DE19928547A1 - Drucksensor und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Drucksensor und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
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Abstract
Ein Drucksensor enthält einen Siliziumchip, welcher auf die Oberfläche eines metallischen Diaphragmas über eine Glasschicht gebondet ist, und das Ausgangssignal des Sensors wird nicht von einer innerhalb der Glasschicht gebildeten Blase beeinflußt. Nach dem Bonden des Siliziumchips wird die in der Glasschicht gebildete Blase im Hinblick auf ihre Größe untersucht. Wenn bestimmt wird, daß die Blase innerhalb vorbestimmter akzeptierbarer Herstellungstoleranzen gebildet ist, wird die Struktur in einem Gehäuse angeordnet.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich im allgemeinen
auf Drucksensoren und insbesondere auf ein Verfahren zur
Herstellung eines Halbleiter-Drucksensors.
Die japanische Veröffentlichungsschrift Nr.
Hei. 7-11461 beschreibt einen Drucksensor, welcher einen Abtast
körper enthält, in welchem ein Siliziumchip auf die Ober
fläche eines metallischen Diaphragmas zur Druckaufnahme
über einer bzw. eine Glasschicht gebondet und danach in ei
nem Gehäuse zusammengesetzt bzw. angeordnet ist. Wie in
Fig. 4 dargestellt ist der Siliziumchip 4, welcher Ausdeh
nungs- bzw. Diffusionslehren (diffusion gages) 3a-3d auf
weist, auf die Oberfläche des Diaphragmas 2a des metalli
schen Abtastkörpers 2 über einer bzw. eine Glasschicht 5
derart gebondet, dass eine durch Druck hervorgerufene Ver
biegung bzw. Wölbung des Diaphragmas 2a auf den Silizium
chip 4 über der bzw. die Glasschicht 5 übertragen wird.
Dieser übertragene Druck veranlasst eine Änderung der Wi
derstandswerte der Ausdehnungslehren 3.
Die Ausdehnungslehren 3 sind zur Bildung einer Brücken
schaltung angeschlossen, von der ein elektrisches Signal
entsprechend dem Druck ausgegeben wird. Der Drucksensor,
der wie beschrieben konstruiert ist, besitzt ein Metalldia
phragma, so dass dessen Zuverlässigkeit sogar unter hohem
Druck gross ist. Als Ergebnis kann der Sensor als Hoch
drucksensor wie ein Kraftstoffdrucksensor verwendet werden.
Da jedoch während der Herstellung des oben beschriebe
nen Drucksensors eine Glaspaste auf die Oberfläche des Dia
phragmas 2a gedruckt und der Siliziumchip 4 darauf ange
bracht wird und beide Komponenten gesintert werden, kann
eine Blase wie die Blase 6 in Fig. 4d gebildet werden und
die Glasschicht 5 angreifen, wenn das Diaphragma 2a bei
spielsweise nicht vollständig flach ist. Die in der Glas
schicht 5 gebildete Blase 6 kann durch einen Abfall in der
Temperaturcharakteristik des Sensors, das Unvermögen der
Glasschicht 5 die Biegung des Diaphragmas 2a genau auf den
Siliziumchip 4 zu übertragen oder durch eine Expan
sion/Kontraktion der Blase 6 infolge einer Temperaturände
rung hervorgerufen werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es die oben be
schriebenen Nachteile bzw. Beschränkungen zu überwinden.
Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale der
nebengeordneten unabhängigen Ansprüche.
Entsprechend einer ersten Ausführungsform der vorlie
genden Erfindung wird ein Drucksensor durch Bonden eines
Siliziumchips auf eine Oberfläche eines metallischen Dia
phragmas innerhalb eines Abtastkörpers über einer bzw. eine
Glasschicht hergestellt. Danach wird das Glas untersucht,
um zu bestimmen, ob eine Blase darin vorhanden ist, und im
positiven Fall ihre Größe zu bestimmen, nachdem der Chip
auf das Diaphragma gebondet ist. Ein Abtastkörper, welcher
die oben beschriebene Inspektion durchlaufen hat und für
gut befunden worden ist, wird in dem Gehäuse zusammenge
setzt bzw. angeordnet.
