DE68905268T2 - Photoempfindliche matrix mit zwei dioden gleicher polaritaet und einer kapazitaet pro photoempfindlichem punkt. - Google Patents
Photoempfindliche matrix mit zwei dioden gleicher polaritaet und einer kapazitaet pro photoempfindlichem punkt.Info
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
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