DE19928225B4 - Verfahren zur Herstellung von Mehrlagen-Hybriden - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 8
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 4
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
- C04B41/5338—Etching
- C04B41/5353—Wet etching, e.g. with etchants dissolved in organic solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D5/00—Supports, screens, or the like for the charge within the furnace
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/4807—Ceramic parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0789—Aqueous acid solution, e.g. for cleaning or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0793—Aqueous alkaline solution, e.g. for cleaning or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/08—Treatments involving gases
- H05K2203/087—Using a reactive gas
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
Es wird ein Verfahren zur Erhöhung der Gaspermeabilität von Keramikkörpern, insbesondere von keramischen Setterplatten, vorgeschlagen, wobei die Porosität des Keramikkörpers durch Behandlung mit einer chemischen Reaktionslösung oder einem Reaktionsgas erhöht wird. Als Reaktionslösung eignen sich bevorzugt verdünnte Flußsäure, eine Mischung aus NH¶4¶F und HF oder eine KOH-Lösung. Als Reaktionsgas eignet sich ein Gas, das Chlorgas enthält.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellungen Mehrelag n-Hybriden mittels keramischer Setterplatten.
- Aus
DE 43 09 005 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung von Mehrlagen-Hybriden aus Stapeln von keramischen Grünkörperfolien bekannt. Das Zusammenpressen der Grünkörperfolien beim Sintern und Entbindern erfolgt dabei über keramische Setterplatten (Hilfsbrandplatten), um eine möglichst geringe Schrumpfung und Wölbung innerhalb der Grünkörperfolien zu gewährleisten. - Dabei werden die organischen Hilfstoffe in Form von Bindern oder Sinteradditive in den Grünkörperfolien während des Entbinderns und/oder Sinterns unter axialem Druck in einer Heißpresse weitgehend pyrolisiert und entweichen als organische, gasförmige Ausheizprodukte zumindest weitgehend durch Diffusion durch die keramischen Setterplatten.
- Weiter ist aus JP-03075286 A bekannt, beim Ätzen einer keramischen Platte in einer Ätzlösung gleichzeitig eine Ultraschallbehandlung durchzuführen, Dadurch wird gemäß der Schrift gewährleistet, dass ständig frische Ätzlösung der zu behandelnden Platte zugeführt wird. Zudem wird die Ätzrate erhöht.
- Schließlich wird in DE-19754513 A1 ein Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur beschrieben, wobei die Mikrostruktur durch elektrochemische Ätzung in einem Säurebad verändert wird, so dass eine nicht selektive gas- und/oder flüssigkeitsdurchlässige Partikelbarriere gebildet wird.
- Aufgabe der Erfindung ist die Angabe eines Verfahrens zur Herstellung von Mehrlagen-Hybriden unter Verwendung von keramischen Setterplatten, deren Porosität bei einer Vorbehandlung gezielt erhöht wurde.
- Vorteile der Erfindung
- Das erfindungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruches hat gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, daß damit in einfacher Weise die Gaspermeabilität von Keramikkörpern erhöht werden kann. Dies gilt besonders für bereits fertig gesinterte Keramikkörper, die beispielsweise als Setterplatten beim Entbindern und/oder Sintern von Mehrlagen-Hybriden aus Stapeln von keramischen Grünkörperfolien eingesetzt werden sollen.
- Dabei wird durch das erfindungsgemäße Verfahren vorteilhaft einerseits die erforderliche Zeit zum Sintern bzw. Entbindern der Mehrlagen-Hybriden aus mehreren keramischen Grünkörperfolien deutlich verkürzt und andererseits die Sinterqualität deutlich verbessert.
- Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen.
- So läßt sich die erzielte Porosität der Keramikkörper in sehr einfacher Weise über die Temperatur, die Konzentration und die Zeitdauer der Behandlung mit der chemischen Reaktionslösung oder dem Reaktionsgas definiert einstellen. Besonders vorteilhaft ist weiter, wenn die Behandlung mit der Reaktionslösung mit einer simultanen Ultraschallbehandlung kombiniert wird.
- Als Behandlungsverfahren eignet sich besonders vorteilhaft das Eintauchen des Keramikkörpers in die Reaktionslösung bei gleichzeitiger Ultraschallbehandlung bei Raumtemperatur. Die Reaktionslösung besteht weiter vorteilhaft aus verdünnter Flußsäure, einer Mischung aus NH4F und HF oder einer KOH-Lösung.
- Eine an sich bekannte, kommerziell erhältliche keramische Setterplatte (Hilfsbrandplatte), die beispielsweise im wesentlichen aus keramischem SiC besteht und eine Größe von ca. 200 mm × 200 mm bei einer Dicke von 3 mm bis 11 mm hat, wird bei Raumtemperatur über eine Zeit von 30 min in eine chemische Reaktionslösung aus 50%-iger Flußsäure (HF) als Ätzmedium eingetaucht. Während des Eintauchens wird die chemische Reaktionslösung dabei gleichzeitig einer Ultraschallbehandlung unterzogen.
- Nach Abschluß der Behandlung wird die keramische Platte aus der Reaktionslösung entfernt und bei Bedarf anschließend in einem Wasserbad unter Ultraschallbehandlung zur Entfernung von Rückständen der Reaktionslösung gespült.