Dementsprechend ist es möglich einen Drucksensor her zu
stellen, dessen Ausgang nicht durch das Vorhandensein einer
Blase in der Glasschicht beeinflusst wird.
Entsprechend einer zweiten Ausführungsform der Erfin
dung wird eine Blase in der Glasschicht unter Sensor-Aus
dehnungslehren (sensor diffusion gages) während der oben
beschriebenen Untersuchung der Glasschicht untersucht. Da
der Einfluss der Blase direkt auf der Ausdehnungslehre auf
tritt, wenn eine Blase in der Glasschicht unter der Ausdeh
nungslehre vorhanden ist, kann die Untersuchung effizient
durch Untersuchen des Teils durchgeführt werden.
Wenn die Ausdehnungslehren in der Mitte befindliche
Lehren und an der Seite befindliche Lehren enthalten, wird
es bevorzugt das Teil unter den in der Mitte befindlichen
Lehren zu untersuchen, da der Einfluss der Blase- in der
Glasschicht unter der in der Mitte befindlichen Lehre be
sonders groß ist. Wenn die Größe der Blase unter 200 µm
liegt, wird ebenfalls der Einfluss der Blase auf die Sen
sorgenauigkeit minimal sein, und somit wird eine Glas
schicht mit einer Blase einer Größe von weniger als 200 µm
als akzeptabel angesehen.
Es wird festgestellt, dass die oben beschriebene Bla
senuntersuchung unter Verwendung eines Infrarotmikroskops
oder mittels einer Ultraschalluntersuchung durchgeführt
werden kann.
Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Be
schreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.
Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht, welche die
Struktur eines Drucksensors entsprechend einer Ausführungs
form der Erfindung darstellt;
Fig. 2 zeigt eine vergrößerte perspektivische Quer
schnittsansicht, welche ein an der Spitze befindliches Teil
eines Abtastkörpers von Fig. 1 darstellt;
Fig. 3 zeigt ein Flußdiagramm, welches ein Verfahren
zur Herstellung des in Fig. 1 dargestellten Drucksensors
darstellt;
Fig. 4A und 4B zeigen erläuternde Diagramme, welche
den Betrieb eines Drucksensors unter Verwendung eines me
tallischen Diaphragmas betreffen;
Fig. 5 zeigt ein Diagramm zur Erklärung verschiedener
Blasenbildungspositionen;
Fig. 6 zeigt eine Tabelle, welche die Sensorempfind
lichkeit und die Temperaturcharakteristik an den in Fig. 5
dargestellten Blasenbildungspositionen im Vergleich damit
darstellt, dass keine Blasen gebildet werden;
Fig. 7 zeigt einen Graphen, welcher die Beziehung der
Sensorempfindlichkeit zu der Blasengröße darstellt, wenn
eine Blase an der Blasenposition A vorhanden ist; und
Fig. 8 zeigt einen Graphen, welcher die Beziehung der
Sensortemperaturcharakteristik der Empfindlichkeit zu der
Blasengröße darstellt, wenn eine Blase an der Blasenpositi
on A vorhanden ist.
Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht, welche die
Struktur eines Drucksensors einer Ausführungsform der vor
liegenden Erfindung darstellt. Der Drucksensor wird zur
Messung des Drucks eines Fluids in der Größenordnung von 20
MPa wie des Drucks eines Fluids bei Kraftstoffeinspritz-
und Fahrzeugbremssystemen verwendet.
Wie in Fig. 1 dargestellt enthält der Sensor ein Gehäu
se 1, welches aus Metall mit einer guten Korrisionswider
standsfähigkeit konstruiert ist und welches zum Schweissen
geeignet ist (beispielsweise SUS 430). Das Gehäuse besitzt
ein Gewinde 1a, welches an ein zu untersuchendes bzw. zu
erfassendes Teil, beispielweise ein Kraftstoffrohr, ge
schraubt und daran befestigt wird.
