DE19943101C2

DE19943101C2 - Verfahren zur Herstellung einer gebondeten Halbleiterscheibe

Info

Publication number: DE19943101C2
Application number: DE1999143101
Authority: DE
Inventors: Peter Hahn; Bernd Sauter
Original assignee: Wacker Siltronic AG
Current assignee: Siltronic AG
Priority date: 1999-09-09
Filing date: 1999-09-09
Publication date: 2002-06-20
Anticipated expiration: 2019-09-10
Also published as: DE19943101A1

Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer gebondeten Halblei terscheibe umfassend das Abtrennen einer Substratscheibe und einer Hochleistungs scheibe aus Halbleitermaterial, und das Herstellen einer chemischen Verbindung zwi schen der Substratscheibe und der Hochleistungsscheibe durch eine Wärmebehand lung, wobei die Hochleistungsscheibe von einem Einkristall abgetrennt wird und dabei eine Dicke von nicht mehr als 400 µm erhält.

Halbleiterscheiben, insbesondere solche, die für die Bereitstellung von hochintegrierten elektronischen Schaltkreisen benötigt werden, werden mit aufwendigen Verfahren her gestellt und sind entsprechend teuer. Dies trifft insbesondere auch auf die sogenannten gebondeten Halbleiterscheiben zu, deren Leistungsfähigkeit in Bezug auf die Weiterver arbeitbarkeit zu hochintegrierten Schaltkreisen in der Regel höheren Anforderungen ge nügt, als die der leistungsfähigsten nicht-gebondeten Halbleiterscheiben. Gebondete Halbleiterscheiben besitzen eine Schichtstruktur, wobei ein Herstellungsschritt das Ver binden der die Schichtstruktur bildenden Komponenten beinhaltet. Es sind verschiedene Techniken bekannt, um gebondete Halbleiterscheiben herzustellen. In der US 5,374,564 ist beispielsweise ein Verfahren beschrieben, durch das zum Bonden geeignete, dünne Schichten zugänglich und auf Substratscheiben übertragbar sind.

Werden beispielsweise zwei polierte Scheiben aus Silicium aufeinandergelegt, und durch eine Wärmebehandlung chemisch miteinander verbunden, so bezeichnet man diese Technik als direktes Bonden. Ein Beispiel für diese Technik findet sich in der US 5,539,245. Auch dieses Verfahren ist teuer, da aufwendig hergestellte, abtrags- und hochglanzpolierte Scheiben benötigt werden, von denen eine in der Regel nach dem Bonden in ihrer Dicke noch drastisch reduziert werden muß. In den Technical Develop ments der Motorola Inc., Volume 20, October 1993, S. 119-120, ist das direkte Bonden eines Cz- gezogenen und eines Fz-gezogenen Substrats beschrieben. In der US 5,843,832 wird ein Verfahren beschrieben, bei dem vergleichsweise dünne Halbleiterscheiben gebon det werden. In den Patent Abstracts of Japan zur JP 2-199 839 A wird ein Verfahren aufgezeigt, mit dem eine gebondete Halbleiterscheibe aus Silicium hergestellt werden kann, die eine 4-Schicht-Struktur aufweist.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Herstellungsverfahren für eine gebonde te Halbleiterscheibe bereitzustellen, deren Leistungsfähigkeit in Bezug auf die Weiter verarbeitbarkeit zu hochintegrierten Schaltkreisen mindestens so gut ist, wie die bekan nter Halbleiterscheiben, die jedoch wesentlich geringere Herstellungskosten erfordert.

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer gebondeten Halblei terscheibe umfassend das Abtrennen einer Substratscheibe und einer Hochleistungs scheibe aus Halbleitermaterial, und das Herstellen einer chemischen Verbindung zwi schen der Substratscheibe und der Hochleistungsscheibe durch eine Wärmebehand lung, wobei die Hochleistungsscheibe von einem Einkristall abgetrennt wird und dabei eine Dicke von nicht mehr als 400 µm erhält, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Hochleistungsscheibe vor dem Herstellen der chemischen Verbindung einer material abtragenden Behandlung unterworfen wird, die eine Behandlung mit einem Ätzmittel umfaßt, durch die die Dicke der Halbleiterscheibe um bis zu 20 µm reduziert wird, und eine Schleifbehandlung und/oder ein Kurzpolieren (Touchpolishing).

