DE2008065B2 - - Google Patents

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DE2008065B2
DE2008065B2 DE2008065A DE2008065A DE2008065B2 DE 2008065 B2 DE2008065 B2 DE 2008065B2 DE 2008065 A DE2008065 A DE 2008065A DE 2008065 A DE2008065 A DE 2008065A DE 2008065 B2 DE2008065 B2 DE 2008065B2
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Description

Die Erfindung bezieht sich aiii eine nichtlineare Impedanzeinrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
In monolithischen Speichern spielt die Wärmeableitung eine wesentliche Rolle. Das Problem wächst mit fortschreitender Miniaturisierung der Bauelemente für eine angestrebte, möglichst hohe Packungsdichte. Bei Vergrößerung der Bitdichte werden hochentwickelte und teure Kühlvorrichtungen erforderlich, die die Herstellungskosten der monolithischen Speicher erhöhen und die Arbeitsgeschwindigkeit und die Größe des Speichers begrenzen.
Man ist daher bestrebt, die Verlustwärme der Speicherzellen zu verringern. Ein Weg dazu besteht darin, den Leistungsverbrauch jeder Zelle so niedrig wie möglich zu machen.
Für Halbleiterspeicher aus Feldeffekttransistoren ist es bereits bekannt, nichtlineare Lastimpedanzen zur Verringerung der Leistungsaufnahme von Speicherzellen zu verwenden. So ist z. B. im IBM TDB, Vol. 9, Nr. 4, September 1966, Seiten 420 und 421, eine Impedanzeinrichuing aus komplementären Feldeffekttransistoren bekanntgeworden und aus dem IBM TDB, Vol. 11, Nr. 6, November 1968, Seiten 592 und 593, eine mit den kreuzgekoppelten Feldeffekttransistoren in Reihe liegende Diode. Bedingt dadurch, daß es sich bei den Feldeffekttransistoren um spannungsgesfeuertc Halbleiterbauelemente und bei den bipolaren Transistoren um stromgesteuerte Halbleiterbauelemente handelt, die völlig verschiedene Betriebscharakteristiken und Widerstandscharakteristiken aufweisen, sind diese Lösungen für Speicher mit bipolaren Transistoren nicht
brauchbar.
Außerdem ist durch das US-Patent 3226 574 für Speicherzellen mit bipolaren Transistoren eine Lastimpedanz aus einem in Reihe geschalteten Ohmschen Widerstand mit einer Halbleiterdiode bekanntgeworden. Für die Stromversorgung dieses Speichers werden zwei Strompegel unterschiedlicher Höhe, nämlich einer für den Ruhezustand der Speicherzelle und einer für den Betriebszustand der Speicherzelle verwendet Der
ίο mittlere Leistungsverbrauch jeder dieser Speicherzellen wird dadurch reduziert, daß der Ruhestrompegel im Vergleich zum niedrigen nur für eine relativ kurze Zeitspanne angelegt wird. Damit ist jedoch der Nachteil verbunden, daß der Strom im Zeitraum des niedrigen Pegels doch noch auf einem relativ hohen Wert gehalten werden muß um sicherzustellen, daß die Speicherzelle stabil bleibt, d.h. nicht unerwünscht in einen anderen Speicherzustand umschaltet Obwohl hier gezeigt ist, daß durch die Einführung einer nichtlinearen Impedanz zwei Strompegel unterschiedlicher Höhe für die Stromversorgung verwendet werden können, wodurch die Leistungsaufnahme reduziert werden kann, hat diese Lösung jedoch den Nachtet!, daß einmal der rein Ohmsche Widerstand in monolithischer Technik einen sehr hohen Platzbedarf aufweist und zum anderen die Leistungsaufnahme noch nicht auf einen Wert gesenkt werden kann, der wünschenswert wäre, um das stabile Arbeiten der Speicherzellen nicht zu gefährden.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde,
jo eine nichtlineare Impedanzeinrichtung für Speicherzellen mit kreuzgekoppeiien bipolaren Transistoren zu schaffen, die den Leistungsbedarf im Zeitraum des niedrigen Strompegels ohne Gefahr eines unerwünschten Umschaltens der Speicherzelle in den anderen
j5 Zustand und ohne Verringerung der Arbeitsgeschwindigkeit noch wesentlich weiter reduziert
Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe besteht im Kennzeichen des Patentanspruchs 1. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus dem
Kennzeichen des Patentanspruchs 2.
Durch die Verwendung der Dioden in Reihe mit je einem kreuzgekoppelten bipolaren Transistor der Speicherzelle wird der Vorteil erzielt, daß eine Spannungsverstärkung von mindestens zwei erreicht wird, wenn einer der beiden kreuzgekoppelten Transistoren sich im leitenden Zustand befindet, und zwar auch dann, wenn die Stromquelle einen sehr niedrigen Strom liefert da die Impedanz jeder der in Reihe geschalteten Dioden genauso groß ist wie die Impedanz der Basis-Emitter-Verbindung eines kreuzgekoppelten Transistors. Somit stellt die Verwendung von zwei in Reihe, geschalteten Dioden sicher, daß einer der kreuzgekoppelten Transistoren sicher leitend bleibt, auch wenn die Stromquelle nur einen sehr kleinen oder niedrigen Strom liefert. Damit werden ohne Einbuße an die Funktionssicherheit die Vorteile einer Verminderung des Stromverbrauchs der Speicherzelle und damit der Verlustwärme erzielt, wodurch die Bitdichte steigt. Dieses; wiederum führt zu einer Senkung der Kosten pro Bit. Durch die aufgrund des Verhältnisses größer als 1 erzielte Spannungsverstärkung wird sichergestellt, daß der leitende Transistor leitend und der nichtleitende Transistor nichtleitend bleibt.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen im
h5 einzelnen erläutert. Es zeigen
. Fig. I bis 6 Schaltbilder verschiedener Speichereinheiten, die die erfindungsgemäße nichtlineare Impedanzeinrichtung benutzen, und
Fi g, 7 zwei Kurven, die das Verhältnis von Strom und Spannung einer Speicherzelle mit einer erfindungsgemftßen nichtlinearen Impedanzeinrichtung zeigen.
In Fig. t ist eine Flip-Flop-Speicherzelle 10 mit den beiden kreuzgekoppelten NPN-Transistoren U und 12 gezeigt Jeder Transistor ist mit seiner Basis an den Kollektor des anderen Transistors angeschlossen.
Der Kollektor des Transistors U ist über zwei in Reihe geschaltete Dioden 13 und 14 an einen Leiter 15 angeschlossen. Dieser ist über einen Schalter 16, der z, B. durch eine-,i Transistor gebildet werden kann, an eine Spannungsquelle 17 angeschlossen, die die Schaltung mit einem niedrigen konstanten Strom versorgt und an eine Spannungsquelle 18, die die Schaltung mit einem hohen konstanten Strom versorgt Der Kollektor des Transistors 12 ist ebenfalls über die in Reihe geschalteten Dioden 19 und 20 an den Leiter 15 angeschlossen.
Durch Verwendung der Dioden 13 und 14 in Reihe mit dem Transistor 11 und der Dioden 19 und 20 in Reihe mit dem Transistor 12 wird eine Spannungsverstärkung von mindestens 2 sichergestellt wenn einer der beiden Transistoren 11 und 12 sich im ieitenden Zustand befindet auch wenn die Stromquelle 17 einen sehr niedrigen Strom liefert da die Impedanz jeder der Dioden 13 und 14 oder 19 und 20 genauso groß ist wie die Impedanz über der Basis-Emitter-Verbindung des Transistors 11 oder 12. Somit stellt die Verwendung von zwei in Reihe geschalteten Dioden sicher, daß der Transistor U oder 12 leitend bleibt, auch wenn die Stromquelle 17 nur einen sehr niedrigen Strom liefert.