Ein Abtastkörper 2 ist aus einem Metall mit einer ge
ringen thermischen Ausdehnungsrate wie Covar gebildet, des
sen lineare thermische Ausdehnungsrate nahe derjenigen von
Silizium liegt. Der Abtastkörper besitzt einen Druckeinfüh
rungsport 2b, und ein dünnes Diaphragma 2a ist an dem Ende
davon gebildet. Der Abtastkörper 2 ist in einen inneren
hohlen Abschnitt des Gehäuses 1 gepresst und in dem Gehäuse
1 zusammengesetzt bzw. angeordnet.
Ein Siliziumsensorchip 4 ist über einer bzw. eine Glas
schicht 5, welche aus einem Glas mit einem niedrigen
Schmelzpunkt gebildet ist, auf die obere Oberfläche eines
Diaphragmas 2a des Abtastkörpers 2 gebondet, d. h. auf eine
Seite auf der gegenüberliegenden Seite der Druckeinfüh
rungsseite. Eine Signalverarbeitungsschaltungsplatte 7 zur
Verarbeitung von elektrischen Signalen von dem Siliziumchip
4 ist um das an der Spitze befindliche Teil des Abtastkör
pers 2 wie in Fig. 1 dargestellt angeordnet und enthält ein
laminiertes Keramiksubstrat 7a, einen Schaltungschip 7b und
eine Stütze 7c. Der Siliziumchip 4 ist mit der Signalverar
beitungsschaltungsplatte 7 durch Drähte 8 elektrisch ver
bunden.
Die Stütze 7c in der Signalverarbeitungsschaltungs
platte 7 ist mit einem Steckeranschluss 10a einer An
schlussanordnung 10 beispielsweise mittels elektrischen
Schweissens verbunden, und die Anschlussanordnung 10 und
ein Steckergehäuse 11 sind mittels eines Abdichtungsab
schnitts 1b des Gehäuses 1 über einen O-Ring 12 abgedich
tet.
Die obere Oberfläche des Abtastkörpers 2 und des lami
nierten Keramiksubstrats 7 sind mit einem Beschichtungsma
terial 9 wie einem Siliziumgel beschichtet.
Fig. 2 zeigt eine vergrößerte perspektivische Quer
schnittsansicht, welche das an der Spitze befindliche Teil
des Abtastkörpers 2 darstellt. Der Siliziumchip 4, auf wel
chem Ausdehnungs- bzw. Diffusionslehren 3 (diffusion gages)
gebildet sind, ist über der bzw. die Glasschicht 5 auf das
Diaphragma 2a des Abtastkörpers 2 gebondet. Der Silizium
chip 4 ist unter Verwendung eines einkristallinen N-Typ Si
liziumsubstrats konstruiert, welches eine (110)-Ebenenori
entierung besitzt. Obwohl in Fig. 2 nicht deutlich darge
stellt enthalten die Ausdehnungslehren 3 in der Mitte be
findliche Lehren 3a und 3b und an der Seite befindliche
Lehren 3c und 3d ähnlich wie die in Fig. 5 dargestellten.
Die Ausdehnungslehren 3a bis 3d sind durch (nicht darge
stellte) Aluminiumdrähte verbunden, um eine Brückenschal
tung zu bilden. Des weiteren sind die Ausdehnungslehren mit
der Signalverarbeitungsschaltungsplatte 7 durch den Draht 8
verbunden und geben dadurch elektrische Signale entspre
chend der Verschiebung des Diaphragmas 2a der Signalverar
beitungsschaltungsplatte 7 aus.
Als nächstes wird unter Bezugnahme auf Fig. 3 ein Ver
fahren zur Herstellung des oben beschriebenen Drucksensors
erläutert.
