
dem Gerät nach Fig. 7 ausgeführt werden.
Vorstehend wurde die Erfindung in Verbindung mit einer
Anordnung beschrieben, die aus einem Substrat mit n-Leitfähigkeit
besteht. Es könnte jedoch ebensogut ein Substrat
mit p-Leitfähigkeit verwendet werden. Gegebenenfalls würden
die angelegten Spannungen in ihrer Polarität umgekehrt
und die Richtung der Ströme wäre ebenfalls umgekehrt.
Vorstehend ist eine Ausführungsform beschrieben, bei der
das von der gesamten gespeicherten Ladung erzeugte Signal
in den Hauptteil des Halbleiters bei einem festen Potential
oder Massepotential injiziert wird. Das Signal kann
jedoch auch aus der Injektion eines Bruchteils der Ladung
erhalten werden. Weiterhin ist es nicht notwendig, daß
die Ladung in den Hauptteil des Halbleiters zur Rekombination
in demselben injiziert wird; es kann vielmehr lediglich
die Signalladung von der Zelle abgezogen werden, so
daß sie nicht beim Neuaufbau des Zellenpotentials wieder
gesammelt wird.
Claims (12)
1. Bilderfassungsvorrichtung, aufweisend:
- - ein Substrat (11; 55) aus Halbleitermaterial eines Leitfähigkeitstyps (n) mit einer Hauptoberfläche,
- - eine Vielzahl von ersten leitenden Platten (14; 61), die jeweils isoliert über der Hauptoberfläche liegen und einen ersten Kondensator aus Leiter-Isolator-Halbleiter mit dem Substrat (11; 55) bilden,
- - eine Vielzahl von zweiten leitenden Platten (15; 62), die jeweils benachbart zu einer ersten leitenden Platte (14 bzw. 61) angeordnet sind, zur Bildung einer Vielzahl von Plattenpaaren, wobei die Plattenpaare in einer Matrix aus Zeilen und Spalten angeordnet sind und jede der zweiten leitenden Platten (15; 62) isoliert über der Hauptoberfläche liegt, mit dem Substrat (11; 55) einen zweiten Kondensator aus Leiter-Isolator-Halbleiter bildet und mit einem entsprechenden ersten Kondensator gekoppelt ist,
- - eine Vielzahl von Spaltenleitern (Y₁ bis Y₄), wobei die zweiten leitenden Platten (15; 62) in jeder Spalte mit einem entsprechenden Spaltenleiter verbunden sind,
- - eine Vielzahl von Zeilenleitern (X₁ bis X₄), wobei die ersten leitenden Platten (14; 61) in jeder Zeile mit einem entsprechenden Zeilenleiter verbunden sind,
- - eine erste Spannungsversorgung (86) zur Erzeugung einer ersten Spannung (V x ) zwischen den Zeilenleitern und dem Substrat (11; 55) zur Verarmung entsprechender erster darunterliegender Teile des Substrats an Majoritätsladungsträgern,
- - eine zweite Spannungsversorgung (24), die in den die Spaltenleiter und das Substrat (11; 55) aufweisenden Stromkreis zur Einstellung einer zweiten Spannung (V y ) zwischen den Spaltenleitern und dem Substrat und zur Verarmung entsprechender darunterliegender Teile des Substrats an Majoritätsladungsträgern geschaltet ist.
- - Einrichtungen zur Belichtung des Substrats (11; 55) mit Strahlung und zur Speicherung der Ladung in den ersten und zweiten Teilen des Substrats,
- - erste Schalteinrichtungen zum Ab- und Wiederanschalten der ersten Spannung (V x ) an jeden der Zeilenleiter in Sequenz während einer ersten Zeitperiode,
- - zweite Schalteinrichtungen zum Ab- und Wiederanschalten der zweiten Spannung (V y ) auf jeden der Spaltenleiter in Sequenz während einer entsprechenden zweiten Zeitperiode, die kürzer ist als die erste Zeitperiode, wobei jede dieser zweiten Zeitperioden in der ersten Zeitperiode enthalten ist,
- - eine Schaltung, die in Sequenz zwischen jeden der Spaltenleiter und das Substrat während einer entsprechenden zweiten Periode geschaltet ist, wodurch die in jedem der zweiten Halbleiter-Kondensatoren gespeicherte Ladung aus den entsprechenden zweiten Kondensatoren in Sequenz ausgetrieben wird und ein entsprechender Strom in der Schaltung fließt, wobei die Schaltung Ausgangssignale erzeugt, die jeweils ein Integral eines entsprechenden Stromflusses darstellen,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - das Substrat (11; 55) auf einem festen Potential gegenüber der zweiten Spannungsversorgung (24) liegt und
- - die Ausgangssignale von den Spaltenleitern (Y₁ bis Y₄) abgenommen werden.
2. Bilderfassungsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Integrationskondensator (17)
zwischen die zweiten leitenden Platten (15) und
die zweite Spannungsversorgung (24) geschaltet ist.
Bilderfassungsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Integrationskondensator (17)
zwischen das Substrat (11; 55)
und die zweite Spannungsversorgung (24)
geschaltet ist.
4. Bilderfassungsvorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Spannungsversorgung (24) aufweist: eine Spannungsquelle
(193) für einen vorbestimmten Spannungswert, deren einer
Pol mit dem Integrationskondensator (17)
und über eine erste Schalteinrichtung (191) mit den
zweiten Platten (15) und deren anderer Pol über eine zweite
Schalteinrichtung (192) mit den zweiten leitenden Platten
(15) verbunden ist, und eine Einrichtung zum Einschalten
der ersten Schalteinrichtung (191), um die Spannung der
zweiten leitenden Platten (15) auf einen anderen Wert
abzusenken, und zum anschließenden Ausschalten der ersten
Schalteinrichtung (191), sowie zum Einschalten der zweiten
Schalteinrichtung (192), um die Spannungsquelle (193) mit
den zweiten leitenden Platten (15) zu verbinden und deren
Spannung wieder auf den einen vorbestimmten Wert anzuheben.
5. Bilderfassungsvorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Stromtransformator (180) mit seiner
Primärwicklung zwischen die zweiten leitenden Platten (15) und die zweite
Spannungsversorgung (24) geschaltet ist.
6. Bilderfassungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Spaltenleiter in einer Vielzahl von fortlaufend
numerierten Sätzen angeordnet sind und jeder Satz die
gleiche Anzahl von fortlaufend numerierten Spaltenleitern
enthält, daß eine Vielzahl von fortlaufend numerierten
Anschlüssen mit gleicher Anzahl wie die Anzahl der Sätze
vorgesehen sind und jeder Spaltenleiter durch einen
entsprechenden Spaltenschalter mit einem entsprechend
numerierten Anschluß verbunden ist, daß Einrichtungen zur
Betätigung der Spaltenschalter jedes Satzes während der
zweiten Zeitperioden und zur Verbindung der Spaltenleiter
jedes Satzes nacheinander mit den Anschlüssen vorgesehen
sind, daß eine Vielzahl von Stromkreisen vorgesehen ist,
die jeweils zwischen einen entsprechenden Anschluß und
die zweite Spannungsversorgung geschaltet sind, und daß
die zweiten Schalteinrichtungen zum Ab- und Wiederanschalten
der zweiten Spannung an den Anschlüssen während der
zweiten Zeitperioden und zum gleichzeitigen Austreiben
der in den zweiten Halbleiter-Kondensatoren jedes Satzes
gespeicherten Ladung aus den entsprechenden zweiten
Kondensatoren und zur Erzeugung eines gleichzeitigen
Stromflusses in jedem der Stromkreise vorgesehen sind, wobei
jeder der Stromkreise Einrichtungen zur zeitlichen Integration
der Stromflüsse und zur Erzeugung eines entsprechenden
Ausgangssignals von in Sequenz auftretenden Spannungswerten
besitzt.
7. Bilderfassungsvorrichtung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß jeder der Sätze von Spaltenleitern aus zwei Spaltenleitern
besteht.
8. Bilderfassungsvorrichtung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß jeder der Sätze von Spaltenleitern aus drei Spaltenleitern
besteht.
9. Bilderfassungsvorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die ersten und zweiten Halbleiter-Kondensatoren der
ungeradzahligen Spalten zur Aufnahme von Strahlung in einem
Wellenlängenbereich und die geradzahligen Spalten der
ersten und zweiten Halbleiter-Kondensatoren zur Aufnahme
von Strahlung in einem anderen Wellenlängenbereich eingerichtet
sind.
10. Bilderfassungsvorrichtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die dem ersten Spaltenleiter jedes Satzes zugeordneten
ersten und zweiten Halbleiter-Kondensatoren mit ersten
Filtern ausgestattet sind, die die Strahlung in einem
ersten Wellenlängenbereich durchlassen, und die ersten und
zweiten Halbleiter-Kondensatoren, die dem zweiten Spaltenleiter
jedes Satzes zugeordnet sind, mit zweiten Filtern
ausgestattet sind, die Strahlung in einem zweiten
Wellenlängenbereich durchlassen, und die ersten und zweiten
Halbleiter-Kondensatoren, die dem dritten Spaltenleiter
jedes Satzes zugeordnet sind, mit dritten Filtern ausgestattet
sind, die Strahlung in einem dritten Wellenlängenbereich
durchlassen.
11. Bilderfassungsvorrichtung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß die ersten, zweiten und dritten Filter solche Filter
sind, die jeweils Wellenlängen des Lichtes entsprechend
einer der drei Grundfarben Rot, Grün und Blau durchlassen.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US441054A US3890500A (en) | 1974-02-11 | 1974-02-11 | Apparatus for sensing radiation and providing electrical readout |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2504245A1 DE2504245A1 (de) | 1975-08-14 |
| DE2504245C2 true DE2504245C2 (de) | 1988-01-28 |
Family
ID=23751320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19752504245 Granted DE2504245A1 (de) | 1974-02-11 | 1975-02-01 | Geraet zur erfassung von strahlung und zur erzeugung einer elektrischen auslesung |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3890500A (de) |
| JP (1) | JPS5838940B2 (de) |
| DE (1) | DE2504245A1 (de) |
| FR (1) | FR2260874B1 (de) |
| GB (1) | GB1491304A (de) |
| NL (1) | NL7500744A (de) |
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-
1974
- 1974-02-11 US US441054A patent/US3890500A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-01-22 GB GB2761/75A patent/GB1491304A/en not_active Expired
- 1975-01-22 NL NL7500744A patent/NL7500744A/xx not_active Application Discontinuation
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Also Published As
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| FR2260874B1 (de) | 1981-04-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition |