DE19941875A1 - Photonische Halbleitervorrichtung - Google Patents
Photonische HalbleitervorrichtungInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title abstract 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title abstract 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title abstract 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3201—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures incorporating bulkstrain effects, e.g. strain compensation, strain related to polarisation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
Eine photonische Halbleitervorrichtung weist ein Si-Substrat; einen auf dem Si-Substrat ausgebildeten SiO¶2¶-Film; einen auf dem SiO¶2¶-Film ausgebildeten ZnO-Film und eine Verbindungs-Halbleiterschicht, angegeben durch In¶x¶Ga¶y¶Al¶2¶N (x + y + z = 1, 0 x 1, 0 y 1 und 0 z 1), die auf dem ZnO-Film ausgebildet ist, auf.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine photonische Halbleitervorrichtung und insbesondere eine
photonische Halbleitervorrichtung, die einen Gruppe-III-V-Verbindungs-Halbleiter, wie GaN,
InGaN, GaAlN, InGaAlN, umfaßt.
Als ein Material zur Bildung einer photonischen Halbleitervorrichtungen, wie eine Licht
aussendende Diode (LED) oder eine Laserdiode (LD) zur Erzeugung von Licht von einem
blauen Licht bis hin zu einem ultravioletten Licht, sind Verbindungs-Halbleiter der Gruppe III-V
bekannt, welche die allgemeine Formel InxGayAlzN besitzen, worin x + y + z = 1, 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦
y ≦ 1 und 0 ≦ z ≦ 1 gilt. Da eine solche Art von Verbindungs-Halbleiter ein Direkt-Übergangs-
Typ ist, besitzt er eine hohe Lichtaussendungseffizienz. Da es weiterhin möglich ist, die
Wellenlänge eines ausgesandten Lichts durch Regulieren der In-Konzentration zu regulieren,
zog der Verbindungs-Halbleiter das öffentliche Interesse auf sich.
Da es schwierig ist, einen Einzelkristall im großen Maßstab unter Verwendung des InxGayAlzN
herzustellen, wenn ein Film aus einem solchen Kristall hergestellt werden soll, wird ein als
hetero-epitaxiales Wachstum bezeichnetes Verfahren zum Züchten des Kristalls auf Substraten
aus unterschiedlichen Materialien verwendet; im allgemeinen ist es üblich, daß man den Kristall
auf einem C-Oberflächen-Saphir-Substrat und einem Si-Substrat wachsen läßt.
Da jedoch das C-Oberflächen-Saphir-Substrat und Si-Substrat kein mit der Verbindung
InxGayAlzN abgestimmtes Kristallgitter aufweisen, besteht das Problem, daß eine große Menge
an Kristalldefekten mit einer Dichte von 108/cm2-1011/cm2 in den auf dem C-Oberflächen-
Saphir oder Si-Substrat gezüchteten Kristallen auftreten. Als Folge davon ist es unmöglich,
einen Kristallfilm mit einer guten Qualität und einer ausgezeichneten Kristallinität zu erhalten.
Demzufolge wurde vorgeschlagen, daß ein ZnO-Film als Pufferfilm auf dem C-Oberflächen-
Saphir-Substrat und Si-Substrat gebildet wird. Obwohl es möglich ist, einen orientierten ZnO-
Film guter Qualität mit dem Licht aussendenden Element zu erhalten, das durch Ausbilden einer
InxGayAlzN-Schicht auf dem C-Oberflächen-Saphir-Substrat durch einen ZnO-Film erhalten
wird, besteht das Problem, daß ein solches Substrat bei hohen Kosten hergestellt werden muß.
Weiterhin besteht, während das Licht aussendende Element durch Ausbilden einer InxGayAlzN-
Schicht auf dem Si-Substrat durch einen ZnO-Film erhalten wird, obwohl ein solches Substrat
bei geringen Kosten hergestellt werden kann, das Problem, daß es unmöglich ist, einen
orientierten ZnO-Film mit guter Qualität zu erhalten, wobei es weiterhin unmöglich ist, eine
InxGayAlzN mit einer ausgezeichneten Kristallinität auf dem ZnO-Film zu züchten.
Die vorliegenden Erfindung zielt auf eine photonische Halbleitervorrichtung ab, welche eine
ausgezeichnete InxGayAlzN-Schicht umfaßt, die unter Verwendung eines Si-Substrats ausgebildet
wird.
Die photonische Halbleitervorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß der ZnO-Film auf Si-
Substrat mit einem dazwischenliegenden SiO2-Film ausgebildet wird, um ein Basissubstrat zu
erhalten, wobei eine Verbindungs-Halbleiterschicht, angegeben durch InxGayAlzN(x + y + z = 1,
0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 und 0 ≦ z ≦ 1), auf dem Basissubstrat ausgebildet wird.
Gemäß den durch den Erfinder der vorliegenden Erfindung durchgeführten Experimenten war es
möglich, einen ZnO-Film mit einer guten Kristallinität zu erhalten, wenn ein SiO2-Film auf
einem Si-Substrat ausgebildet wurde und ein ZnO-Film auf dem SiO2-Film ausgebildet wurde,
Insbesondere, wenn die Oberfläche des Si-Substrats leicht thermisch oxidiert war und ein SiO2
Film (thermisch oxidierter Film) mit einer Dicke von 100 Å auf dem Si-Substrat ausgebildet
wird, könnte man einen ZnO-Film mit einer guten Kristallinität erhalten. Zudem, selbst wenn
unter einer Bedingung, wo der SiO2 Film auf der Oberfläche des Si-Substrats mittels einer
physikalischen Abscheidung, wie Sputtern, ausgebildet wurde, war es dennoch möglich, einen
ZnO-Film mit einer guten Kristallinität zu erhalten. Daher ist es gemäß der vorliegenden
Erfindung möglich, einen ZnO-Film mit einer guten Kristallinität auf einem billigen Si-Substrat
zu züchten, und es war auch möglich, einen InxGayAlzN-Kristall darauf zu züchten, wobei der
ZnO-Film als Pufferschicht dient. Somit wurde es möglich, bei verminderten Kosten eine
photonische Halbleitervorrichtung der InxGayAlzN-Reihe herzustellen, welche zum Aussenden
von Licht von einem blauen Licht bis hin zu einem ultravioletten Licht in der Lage ist.
Zum Zwecke der Erläuterung der Erfindung werden in den Zeichnungen mehrere Formen
gezeigt, die in der vorliegenden Erfindung bevorzugt werden, wobei es sich aber versteht, daß
die Erfindung nicht auf die gezeigten genauen Anordnungen und Vorrichtungen beschränkt ist.
Die Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch eine photonische Halbleitervorrichtung
gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darlegt.
Die Fig. 2 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch die Veränderung von auf einem Substrat
in Richtung der Kristallachse gezüchteten Kristallen anzeigt.
Die Fig. 3 ist eine erläuternde Grafik, die eine Rockingkurve darlegt.
Die Fig. 4 zeigt Messungsdaten, die das Verhältnis zwischen der Dicke eines SiO2-Films und der
Rockingkurven-Halbwertsbreite des ZnO-Films darlegt.
Im Folgenden werden die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung
ausführlich unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert.
Die Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch eine photonische Halbleitervorrichtung 1
gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darlegt. Die photonische
Halbleitervorrichtung 1 kann eine Licht aussendende Diode oder eine Laserdiode vom
Oberflächen-Emissions-Typ sein, wobei jede eine InGaN-Schicht 7 aufweist, die als eine
lumineszierende Schicht dient. Genau gesagt, eine derartige photonische Halbleitervorrichtung 1
kann durch Ausbilden eines SiO2-Films 3 mit einer Dicke von etwa 1000 Å auf einem Si-
Substrat 2 mittels thermischer Oxidation, gefolgt von dem Ausbilden darauf eines ZnO-Films 4
mit einer Dicke von 3500 Å und mit einem niedrigen spezifischen elektrischen Widerstand,
erhalten werden. Als nächstes wird ein als "epitaxiales Wachstum" bezeichnetes Verfahren
angewandt, um nacheinander eine GaN-Schicht 5 vom n-Typ, eine AlGaN-Schicht 6 vom n-Typ,
die InGaN-Schicht 7 (eine lumineszierende Schicht), eine AlGaN-Schicht 8 vom p-Typ und eine
GaN-Schicht 9 vom p-Typ auszubilden. Auf diese Weise werden die GaN-Schicht 5 vom n-Typ,
die AlGaN-Schicht 6 vom n-Typ, die InGaN-Schicht 7, die AlGaN-Schicht 8 vom p-Typ, die
GaN-Schicht 9 vom p-Typ zur Erzeugung einer doppelten kombinierten Heterostruktur
verwendet. Weiterhin wird eine untere Elektrode 10 teilweise ausgebildet, um die gesamte
Oberflächenunterseite des Si-Substrats 2 vollständig zu überdecken, während eine obere
Elektrode 11 ausgebildet wird, um die obere Fläche der GaN-Schicht 9 vom p-Typ teilweise zu
überdecken. Auf diese Weise fließt, wenn eine elektrische Spannung an eine Position zwischen
der oberen Elektrode 11 und der unteren Elektrode 10 angelegt wird, ein elektrischer Strom von
der oberen Elektrode 11 in die InGaN-Schicht 7, wodurch bewirkt wird, daß diese Licht
aussendet, so daß das Licht von der InGaN-Schicht 7 von einem Bereich, welcher nicht durch
die auf der oberen Fläche der GaN-Schicht 9 vom p-Typ ausgebildeten obere Elektrode 11,
bedeckt ist, nach außen ausgesandt werden kann.
Wenn auf diese Weise ein SiO2 Film 3 mittels thermischer Oxidation auf dem Si-Substrat 2
ausgebildet wird und ein ZnO-Film 4 darauf ausgebildet wird, ist es möglich, einen ZnO-Film 4
mit einer guten c-Achsen-Orientierung zu erhalten. Als ein Resultat war es möglich, ein
epitaxiales Wachstum einer Kristallschicht mit einer doppelten Heterostruktur, bestehend aus
einer GaN-Schicht S vom n-Typ, zu bewirken.
Darüberhinaus war man in der Lage, einen ZnO-Film 4 mit einer guten Kristallinität zu erhalten,
selbst wenn der SiO2 Film 3 nicht mittels thermischer Oxidation, sondern durch ein Sputter
verfahren ausgebildet wird zur Ausbildung des Films auf dem Si-Substrat 2, und anschließend
ein ZnO-Film 4 darauf ausgebildet wird.
Um die Beziehung zwischen dem Vorliegen des SiO2-Films 3 auf dem Si-Substrat 2 und die
Kristallinität des ZnO-Films 4 zu untersuchen, wurden mehrere Proben hergestellt, um die
Qualität der Kristallinität des ZnO-Films 4 durch Untersuchung der Halbwertsbreite der
Rockingkurve zu bewerten.
Zuerst wurde als eine Probe der vorliegenden Erfindung ein SiO2-Film 3 mit einer Dicke von
200 Å auf dem Si-Substrat unter der folgenden Bedingung A ausgebildet, danach wurde der
ZnO-Film 4 mit einer Dicke von 3500 Å darauf ausgebildet.
Bedingung A:
Gasströmungsrate: 20 sccm
Gaspartialdruckverhältnis: Ar/O2 = 70/30
Substrat-Erwärmungstemperatur: 200°C
elektrische RF-Leistung: 350 W
Druck: 1 × 10-2 Torr
Bedingung A:
Gasströmungsrate: 20 sccm
Gaspartialdruckverhältnis: Ar/O2 = 70/30
Substrat-Erwärmungstemperatur: 200°C
elektrische RF-Leistung: 350 W
Druck: 1 × 10-2 Torr
Als nächstes wurde als eine Probe des Stands der Technik ein ZnO-Film mit einer Dicke von
3500 k direkt auf dem Si-Substrat ausgebildet. Anschließend wurden die Halbwertsbreiten der
Rockingkurven des ZnO-Films sowohl bei der Probe der vorliegenden Erfindung als auch bei
der Probe des Stands der Technik gemessen und es wurde festgestellt, daß die Halbwertsbreite
der Rockingkurve bei der Probe des Stands der Technik W = 4,640° war, während die Halb
wertsbreite der Rockingkurve bei der Probe der vorliegenden Erfindung W = 3,74° war.
Zuerst wurde als eine Probe der vorliegenden Erfindung ein SiO2 Film 3 mit einer Dicke von
500 Å auf dem Si-Substrat unter der folgenden Bedingung B ausgebildet, und anschließend
wurde ein ZnO-Film 4 mit einer Dicke von 3500 lt darauf ausgebildet.