Nachdem der Abtastkörper 2 bereitgestellt worden ist,
in welchem der Druckeinführungsport 2b und das Diaphragma
2a gebildet worden sind, wird in einem Schritt 100 und 110
die Oberfläche des Körpers danach einer Säurereinigungs-
und Kohlenstoffentziehungsbehandlung unterworfen, worauf in
einem Schritt 120 eine Oxidationsbehandlung ausgeführt
wird. Diese Behandlungen sind identisch zu denjenigen, wel
che in dem japanischen Dokument JP-B-7-11461 beschrieben
sind.
Als nächstes wird in einem Schritt 130 eine Glaspaste
auf die Oberfläche des Diaphragmas 2a gedruckt und in einem
Schritt 140 bei etwa 400°C zur Bildung der Glasschicht 5
kalziniert bzw. gebrannt. Danach wird in einem Schritt 150
die kalzinierte Glasschicht 5 auf dem Siliziumschicht 4 an
gebracht und bei etwa 500°C zum Bonden des Chips 4 gesin
tert.
Darauffolgend wird in einem Schritt 160 die Glasschicht
5 untersucht, um zu bestimmen, ob Blasen darin vorhanden
sind. Da Infrarotstrahlen Silizium mehr oder weniger durch
dringen, kann die Blase durch Beobachten der Glasschicht 5
von dem Siliziumchip 4 mittels eines Infrarotmikroskops ge
sehen werden. Es wird bestimmt, ob eine Blase, welche grö
ßer als 200 µm ist, in der Glasschicht 5 unter den in der
Mitte befindlichen Lehren 3a, 3b bei der vorliegenden Aus
führungsform vorhanden ist. Wenn eine Blase von 200 µm oder
darüber vorhanden ist, wird der Abtastkörper 2 nicht dem
darauffolgenden Schritt unterworfen. Wenn der Abtastkörper
2 eine Blase enthält, wird der Abtastkörper 2 dem darauf
folgenden Schritt unterworfen, wenn die Größe davon weniger
als 200 µm beträgt.
Danach wird in einem Schritt 170 der Abtastkörper 2,
der in dem oben beschriebenen Inspektionschip bewertet und
akzeptiert worden ist, in dem Gehäuse 1 angeordnet, und der
in Fig. 1 dargestellte Drucksensor wird durch Ausführen ei
nes Drahtbondens und anderer Anordnungsschritte fertigge
stellt.
Während die Blasenuntersuchung bei der oben beschriebe
nen Ausführungsform mittels des Infrarotmikroskops durchge
führt worden ist, kann die Untersuchung ebenfalls unter
Verwendung einer Ultraschalluntersuchung durchgeführt wer
den. Die Ultraschalluntersuchung wird durch Plazieren einer
Probe in Wasser und durch Aufbringen von Ultraschallwellen
durchgeführt, um die innere Struktur der Probe auf der
Grundlage einer Reflektionswellencharakteristik zu beobach
ten bzw. zuüberwachen.
Obwohl die Untersuchung der Blase in der Glasschicht 5
unter den in der Mitte befindlichen Lehren 3a und 3b bei
der oben beschriebenen Ausführungsform dargestellt worden
ist, kann des weiteren die Untersuchung in der Glasschicht
5 unter den an der Seite befindlichen Lehren 3c, 3d auf
dieselbe Weise durchgeführt werden. Wenn ein Siliziumchip
mit einer (100)-Ebenenorientierung als Siliziumchip 4 ver
wendet wird, verschwindet darüber hinaus die Konfiguration
der in der Mitte befindlichen Lehren und der an der Seite
befindlichen Lehren, so dass die Untersuchung der Blase in
der Glasschicht unter jeder Lehre in diesem Fall durchge
führt wird.
Fig. 5 zeigt ein Diagramm, welches eine Draufsicht auf
einen Siliziumchip 4 darstellt, der eine (110)-Ebenenorien
tierung aufweist. Ausdehnungslehren 3 enthalten in der
Mitte befindliche Lehren 3a, 3b, die in der Mitte eines
Verschiebungsbereichs angeordnet sind, welcher durch Druck
verschoben wird (in dem Bereich, wo ein Diaphragma 2a dar
unter vorhanden ist), und an der Seite befindliche Lehren
3c, 3d, die an dem Rand davon angeordnet sind. Unter den in
einer Glasschicht 5 gebildeten Blasen 6 wird eine Blase an
der Position unter der in der Mitte befindlichen Lehre als
A bezeichnet, eine Blase an der Position an der Seite davon
wird mit B bezeichnet, eine Blase an der Position unter der
an der Seite befindlichen Lehre wird mit C bezeichnet, und
eine Blase an der Position an der Seite davon wird mit D
bezeichnet.