Der Transistor 11 ist mit einem ersten Emitter 21 mit Erde verbunden, und zwar über einen Leiter 22 und einen Widerstand 23. Der Transistor 12 ist mit einem ersten Emitter 24 auf demselben Weg mit Erde verbunden. Jede andere Speicherzelle in einer bestimmten Reihe des monolithischen Speichers ist auf ähnliche Weise mit Erde verbunden. In derselben Zeile wie die Speicherzelle 10 ist eine weitere Speicherzelle 25 gezeigt die ebenfalls an den Leiter 22 angeschlossen ist.
Der Transistor 11 ist mit einem zweiten Emitter 26 an eine »O«-Bit-Leitung 27 angeschlossen. Der Transistor 12 ist mit einem zweiten Emitter 28 an eine »!«-Bit-Leitung 29 angeschlossen. Die Bitleitungen 27 und 29 sind über Widerstände 31 bzw. 32 mit einem Treiber 30 verbunden. Der Treiber 30 kann ein NPN-Transistor sein, dessen Emitter geerdet ist und dessen Kollektor mit den Widerständen 31 und 32 verbunden ist.
Die Bitleitungen 27 und 29 sind außerdem mit allen anderen Speicherzellen verbunden, die in derselben Spalte angeordnet sind wie die Speicherzelle 10. Eine weitere Zelle 33 ist in derselben Spalte gezeigt und mit den Leitungen 27 und 29 verbunden.
Die Zelle 33 ist mit einer Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 34 oder einer Stromquelle für konstanten hohen Strom 35 über den Schalter 36 und eine Leitung 37 verbunden. Wenn der Treiber 30 erregt wird und das Potential auf den Leitungen 27 und 29 ändert, wird somit gleichzeitig nur eine der mit dem Treiber 30 verbundenen Zellen erregt was davon abhängt, welche Zelle in der Spalte mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom verbunden ist.
Wenn z. B. der Schalter 16 mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 18 verbunden ist, wird aus der Zelle 10 gelesen oder in die Zeile geschrieben, da keine andere Zelle in dieser Spalte gleichzeitig mit der Zelle 10 über ihren Schalter mit der Stromciuelle für
ίο
konstanten hohen Strom verbunden sein kann, d. h,, der Schalter 36 kann nicht mit der Stromquelle 35 verbunden werden, wenn der Schalter 16 bereits mit dieser Stromquelle for konstanten hohen Strom IK durch die Decodierschaltungen verbunden ist
Wenn die Zelle HO mit der Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 17 verbunden ist fließt ein sehr kleiner Strom durch die Zelle, Infolgedessen führt die Leitung 22 im wesentlichen Erdpotential, da am Widerstand 23 nur ein sehr kleiner Spannungsabfall auftritt Somit ruft eine Potentialänderung auf den Leitungen 27 und 29, angeregt durch den Treiber 30, nicht die Abgabe oder den Empfang eines Signais durch die Transistoren 11 und 12 von den Leitungen 27 und 29 hervor, wenn die Zelle 10 mit der Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 17 verbunden ist. Solange also eine Zelle mit ihrer Stromquelle für konstanten niedrigen Strom verbunden ist resultiert die Erregung des Treibers für seine Bitleitungen nicht im Auslesen oder Einschreiben der jeweiligen Zelle.
Sobald eine der Zellen in der Spalte der Zelle 10 gelesen oder geschrieben werden so"', wird der Treiber 30 erregt und ändert das Potential auf de-t Leitungen 27 und 29. Wenn gelesen werden soll, muß ein Schalter 38 der Bitleitung 27 mit dem Erdkontakt 39 und die Bitleitung 29 über einen Schalter 40 mit dem Erdkontakt 41 verbinden werden.
Somit ist beim Lesen die bestimmte Zelle in der Spalte mit dem Treiber 30, mit den Bitleitungen 27 und 29 und mit der Stromquelle für hohen Strom verbunden. Wenn die Zelle 10 die zu lesende Zelle ist, ist der Schalter 16 mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 18 verbunden.
Besteht diese Verbindung, so fließt Strom durch den Ieitenden der beiden Transistoren U und 12 und verursacht einen wesentlichen Spannungsabfall am Widerstand 23. Dementsprechend steigt das Potential auf der Leitung 22 von Erdpotential an. Dadurch fließt ein Strom durch den leitenden Transistor auf die angeschlossene Leitung 27 oder 29. Wen»; der Transistor 12 leitet, verursacht also der Potentialanstieg auf der Leitung 22 einen StromfluB durch den Emitter 28 auf uie Leitung 29. Der Treiber 30 liegt natürlich an Erdpoteniial, wodurch der Strom durch die Leitung 29 und den Treiber 30 fließt und ein Signal auf dieser Leitung erzeugt. Somit würde ein nicht dargestellter Abfrageverstärker, der an die Leitungen 27 und 29 angeschlossen ist, sicherstellen, daß das Signal von der Speicherzelle 10 den leitenden Zustand des Transistors 12 anzeigt.
Wenn eine neue Information in die Speicherzelle 10 geschrieben werden soll, wird der Treiber 30 wieder erregt und ein Schalter 38 oder 40 in die Erdkontaktstellung geschaltet. Wenn eine Information in eine Zelle über c'ie »O«-Bit-Leitung 27 geschrieben werden soll, wird der Schalter 40 für die Leitung 29 mit einem Kontakt 42 verbunden, welcher seinerseits an sine erste positive Spannungsquelle + V angeschlossen ist. Wenn eine Information in eine Zelle über die »!«-Bit-Leitung 29 geschrieben werden soll, wird der Schalter 38 der Leitung 27 mit einem Kontakt 43 verbunden, der seinerseits an eine zweite positive Spannungsquelle + V angeschlossen ist. Außerdem muß der Schalier 16 der Zelle 10 mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 16 verbunden werden.
Wenn eine Information in die Zelle 10 über die Leitung 27 geschrieben werden soll, stellt der Schalter 40 die Verbindung zum oositiven Snannunysknntakt 42
her, und eine Diode 44 in der Leitung 29 hall das Potential auf der Leitung 29, so daß es nicht abfällt, wenn der Treiber 30 durch Anlegen der Leitung 29 an das positive Potential des Kontaktes 42 erregt wird. Somit kann nur das Potential auf der Leitung 27 abfallen. In gleicher Weise verhindert eine Diode 45 in der Leitung 27 einen Spannungsabfall auf dieser Leitung, wenn über die »!«-Bit-Leitung 29 geschrieben werden soll. Zur Verbindung der Leitung 27 mit positivem Potential muß der Schalter 38 natürlich mit dem positiven Spannungskontakt 43 verbunden sein.
Wenn angenommen wird, daß der Transistor 12 leitend ist und der Transistor 11 durch Schreiben über die Leitung 27 eingeschaltet und dadurch der Zustand der bistabilen Zelle 10 geändert werden soll, wird der Schalter 38 mit dem Erdkontakt 39 verbunden, wahrend der Schalter 40 mit dem positiven Spannungskontakt 42 verbunden wird. Wenn der Schalter 16 dann an die ^tTGfTiQuCIiC luT ivOnStSnicM iiGii€ii ^iTOtTt ίο ärigcäümGäsen wird, fließt Strom durch den Transistor 12 zum Emitter 24, wodurch der Spannungsabfall am Widerstand 23 ziemlich groß wird. Dadurch wird der Emitter 24 positiv, und zwar relativ zum Emitter 26 des Transistors 11, jedoch nicht zum Emitter 28, der durch den Schalter 40 positiv gehalten wird.
Die Basis des Transistors 11 ist am Anfang relativ zur Basis des Transistors 12 um einige 100 Millivolt negativ, wodurch der Transistor 11 nichtleitend wird. Wenn jedoch der Emitter 26 des Transistors 11 ebenfalls realtiv zum Emitter 24 des Transistors 12 um einige 100 Millivolt negativ wird, beginnt der Transistor 11 zu leiten.
Jetzt entlädt der Transistor 11 schnell die Basis des Transistors 12 und macht diesen nichtleitend. Somit wird der Transistor 11 ein- und der Transistor 12 ausgeschaltet und die Zelle 10 hat jetzt eine neue Information gespeichert.