Im Unterschied zu dem aus der US 5,374,564 bekannten Verfahren wird bei dem vor geschlagenen Verfahren darauf verzichtet, eine extrem dünne Schicht zu produzieren, die auf eine Substratscheibe übertragen werden muß. Im Unterschied zu anderen be kannten Verfahren wird darauf verzichtet, daß mindestens eine der beim Bonden betei ligten Halbleiterscheiben einer Abtragspolitur unterzogen werden muß. Dies und nach folgend beschriebene Effekte verleihen einer erfindungsgemäß hergestellten Halbleiter scheibe erhebliche Kostenvorteile.

Einkristalle aus Halbleitermaterial werden in der Regel nach dem sogenannten Czoch ralski-Verfahren (Cz-Methode) oder nach dem Zonenschmelzverfahren (Fz-Methode) hergestellt. In beiden Fällen können mehr oder weniger große Teile des gezogenen Ein kristalls nicht in der gewünschten Weise für Hochleistungsanwendungen verwendet werden. Hochleistungsanwendungen umfassen insbesondere die Herstellung von Spei cherbauelementen (DRAMS), von Mikroprozessoren und von sogenannten Digital Sig nal Prozessoren. Die konusförmigen Abschnitte am Anfang und am Ende des Einkristalls und Abschnitte, die wegen Versetzungen in der Kristallstruktur nicht mehr einkristallin sind, und Abschnitte, in denen der Grad von Verunreinigungen, die Konzentration von Sauerstoff oder von Dotierstoffen aus den geforderten Spezifi kationen fällt, sind für Hochleistungsanwendungen nicht geeig net und drücken die Ausbeute an einkristallinem Halbleitermate rial, dessen Leistungsfähigkeit in Bezug auf die Weiter verarbeitbarkeit zu hochintegrierten Schaltkreisen den Anforde rungen genügt. Halbleiterscheiben aus einem letztgenannten Ma terial, das von Einkristallen stammt, die nach der Cz-Methode oder nach der Fz-Methode gezogen wurden, werden in dieser Er findungsbeschreibung als Hochleistungsscheiben bezeichnet. Die Hochleistungsscheiben haben vorzugsweise weniger als 1.10¹⁷ cm^-3 metallische Verunreinigen, eine radiale Widerstandsstreuung von weniger als 10%, eine radiale Streuung der Sauerstoffkonzentra tion von weniger als 10% und sogenannte Crystal originated De fects (COPs) einer Größe von 200 nm von vorzugsweise weniger als 1000. Einkristalle aus Silicium mit einer hohen Ausbeute an derartigen Hochleistungsscheiben werden, vorzugsweise wie es in der EP 866 150 A1 beschrieben ist, gezogen.

Ein Ziel des vorgeschlagenen Verfahrens ist, daß von einem ge eigneten Stück eines Einkristalls möglichst viele Hochlei stungsscheiben abgetrennt werden. Dies geschieht vorzugsweise mit Hilfe einer Drahtsäge, deren Drahtabstände so eng nebenein ander liegen, daß die abgetrennten Hochleistungsscheiben eine Dicke von nicht mehr als 400 µm, besonders bevorzugt nicht mehr als 300 µm aufweisen. Die auf die Zahl der erhaltenen Hochlei stungsscheiben bezogene Ausbeute ist entsprechend höher, als bei herkömmlichen Verfahren, die vorsehen, wesentlich dickere Halbleiterscheiben abzutrennen.