Fig. 6 zeigt eine Tabelle, welche die Empfindlichkeiten
des Sensors und die Temperaturcharakteristik davon an Bla
senerzeugungspositionen A bis D, wenn die Blasengröße 500 µm
beträgt, im Vergleich mit dem Fall darstellt, bei welchem
keine Blase gebildet ist.
Wie in Fig. 6 dargestellt werden die Empfindlichkeit
und die Temperaturcharakteristik durch das Vorhandensein
der Blase 6 beeinflusst. Ein Einfluss der Blase ist sehr
groß, wenn die Blase 6 an der Blasenposition A unter der in
der Mitte befindlichen Lehre vorhanden ist. Während die
oben beschriebene Charakteristik mehr oder weniger eben
falls beeinflusst wird, wenn eine Blase an der Blasenposi
tion C unter der an der Seite befindlichen Lehre vorhanden
ist, ist der Einfluss im Vergleich mit einem Fall nicht so
groß, bei welchem die Blase an der Blasenposition A vorhan
den ist, da die Druckerzeugung an den Positionen klein ist,
wo die an den Seiten befindlichen Lehren gebildet sind, im
Vergleich mit den Positionen, wo die in der Mitte befindli
chen Lehren gebildet sind.
Die Empfindlichkeit (Vs/20) des oben beschriebenen Sen
sors wird aus der Sensorausgangsspannung Vs erlangt, wenn
ein Druck von 20 MPa auf das Diaphragma 2a aufgebracht
wird, und die Temperaturcharakteristik der Empfindlichkeit
wird von der Empfindlichkeit S25 bei 25°C und von der Emp
findlichkeit S120 bei 120°C durch (S120-S25)/S25/(120-25)
erlangt.
Fig. 7 und 8 zeigen experimentelle Ergebnisse, wenn
an der Blasenposition A eine Blase 6 vorhanden ist. Aus
diesen Graphen ergibt sich, dass die Empfindlichkeit und
die Temperaturcharakteristik bezüglich der Empfindlichkeit
nicht durch die Blase wesentlich beeinflusst werden, wenn
die Größe der Blase unter 200 µm liegt.
Vorstehend wurde ein Drucksensor und ein Verfahren zu
dessen Herstellung offenbart. Ein Drucksensor enthält einen
Siliziumchip, welcher auf die Oberfläche eines metallischen
Diaphragmas über einer bzw. eine Glasschicht gebondet ist,
und das Ausgangssignal des Sensors wird nicht von einer in
nerhalb der Glasschicht gebildeten Blase beeinflusst. Nach
dem Bonden des Siliziumchips wird die in der Glasschicht
gebildete Blase im Hinblick auf ihre Größe untersucht. Wenn
bestimmt wird, dass die Blase innerhalb vorbestimmter ak
zeptierbarer Herstellungstoleranzen gebildet ist, wird die
Struktur in einem Gehäuse angeordnet.
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors mit den
Schritten:
Bonden eines Siliziumchips (4), welcher Ausdehnungs lehren (3a-3d) enthält, auf ein Diaphragma (2a) eines Ab tastkörpers (2) über eine Glasschicht (5);
Anordnen des Abtastkörpers (2) in einem Gehäuse (1);
Untersuchen der Glasschicht (5) auf eine darin enthal tene Blase nach dem Bonden; und
Anordnen des Abtastkörpers (2) in dem Gehäuse (1), wenn die Blase in der Glasschicht (5) gebildet ist und be stimmt worden ist, dass die Größe der Blase innerhalb vor bestimmter Herstellungstoleranzen liegt.