Wenn der Transistor 11 leitend war, ais der Schalter 38 mit dem Erdkontakt 39 und der Schalter 40 mit dem positiven Spannungskontakt 42 verbunden war, wurden die Bedingungen der Transistoren 11 und 12 nicht verändert, d. h., der Transistor 11 blieb im leitenden und der Transistor 12 im nichtleitenden Zustand.
Wenn aus der Zelle 33 gelesen werden soll, ist der Treiber 30 noch erregt und die Schalter 38 und 40 noch mit den Erdkontakten 39 und 41 verbunden. Der einzige Unterschied besteht darin, daß der Schalter 36 mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 35 und nicht der Schalter 16 mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 18 verbunden ist.
Wenn eine Information in die Zelle 33 geschrieben werden soll, muß der Schalter 36 mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 35 verbunden werden. Die Schalter 38 und 40 stellen natürlich dieselben Verbindungen her wie beim Schreiben in die Zelle 10, die davon abhängen, auf welcher der Bitleitungen 27 und 29 eine Information in die Zelle geschrieben werden soll.
Gemäß Darstellung in F i g. 1 hat jede Zellenspalte ihren eigenen Treiber, d. h, die Zelle 25 ist mit einem Treiber 46 verbunden, der genauso aufgebaut ist wie der Treiber 30 für die Spalte mit den Zellen 10 und 33. Der Treiber 46 ist mit der Zelle 25 Ober eine »O«-Bit-Leitung 47 und eine »1«-Bit-Leitung 48 verbunden, die den Bitleitungen 27 und 29 entsprechen.
In der Leitung 47 liegt ein Schalter 49, der mit einem Erdkontakt 50 und einem positiven Spannungskontakt 51 zusammenarbeitet Der positive Spannungskontakt 51 ist an den Kontakt 43 angeschlossen, da alle »O«-Bit-I.eitungen für alle Zellenspalten mit derselben positiven Spannungsquelle verbunden sind. Auf ähnliche Weise ist die Leitung 48 geschaltet.
Wenn daher die in der Zelle 25 gespeicherte -, Information gelesen werden soll, muß der Treiber 46 und nicht der Treiber 30 erregt werden. Die Schalter 49 und 52 sind mit den Erdkontakten 50 bzw. 53 verbunden. Die Zelle 25 empfängt ihren Strom von der Stromquelle für konstanten hohen Strom 18 über den damit
in verbundenen Schalter 16. Die Zelle 10 wird zu diesem Zeitpunkt nicht erregt, da der Treiber 30 abgeschaltet ist.
Wenn geschrieben werden soll, wird einer der beiden Schalter 49 und 52 mit dem positiven Spannungskontakt
r, 51 bzw. 54 verbunden, während der andere mit seinem Erdkontakt verbunden bleibt. Dadurch wird eine neue Information in die Zelle 25 geschrieben, die mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 18 über den Schalter iö verbunden ist.
Die Schalter für alle Bitleitungen sind mit den positiven Spannungskontakten verbunden, wenn weder gelesen noch geschrieben wird. So sind z. B. die Schalter 38 und 40 für die Bitleitungen 27 und 29 mit den Kontakten 43 bzw. 42 verbunden.
_>-, Anstelle der Dioden 13 und 14 sowie 19 und 20 als Lastimpedanzen für die Speicherzelle 10 bei Anschluß entweder der Stromquelle für konstanten niedrigen Strom i'i oder hohen Strom 18 kann auch eine Schaltung vorgesehen werden, in der die Dioden nur in
κι der Zeit benutzt werden, in welcher ein niedriger Strom an die Transistoren 11 und 12 geliefert wird. Das gilt auch für alle übrigen Speicherzellen im Speicher.
In F i g. 2 ist diese Anordnung gezeigt, wo der Transistor 11 mit seinem Kollektor über einen
Ii Widerstand 55 und zwei Dioden 56 und 57 an eine Leitung 58 angeschlossen ist, die mit einer Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 59 verbunden ist. Diese Stromquelle 59 ist ähnlich aufgebaut wie die in Fig. 1 gezeigte Stromquelle 17 und ist mit allen anderen Speicherzellen in derselben Zeile wie die Zelle 10 verbunden.
Der Transistor 12 ist über einen Widerstand 60 und die Dioden 61 und 62 mit der Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 59 verbunden. Wenn also die Transistoren 11 und 12 nur mit der Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 59 verbunden sind, befindet sich die Zelle 10 in ihrem Ruhezustand. Somit stellen die Dioden 56 und 57 sicher, daß die Spannungsverstärkung des Transistors 11 mindestens 2 beträgt, wenn dieser
V) Transistor in der Zelle sich im leitenden Zustand befindet. In gleicher Weise stellen die Dioden 61 um/62 sicher, daß der Transistor 12 eine Spannungsverstärkung von mindestens 2 hat, wenn er leitend ist Somit bleibt der leitende der beiden Transistoren 11 und 12 in seinem leitenden Zustand, sobald er nur mit der Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 59 verbunden ist
Wenn gelesen oder geschrieben werden soll, wird eine Stromquelle für konstanten hohen Strom 64 durch einen Schalter 65 mit jedem der Transistoren 11 und 12 verbunden. Diese Stromquelle 64, die außerdem an alle anderen Zellen in derselben Zeile wie die Zelle 10 angeschlossen ist ist über eine Sperrdiode 66 und einen Widerstand 55 mit dem Transistor 11 und über eine Sperrdiode 67 und den Widerstand 60 mit dem Transistor 12 verbunden. Bei der Größe des von der Stromquelle für konstanten hohen Strom 64 gelieferten Stroms weisen die Dioden 66 und 67 im wesentlichen
keine Impedanz auf, so daß die gesamte Kollektor-Lastimpedanz für die beiden Transistoren 11 und 12 durch die Widerstände 55 bzw. 60 gebildet wird. Somit resultiert diese Anordnung in einer nichtlinearen Impedanz, die für den Transistor 11 von den Dioden 56 -, und 57 und für den Transistor 12 von den Dioden 6t und 62 gebildet wird, die nur im Ruhezustand der Transistoren 11 und 12 benutzt werden.
In Fig.3 ist eine weitere Form einer Speicherzelle gezeigt, die mit der erfindungsgemäßen nichtlinearen m Impedanz arbeitet. Die Speicherzelle umfaßt zwei NPN-Transistoren 70 und 71 mit je einem einzelnen Emitter, der mit einem Schaller 72 verbunden ist. Der Schalter 72 ist entweder an eine Stromquelle 73 angeschlossen, die einen konstanten niedrigen Strom ι; liefert oder an eine Stromquelle 74, die einen konstanten hohen Strom liefert Beide Stromquellen erzeugen einen negativen Strom.
Der Transistor 70 ist mit seinem Kollektor Ober einen Widerstand 75 und die Dioden 76 und 77 an eine Leitung >o 78 angeschlossen, die Ober einen Widerstand 79 an Erde führt Der Transistor 71 ist mit seinem Kollektor über einen Widerstand 80 und die Dioden 81 und 82 ebenfalls an die Leitung 78 und über den Widerstand 79 an Frde angeschlossen. Die Dioden 76 und 77 bilden iiic y, nichtlineare Impedanz für den Transistor 70, während die Dioden 81 und 82 die nichtlineare Impedanz für den Transistor 71 bilden.
Die Transistoren 70 und 71 sind in Flip-Flop-Schaltung miteinander verbunden. Die Bais des Transistors 70 ist mit dem Kollektor des Transistors 71 über einen Widerstand 80 verbunden, während die Basis des Transistors 71 über einen Widerstand 75 mit dem Kollektor des Transistors 70 verbunden ist
Wenn die Schaltung 72 mit der Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 73 verbunden ist entsteht am Widerstand 79 kein SpannungsabfalL Wenn die in der Zelle gespeicherte Information gelesen werden soll, wird der Schalter 72 an die Stromquelle für konstanten hohen Strom 74 angeschlossen.
