DE19915745A1 - Montagestruktur von elektronischen Teilen und Montageverfahren von elektronischen Teilen - Google Patents

Montagestruktur von elektronischen Teilen und Montageverfahren von elektronischen Teilen

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DE19915745A1
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Germany
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conductive adhesive
paste
pads
mounting substrate
substrate
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Withdrawn
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English (en)
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Yasutomi Asai
Hirokazu Imai
Yuji Ootani
Takashi Nagasaka
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Abstract

Eine Montagestruktur beinhaltet einen geschichteten Keramikkondensator, der auf ein Montagesubstrat montiert ist. Der geschichtete Keramikkondensator beinhaltet einen Hauptkörperchip, der aus einem keramischen Dielektrikum besteht, interne Schichtelektroden und ein Paar von Anschlußelektroden. Das Montagesubstrat besteht aus einem Aluminiumoxidsubstrat und weist ein Paar von Substratelektroden auf, das durch Kupferplatieren hergestellt ist. Der geschichtete Keramikkondensator ist unter Verwendung einer Ag-Paste auf das Montagesubstrat montiert. In diesem Fall wird die Substratelektrode derart festgelegt, daß sie kleiner als die Ag-Paste ist. Das heißt, die Ag-Paste steht von den Anschlußelektroden und der Substratelektrode derart hervor, daß sie sowohl den Hauptkörperchip als auch das Montagesubstrat kontaktiert. Da die Ag-Paste eine hohe Haftfestigkeit verglichen mit der aufweist, wenn sie mit einem Metall verbunden ist, kann eine gesamte Haftfestigkeit verbessert werden. Folglich kann die Zuverlässigkeit einer Montage verbessert werden.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Montagestruktur und ein Montageverfahren eines elektronischen Teils, wie zum Beispiel eines Halbleiterelements, einer chipartigen Kapazität oder eines Widerstands, welche über Elektroden elektrisch mit einem Montagesubstrat verbunden sind.
Bei einer Montagestruktur im Stand der Technik für eine elektrische Schaltungsvorrichtung, wie zum Beispiel eine HIC bzw. integrierte Hybridschaltung, wird, wenn ein ober­ flächenmontierbares elektronisches Teil auf ein Substrat montiert wird, ein leitender Klebstoff, wie zum Beispiel eine Ag- bzw. Silberpaste verwendet, um sie zum Zwecke ei­ ner Pb- bzw. Bleifreiheit oder Freonfreiheit zu montieren (eine Beseitigung eines Spülverfahrens zum Abspülen eines Flußmittels verbleibt).
Fig. 15 zeigt die zuvor erwähnte Montagestruktur im Stand der Technik. In dieser Figur ist ein geschichter Ke­ ramikkondensator 42 zur Oberflächenmontage, welcher ein Paar von Elektroden 42a aufweist, auf ein Montagesubstrat 41 montiert, das aus einem isolierenden Material, wie zum Beispiel Keramik oder Harz, besteht. Diese Montagestruktur wird durch das folgende Verfahren erzielt. Das heißt, der geschichtete Keramikkondensator 42 wird auf das Montage­ substrat 41 montiert. Die Ag-Paste 44 wird durch Siebdruck auf das Paar von Elektroden 43 des Montagesubstrats 41 übertragen. Der geschichtete Keramikkondensator 42 wird mit einer vorbestimmten Kraft und einer vorbestimmten zeitli­ chen Bedingung auf die Ag-Paste 44 montiert. Dann wird die Ag-Paste 44 gehärtet.
Gemäß einem thermischen Zyklustest (von -40°C bis 150°C, 1000 Zyklen) bezüglich der zuvor beschriebenen Mon­ tagestruktur im Stand der Technik ist es festgestellt wor­ den, daß Risse in einigen Grenzflächen erzeugt werden und daß Übergänge der Grenzflächen durch die Risse verschlech­ tert werden können. In diesem Fall beinhalten die Grenzflä­ chen diejenigen zwischen Elektroden 42a des geschichteten Keramikkondensators 42 und der Ag-Paste 44 und zwischen den Elektroden 43 des Montagesubstrats 41 und der Ag-Paste 44. Diese Risse können auf die folgende Weise auftreten.
Bei einer Montagestruktur, die ein Reflow-Löten verwen­ det, entfernen Flußmittelkomponenten Schmutz, wie zum Bei­ spiel Oxidverbindungen oder organische Stoffe, auf den Elektroden des elektronischen Teils und den Elektroden des Montagesubstrats und das Lot und die Elektrodenmaterialien werden aufgrund eines Reflow-Erwärmens metallisch miteinan­ der verbunden. Daher ist eine Abhängigkeit eines verbunde­ nen Zustands gegenüber den Elektrodenmaterialien ziemlich klein.