Bedingung B:
Gasströmungsrate: 20 sccm
Gaspartialdruckverhältnis (Ar/O2): 70/30
Substrat-Erwärmungstemperatur: 230°C
Elektrische RF-Leistung: 350 W
Druck: 1 × 10-2 Torr
Bedingung B:
Gasströmungsrate: 20 sccm
Gaspartialdruckverhältnis (Ar/O2): 70/30
Substrat-Erwärmungstemperatur: 230°C
Elektrische RF-Leistung: 350 W
Druck: 1 × 10-2 Torr
Als nächstes wurde als eine Probe des Stands der Technik ein ZnO-Film mit einer Dicke von
3500 Å direkt auf dem Si-Substrat ausgebildet. Anschließend wurden die Halbwertsbreiten der
Rockingkurven von ZnO-Filmen sowohl bei der Probe der vorliegenden Erfindung als auch der
Probe des Stands der Technik gemessen und es wurde festgestellt, daß die Halbwertsbreite der
Rockingkurve bei der Probe des Stands der Technik W = 4,31° war, während die Halb
wertsbreite der Rockingkurve bei der Probe der vorliegenden Erfindung W = 3,11° war.
Zuerst wurde als eine Probe der vorliegenden Erfindung ein SiO2-Film 3 mit einer Dicke von
1000 Å direkt auf dem Si-Substrat unter der folgenden Bedingung C ausgebildet, und
anschließend wurde ein ZnO-Film mit einer Dicke von 3500 Å darauf ausgebildet.
Bedingung C:
Gasströmungsrate: 20 sccm
Gaspartialdruckverhältnis: Ar/O2 = 70/30
Substrat-Erwärmungstemperatur: 260°C
Elektrische RF-Leistung: 350 W
Druck: 1 × 10-2 Torr
Bedingung C:
Gasströmungsrate: 20 sccm
Gaspartialdruckverhältnis: Ar/O2 = 70/30
Substrat-Erwärmungstemperatur: 260°C
Elektrische RF-Leistung: 350 W
Druck: 1 × 10-2 Torr
Als nächstes wurde als eine Probe des Stands der Technik ein ZnO-Film mit einer Dicke von
3500 Å direkt auf dem Si-Substrat ausgebildet. Anschließend wurden die Halbwertsbreiten der
Rockingkurven des ZnO-Films sowohl bei der Probe der vorliegenden Erfindung als auch der
Probe des Stands der Technik gemessen und es wurde festgestellt, daß die Halbwertsbreite der
Rockingkurve bei der Probe des Stands der Technik W = 3,84° war, während die Halbwerts
breite der Rockingkurve bei der Probe der vorliegenden Erfindung W = 2,661° war.
Diese Proben und die Meßresultate ihrer Rockingkurven-Halbwertsbreiten sind wie in der
nachstehenden Tabelle 1 aufgeführt.
Als nächstes folgt eine Erläuterung zu der Rockingkurven-Halbwertsbreite W, die zur Be
wertung der c-Achsen-Orientierung verwendet wird. Wie in Fig. 2 gezeigt, zeigen die anfänglich
ausgebildeten Kristallschichten, wenn man einen ZnO-Film auf dem Substrat wachsen läßt, daß
ihre Kristallachsenrichtungen (durch Pfeile angegeben) statistisch und nicht gleichmäßig sind, da
diese Kristallschichten nicht gitterkonform mit dem Substrat sind. Die Kristallachsenrichtungen
gleichen sich nach und nach an, wenn die Kristallschichten übereinander laminiert werden.
Ferner, wenn eine statistische Ausdehnung bzw. das statistische Ausmaß in der Kristallachsen
richtung eines dünnen Kristallfilms zu bewerten ist, kann eine Röntgenstrahlbeugungsvor
richtung zur Messung der Rockingkurve eingesetzt werden. Genauer gesagt, es wird ein
Röntgenstrahl auf ein Testsubstrat projiziert und das reflektierte Licht wird durch einen
Lichtdetektor unter Bedingungen detektiert, daß der Einfallswinkel relativ im Verhältnis zu dem
Testsubstrat verändert wird.
Um noch genauer zu sein, wo die Position des Röntgenstrahls fixiert wird, wird das Testsubstrat
um die Drehachse sich drehen gelassen, welche parallel zu dem Testsubstrat angeordnet ist, so
daß die normale Vertikale des Testsubstrats in ihrer Richtung verändert werden kann.
