DE19924320A1 - Isoliervorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines isolierten Bereiches - Google Patents
Isoliervorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines isolierten BereichesInfo
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Abstract
Es wird eine Isoliervorrichtung (5) mit einem Grundkörper (10) und mindestens einem auf der Oberfläche des Grundkörpers (10) bereichsweise angeordneten Bauteil (20), insbesondere einer Sensiereinrichtung oder einer elektrischen Schaltung, vorgeschlagen, wobei der Grundkörper (10) bereichsweise mit mindestens einem Isolierbereich (30) versehen ist, der aus einem Polymermaterial besteht. Das Bauteil (20) steht dabei bereichsweise direkt mit dem Grundkörper (10) und bereichsweise mit dem Isolierbereich (30) in Kontakt. Daneben wird ein Verfahren zur Herstellung eines thermisch und/oder elektrisch isolierten Bereiches eines Grundkörpers (10) vorgeschlagen, wobei der Grundkörper (10) bereichsweise mit mindestens einem Isolierbereich (30) aus einem gegenüber dem Grundkörper (10) schlecht wärmeleitenden und/oder schlecht elektrisch leitenden Polymermaterial versehen wird. Die vorgeschlagene Isoliervorrichtung (5) eignet sich besonders als Substrat für Dünnschicht-Thermoelemente, Luftmassensensoren oder elektrische Hochfrequenzschaltungsanordnungen.
Description
Die Erfindung betrifft eine Isoliervorrichtung und ein Ver
fahren zur Herstellung eines insbesondere thermisch und/oder
elektrisch isolierten Bereiches eines Grundkörpers nach der
Gattung der unabhängigen Ansprüche
Für verschiedene Anwendungen sind die elektrische und/oder
thermische Isolierung kleiner Bereiche eines Bauteils oder
einer elektrischen Schaltung gegenüber dem übrigen Substrat
notwendig. Ein Beispiel dafür ist ein Dünnschicht-
Thermoelement, bei dem sich der "kalte Kontakt" auf einem
thermisch gut leitfähigen Substrat, beispielsweise einem Si
liziumwafer befindet, und der "warme" Kontakt" auf einer
thermisch gegenüber dem Substrat isolierten Fläche angeord
net werden muß. Dazu werden üblicherweise freitragende Mem
branen, beispielsweise aus Siliziumnitrid, oder lokal oxi
dierte Bereiche eines Siliziumwafers verwendet. Membranen
sind zwar gut isolierend, aber mechanisch sehr instabil,
während Siliziumoxid mechanisch zwar sehr stabil ist, aber
beispielsweise gegenüber einer freitragenden Siliziumnitrid-
Membran deutlich besser wärmeleitend ist. Im übrigen ist Si
liziumoxid auch schwierig in ausreichender Dicke herzustel
len.
Die erfindungsgemäße Isoliervorrichtung und das erfindungs
gemäße Verfahren zur Herstellung eines isolierten Bereiches
hat gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, daß damit
in einem Isolationsbereich insbesondere eine gute thermische
und/oder elektrische Isolation dieses Bereiches gegenüber
dem übrigen, beispielsweise als Substrat oder Tragkörper
dienenden Grundkörper erzielt wird, und daß gleichzeitig ei
ne hohe mechanische Stabilität des Isolationsbereiches ge
währleistet ist. Diese Vorteile sind verbunden mit einer
weitgehend ebenen Oberfläche des Grundkörpers und einem ins
gesamt preisgünstigen Herstellungsprozeß.
Weitere Vorteile der erfindungsgemäßen Isoliervorrichtung
und des erfindungsgemäßen Verfahrens liegen in der hohen
räumlichen Auslösung mit der die Isolierbereiche auf dem
Grundkörper erzeugt werden können, sowie der Kompatibilität
der eingesetzten Verfahren und Verfahrensschritte mit eta
blierten Verfahren aus der Halbleitertechnologie. Insbeson
dere ist vorteilhaft, daß die eingesetzten Verfahrensschrit
te im einzelnen an sich jeweils bekannt und etabliert sind.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus
den in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeich
nung und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
Die Figur zeigt einen Grundkörper mit einem isolierten Be
reich und einem darauf angebrachten Bauteil.
