DE2007685A1 - Verfahren zum Herstellen von diffun dierten Halbleiterbauelementen unter Ver Wendung von festen DotierstofTquellen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von diffun dierten Halbleiterbauelementen unter Ver Wendung von festen DotierstofTquellenInfo
- Publication number
- DE2007685A1 DE2007685A1 DE19702007685 DE2007685A DE2007685A1 DE 2007685 A1 DE2007685 A1 DE 2007685A1 DE 19702007685 DE19702007685 DE 19702007685 DE 2007685 A DE2007685 A DE 2007685A DE 2007685 A1 DE2007685 A1 DE 2007685A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- nickel
- dopant
- diffusion
- lacquer
- dopant compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/14—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase
- H10P32/1408—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/17—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material
- H10P32/171—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material being group IV material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702007685 DE2007685A1 (de) | 1970-02-19 | 1970-02-19 | Verfahren zum Herstellen von diffun dierten Halbleiterbauelementen unter Ver Wendung von festen DotierstofTquellen |
| AT85671A AT318006B (de) | 1970-02-19 | 1971-02-02 | Verfahren zum Herstellen einer diffundierten Zone in einem Halbleiterkörper unter Verwendung von festen Dotierungsstoffquellen |
| CH158471A CH519248A (de) | 1970-02-19 | 1971-02-03 | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen |
| FR7105307A FR2080611A1 (https=) | 1970-02-19 | 1971-02-17 | |
| NL7102178A NL7102178A (https=) | 1970-02-19 | 1971-02-18 | |
| SE02168/71A SE360024B (https=) | 1970-02-19 | 1971-02-19 | |
| GB1288907D GB1288907A (https=) | 1970-02-19 | 1971-04-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702007685 DE2007685A1 (de) | 1970-02-19 | 1970-02-19 | Verfahren zum Herstellen von diffun dierten Halbleiterbauelementen unter Ver Wendung von festen DotierstofTquellen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2007685A1 true DE2007685A1 (de) | 1971-09-09 |
Family
ID=5762749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19702007685 Pending DE2007685A1 (de) | 1970-02-19 | 1970-02-19 | Verfahren zum Herstellen von diffun dierten Halbleiterbauelementen unter Ver Wendung von festen DotierstofTquellen |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT318006B (https=) |
| CH (1) | CH519248A (https=) |
| DE (1) | DE2007685A1 (https=) |
| FR (1) | FR2080611A1 (https=) |
| GB (1) | GB1288907A (https=) |
| NL (1) | NL7102178A (https=) |
| SE (1) | SE360024B (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4152824A (en) * | 1977-12-30 | 1979-05-08 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Manufacture of solar cells |
-
1970
- 1970-02-19 DE DE19702007685 patent/DE2007685A1/de active Pending
-
1971
- 1971-02-02 AT AT85671A patent/AT318006B/de not_active IP Right Cessation
- 1971-02-03 CH CH158471A patent/CH519248A/de not_active IP Right Cessation
- 1971-02-17 FR FR7105307A patent/FR2080611A1/fr not_active Withdrawn
- 1971-02-18 NL NL7102178A patent/NL7102178A/xx unknown
- 1971-02-19 SE SE02168/71A patent/SE360024B/xx unknown
- 1971-04-19 GB GB1288907D patent/GB1288907A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE360024B (https=) | 1973-09-17 |
| NL7102178A (https=) | 1971-08-23 |
| GB1288907A (https=) | 1972-09-13 |
| AT318006B (de) | 1974-09-25 |
| CH519248A (de) | 1972-02-15 |
| FR2080611A1 (https=) | 1971-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0001550B1 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung für eine Bauelementstruktur mit kleinen Abmessungen und zugehöriges Herstellungsvefahren | |
| DE2823967C2 (https=) | ||
| DE102006003283A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen | |
| EP0018520A1 (de) | Verfahren zur vollständigen Ausheilung von Gitterdefekten in durch Ionenimplantation von Phosphor erzeugten N-leitenden Zonen einer Siliciumhalbleitervorrichtung und zugehörige Siliciumhalbleitervorrichtung | |
| DE2449012C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von dielektrisch isolierten Halbleiterbereichen | |
| DE2633714C2 (de) | Integrierte Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einem bipolaren Transistor und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE7015061U (de) | Halbleitervorrichtung. | |
| DE1950069B2 (de) | Verfahren zum Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE2617293C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
| DE1259469B (de) | Verfahren zur Herstellung von inversionsschichtfreien Halbleiteruebergaengen | |
| DE1018558B (de) | Verfahren zur Herstellung von Richtleitern, Transistoren u. dgl. aus einem Halbleiter | |
| DE2558925C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Injektions-Schaltungsanordnung | |
| EP0028786B1 (de) | Ionenimplantationsverfahren | |
| DE2007752C3 (https=) | ||
| DE2848333C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
| DE2007685A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von diffun dierten Halbleiterbauelementen unter Ver Wendung von festen DotierstofTquellen | |
| DE1539483C3 (https=) | ||
| DE1816082B2 (https=) | ||
| EP0003330A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von hochintegrierten Halbleiteranordnungen mit aneinandergrenzenden, hochdotierten Halbleiterzonen entgegengesetzten Leitungstyps | |
| DE1644025A1 (de) | Halbleiter-Anordnung mit diffundierten Zonenuebergaengen | |
| DE1514656A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkoerpern | |
| DE10000707B4 (de) | Herstellungsverfahren für leuchtende Strukturen auf Siliziumsubstrat | |
| AT310255B (de) | Verfahren zum Herstellen eines npn-Transistors | |
| DE1464921B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung | |
| DE2007753A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von diffun dierten Halbleiterbauelementen unter Ver wendung von festen Dotierstoffquellen |