Gleichzeitig wird die Position des Detektors ebenfalls in Abstimmung mit der Rotation des
Testsubstrats in einer Weise gedreht, daß ein direkt von dem Testsubstrat reflektiertes Licht
durch den Detektor detektiert werden kann. Auf diese Weise kann die Intensität des reflektierten
Lichts detektiert werden, während gleichzeitig der Winkel des Testsubstrats verändert wird. In
diesem Moment ist der zwischen dem einfallenden Licht und dem reflektierten Licht gebildete
Winkel, nachdem ein Outputsignal des Detektors seinen Peakwert erreicht hat, als 2 θ1 definiert,
während bei ZnO, das entlang der c-Achse ausgerichtet ist, der Winkel sich an seinem Peak
befindet, wenn der Winkel 2 θp gleich 34,4° ist. Anschließend wird die Position des
Röntgenstrahls fixiert und der Detektor wird an einer Peakposition fixiert, um allein das
Testsubtrat in der Nähe der Peakposition rotieren zu lassen und damit die Intensität des
Röntgenstrahls zu messen.
Die Verteilung des auf diese Weise erhaltenen Röntgenstrahls ist eine Rockingkurve, und die
Position, wo der Detektor fixiert wurde, ist θp = 17,2°. Hier wird eine Abweichung des Peaks
einer gemessenen Rockingkurve weg von einem Winkel von 17,2° zu einer Neigung der c-Achse
des ZnO-Films. Die Verteilung der Röntgenstrahlenintensität, angegeben durch den relativen
Winkel, der durch Ersetzen der Peakposition (17,2°) durch 0° erhalten wird, wird die
Rockingkurve 12, wie in Fig. 3 gezeigt. In Fig. 3 wird die horizontale Achse dazu verwendet, um
den Winkel (Neigung) der c-Achse darzustellen, während die vertikale Achse dazu verwendet
wird, um die Intensität anzugeben. Ob eine gute Kristallorientierung der auf das Substrat 12
laminierten Kristalle vorliegt, kann durch Verfolgen des Halbwertsbreite (auch als volle Breite
bei halbem Maximum oder als FWHM abgekürzt bezeichnet) der Rockingkurve 13 bewertet
werden. Das heißt, wenn die Kristalle in ihren Axialrichtungen überaus unregelmäßig sind,
verändert sich die Rockingkurve 13 in geringer Weise und ihre Halbwertsbreite K2 wird breiter,
wie durch eine fette Linie in Fig. 3 gezeigt. Wenn andererseits die Kristalle in ihren axialen
Richtungen gleichförmig sind, verändert sich die Rockingkurve 13 auf abrupte Weise und ihre
Halbwertsbreite K1 wird schmal, wie durch eine unterbrochene Linie in Fig. 3 gezeigt.
Deshalb ist es, wie anhand der Meßresultate in Tabelle 1 verständlich wird, durch Vorsehen
eines SiO2-Films 3 auf dem Si-Substrat und ein weiteres Ausbilden eines ZnO-Films darauf
möglich, einen ZnO-Film mit einer guten c-Achsen-Orientierung zu erhalten.