Die erhaltene, entsprechend dünne Hochleistungsscheibe wird ge gebenenfalls gereinigt und mindestens einer Behandlung mit ei nem Ätzmittel unterzogen, um Kristallbereiche zu entfernen, die beim Abtrennen der Hochleistungsscheibe beschädigt wurden. Durch die Ätzbehandlung wird die Dicke der Hochleistungsscheibe vorzugsweise um bis zu 20 µm reduziert. Als Ätzmittel kommen alkalisch oder sauer reagierende Flüssigkeiten in Betracht, insbesondere wässerige Flüssigkeiten, die mindestens eine Ver bindung enthalten, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die im Fall eines alkalischen Ätzmittels ein Hydroxid eines Alkalime talls und im Fall eines saueren Ätzmittels HF umfaßt. Die Hochleistungsscheibe wird, vorzugsweise wie es in der EP 625 795 A1 beschrieben ist, in das Ätzmittel für eine bestimmte Zeit getaucht. Nach der Behandlung mit dem Ätzmittel und vor dem Bonden ist kein weiterer, die Dicke der Hochleistungsschei be reduzierender Verfahrensschritt notwendig. Insbesondere ist eine Abtragspolitur nicht vorgesehen, die die Dicke der Halb leiterscheibe typischerweise um mehr als 40 µm verringert. Ge mäß einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung ist es jedoch möglich, daß die Hochleistungsscheibe vor dem Bonden geschlif fen und/oder einer die Dicke der Hochleistungsscheibe nur um bis zu 10 µm verringernden und daher diese kaum beeinflussenden Kurzpolitur (touch polishing) unterzogen wird. Das Schleifen und die Kurzpolitur können auf eine oder beide Seiten der Hochleistungsscheibe angewendet werden. Falls beide Seiten ge schliffen und/oder poliert werden, kann dies sequentiell durch Einseitenbearbeitung oder gleichzeitig durch Doppelseitenbear beitung geschehen.

Prinzipiell sollte die Substratscheibe ebenfalls eine möglichst geringe Dicke aufweisen. Allerdings sind an die Dicke keine derart strengen Anforderungen zu stellen, wie hinsichtlich der Dicke der Hochleistungsscheibe. Es ist daher bevorzugt, daß die Dicke der Substratscheibe so gewählt wird, daß sie die Dicke der Hochleistungsscheibe nicht unterschreitet und höchstens in einem Maß überschreitet, daß die Dicke der verkaufsfertigen, gebondeten Halbleiterscheibe etwa der Dicke einer gewöhnlichen, massiven Halbleiterscheibe gleichen Durchmessers entspricht (beipielsweise ca. 725 µm bei einem Durchmesser von 200 mm und 775 µm bei einem Durchmesser von 300 mm). Die Substratscheibe wird ebenfalls vorzugsweise mit Hilfe einer Drahtsäge von einem Kristall oder einem anderen Körper abgetrennt. Einkristallines Halbleitermaterial mit den Eigenschaften des Halbleitermaterials der Hochleistungsscheibe kommt für die Substratscheibe aus Kostengründen nicht in Betracht. Hingegen kann einkristallines Halbleitermaterial verwendet werden, das insbesondere in Bezug auf das Vorhandensein von metallischen Verunreinigungen und in Bezug auf die Streuung der Dotierstoffkonzentration von schlechterer Qualität ist, als das Halbleitermaterial der Hochleistungsscheibe. Weiterhin kann nahezu einkristallines Halbleitermaterial verwendet werden, das Versetzungen oder an dere, die einkristalline Kristallstruktur zerstörende Defekte aufweist. Im Hinblick auf die Kostenersparnis bei der Produkti on der gebondeten Halbleiterscheibe ist polykristallines oder multikristallines Halbleitermaterial als Halbleitermaterial für die Substratscheibe besonders bevorzugt. Dabei gelten keine be sonderen Anforderungen, was die Reinheit des polykristallinen Halbleitermaterials betrifft. So kann die Substratscheibe bei spielsweise aus einem Stab aus hochreinem polykristallinen Si licium stammen, der auch als Ausgangsprodukt zur Herstellung eines Einkristalls nach der Fz-Methode oder der Cz-Methode ver wendet werden könnte. Aber auch weniger reines polykristallines Halbleitermaterial kann als Quelle für die Substratscheibe die nen, beispielsweise polykristallines Silicium, das durch Er starren Lassen einer Schmelze oder durch Gasphasenabscheidung von Silicium einer weniger sorgfältig gereinigten, siliciumhal tigen Verbindung gewonnen wird und insbesondere auch zur Her stellung von Solarzellen geeignet wäre. Schließlich kann die Substratscheibe auch aus einem multikristallinen Kristall her ausgeschnitten werden, insbesondere aus einem Kristall, der nach einem in der US 5,394,825 beschriebenen, mit einem Wär meaustauscher arbeitenden Verfahren hergestellt wurde.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung besteht die Substratscheibe nicht aus Halbleitermaterial, sondern aus Glas, vorzugsweise aus Quarzglas (SiO₂).