- Nach Abschluß dieses Verfahrens wurde eine Erhöhung der Gaspermeabilität der keramischen Platte (Dicke: 11 mm) von ca. 50 % gemessen. Die Temperatur während der Behandlung der keramischen Platte beträgt bevorzugt 10°C bis 40°C, insbesondere Raumtemperatur. Die Konzentration der HF-Lösung liegt bevorzugt zwischen 35 % und 65 %, ganz besonders bevorzugt bei 50 %. Typische Zeiten für die Behandlungsdauer liegen bei ca. 10 min bis 90 min. Generell sind jedoch auch Temperaturen bis unterhalb des Siedepunktes der Reaktionslösung sowie höhere oder niedrigere Konzentrationen der Reaktionslösung bzw. eine höhere oder niedrigere Behandlungsdauer prinzipiell möglich, um gezielt eine gewünschte Porosität einzustellen.
- Alternativ zu der verwendeten HF-Lösung eignet sich als chemische Behandlungslösung weiter eine Mischung von NH4F mit HF. Diese Mischung wird beispielsweise in einem Verhältnis von 10:1 bis 3:1, bevorzugt 5:1 hergestellt.
- Daneben kann als chemische Behandlungslösung auch eine 20%-ige bis 40%-ige, bevorzugt 30%-ige kochende KOH-Lösung eingesetzt werden, wobei die Behandlungsdauer dann beispielsweise 20 min bis 2 h, insbesondere 1 h beträgt. Nach der Behandlung mit der KOH-Lösung erfolgt zusätzlich eine bevorzugt ca. 10 minütige Nachbehandlung mit einer HF-Lösung oder einer Lösung mit einer Mischung von HF und NH4F unter gleichzeitigem Einsatz von Ultraschall analog den vorstehenden Ausführungen.
- Alternativ zu der Behandlung der Keramikkörper oder der keramischen Setterplatten mit chemischen Reaktionslösungen zur Erhöhung der Porosität eignet sich weiterhin auch eine Behandlung mit einem Reaktionsgas. Dazu werden die keramischen Setterplatten beispielsweise bei Temperaturen von 600°C bis 700°C in einem gasdichten Muffelofen einer chlorgashaltigen Gasatmosphäre als Reaktionsgas ausgesetzt. In diesem Fall beträgt die Behandlungsdauer je nach zu erreichender Porosität und Chlorkonzentration typischerweise ca. 10 min bis 1 h. Der Einsatz von Chlorgas hat den Vorteil, daß die entstehenden Reaktionsprodukte, insbesondere SiCl4 und HCl, dann gasförmig entweichen. Die Konzentration des Chlorgases kann dabei im Einzelfall durch Zusatz eines Träger- oder Inertgases wie Stickstoff oder Argon eingestellt werden.
- Die erläuterten Verfahren eignen sich im übrigen nicht nur zur Behandlung von keramischen Platten, sondern allgemein zur Erhöhung der Gaspermeabilität von Keramikkörpern, die beispielsweise im wesentlichen aus SiC, SiN, TiC, TiN, ZrO2, Al2O3 oder BN bestehen.
- Zur Einstellung definierter Porositäten mit dem erfindungsgemäßen Verfahren sind im Einzelfall, je nach Zusammensetzung des Keramikkörpers, vom Fachmann dazu einfache orientierende Vorversuche zur Ermittlung der jeweils geeigneten Verfahrensparameter vorzunehmen. Dabei führt eine Erhöhung der Konzentration der Reaktionslösung oder des Reaktionsgases, der Behandlungsdauer und der Behandlungstemperatur tendenziell zu einer Erhöhung der erzielten Porosität.
- Die chemische Behandlungslösung kann im übrigen auch auf den Keramikkörper aufgesprüht werden.
Claims (3)
- Verfahren zur Herstellung von Mehrlagen-Hybriden mit den Schritten – Bereitstellen von keramischen Setterplatten, die mit den folgenden Schritten vorbehandelt wurden: a) Behandlung mit einer 20–40% KOH Lösung b) Nachbehandlung mit einer HF-Lösung einer Konzentration von 35–65% oder einer Lösung aus einer Mischung von HF und NH4F – Sintern und/oder Entbindern der Mehrlagen-Hybride mit Hilfe der Setterplatten unter axialem Druck in einer Heißpresse.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlung der keramischen Setterplatten mit der HF-Lösung oder der Lösung aus einer Mischung von HF und NH4F mit einer gleichzeitigen Ultraschallbehandlung kombiniert wird.
- Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Dauer der Behandlung und/oder die Temperatur der HF-Lösung oder der Lösung aus einer Mischung von HF und NH4F verändert wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19928225A DE19928225B4 (de) | 1999-06-19 | 1999-06-19 | Verfahren zur Herstellung von Mehrlagen-Hybriden |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19928225A DE19928225B4 (de) | 1999-06-19 | 1999-06-19 | Verfahren zur Herstellung von Mehrlagen-Hybriden |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19928225A1 DE19928225A1 (de) | 2001-01-11 |
DE19928225B4 true DE19928225B4 (de) | 2006-08-31 |
Family
ID=7911920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19928225A Expired - Fee Related DE19928225B4 (de) | 1999-06-19 | 1999-06-19 | Verfahren zur Herstellung von Mehrlagen-Hybriden |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19928225B4 (de) |
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---|---|
DE19928225A1 (de) | 2001-01-11 |
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