Die Figur zeigt eine Isoliervorrichtung 5 aus einem Grund
körper 10 aus Silizium, der oberflächlich bereichsweise eine
Ausnehmung 11 in Form einer Wanne aufweist, die mit einer
Füllung 14 aus einem Polymermaterial gefüllt ist. Der Grund
körper 10 ist beispielsweise ein Siliziumwafer. Die Füllung
14 füllt die Ausnehmung 11 vollständig aus und schließt
oberflächlich mit dem Grundkörper 10 bündig und eben ab. Der
Bereich der Ausnehmung 11 bildet dabei einen Isolierbereich
30, der aus einem Material besteht, das gegenüber dem Sili
zium des den Isolierbereich 30 umgebenden, verbliebenen
Grundkörpers 10 eine Wärmeleitfähigkeit aufweist, die ca.
10-3-fach bis 10-5-fach geringer ist als die von Silizium.
Auf der Oberfläche des Grundkörpers 10 ist weiter bereichs
weise ein Bauteil 20 angeordnet, so daß der Grundkörper für
dieses als Substrat oder Tragkörper dient. Dieses Bauteil 20
ist im erläuterten Ausführungsbeispiel ein flächiges, an
sich bekanntes Thermoelement 21, das auf dem Grundkörper 10
und dem Isolierbereich 10 derart angeordnet ist, daß ein
Teil des Thermoelementes, ein sogenannter "warmer" Kontakt
bereich 12, mit dem Isolierbereich 30 in direktem Kontakt
ist. Der verbleibende Teil des Thermoelementes, ein soge
nannter "kalter Bereich" 13, ist dagegen mit der Oberfläche
des Grundkörpers 10 in direktem Kontakt. Weiterhin sind auf
der Oberfläche des Grundkörpers 10 an sich bekannte Kontak
tierungen 15 zur elektronischen Auswertung oder Ansteuerung
des Thermoelementes 21 vorgesehen.
Die Ausnehmung 11 hat im erläuterten Beispiel eine typische
Größe von ca. 10 µm × 10 µm bis zu ca. 1000 µm × 1000 µm bei
einer Tiefe von ca. 10 µm bis 500 µm. Das Polymer, mit dem
die Ausnehmung 11 gefüllt ist, ist beispielsweise Benzocy
clobutan, das von der Fa. Dow Chemical unter dem Handelsna
men "Cycloten" vertrieben wird.
Kern der Erfindung ist somit der Einsatz von lokal und ins
besondere eng beschränkten Polymerinseln als isolierende Be
reiche 30. Dabei kann die Isolierung eine Verminderung der
Wärmeleitfähigkeit in dem Isolierbereich 30 bewirken, sie
kann jedoch ebenso zur Verminderung der elektrischen Leitfä
higkeit, oder zur Veränderung der magnetischen oder dielek
trischen Permeabilität eingesetzt werden. Allgemein unter
scheidet sich das Polymermaterial in dem Isolierbereich 30
somit in seinen physikalischen Eigenschaften deutlich von
dem Material des verbliebenen Grundkörpers 10.
Im für Thermoelemente oder Luftmassensensoren als Bauteile
20 relevanten Fall einer in dem Isolierbereich 30 zu vermin
dernden Wärmeleitfähigkeit, wobei der übrige Grundkörper 10
im wesentlichen aus Silizium besteht, eignen sich vor allem
Polymere als Füllung 14, die eine 10-3-fach bis vorzugsweise
10-6-fach geringere Wärmeleitfähigkeit als Silizium aufwei
sen.