Gleichzeitig wird das Potential auf den Bitleitungen 83 und 84, die den Leitungen 27 und 29 der F i g. 1 entsprechen, angehoben, da ein Treiber 84', der z. B. eine Emiüterfolgeschaltung sein kann, erregt wird. Die Leitung 83 ist Ober eine Diode 85 zwischen der Diode 76 4 und dem Kollektorwiderstand 75 angeschlossen, während die Leitung 84 Ober eine Diode 86 zwischen der Diode 81 und dem Kollektorwiderstand 80 angeschlossen ist
Außer der Erregung des Treibers 84' zur Potentialerhöhung auf den Leitungen 83 und 84 müssen diese beiden Leitungen durch Schalter 87 und 87' mit den positiven Spannungskontakten 88 und 88' über die Dioden 89 und Wf in den Leitungen 83 und 84 verbunden werden. Die Schalter 87 und 87' stehen auch ss in dieser Stellung, wenn die Speicherzelle im Ruhezustand ist
Das Potential an den Kontakten 88 und 88' ist wesentlich niedriger ab das vom Treiber 84' gelieferte Potential. Der Treiber 84' kann z.B. 3 Volt liefern, ω während das Potential an jedem der Kontakte 88 und 88' etwa 400 Millivolt betragt
Wenn also der Transistor 70 leitet, fällt das Potential auf der Leitung 78 aufgrund des Spannungsabfalls am Widerstand 79 ab. Der Transistor 70, der gerade leitet es weist im Gegensatz zum Transistor 71 einen Spannungsabfall an seinem KoUektorwiderstand 75 auf. Demzufolge leitet die Diode 85, während die Diode 86 nicht leitet. Somit wird durch ein Signal auf der Leitung 83 festgestellt, daß der Transistor 70 der Speicherzelle leitend ist Das zeigt einem Abfrageverstärker (nicht dargestellt), der mit den beiden Bitleitungen 83 und 84 verbunden ist an, daß die Zelle in der Stellung steht in welcher der Transistor 70 leitet
Wenn eine Information in die Speicherzelle geschrieben werden soll, wird der Schalter 72 wieder mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 74 verbunden. Gleichzeitig wird der Treiber 84' für die Leitungen 83 und 84 erregt Eine dieser beiden Leitungen liegt jedoch auf einem niedrigeren Potential als die andere, da der Schalter der Leitung mit seinem Erdkontakt verbunden ist
Wenn der Transistor 70 leitet und der bistabile Zustand der Zellen so geändert werden soll, daß der Transistor 71 leitend wird wird das Potential auf der Leitung 83 angehoben, während das Potential der Leitung 84 dadurch abgesenkt wird, daß der Schalter 87' an seinen Erdkontakt angeschlossen wird Dementsprechend fließt Strom durch die Diode 85 zur Basis des Transistors 71 und hebt deren Potential relativ zum Emitter an.
Durch die Verbindung der Basis des Transistors 71 mit dem Kollektor des Transistors 70 über den Widerstand 75 verhindert dieser einen zu großen Stromfluß von der Leitung 83 durch den Transistor 70. Dadurch wird ein schnelleres Umschalten des Transistors 71 in den leitenden Zustand und des Transistors 70 in den nichtleitenden Zustand ermöglicht
Wenn die Basis des Transistors 71 relativ zu seinem Emitter positiv genug wird, um einen kräftigen Strom zu ziehen, schaltet der Transistor 71 ein. Dadurch entlädt steh die Ladung an der Basis des Transistors 70 über den Widerstand 80 und den Transistor 71 und infolgedessen schaltet der Transistor 70 ab.
Wenn die Zelle in dem bistabilen Zustand war, in welchem der Transistor 71 bereits leitete, wird der bistabile Zustand der Zelle dadurch nicht geändert daß ein höheres Potential auf die Leitung 83 gegeben und das niedrigere Potential an die Leitung 84 gelegt wird Das bedeutet daß der Transistor 71 leitend und der Transistor 70 nichtleitend bleibt
Wenn eine Information in der Zeile so gespeichert werden soll, daß der Transistor 70 leitet wird das Potential auf der Leitung 84 auf einen höheren positiven Wert angehoben, während das Potential auf der Leitung 83 auf einem niedrigeren Potential gehalten wird Dadurch schaltet der Transistor 70 ein, wenn das nicht bereits geschehen ist, und der Transistor 71 schaltet aus. Wenn der Transistor 70 bereits eingeschaltet ist ändert sich natürlich der bistabile Zustand der Zelle nicht
Der Speicher verfügt natürlich über weitere Spalten mit Speicherzellen, wodurch ZeOenzeilen gebildet werden. Somit ist jede Speicherzene, die in der Zeile angeordnet ist, zu denen die Transistoren 70 und 71 gehören, über einen Schalter 72 mit einer der Stromquellen 73 und 74 verbunden. Jede dieser Zellen ist jedoch an zwei andere »0«- und »!«-Bit-Leitungen als an die Bitleitungen 83 und 84 angeschlossen, und zwar genauso, wie es im Zusammenhang mit F i g. 1 beschrieben wurde.
In F i g. 4 ist eine weitere Form eines monolithischen Speichers gezeigt, der die erfindungsgemäße nichtlineare Impedanzeinrichtung verwendet Durch die nichtlineare Impedanz wird bei jeder Speicherzelle des in Fig.4 gezeen Speichers nur ein Emitter für jeden Transistor benötigt Der Speicher nutzt die Tatsache,
daß die Größe des Stroms bei Verbindung der Stromquelle für konstanten hohen Strom mit der Speicherzelle um einige Größenordnungen höher sein kann als der im Ruhezustand der Zelle an diese gelieferte Strom. Das ist bei Verwendung der nichtlinearen Impedanzeinrichtung möglich, da diese die gewünschte Spsnnungsverstärkung Ober den leitenden Transistor bei einem sehr niedrigen Strom aufrechterhält
Gemäß F i g. 4 sind zwei Speicherzellen 90 und 91 in einer Spalte angeordnet Die Speicherzelle 90 umfaßt die beiden NPN Transistoren 92 und 93.
Der Transistor 92 ist mit seinem Emitter an die »Ow-Bit-Leitung 94 und der Transistor 93 mit seinem Emitter an die »!«-Bit-Leitung 95 angeschlossen. Die beiden Bitleitungen 94 und 95 sind an eine positive Spannungsquelle und Erde genauso angeschlossen wie die Leitungen 27 und 29 der Fig. I. Die Leitungen 94 und 95 sind außerdem an einen Treiber 96 angeschlos- **·*-. d? r ähwiift» aufgebsüt ist ϊ¥Ϊ£ der Treiber 35.
Der Transistor 92 ist mit seinem Kollektor fiber zwei in Reihe geschaltete Dioden 97 und 91, die ab nichtlineare Impedanz die Lastimpedanz für den Transistor 92 bilden, an eine Leitung 99 angeschlossen. Die Leitung 99 ist Ober einen Schalter 100 an eine Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 101 und eine Stromquelle für konstanten hohen Strom 102 geführt Die Größe des Stroms von der Quelle 102 ist um viele Größenordnungen höher ab die des Stroms von der Quelle 101.
Der Transistor 93 ist mit seinem Kollektor über zwei in Reihe geschaltete Dioden 103 und 104, die ab nichtlineare Impedanz die Lspedanz des Transistors 93 bilden, an die Leitung 99 angeschlossen. Somit sind beide Transistoren 92 und 93 gleichzeitig über den Schalter 100 mh jeweib einer der beiden Stromquellen verbunden.