Andererseits sind bei der Montagestruktur, die eine Ag- Paste 44 verwendet, Ag-Füllstoffe, welche ungebunden in der Ag-Paste 44 vorhanden sind, in Ketten miteinander verbunden und proportional zu einem Härten und Schwund eines Binde­ harzes in der Ag-Paste 44 mit jeder Elektrode 42a, 43 ver­ bunden.
Deshalb ist es wahrscheinlich, daß der gebundene Zu­ stand durch das Elektrodenmaterial (insbesondere ein Ober­ flächenmaterial) beeinträchtigt wird, und eine Haftfestig­ keit zwischen jeder Elektrode 42a, 43 und der Ag-Paste 44 wird verglichen mit der eines Lötens klein.
Gemäß einer Untersuchung, um zu Überprüfen, wo die Risse in dem thermischen Zyklustest in der Ag-Paste 44 er­ zeugt werden, ist es festgestellt worden, daß die Risse hauptsächlich an einem Umfangsbereich von Verbundbereichen zwischen der Ag-Paste 44 und den Elektroden 42a, 43 erzeugt werden. Das heißt, die Risse werden an Verbundbereichen er­ zeugt, an denen die Haftfestigkeit aufgrund eines Wärme­ schwunds einer Ag-Paste 44 unter einer hohen Temperatur klein wird.
Bei einer anderen Befestigungsstruktur im Stand der Technik wird ein elektronisches Teil, das ein Lötauge (eine Elektrode) eines engen Abstands aufweist, wie zum Beispiel ein Halbleiterelement, durch eine Flipchip-Montage unter Verwendung eines Lots auf ein Montagesubstrat montiert. Dieses Montagesubstrat wird durch die folgenden Schritte erzielt, die in den Fig. 16A bis 16D gezeigt sind.
Wie es in Fig. 16A gezeigt ist, wird ein Montage­ substrat 52, das Elektroden (Elektroden oder Lötaugen) 51 aufweist, vorgesehen. Wie es in Fig. 16B gezeigt ist, wer­ den Lotpasten 53 auf das Montagesubstrat 52 gedruckt. In diesem Fall ist ein Durchmesser jeder Lotpaste 53 im we­ sentlichen gleich zu dem eines Lötauges 51, um eine er­ wünschte Verbundlebensdauer des Lotmittels zu erzielen. Wie es in Fig. 16C gezeigt ist, wird ein Halbleiterelement, das Lotperlen 54 aufweist, ausgerichtet und auf das Montage­ substrat 52 montiert. Die Lotperlen 54 und die Lotpasten 53 werden durch miteinander Verschmelzen durch ein Reflow-Ver­ fahren verbunden. Dann ist das Halbleiterelement 55 elek­ trisch mit dem Montagesubstrat 52 verbunden, wie es in Fig. 16D gezeigt ist.
Bei diesem Montageverfahren im Stand der Technik kann eine Mustertoleranz der Lötaugen 51, eine Druckverschiebung der Lotpaste 53 und eine Montageverschiebung des Halblei­ terelements bezüglich des Montagesubstrats 52 auftreten. Daher können die Lötaugen 51 und die Lotpaste 55 zueinander verschoben sein. Wenn jedoch werden die Lotpaste 53 und die Lotperle 54 geschmolzen werden und sich auf den Lötaugen 53 ausbreiten, wird das geschmolzene Lot zu den Lötaugen 51 zurückkehren. Die Lotpasten 53 müssen mehr als die halbe Fläche der Lötaugen 51 kontaktieren, damit das geschmolzene Lot vollständig zu den Lötaugen 51 zurückkehrt. Anderer­ seits kann, wenn die Lotpasten 53 die Lötaugen 51 mit weni­ ger als der halben Fläche kontaktieren, daß geschmolzene Lot nicht vollständig zu den Lötaugen 51 zurückkehren. In einem derartigen Fall kann das geschmolzene Lot als ein Lotball auf dem Montagesubtrat verbleiben oder sich an dem angrenzenden Lötauge 51 mit dem angrenzenden Lot verschmel­ zen, wobei dann die angrenzenden Lötaugen 51 durch das ge­ schmolzene Lot kurzgeschlossen werden, wie es in Fig. 17 gezeigt ist.
Folglich kann sich eine Zuverlässigkeit einer elektri­ schen Verbindung des Halbleiterelements oder des elektroni­ schen Teils aufgrund der Verringerung einer Lotmenge von Lötaugen 51 oder eines Kurzschlusses zwischen angrenzenden Lötaugen 51 verringern.