Als Verfahren zur Erzeugung der Ausnehmung 11, die weitge
hend beliebige Formen annehmen kann und insbesondere in Form
einer Grube, einer Wanne, eines Grabens oder einer Platte,
Schicht oder Insel ausgebildet sein kann, eignen sich bei
spielsweise an sich bekannte isotrope oder anisotrope Ätz
verfahren für Silizium. Die so erzeugte Ausnehmung 11 wird
dann mit dem Polymermaterial in an sich bekannter Weise,
beispielsweise durch Dispensen, gefüllt, so daß nach einem
nachgeschalteten, an sich bekannten Aushärteschritt eine
glatte Oberfläche der Füllung 14 entsteht, die die Ausneh
mung 11 bündig und eben mit der Oberfläche des Grundkörpers
10 abschließt bzw. füllt. Teilweise ist nach dem Aushärten
eine an sich bekannte Nachbearbeitung der Oberfläche in den
Isolierbereichen 30 durch Polieren oder Ätzen erforderlich.
Bei Verwendung geeigneter Polymere wie beispielsweise Ben
zocyclobutan, Perfluorcyclobutan, Polyimid, Polycyanurat
oder eines Ormocers entsteht somit eine ebene glatte Ober
fläche des Grundkörpers 10 mit hoher mechanischer Stabili
tät, auf der neben der ursprünglichen Oberfläche des Grund
körpers 10 auch die erzeugten Isolationsbereiche 30 vorlie
gen. Auf dieser derart vorbereiteten Oberfläche können dann
durch weitere, an sich bekannte Prozeßschritte das Bauteil
20, beispielsweise ein Dünnschicht-Thermoelement 21 oder ein
Array von Dünnschicht-Thermoelementen, aufgebracht werden.
Der Isolierbereich 30 kann weiter offensichtlich in analoger
Weise auch als elektrisch isolierender oder gegenüber dem
Material des Grundkörpers elektrisch schlecht leitender Be
reich hergestellt werden. Dazu eignet sich beispielsweise
als Füllung 14 das Polymermaterial Benzocyclobutan. In die
sem Fall weist der Isolierbereich 30 eine elektrische Leit
fähigkeit auf, die vorzugsweise etwa 10-3-fach bis 10-10-fach
schlechter als die von Silizium ist.
Das Bauteil 20 kann weiterhin auch eine anderweitige Sen
siereinrichtung, beispielsweise ein Luftmassensensor, oder
allgemein eine elektrische Schaltungsanordnung, wie bei
spielsweise eine elektrische Hochfrequenzschaltungsanordnung
sein, die bereichsweise von der Oberfläche des Grundkörpers
10 in einem oder mehreren definierten Isolierbereichen 30
elektrisch isoliert werden soll.
Wie in der Figur angedeutet, ist es beispielsweise im Fall,
daß das Bauteil 20 ein Thermoelement 21 oder ein Array von
Thermoelementen ist, weiter zweckmäßig, wenn das Bauteil 20
derart auf dem Grundkörper 10 angeordnet ist, daß seine
Grundfläche bzw. die Berührfläche zwischen Grundkörperober
fläche und Isolierbereichoberfläche zu etwa gleichen Teilen
mit dem Isolierbereich 30 und der Oberfläche des Grundkör
pers 10 in Kontakt steht.
Das erläuterte Ausführungsbeispiel kann im übrigen auch da
hingehend modifiziert werden, daß der Isolierbereich 30
nicht in Form einer mit einer Füllung versehenen Ausnehmung
11 ausgeführt ist, sondern aus einer bereichsweise auf dem
Grundkörper 10 aufgebrachten Isolierschicht besteht.