Die Transistoren 92 und 93 sind in FBp-Flop-Schaltung miteinander so verbunden, daß die Basis des Transistors 92 an den Kollektor des Transistors 93 and die Basis des Transistors 93 an den Koflektor des Transistors 92 angeschlossen ist. Somit leitet nur immer emer der beiden Tn
Jede der Dioden 97 und 98 hat diesdbe Impedanz wie die Basis-Emitter-Grenzschicht des Transistors 912, ungeachtet des durch 3m fließenden KoBektorstroms. m gleicher Weise hat jede der Dioden NS und 104 cfiesebe Impedanz wie die Basis-Emitter-Grenzschicht des Trasi 93, ungeachtet des durch in fließenden Kollektorstroms. Somit liefert jeder der beiden Transistoren 92 und 93 im leitenden Zustand eine SutUHJongsveistürknng von 2, ungeachtet des durch Hin fnenenden Kollektorstroms.
Die Zdfe 9t umfallt zwei in bekannter FEp-Flop-Art NPN-Tn
>. Diese beiden TransstorcB sind eh ihren Emittern ;ui die BitlehmigCT 94 bzw.9S angeschlos
Der Transistor MS ist mit senem KoScktor über zwei Dnden 107 und MB, cfie die mchtSneare I ^sliwnwdjw fir den Reflektor des Transistors MS biden. an eine Letting 109 angeschlossen, die aber emen Silmlin IM an eme Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 111 und eise StromqaeBe für konstanten hohen Strom 112 geführt ist Die Größe des Stroms von der Quefle 112 ist um viele Größenordnungen höher alt die des Stroms vonderQueOellL.
Der Transistor 106 ist über zwei Dioden 113 und 114^ die die mehtaneare La für den KcBefaordes Transistors 106 bilden, an eine Leitung 109 angeschlossen. Wenn demnach der Schalter HO mit der Stromquelle für konstanten niedrigen Strom IH verbunden ist, berindet sich die Zelle 91 im Ruhezustand.
■j Ist dirr Schalter 110 mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 112 verbunden, befindet sich die Zelle 91 im Arbeitszustand.
Der Speicher verfügt natürlich über weitere Spalten mit Speicherzellen, wodurch Zellenzeilen gebildet
ίο werden. Somit wäre jede Speicherzelle, die in derselben Zeile wie die Zelle 90 angeordnet ist, mit der Leitung 99 verbunden. Jede dieser Zellen ist jedoch mit einem anderen Paar von »0«- und »!«-Bit-Leitungen, jedoch nicht mit den Leitungen 94 und 95, genauso verbunden, wie es im Zusammenhang mit Fig. 1 beschrieben wurde.
In ähnlicher Weise ist jede Speicherzelle in der ZeiÜA in der die Zelle 91 liegt mit der Leitung 109 verbunden. Geniiuso wie es für F i g. 1 beschrieben wurde, wird jede
cn r ααι ΐυιι
»On- und »I«Bit-Leitungen verbunden, wobei dieses Bitleitungspaar mh allen Zellen einer bestimmten Spalte verbunden ist
Wenn die in der Zelle 90 gespeicherte Information ζ. B. gelesen werden soll, wird der Treiber 96 erregt und der Schalter 100 mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 102 verbunden. Die Bitleitungen 94 und 95 sind über die Dioden mit ihren Erdkontakten genauso verbunden, wie es für die Leitungen 27 und 29
η beschrieben wurde.
Wenn nur die Zelle 90 mh ihrer Stromquelle für konstanten hohen Strom verbunden ist und ade anderen Zellen in derselben Spalte mit der Stromquelle für konstanten niedrigen Strom, ist die Summe der durch
j5 die anderen Speicherzellen, die in derselben Spalte wie die Zeile 90 liegen, fließenden Ströme um einige
Größenordnungen kleiner ab der von der Zelle 90
fließende Strom.
Wenn der Transistor 92 also leitet resultiert der durch
diesen Transistor fließende Strom von der Stromquelle für konstanten hohen Strom 102 fai einem Strom auf der Bitleitung 91 der wesentlich größer ist ab d**- Strom auf der IBhlehung 95. Infolgedessen stellt ein an die Bhleihmgen 94 und 95 angeschlossener Abfrageverstärker (locht dargestellt) fest daß das Signal von der Speicherzelle 90 auf der Bhlehung 94 Begt Somit ist der bistable Zustand der ZeDe 90 einwandfrei festgestellt
Werni eine Information in die ZeBe 90 geschrieben werden sofl, wird der Schalter 100 wieder mh der
so Stromquelle für konstanten hohen Strom 102 verbunden und dler Treiber 96 erregt. Die übrgn ZeDen, die in derselben Spähe liegen wie die ZeDe 90, skid zu diesem ZeHpümkt nicht mh ihrer Stromquelle für konstanten hoben Strom verbunden*
Da sich mi der von der Stromquelle für konstanten hoben Strom erzeugte Strom um einige Größenordnungen ψολ ded Strom Ott St n rmqiifftV fur konstanten wedi igen Strom unterscheidet, ist die Zeit zum Umschalten des bistabilen Zustand« der an die Stromquelle für konstanten hohen Strom angeschlossenen ZeBe wesentich kürzer ab die Zeh zum Umschalten des bistabilen Zustand« irgendeiner anderen ZeBe, die an die omqlle für konstanten niedrigen Strom angescse ist. Durch e von zum Arbehszy- Has des eie 96 refatnr kurzen Ioden kann also nor die ZeBe umgeschaltet eren, die an cfie Stromquelle für konstanten hohen Strom angeschlossen ist, wenn eäoe der Bitldtungen 94 und 95 emen
Schriibimpuls führt Keine Speicherzelle, die an die Stromquelle Für konstanten niedrigen Strom angeschlossen ist, kann durch die dichte Folge von ?wei separaten impulsen z. B. auf eine der Biileitungen geschaltet werden, wenn man den Arbeitszyklus des Treiben 96 relativ lang zum Impuls auslegt.
Wenn in die Zelle 90 so geschrieben werden soll, daß der Transistor 92 leitend wird und der Transistor 93 jetzt leitend ist, wird die Bitleitung 95 an ihren positiven SpannungskontaiU angeschlossen, während die Bitleitung 94 mit ihrem Erdkontakt verbunden bleibt Infolgedessen wird der Emitter des Transistors 93 relativ zu seiner Basis positiv, so daß der Transistor 93 nicht mehr leiten kann und dadurch seine Kollektorspannung ansteigt Gleichzeitig veranlaßt der durch Erregung des Treibers 96 hervorgerufene Potentialabfall auf der Leitung 94 den Emitter des Transistors 92 relativ zur Basis des Transistors negativer zu werden, wodurch der Strom durch den Transistor 92 zu fließen beginn:.
Wenn der Strom durch den Transistor 92 zu fließen beginnt fängt das Kollektorpotential des Transistors 92 an abzusinken, wodurch die Basis des Transistors 93 in bezug auf den Emitter negativer wird. Der Emitter war positiver gemacht worden durch Anschließen der Leitung 95 an ihren positiven Spannungskontakt Somit wird der Transistor 92 eingeschaltet, während der Transistor 93 abgeschaltet wird, und die Zelle 90 hat jetzt eine neue Information gespeichert.
Wenn der Transistor 92 ber ;its leitend war, als die Leitung 94 an ihren Erdkontakt und die Leitung 95 an ihren positiven Spannungskontakt angeschlossen wurden, ändert sich der Zustand der Transistoren 92 und 93 nicht, dh, der Transistor 92 bleibt leitend und der Transistor 93 bleibt nichtleitend.
Da der Strom von der Stromquelle mit konstantem niedrigem Strom 111 um einige Größenordnungen kleiner ist ab der Strom von der Stromquelle mit konstantem hohem Strom 112, hat die Zelle 91 nicht genug Zeh, um ihren bistabilen Zustand umzuschalten, wenn der Treiber 96 für eine nur kurze Zeit, verglichen mit der Zeh, die er abgeschaltet ist, eingeschaltet bleibt Der Treiber 96 darf nicht so dicht hinter seiner vorhergehenden Erregung wieder eingeschaltet werden, daß die Zelle 91 ihren bistabilen Zustand aufgrund der Summe der beiden Perioden umschalten kann, in denen der Treiber 96 erregt ist Das gilt auch für alle anderen Speicherzellen in derselben Spalte wie die Zelle 9OL
In F i g. 5 ist ein weiterer Speicher dargestellt der die nichtlineare Impedanz der vorliegenden Erng verwendet. Der Speicher der Fi g-5 ist die Umkehrung des m Fig. 4gezeigten Speichers.