Als nächstes wurde eine Untersuchung des Verhältnisses zwischen der Dicke des SiO2 Films 3
und des an der c-Achse orientierten Films, die alle auf dem Si-Substrat ausgebildet wurden,
durchgeführt. Die Fig. 4 dient dazu, die Meßresultate der Rockingkurven-Halbwertsbreite des
ZnO-Films unter einer Bedingung anzuzeigen, wo die Dicke von SiO2 sich innerhalb eines
Bereichs von 0-1500 Å verändert, wodurch ZnO-Filme von 3500 Å, 10 000 Å bzw. 20 000 Å
ausgebildet werden. Wie an solchen Meßresultaten zu erkennen ist, wird die Rockingkurven-
Halbwertsbreite des ZnO-Films kleiner, wenn die Dicke des SiO2-Films 3 größer gemacht wird,
ohne von der Dicke des ZnO-Films abzuhängen (insbesondere, wenn die Dicke davon 3500-
20 000 Å beträgt), womit bewiesen wird, daß die c-Achsen-Orientierung des ZnO-Films sich in
gutem Zustand befindet. Weiterhin wird, nachdem die Dicke des SiO2 Films 3 etwa 100 Å
überstiegen hat, die Rockingkurven-Halbwertsbreite plötzlich klein unabhängig von der Dicke
des ZnO-Films. Daher ist es durch Einstellen der Dicke des SiO2-Films 3 auf einen Wert von
etwa 100 Å oder mehr möglich, einen SiO2-Film 3 mit einer guten c-Achsen-Orientierung zu
erhalten. Zudem, wenn die Dicke des SiO2-Films 3 etwa 300 Å übersteigt, wird die
Rockingkurven-Halbwertbreite gesättigt und befindet sich dadurch in einem stabilisierten
Zustand, unabhängig von der Dicke des ZnO-Films. Aus diesem Grund ist es durch Einstellen
der Dicke des SiO2-Films 3 auf einen Wert von etwa 300 Å oder mehr möglich, einen SiO2-Film
3 mit einer guten c-Achsen-Orientierung zu erhalten und dadurch gleichmäßige Charakteristika
zu erzielen. Daher ist es bevorzugt, die Dicke des SiO2 Films 3 auf einen Wert von etwa 100 Å
oder mehr, insbesondere auf einen Wert von etwa 300 Å oder mehr, einzustellen.
Es wurden zwar bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung beschrieben, doch es werden
verschiedene Wege der Bewerkstelligung der hierin beschriebenen Prinzipien als innerhalb des
Umfangs der nachfolgenden Ansprüche liegend in Erwägung gezogen. Daher versteht es sich,
daß der Umfang der Erfindung nicht eingeschränkt werden soll, es sein denn, dies ist in den
Ansprüchen auf andere Weise dargelegt.
Claims (12)
1. Photonische Halbleitervorrichtung, umfassend:
ein Si-Substrat;
einen SiO2-Film auf dem Si-Substrat;
einen ZnO-Film auf dem SiO2-Film; und
eine Verbindungs-Halbleiterschicht, angegeben durch InxGayAlzN, worin x + y + z = 1, 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 und 0 ≦ z ≦ 1 ist, in Verbindung mit dem ZnO-Film.
ein Si-Substrat;
einen SiO2-Film auf dem Si-Substrat;
einen ZnO-Film auf dem SiO2-Film; und
eine Verbindungs-Halbleiterschicht, angegeben durch InxGayAlzN, worin x + y + z = 1, 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 und 0 ≦ z ≦ 1 ist, in Verbindung mit dem ZnO-Film.
2. Photonische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der SiO2-Film eine Dicke von
mindestens etwa 100 Å besitzt.
3. Photonische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der SiO2-Film eine Dicke von
mindestens etwa 300 Å besitzt.
4. Photonische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei der SiO2-Film ein thermisch
oxidierter Film ist.
5. Photonische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei der SiO2-Film ein physikalisch
abgeschiedener Film ist.
6. Photonische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, wobei der SiO2-Film ein thermisch
oxidierter Film ist.
7. Photonische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, wobei der SiO2-Film ein physikalisch
abgeschiedener Film ist.
8. Photonische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der SiO2 Film ein thermisch
oxidierter Film ist.
9. Photonische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei der SiO2 Film ein physikalisch
abgeschiedener Film ist.
10. Photonische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei der SiO2-Film ein gesputterter
Film ist.
11. Photonische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, wobei eine n-GaN-Schicht auf dem
SiO2, eine n-AlGaN-Schicht auf dem n-GaN, eine InGaN-Schicht auf der n-AlGaN-
Schicht, eine p-AlGaN-Schicht auf der InGaN-Schicht und eine p-GaN-Schicht auf der p-
AlGaN-Schicht vorliegt und wobei Elektroden auf dem Substrat und der p-GaN-Schicht
vorhanden sind.