Bonden eines Siliziumchips (4), welcher Ausdehnungs lehren (3a-3d) enthält, auf ein Diaphragma (2a) eines Ab tastkörpers (2) über eine Glasschicht (5);
Anordnen des Abtastkörpers (2) in einem Gehäuse (1);
Untersuchen der Glasschicht (5) auf eine darin enthal tene Blase nach dem Bonden; und
Anordnen des Abtastkörpers (2) in dem Gehäuse (1), wenn die Blase in der Glasschicht (5) gebildet ist und be stimmt worden ist, dass die Größe der Blase innerhalb vor bestimmter Herstellungstoleranzen liegt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass der Schritt des Untersuchens den Schritt des Untersu
chens der Blase in der Glasschicht (5) unter den Ausdeh
nungslehren (3a-3d) aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
dass der Siliziumchip (4) eine (110)-Ebenenorientierung
aufweist, die Ausdehnungslehren (3a-3d) in der Mitte be
findliche (3a, 3b) und an der Seite befindliche Lehren (3c,
3d) aufweisen und der Schritt des Untersuchens einen
Schritt des Untersuchens der Blase in der Glasschicht (5)
unter den in der Mitte befindlichen Lehren (3a, 3b) auf
weist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass die in der Glasschicht (5) gebildete Blase als inner
halb vorbestimmter Herstellungstoleranzen befindlich be
stimmt wird, wenn die Blase einen Durchmesser von weniger
als 200 µm aufweist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass der Schritt des Bondens die Schritte aufweist:
Drucken einer Glaspaste auf eine Oberfläche des Dia phragmas (2a);
Kalzinieren der Glaspaste zur Bildung der Glasschicht (5);
Anbringen der Glasschicht (5) auf dem Siliziumchip (4); und
Sintern des Siliziumchips (4) zum Bonden der Glas schicht (5) auf den Siliziumchip (4).
Drucken einer Glaspaste auf eine Oberfläche des Dia phragmas (2a);
Kalzinieren der Glaspaste zur Bildung der Glasschicht (5);
Anbringen der Glasschicht (5) auf dem Siliziumchip (4); und
Sintern des Siliziumchips (4) zum Bonden der Glas schicht (5) auf den Siliziumchip (4).
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass der Schritt des Untersuchens den Schritt des Untersu
chens der Glasschicht (4) unter Verwendung eines Infrarot
mikroskops aufweist.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass der Schritt des Untersuchens den Schritt des Untersu
chens der Glasschicht (4) unter Verwendung von Ultraschall
wellen aufweist.
8. Drucksensor mit:
einem Abtastkörper (2), welcher ein druckempfindliches Diaphragma (2a) enthält;
einer Glasschicht (5), welche auf das Diaphragma (2a) gebondet ist und eine darin gebildete charakteristische Blase innerhalb vorbestimmter Herstellungstoleranzen auf weist; und
einem Siliziumchip (4), welcher auf dem Diaphragma (2a) über der Glassicht (5) angebracht ist.
einem Abtastkörper (2), welcher ein druckempfindliches Diaphragma (2a) enthält;
einer Glasschicht (5), welche auf das Diaphragma (2a) gebondet ist und eine darin gebildete charakteristische Blase innerhalb vorbestimmter Herstellungstoleranzen auf weist; und
einem Siliziumchip (4), welcher auf dem Diaphragma (2a) über der Glassicht (5) angebracht ist.
9. Drucksensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
dass der Siliziumchip (4) eine (110)-Ebenenorientierung
aufweist und in der Mitte befindliche (3a, 3b) und an der
Seite befindliche Ausdehnungslehren (3c, 3d) enthält und
die Blase unter den in der Mitte befindlichen Lehren (3a,
3b) lokalisiert ist.
10. Drucksensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
dass die Blase innerhalb vorbestimmter Herstellungstoleran
zen gebildet ist, wenn die Blase einen Durchmesser von we
niger als 200 µm aufweist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP10-180754 | 1998-06-26 | ||
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