Gemäß DarsteBong in Fig.5 sind die beiden SpeknerzeSenl2Oandl21 in einer Spalte angeordnet Die SpeknerzeBe 12V umfaßt zwei NPN-Trsisre 122 ond 123.
Der Koiefctor des Transistors 122 ist über einen Widerstand 12* und zwei Dioden 05 and 126, die «Se nkhtfineare Lastimpedanz für den Transistor 122 bilden, an eine »O«-Brt-Lennng 127 angeschlossen. Der Transistor 123 ist mh seinem Kollektor an eine »1« Bit-Leitung 128 über einen Widerstand 1» und die beiden Dioden 130 ond 131 angeschlossen, die die nkfatSneare Lastimpedanz for den Transistor 123 bilden.
Die Emitter der Transistoren 122 und 123 sind mit einer Leitung 132 verbunden, die über einen Schaher 133 entweder an eine Stromquelle for konstanten niedrigen Strom 134 oder für konstanten hohen Strom
135 führt. Beide Stromquellen sind negativ. Die Stromquelle 135 liefert einen um einige Größenordnungen größeren Strom als die Stromquelle 134.
Die Transistoren 122 und 123 sind in einer Flip-Flop-Schaltung miteinander verbunden. DK; Basis des Transistors 122 ist mit dem Kollektor des Transistors 123 über den Widerstand 129 verbunden, während die Basis des Transistors 123 an den Kollektor
ίο des Transistors 122 über den Widerstand 124 angeschlossen ist
Die Speicherzelle 121 umfaßt zwei NPN-Transistoren
136 und 137. Der Kollektor des Transistors 136 ist an die »OVBit-Leitung 127 Ober einen Widerstand 138 und zwei Dioden 139 und 140 angeschlossen, die die nichtlineare Impedanz des Transistors 136 bilden. Der Transistor 137 ist an die »!«-Bit-Leitung 128 Ober einen Widerstand 141 und zwei Dioden 142 und 143 angeschlossen, die die nichtlineare Impedanz des
Transistors Ϊ57 bilden.
Die Emitter der Transistoren 136 und 137 sind an eine Leitung 144 angeschlossen, die über einen Schalter 145 entweder an die Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 146 oder hohen Strom 147 führt. Die beiden Stromquellen sind negativ, und die Stromquelle 147 liefert einen um einige Größenordnungen größeren Strom als die Stromquelle 146, genauso, wie es für die Stromquellen 135 und 134 beschrieben wurde.
Die Transistoren 136 und 137 sind in einer
Flip-Flop-Schaltung miteinander verbunden. Die Basis des Transistors 136 ist mit dem Kollektor des Transistors 137 über den Widerstand 141 verbunden, während die Basis des Transistors 137 an den Kollektor des Transistors 136 über den Widerstand 138 ange-
j5 schlossen ist
In F i g. 5 ist zwar nur eine Spalte mit Speicherzellen gezeigt, andere Spalten können jedoch zur Bildung von Zellenzeilen mit den Zellen 120 und 121 und weiteren Zellen in den Spalten verwendet werden. Jede weitere Zellenspahe verfügt aber em eigenes »0k- und »U-Bh-Leituiigspaar, wie es in Fig.1 dargestellt wurde. Jede Zelle in diesen übrigen Spalten ist an die Stromquellen in derselben Zeile angeschlossen. Alle anderen Zellen der Zeile, in welcher die Zeile \Ί0 Segt, sind über die Leitung 132 mit einer der Stromquellen 134 und 135 verbanden.
Die »OM-Brt-Leitung 127 ist an einen Trenner 14· über einen Widerstand 149 angeschlossen. Die »!«-Bit-Leitung 128 ist ober einen Widerstand 150 an den Treiber
so 148 angeschlossen. Der Treiber 148 kann z. B. aus einer Emitter-Folgeschaltung bestehen, deren Emitter an die Widerstände 149 und 150 angeschlossen ist
Wenn die in der ZeOe 129 gespeicherte Information τ. BL gelesen werden sofl, wird der Schalter 133 aus der Verbmdong mit der Stromquelle für konstanten medi igen Strom 134 beraasgenommen nnd an die StromqDeSe for konstanten hoben Strom 135 angeschlossen. Dam fneSt ein Strom durch den leitenden Transistor der ZeBe 12·, der ran einige Größenordntmgen größer ist ab die Sonne der Ströme aHer anderen Zellen in der Sparte, die an mre Stromquelle für konstanten niedrigen Strom jugc μ Mosseti sbkL Wenn Z.R. der Transistor 123 feitet, tritt ein großer SyitmmngsahfaB ans Widerstand 150 aufgrund des Stroms anf, der durch den Transistor 123 ffießt Wie bereits gesagt, ist die SiBüHjealcr anderen Siröinemcht groß genBg,tBB einen wesentficnen SpaanongsabfaB sm Widerstand 149 oder einen zusätzlichen wesentlichen
Spannungsabfall am Widerstand ISO hervorzurufen. Somit fühlt ein nicht dargestellter und an die. Leitungen 127 und 128 angeschlossener Abfrageverstirker den großen Spannungsabfall am Widerstand 150 ab und zeigt an, daß die Zeile 120 in dem bistabilen Zustand steht, in welchem der Transistor 123 leitet
Wenn eine neue Information in die Zelle 120 geschrieben werden soll, wird der Schalter 133 wieder mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 135 verbunden. Wenn angenommen wird, daß der Transistor 123 leitet und die Zelle 120 anzeigen soll, daß der Transistor 122 leitet, muß der Transistor 123 ab- und der Transistor 122 eingeschaltet werden.
Dementsprechend wird zum Schreiben dieser Information in die Zelle 120 die Bitleitung 127 fiber eine Diode 151 vermittels des Schalters 153 an ihren Erdkontakt 152 angeschlossen. Beim Lesen verbindet der Schalter i53 die Leitung 127 mit einem Kontakt 154, der an eine positive Spannungsquelle + V angeschlossen ist
Bei dem Schreibvorgang, bei welchem der Transistor 122 ieiiend gemacht werden soll, bleibt die »U-Bk-Leitung 128 über ihre Diode 155 und einen Schalter 156 an ihren positiven Spannungskontakt 157 angeschlossen. Der Schalter 156 wird mit einem Kontakt 158 verbunden, der nur dann mit Erde verbunden ist, wenn der Transistor 123 oder einer der anderen Transistoren, die an die Bitleitung 128 angeschlossen sind, leitend gemacht werden sollen.
Utn also den Transistor 122 leitend zu machen, senkt die durch die Erregung des Treibers 148 hervorgerufene Stromverminderung im· Widerstand 149 das Potential am Kollektor des Transistors 122 relativ zum Potential am Kollektor des Transistors 122 relativ zum Potential am Kollektor des Transistors 123. Da die Basis des Transistors 122 zwischen den Widerstand 129 und die Diode 130 gelegt ist wird die Basis des Transistors 122 relativ zum Emitter positiv, so daß der Transistor 122 ein- und der Transistor 123 jetzt ausschaltet
Der Widerstand 129 stellt sicher, daß an der Basis des Transistors 122 ein ausreichendes Potential liegt wenn der Transistor 122 eingeschaltet werden solL Der Widerstand 129 liefert einen hinreichenden Spannungsabfall, ungeachtet der Ladung an der Basis des Transistors 123.