Wie im Fall der Hochleistungsscheibe wird auch die von einem Kristall abgetrennte Substratscheibe gegebenenfalls gereinigt und mindestens einer Behandlung mit einem Ätzmittel unterzogen. Als Ätzmittel kommen vorzugsweise ebenfalls die im Zusammenhang mit der Ätzbehandlung der Hochleistungsscheibe genannten Ätz mittel in Betracht. Darüber hinaus können vor dem Bonden als weitere, die Dicke der Substratscheibe reduzierende Schritte ein Schleifschritt und/oder eine Abtragspolitur vorgesehen sein. Beide Maßnahmen können auf eine oder beide Seiten der Substratscheibe angewendet werden. Falls beide Seiten geschlif fen und/oder abtragspoliert werden, kann dies sequentiell durch Einseitenbearbeitung oder gleichzeitig durch Doppelseitenbear beitung geschehen.

Beim Bonden werden jeweils eine wie vorstehend beschrieben be reitgestellte Hochleistungsscheibe beziehungsweise Substrat scheibe aufeinandergelegt, so daß ihre Oberflächen in engem Kontakt stehen, und für eine bestimmte Zeit bei einer Tempera tur von vorzugsweise 600 bis 1300°C wärmebehandelt. Das Über einanderlegen der Scheiben kann manuell oder automatisiert er folgen. Infolge der Wärmebehandlung reagieren Atome der sich berührenden Oberflächen und bilden chemische Bindungen aus. Im Fall von Oberflächen aus Silicium sind die Bindungen Si-O-Si- Brücken, falls die Ätzbehandlung einen hydrophilen Film aus na tivem Oxid hinterließ, oder Si-Si-Bindungen, falls die Ätzbe handlung eine hydrophobe, überwiegend von SiH-Resten gebildete Oberfläche hinterließ.

Die durch das Bonden entstandene Halbleiterscheibe wird vor zugsweise in einer für massive Halbleiterscheiben, die von ei nem Einkristall abgetrennt wurden, üblichen Weise weiterbear beitet. Besonders bevorzugt umfaßt die Weiterbearbeitung einen Schritt, mit dem die Kante der Halbleiterscheibe verrundet wird, einen Schritt, mit dem die Halbleiterscheibe mit einem Laser markiert wird, einen Schritt, mit dem die Halbleiter scheibe einseitig oder doppelseitig geschliffen wird, einen Schritt, mit dem beide Seiten oder nur die von der Hochlei stungsscheibe stammende Seite der Halbleiterscheibe auf Hoch glanz (schleierfrei) poliert wird und einen Schritt, mit dem die Halbleiterscheibe verkaufsfertig gereinigt wird. Die Wei terbearbeitung der Halbleiterscheibe kann in der angegebenen Reihenfolge geschehen oder in einer Reihenfolge, bei der einzelne der angegebenen Schritte weggelassen oder vertauscht sind. Des weiteren können bekannte, jedoch hier nicht genannte Schritte, beispielsweise Zwischenreinigungsschritte in die je weilige Reihenfolge von Prozessschritten aufgenommen sein. Schließlich ist auch nicht ausgeschlossen, auf einer oder bei den Seiten der gebondeten Halbleiterscheibe einen Materialfilm aufzubringen, insbesondere eine epitaktische Schicht abzuschei den.

Die Erfindung kann unabhängig vom Durchmesser der Halbleiter scheibe genutzt werden. Wegen des größeren Kosteneinsparpoten tials ist ihre Anwendung zur Herstellung von Halbleiterscheiben mit vergleichsweise großem Durchmesser von mindestens 200 mm besonders bevorzugt. Neben Silicium als Halbleitermaterial für die Hochleistungsscheibe oder die Substratscheibe kommt auch anderes Halbleitermaterial in Betracht, insbesondere GaAs, GaP, InP, SiC und die in dieser Aufzählung nicht genannten II/VI- und III/V-Verbindungshalbleiter, und zusätzlich Glas als Mate rial für die Substratscheibe. Die chemische Zusammensetzung der Hochleistungsscheibe kann mit der chemischen Zusammensetzung der Substratscheibe übereinstimmen oder sich von dieser unter scheiden. So sind beliebige Kombinationen der genannten Stoffe möglich, beispielsweise eine gebondete Halbleiterscheibe mit einer oberen Schicht aus einem Verbindungshalbleiter und einer Substratschicht aus Silicium, oder eine gebondete Halbleiter scheibe mit einer oberen Schicht aus nach der Fz-Methode gezo genem Silicium und eine Substratschicht aus Silicium, das nach der Cz-Methode gezogen wurde.