5
Isoliervorrichtung
10
Grundkörper
11
Ausnehmung
12
"warmer" Kontaktbereich
13
"kalter" Kontaktbereich
14
Füllung
15
Kontaktierung
20
Bauteil
21
Thermoelement
30
Isolierbereich
Claims (11)
1. Verfahren zur Herstellung eines thermisch und/oder
elektrisch isolierten Bereiches eines Grundkörpers (10), da
durch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (10) bereichsweise
mit mindestens einem Isolierbereich (30) aus einem gegenüber
dem Grundkörper (10) schlecht wärmeleitenden und/oder
schlecht elektrisch leitenden Polymermaterial versehen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß zunächst eine Ausnehmung (11) des Grundkörpers (10) er
zeugt wird, die danach mit einer Füllung (14) aus dem Poly
mermaterial versehen wird, oder daß auf den Grundkörper (10)
bereichsweise eine Isolierschicht aus dem Polymermaterial
aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß als Polymermaterial ein elektrisch zumindest weitgehend
isolierendes Polymer und/oder ein gegenüber Silizium
schlecht wärmeleitendes Polymer, insbesondere Benzocyclo
butan, Perfluorcyclobutan, Polyimid, Polycyanurat oder ein
Ormocer, verwendet wird, und daß als Grundkörper (10) ein
Siliziumkörper, insbesondere ein Siliziumwafer, verwendet
wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Isolierbereich (30) oder die Ausnehmung
(11) in Form eines Grabens, einer Wanne, einer Platte, einer
Schicht oder einer Insel, ausgehend von der Oberfläche oder
auf der Oberfläche des Grundkörpers (10), erzeugt wird, und
daß der von der Ausnehmung (11) eingenommene Raum von der
Füllung (14) mit dem Polymermaterial vollständig ausfüllt
wird, wobei die Oberfläche des Grundkörpers (10) von der
Füllung (14) insbesondere bündig und eben abgeschlossen
wird.
5. Isoliervorrichtung mit einem Grundkörper (10) und
mindestens einem auf dem Grundkörper (10) bereichsweise an
geordneten Bauteil (20), insbesondere einer Sensiereinrich
tung oder einer elektrischen Schaltung, dadurch gekennzeich
net, daß der Grundkörper (10) bereichsweise mit mindestens
einem Isolierbereich (30) versehen ist, der aus einem Poly
mermaterial besteht, und daß das Bauteil (20) bereichsweise
direkt mit dem Grundkörper (10) und bereichsweise mit dem
Isolierbereich (30) in Kontakt steht.
6. Isoliervorrichtung nach Anspruch 5 dadurch gekenn
zeichnet, daß sich das Polymermaterial in seinen physikali
schen Eigenschaften, insbesondere seiner Wärmeleitfähigkeit
und/oder seiner elektrischen Leitfähigkeit, deutlich von dem
Material des Grundkörpers (10) unterscheidet.
7. Isoliervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Material des Grundkörpers (10) zumindest
im wesentlichen Silizium ist, oder daß der Grundkörper (10)
ein Siliziumwafer ist.
8. Isoliervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Isolierbereich (30) eine Ausnehmung (11)
ist, die mit einer Füllung aus dem Polymermaterial, insbe
sondere aus Benzocyclobutan, Perfluorcyclobutan, Polyimid,
Polycyanurat oder einem Ormocer, versehen ist, oder daß der
Isolierbereich (30) eine auf dem Grundkörper (10) bereichs
weise aufgebrachte Isolierschicht ist.
9. Isoliervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß das die Ausnehmung (11) ausfüllende oder das
den Isolierbereich (30) bildende Polymermaterial eine Wärme
leitfähigkeit aufweist, die etwa 10-3-fach bis 10-6-fach
schlechter als die von Silizium ist und/oder daß das die
Ausnehmung (11) ausfüllende oder das den Isolierbereich (30)
bildende Polymermaterial eine elektrische Leitfähigkeit auf
weist, die etwa 10-3-fach bis 10-10-fach schlechter als die
von Silizium ist.
10. Isoliervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Ausnehmung (11) oder der Isolierbereich
(30) die Form eines Grabens, einer Wanne, einer Platte, ei
ner Schicht oder einer Insel hat, und daß die mit dem Poly
mermaterial gefüllte Ausnehmung (11) zumindest bereichsweise
eine ebene und bündig abschließende Oberfläche des Grundkör
pers (10) bildet.
11. Isoliervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Bauteil (20) ein Dünnschicht-
Thermoelement, ein Array von Dünnschicht-Thermoelementen,
ein Luftmassensensor oder eine elektrische Hochfrequenz
schaltungsanordnung ist.
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8131 | Rejection |