In F i g. 6 ist eine weitere Form eines monolithischen Speichers gezeigt der die erfindungsgemäße nichtlineare Impedanz verwendet Die in F i g. 6 gezeigte einzelne Speicherzelle 160 umfaßt zwei NPN-Transistoren 161 und 162, die in einer Flip-Flop-Schaltung so miteinander verbunden sind, daß die Basis des einen Transistors an den Kollektor des anderen angeschlossen ist und umgekehrt Die Emitter der Transistoren 161 und 162 sind geerdet
Der Kollektor de« Transistors 161 ist Ober zwei in Reihe geschaltete Dioden 163 und 164, die die nichtlineare Lastimpedanz für den Transistor 161 bilden, an eine Leitung 165 angeschlossen. Die Leitung 165 fuhrt Ober einen Schalter 166 zu einer Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 167 und einer Stromquelle für konstanten hohen Strom 168. Der von der Stromquelle für konstanten hohen Strom 16S gelieferte Strom liegt um einige Größenordnungen Ober dem von der Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 167 gelieferten Strom.
Der Transistor 162 ist mit seinem Kollektor über zwei in Reihe geschaltete Dioden 169 und 170, die die nichtlineare Lastimpedanz für den Transistor 162 bilden, an die Leitung 165 angeschlossen. Somit sind beide Transistoren 161 und 162 gleichzeitig über den Schalter 166 an eine der beiden Stromquellen 167 und 168 angeschlossen.
Die Basis des Transistors 1161 ist mit der Basis des NPN-Tnmsjstors 171 verbunden, dessen Kollektor über eine Diode 172 an die »O«-Bit-Leitung 173 angeschlossen ist Der Emitter des Transistors 171 ist mit dem Kollektor eines NPN-Transistors 174 verbunden.
ίο Die Basis des Transistors 174 ist über einen Schalter 175 entweder mit einem Kontakt 176, der an eine positive Spannungsquelle + V angeschlossen ist oder einem Kontakt 177, der geerdet ist verbunden. Der Emitter des Transistors 174 ist an einen geerdeten
is Kontakt 178 oder an einen Kontakt 179 angeschlossen, der über einen Schalter IiBO mit einer positiven Spannungsquelle + Werbunden ist
Die Basis des Transistors 162 ist nut der Basis eines NPN-Transistors 181 verbunden, dessen Kollektor über eine Diode 182 an die »1 «-Bit-Leitung 183 angeschlossen ist Der Emitter des Transistors 181 ist außerdem mit dem Kollektor des Transistors 174 verbunden.
Die Bitleitung 173 ist mit einem Ende Ober einen Widerstand 184 mit Erde und über einen gleichgroßen
2s Widerstand 185 mit einer positiven Spannungsquelle + V verbunden. Ein N PN-Transistor 186 ist mit seinem Kollektor an die Bitleitung 173 über die Verbindung der Widerstände 184 und 185 angeschlossen. Der Emitter des Transistors 186 ist geerdet, so daß dieser Transistor
jo parallel zum Widerstand 184 liegt Die Widerstände 184 und 185 und der Transistor 186 stellen den Treiber für die Bitleitung 173 dar.
Die Bitleitung 183 ist mit einem Ende über einen Widerstand 187 mit .Erde und mit dem anderen Ende
j5 über einen gleichgroßen Widerstand 188 an eine positive Spannungsquelle +V angeschlossen. Der Kollektor eines NPN-Transistors 189 ist mit der Bitleitung 183 über die Verbindung der Widerstände 187 und 188 verbunden. Der Emitter des Transistors t89 ist geerdet so daß der Transistor parallel zum Widerstand 187 liegt Die Widerstände 187 und 188 bilden zusammen mit dem Transistor 189 den Treiber für die
Bitleitung 183. Wenn sich die Speicherzelle 160 im Ruhezustand oder
aufnahmebereiten Speicherzustand befindet steht der Schalter 166 mit der Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 167, der Schalter 165 mit dem Erdkontakt 177 und der Schalter 180 mit dem positiven Spannungskontakt 179 in Verbindung. Somit ist der
so Transistor 174 abgeschaltet
Zu diesem Zeitpunkt sind die Transistoren 186 und 189 abgeschaltet wodurch ein Potential an den beiden Bitleitungen 173 und 183 liegt Dieses Potential bt halb so groß wie das Potential der Spannungsquelle + V. Da
der Transistor 174 jedoch nicht leitet, fließt durch die Transistoren) 171 und 181 kein Strom.
Wenn eil« in der Speicherzelle 160 gespeicherte Information ßelesnin werden soll, wird der Schalter 175 an den positiven Spannungskontakt 176 und der
μ Schalter 180 an dem Erdkontakt 178 angeschlossen, fetzt kann Strom durch den Transistor 174 fließen. Der Schalter 166 verbindet die Leitung (65 mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 168, wodurch die Zelle 160 eingeschaltet wird.
Die Bitleitungen 173 und 183 haben je ein positives Potential, das halb so groß ist wie das der Spannungsquelle + V, die an den Treiber angeschlossen ist. Wenn angenommen wird, daß der Transistor 161 leitend ist
t5
und der Transistor 162 nicht, so führt die Basis des Transistors 161 ein hohes Potential, welches auf die Basis des Transistors 171 übertragen wird Dadurch beginnt der Transistor 171 zu leiten, da auf der Leitung 173 ein positives Potential liegt und der Transistor 174 leitet. Gleichzeitig leitet der Transistor 181 nicht, da seine Basis relativ zur Basis des Transistors 171 negativ ist
Ein an die Bitleitungen 173 und 183 angeschlossener, nicht dargestellter Abfrageverstärker stellt den Stromfluß von der Bitleitung 173 durch den Transistor 171 durch Abfühlen der Differenz im Spannungsabfall an den Widerständen 185 und 188 fest Der Abfrageverstärker liefert ein Signal, welches anzeigt, daß die bistabile Speicherzelle 160 so eingestellt ist daß der Transistor 161 leitet
Wenn jedoch der Transistor 162 und nicht der Transistor 161 leitete, war der Transistor 181 leitend, während der Transistor 171 nicht leitete. Der Strom fließt dann von der Bitleitung 183 durch den Transistor 181 und den Transistor 174.
In derselben Spalte und in derselben Reihe wie die Zelle 160 sind natürlich noch mehr Speicherzellen angeordnet Jede diener Zellen in derselben Spalte verfügt über mehrere Zellen in derselben Zeile, genauso, wie es für die Matrix aus Spalten und Zeilen in Zusammenhang mit F i g. 1 beschrieben wurde.
Wenn Informationen in die Zelle 160 geschrieben werden sollen und angenommen wird, daß der Transistor 162 leiten und der Transistor 161 nicht leiten soll, so führt die Bitleitung 173 ein Potential, welches im Vergleich zum Potential auf der Bitleitung 183 negativ ist. Das wird erreicht durch Einschalten des Transistors 186 7MZ Verbindung der Bitleitung 173 mit Erde, während die Bitleitung 183 auf einem höheren Potential J5 bleibt, da sie noch die halbe Spannung von ihrer Spannungsquelle + V empfängt
Wenn auch der Transistor 174 so geschaltet ist, daß sein Emitter mit Erde und seine Basis über den Schalter 175 mit dem positiven Spannungskontakt 176 verbunden ist. so hört der Strom von der Bitleitung 173 über den Transistor 171 auf zu fließen, da die Bitleitung 173 Erdpotential führt. Infolgedessen fließt kein Strom durch den Kollektor des Transistors 171.
Es fließt jedoch noch Strom durch die Basis-Emitter-Verbindung des Transistors 171, da der Transistor 174 leitet. Dieser Strom wird an die Basis des Transistors 171 vom Transistor 161 geliefert, wodurch das Potential der Basis des Transistors 161 abfällt, und der Transistor 161 leitet dann nicht mehr.