Beispiel 1 Herstellung einer gebondeten Halbleiterscheibe mit einem Durchmesser von 300 mm A) Herstellung der Hochleistungsscheibe

Aus einem 100 mm langen, nach der Cz-Methode gezogenen Einkri stallstück aus Silicium mit einem Durchmesser von 300 mm wurden 200 µm dünne Si-Scheiben mittels Drahtsägetechnik (Drahtdicke 160 µm) herausgetrennt. Das Einkristallstück bestand aus hochreinem, defektfreien Silicium mit gleichmäßig verteiltem Dotierstoffgehalt.

Die erhaltenen Hochleistungsscheiben aus Silicium wurden von Resten einer Sägeleiste, mit der das Einkristallstück verbunden war, befreit, gereinigt und einer zweistufigen Ätzbehandlung unterzogen. Dabei verringerte sich die Dicke der Hochlei stungsscheiben um 20 µm. Die erste Stufe der Ätzbehandlung be stand aus einem Bad in einer alkalisch reagierenden, wässerigen Ätzflüssigkeit. Während der zweiten Stufe der Ätzbehandlung wurden die Hochleistungsscheiben in eine sauer reagierende wäs serige Ätzlösung getaucht. Durch die alkalische Ätze entstanden flache Plateaus (Inselbereiche) auf der geätzten Oberfläche, die die Adhäsionsfähigkeit der Oberfläche wesentlich verbesser ten. Beim Bonden waren es diese Inselbereiche, die zuerst mit der Oberfläche der Substratscheibe eine chemische Verbindung eingingen und somit eine Starterfunktion übernahmen. Durch die sauere Ätze wurden insbesondere metallische Verunreinigungen von den Hochleistungsscheiben entfernt.

Variante A1)

Ein Teil der Hochleistungsscheiben wurde zur Adhäsions optimierung kurz anpoliert (touch-polishing), wobei der dabei bewirkte Materialabtrag die Dicke der polierten Hochlei stungsscheibe nur um weniger als 1 µm verringerte.

B) Herstellung der Substratscheibe Variante B1)

Aus einem 235 mm langen Stück des in A) verwendeten Einkri stalls wurden ca. 250 Substratscheiben mit einer Dicke von 740 µm mit der in A) verwendeten Drahtsäge herausgetrennt. Das Halbleitermaterial dieses Einkristallstücks war von minderer Qualität, als das Halbleitermaterial des in A) verwendeten Ein kristallstücks.

Die Substratscheiben wurden ebenfalls von Sägehilfsmitteln be freit (entkittet) und gereinigt und anschließend mit einer gleichartigen Ätzbehandlung, wie die Hochleistungsscheiben in A) geätzt. Die Dicke der Substratscheiben betrug nach dem Ätzen dementsprechend 720 µm.

Variante B2)

Als Halbleitermaterial für die Substratscheiben wurde ein Stück aus polykristallinem Silicium für Solarzwecke (solar grade si licon) verwendet. Ansonsten wurde wie in B1) verfahren.

C) Herstellung der gebondeten Halbleiterscheiben

Jeweils eine gemäß A) hergestellte Hochleistungsscheibe mit ei ner Dicke von 180 µm und eine gemäß B1) beziehungsweise B2) hergestellte Substratscheibe wurden der Einfachheit wegen manu ell übereinander gelegt.

Danach wurden die Scheibenpaare in einem RTA-Ofen (RTA steht für rapid thermal anneal) bei einer Temperatur von ca. 1200°C ca. 1 Stunde lang getempert. Dabei entstand eine Halbleiter scheibe mit Schichtstruktur und einer Dicke von ca 900 µm.