12. Photonische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, wobei eine n-GaN-Schicht auf dem
SiO2, eine n-AlGaN-Schicht auf dem n-GaN, eine InGaN-Schicht auf der n-AlGaN-
Schicht, eine p-AlGaN-Schicht auf der InGaN-Schicht und eine p-GaN-Schicht auf der p-
AlGaN-Schicht vorliegt und wobei Elektroden auf dem Substrat und der p-GaN-Schicht
vorhanden sind.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25163998A JP3289683B2 (ja) | 1998-09-04 | 1998-09-04 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19941875A1 true DE19941875A1 (de) | 2000-03-16 |
| DE19941875C2 DE19941875C2 (de) | 2002-03-21 |
Family
ID=17225821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19941875A Expired - Fee Related DE19941875C2 (de) | 1998-09-04 | 1999-09-02 | Optoelektronische Halbleitervorrichtung |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6326645B1 (de) |
| JP (1) | JP3289683B2 (de) |
| DE (1) | DE19941875C2 (de) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100694928B1 (ko) | 1999-07-26 | 2007-03-14 | 도꾸리쯔교세이호진 상교기쥬쯔 소고겡뀨죠 | ＺｎＯ계 화합물 반도체발광소자 및 그 제조방법 |
| JP3398638B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2003-04-21 | 科学技術振興事業団 | 発光ダイオードおよび半導体レーザーとそれらの製造方法 |
| US6693033B2 (en) | 2000-02-10 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface |
| US6555946B1 (en) | 2000-07-24 | 2003-04-29 | Motorola, Inc. | Acoustic wave device and process for forming the same |
| US6638838B1 (en) | 2000-10-02 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same |
| JP4867064B2 (ja) * | 2000-11-17 | 2012-02-01 | 住友化学株式会社 | 発光素子用３−５族化合物半導体およびその製造方法 |
| US6673646B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same |
| US6709989B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon |
| US6646293B2 (en) | 2001-07-18 | 2003-11-11 | Motorola, Inc. | Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates |
| US6693298B2 (en) | 2001-07-20 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same |
| US6667196B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-12-23 | Motorola, Inc. | Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method |
| US6639249B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device |
| US6589856B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-07-08 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices |
| US6673667B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials |
| US20030071327A1 (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Motorola, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
| US6759688B2 (en) * | 2001-11-21 | 2004-07-06 | Microsemi Microwave Products, Inc. | Monolithic surface mount optoelectronic device and method for fabricating the device |
| GB2392170A (en) * | 2002-08-23 | 2004-02-25 | Sharp Kk | MBE growth of a semiconductor layer structure |
| WO2006120908A1 (ja) | 2005-05-02 | 2006-11-16 | Nichia Corporation | 窒化物系半導体素子及びその製造方法 |
| WO2009110806A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-11 | Auckland Uniservices Limited | Optoelectronic light emitting structure |
| US9012253B2 (en) | 2009-12-16 | 2015-04-21 | Micron Technology, Inc. | Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices, and associated systems and methods |
| US9595805B2 (en) | 2014-09-22 | 2017-03-14 | International Business Machines Corporation | III-V photonic integrated circuits on silicon substrate |
| US9395489B2 (en) | 2014-10-08 | 2016-07-19 | International Business Machines Corporation | Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material |
| US9344200B2 (en) | 2014-10-08 | 2016-05-17 | International Business Machines Corporation | Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth |
| CN109148657B (zh) * | 2018-07-12 | 2020-09-15 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种Si衬底上GaN基紫外LED外延片及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0875940A (ja) | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波路の作製方法 |
| JPH0883928A (ja) | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製法 |
| JPH08139361A (ja) | 1994-11-08 | 1996-05-31 | Toshiba Corp | 化合物半導体発光素子 |
| JP2795226B2 (ja) | 1995-07-27 | 1998-09-10 | 日本電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP3257442B2 (ja) * | 1997-04-09 | 2002-02-18 | 松下電器産業株式会社 | 窒化ガリウム結晶の製造方法 |
| JP3813740B2 (ja) * | 1997-07-11 | 2006-08-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子デバイス用基板 |
| US6015979A (en) * | 1997-08-29 | 2000-01-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride-based semiconductor element and method for manufacturing the same |
| JP3316562B2 (ja) | 1998-07-21 | 2002-08-19 | 株式会社村田製作所 | 半導体発光素子及びＺｎＯ膜の形成方法 |
-
1998
- 1998-09-04 JP JP25163998A patent/JP3289683B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-08-30 US US09/385,808 patent/US6326645B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-02 DE DE19941875A patent/DE19941875C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19941875C2 (de) | 2002-03-21 |
| JP2000082842A (ja) | 2000-03-21 |
| US6326645B1 (en) | 2001-12-04 |
| JP3289683B2 (ja) | 2002-06-10 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20120403 |