Wenn der Transistor 161 aufhört zu leiten, steigt sein Kollektorpotential und dadurch auch das Basispotential des Transistors 162 relativ zum geerdeten Emitter an, und der Transistor 162 wird eingeschaltet. Ungefähr gleichzeitig schaltet auch der Transistor 181 ein, dessen ss Basis mit der Basis des Transistors 162 verbunden ist. Strom fließt dann durch den Transistor 181 zum Transistor 174 von der Bitleitung 183, da diese über den Widerstand 188 mit der positiven Spannungsquelle + V verbunden ist. ω
Durch die Reduzierung des Potentials auf der Leitung 173 relativ zum Poteniial auf der Leitung 183 wird also der Transistor 162 ein- und der Transistor 161 der Zelle 160 ausgeschaltet. Wenn der Transistor 163 leitend war, als die neue Schreibinformation geliefert wurde, wäre er natürlich in diesem Zustand verblieben aufgrund des relativ zum Poteniial auf der Bitleitung 173 positiven Potentials auf der Bitleitung 183.
Die Kurve jn Fig,7 zeigt die Beziehung zwischen Spannung und Strom an den Anschlössen einer Speicherzelle. Wenn die Zelle im Ruhezustand oder im aufnahmebereiten Speicherzustand ist und also weder ausgelesen noch eingeschrieben wird, beträgt die Spannung an den Anschlüssen etwa 13 Volt, welches am Punkt 190 dargestellt ist Wenn diese Kurve einmal die Spannung an der Zelle 10 des in F ί g. 1 gezeigten Ausführungsbetspiels darstellen soll, so wird der Schalter 16 z. B. mit der Stromquelle für konstanten niedrigen Strom 17 und die Bitleitungen 27 und 29 mit den positiven Spannungskontakten 43 bzw. 42 verbunden. Dadurch wird eine niedrige Spannung und ein niedriger Strom erzeugt
Wenn die Zelle 10 ausgelesen werden soll, wird der Schalter 16 auf die Stromquelle für konstanten hohen Strom 18 und die Schalter 38 und 40 auf die Erdkontakte
39 bzw. 41 geschaltet Dadurch steigt die Spann,"?g an der Zelle 10 auf etwa 2,6 Volt und der Strom nimmt exponentiell aufgrund der nichtlinearen Lastimpedanz der Dioden zu. Das ist am Punkt 191 in F i g. 7 gezeigt.
Für alle Zellen, die in derselben Zeile Hegen wie die Zelle 10, werden die Bitleitungen mit den positiven Spannungskentakten verbunden. Infolgedessen liegt ihre Spannung unter der Betriebsspannung von etwa 2,6 Volt nämlich bei rund 2,2 Volt, wodurch der Strom wesentlich kleiner ist. Somit ist der an die anderen Zellen in derselben Zeile wie die Zelle 10 gelieferte Strom noch nicht halb so groß wie der an die Zelle 10 gelieferte Strom, und zwar wegen der nichtlinearen Lastimpedanz der Dioden. Diese Beziehung ist am Punkt 192 in F i g. 7 aufgezeigt
Für alle Zellen in derselben Spalte, in der die Zelle 10 liegt sind die Bitleitungen mit Erde verbunden. Jede dieser Zellen ist jedoch an ihre Stromquelle für konstanten niedrigen Strom angeschlossen, so daß sie den beim Punkt 190 geengten Strompegel aufweist
Wenn eine neue information in die Zelle 10 geschrieben werden soll, wird einer der Schalter 38 oder
40 auf den positiven Spannungskontakt, der andere auf den Erdkontakt geschaltet Wenn somit die Zelle 10 mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 18 verbunden und einer der Schalter 38 oder 40 auf den Erdkontakt geschaltet ist, liegt wieder der volle Betriebsstrom an der Zelle 10 an. An keiner Zelle in derselben Zeile wie die Zelle 10 liegt der volle Betriebsstrom, obwohl sie mit der Stromquelle für konstanten hohen Strom 18 verbunden sind, da die Bitleitungen jeder Zelle in derselben Reihe wie die Zelle 10 mit den positiven Spannungskontakten verbunden sind. In gleicher Weise weist keine Zelle in derselben Spalte wie die Zelle 10 den vollen Betriebsstrom auf, obwohl ihre Bitleitimgen mit Erde verbunden sind, da alle Zellen in derselben Spalte mit Ausnahme der Zelle 10 mit ihren Stromquellen für konstanten niedrigen Strom verbunden sind.
Die beschriebene nichtlineare Impedanzeinrichtung läßt sich auch für alle anderen nichtmonolithischen Flip-Flop-Speicherzellen sowie für alle Schaltungen mit mindestens zwei Transistoren verwenden, von denen jeweils einer leitet und der andere nicht. Außer den in der Beschreibung verwendeten Dioden kann auch jede andere nichtlineare Impedanzeinrichtung verwendet werden, welche ihre Impedanz mit abnehmendem Strom nichtlinear vergrößert.
Der Leistungsverbrauch aller übrigen Zellen außer der ausgewählten ist bei allen erfindungsgemäUen Aiisführungsformen nach den F i g. I bis 6 beim Lesen
und Schreiben weniger als halb so groß wie der der ausgewählten Zelle, Damit wird eine wesentliche Verminderung des gesamten Lejstungsverbrauchs eines Speichers erreicht, in dem die erfindungsgemäßen nichtlinearen Impedanzen verwendet werden,
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

  1. Patentansprüche;
    1, Nichtlineare Impedanzeinrichtung für bistabile Speicherzellen mit kreuzgekoppelten bipolaren Transistoren, die Ober die jedem Transistor zugeordneten nichtlinearen Lastimpedanzen mit einem gemeinsamen Schalter verbunden sind, der im Ruhezustand die Speicherzellen mit einer Stromquelle verbindet, die einen konstanten niedrigen Strom abgibt, und der im Lese- oder im Schreibzustand die Speicherzellen mit einer Stromquelle verbindet, die einen genügend hohen Strom zum Schreiben oder Lesen abgibt, dadurch gekennzeichnet, daß die nichtlineare Impedanzeinrichtung, die in Serie mit je einem kreuzgekoppelten Transistor (11; 12) geschaltet ist, aus zwei in Reihe geschalteten Halbletterdioden (13,14; 19,20} gebildet wird, so daß eine Spannungsverstärkung von mindestens zwei sichergestellt wird, wenn einer der beiden kreuzgekoppelten bipolaren Transistoren (11; 12} -ich im leitenden Zustand befindet
  2. 2. Nichüineare !mpedanzeinrtchtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß fflr jede Zeile des Halbleiterspeichers eine umschaltbare Stromquelle (17,18; 34,35) angeordnet ist, die über einen Schalter (16; 36) an einen Leiter (15; 37) angeschlossen ist, wobei in dem einen Zustand ein niedriger konstanter Strom und in dem anderen Zustand ein hoher konstanter Strom abgegeben wird.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3703710A (en) * 1970-01-05 1972-11-21 Hitachi Ltd Semiconductor memory
CH519251A (de) * 1970-07-01 1972-02-15 Ibm Integrierte Halbleiterschaltung zur Speicherung von Daten
US3764825A (en) * 1972-01-10 1973-10-09 R Stewart Active element memory
US3753011A (en) * 1972-03-13 1973-08-14 Intel Corp Power supply settable bi-stable circuit
US3849675A (en) * 1973-01-05 1974-11-19 Bell Telephone Labor Inc Low power flip-flop circuits
DE2739283A1 (de) * 1977-08-31 1979-03-15 Siemens Ag Integrierbare halbleiterspeicherzelle
NL188721C (nl) * 1978-12-22 1992-09-01 Philips Nv Halfgeleidergeheugenschakeling voor een statisch geheugen.
JPS594787B2 (ja) * 1979-12-28 1984-01-31 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 低インピ−ダンス感知増幅器を有し読取専用メモリ及び読取一書込メモリに共用可能なメモリ装置
EP0257120B1 (de) * 1986-08-22 1992-06-10 International Business Machines Corporation Dekodierverfahren und -Schaltungsanordnung für einen redundanten CMOS-Halbleiterspeicher
US5121357A (en) * 1990-04-30 1992-06-09 International Business Machines Corporation Static random access split-emitter memory cell selection arrangement using bit line precharge

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3363115A (en) * 1965-03-29 1968-01-09 Gen Micro Electronics Inc Integral counting circuit with storage capacitors in the conductive path of steering gate circuits

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