D) Weiterbearbeitung der gebondeten Halbleiterscheiben

Die gebondeten Halbleiterscheiben wurden gemäß der nachstehenden Reihenfolge von Prozeßschritten zu einem verkaufsfertigen Pro dukt weiterberarbeitet:

- Verrunden der Kanten;
- Schleifen der Seitenflächen der Halbleiterscheiben (resultie rende Scheibendicke: 840 µm);
- Lasergestütztes Markieren der Halbleiterscheiben;
- Behandeln der Halbleiterscheiben mit einem Ätzmittel (resul tierende Scheibendicke: 820 µm);
- Polieren der Kanten und der üblichen Randkerben (notch) der Halbleiterscheiben;
- Reinigen der Halbleiterscheiben (Pre-DSP-cleaning);
- Doppelseitenpolitur (DSP) der Halbleiterscheiben (resultie rende Scheibendicke: 780 µm);
- Reinigen der Halbleiterscheiben (Post-DSP-cleaning);
- Hochglanzpolieren (final polishing) der Halbleiterscheiben (resultierende Scheibendicke: 775 µm); und
- Endreinigung der Halbleiterscheiben (final cleaning).

Die Herstellung der gemäß Beispiel 1 erhaltenen gebondeten Halbleiterscheiben war mit einer Kostenersparnis von bis zu 30% gegenüber Verfahren verbunden, mit denen herkömmliche, massive Halbleiterscheiben mit für die Hersteller elektronischer Bau elemente vergleichbaren Eigenschaften produziert wurden.

Beispiel 2 Herstellung einer gebondeten Halbleiterscheibe mit einem Durchmesser von 150 mm

Aus einem nach der Fz-Methode gezogenen Einkristallstück aus Silicium mit einem Durchmesser von 150 mm wurden 160 µm dünne Si-Scheiben mittels Drahtsägetechnik (Drahtdicke 160 µm) her ausgetrennt. Das Einkristallstück bestand aus hochreinem, de fektfreien Silicium mit gleichmäßig verteiltem Dotierstoffge halt. Danach wurden die erhaltenen Hochleistungsscheiben mit einem alkalisch reagierenden, wässerigen Ätzmittel behandelt. Die Dicke der Hochleistungsscheiben betrug nach dem Ätzen 140 µm.

Die weitere Vorgehensweise entsprach der des Beispiels 1) mit dem Unterschied, daß die Hochleistungsscheibe auf eine Sub stratscheibe aus Silicium mit einer Dicke von 580 µm gebondet wurde, die aus qualitativ minderwertigerem Halbleitermaterial bestand, das ebenfalls nach der Fz-Methode zu einem Einkristall gezogen worden war.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung einer gebondeten Halbleiterscheibe umfassend das Abtren nen einer Substratscheibe und einer Hochleistungsscheibe aus Halbleitermaterial, und das Herstellen einer chemischen Verbindung zwischen der Substratscheibe und der Hochleis tungsscheibe durch eine Wärmebehandlung, wobei die Hochleistungsscheibe von einem Einkristall abgetrennt wird und dabei eine Dicke von nicht mehr als 400 µm erhält, dadurch gekennzeichnet, daß die Hochleistungsscheibe vor dem Herstellen der chemischen Ver bindung einer materialabtragenden Behandlung unterworfen wird, die eine Behandlung mit einem Ätzmittel umfaßt, durch die die Dicke der Halbleiterscheibe um bis zu 20 µm redu ziert wird, und eine Schleifbehandlung und/oder ein Kurzpolieren (Touchpolishing).

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Hochleistungs scheibe beim Kurzpolieren um nicht mehr als 10 µm verringert wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sub stratscheibe von einem Einkristall abgetrennt wird, der Versetzungsdefekte aufweist.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sub stratscheibe von einem Kristall aus Halbleitermaterial mit polykristalliner oder multikristalli ner Struktur abgetrennt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sub stratscheibe von einem Körper aus Glas abgetrennt wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Hoch leistungsscheibe von einem Einkristall abgetrennt wird und aus einem Halbleitermaterial besteht, das Anforderungen genügt, die erlauben, mit diesem Halbleitermaterial elektroni sche Bauelemente herstellen zu können, die Linienbreiten von 0,18 µm und weniger ha ben.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Sub stratscheibe vor dem Verbinden mit der Hochleistungsscheibe geschliffen und/oder ab tragspoliert wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die gebon dete Halbleiterscheibe einer Behandlung unterzogen wird, bei der folgende Behandlungs schritte zur Anwendung kommen:

a) die Halbleiterscheibe wird kantenverrundet;
b) die Halbleiterscheibe wird lasermarkiert;
c) die Halbleiterscheibe wird geschliffen;
d) die Halbleiterscheibe wird doppelseitenpoliert;
e) die Halbleiterscheibe wird schleierfrei poliert; und
f) die Halbleiterscheibe wird gereinigt.