In jüngster Zeit ist es erwünscht, daß ein Lötaugenab­ stand des Halbleiterelements 55 zum Zwecke eines Reinigens kleiner als 300 µm ist. Wenn das geschichtete Keramik­ substrat als das Montagesubtrat 52 verwendet wird, kann sich die Mustergenauigkeit aufgrund einer Ungleichmäßigkeit eines Brennschwunds verringern, und eine Abmessungstoleranz von ungefähr 1% wird erzeugt. Deshalb ist die folgende Ge­ nauigkeit streng erforderlich, um diesen Wunsch zu erfül­ len. In diesem Fall beinhaltet die Genauigkeit eine Muster­ genauigkeit des Lötauges 51, das auf dem Montagesubstrat 52 vorgesehen ist, eine Druckausrichtung der Lotpasten 53, eine Genauigkeit eines Gewichts jeder Lotpaste 53 und eine Montagegenauigkeit des Halbleiterelements 55 auf dem Monta­ gesubstrat 52.
Wenn das Halbleiterelement jedoch eine Abmessung von 10 mm × 10 mm an einem Umfangsbereich des Halbleiterelements 55 aufweist, kann die Mustertoleranz 0,07 mm sein, kann die Druckverschiebung 0,05 mm sein und kann die Montagever­ schiebung 0,03 mm sein. In diesem Fall wird die Verschie­ bung zwischen der Lotpaste 53 und der Lotperle 54 bezüglich des Lötauges 51 durch Berechnen eines quadratischen Mittels jeder Verschiebung derart geschätzt, daß sie ungefähr 0,13 mm beträgt. Wenn der Lötaugenabstand derart festgelegt ist, daß er kleiner als dieser geschätzte Wert ist, können an­ grenzende Lots verschmelzen, um einen Kurzschluß zu bewir­ ken.
Da jedoch die Abmessung eines Lötauges 51 auf der Grundlage der Verbundlebensdauer oder von vorbestimmten Verschiebungen bestimmt wird, kann der Lötaugenabstand nicht derart festgelegt werden, daß er kleiner als 0,28 mm ist, wenn die Lötaugenabmessung derart festgelegt ist, daß sie 0,15 mm beträgt.
Die vorliegende Erfindung ist im Hinblick auf die zuvor erwähnte Unzulänglichkeit der Montagestrukturen im Stand der Technik geschaffen worden.
Die vorliegende Erfindung stützt sich auf die Feststel­ lung, daß ein leitender Klebstoff, wie zum Beispiel eine Ag-Paste, eine hohe Haftfestigkeit, wenn sie mit einem ke­ ramischen oder einem isolierenden Material verbunden wird, verglichen mit derjenigen aufweist, wenn die Ag-Paste mit einem Metall verbunden wird. In diesem Fall wird die Kera­ mik für ein Körperteil eines Verbindungssubstrats oder ei­ nes geschichteten Keramikkondensators (zum Beispiel Alumi­ niumoxid) verwendet. Das isolierende Material wird für ein Montagesubstrat (zum Beispiel Harz oder Keramik) verwendet.
Eine erste Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Montagesubstrat oder ein Montageverfahren eines elektronischen Teils zu schaffen, welche verhindern können, das Risse in einem leitenden Klebstoff erzeugt werden, wenn das elektronische Teil, welches ein Körperteil, das durch ein isolierendes Material ausgebildet ist, und Elektroden aufweist, die auf einer Oberfläche des Körperteils freilie­ gen, über den leitenden Klebstoff auf Elektroden montiert wird, die auf dem Montagesubstrat ausgebildet sind.
Eine zweite Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Montagestruktur oder ein Montageverfahren eines elektronischen Teils zu schaffen, welches einen Abstand von Lötaugen (Elektroden) verringern kann.
Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Teil eines leitenden Klebstoffs von Lötaugen oder Elektroden vergrößert (hervorstehend ausgebildet), um eine Haftfestigkeit des leitenden Klebstoffs zu verbessern. Ge­ mäß dieser Montagestruktur wird der vergrößerte (hervorstehend) Bereich mit dem anderen Bereich verbunden, der zu den Lötaugen oder Elektroden unterschiedlich ist.
Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Teil eines leitenden Klebstoffs von Lötaugen oder Elektroden vergrößert (hervorstehend ausgebildet), um eine Haftfestigkeit des leitenden Klebstoffs zu verbessern. Das elektronische Teil weist ein Körperteil auf, das aus einem Material besteht, dessen Haftfestigkeit mit dem leitenden Klebstoff größer als diejenige zwischen den Elektroden und dem leitenden Klebstoff ist. Das Montagesubstrat besteht aus einem Material, dessen Haftfestigkeit mit dem leitenden Klebstoff größer als diejenige zwischen den ersten und den zweiten Lötaugen und dem leitenden Klebstoff ist. Gemäß dieser Montagestruktur wird der vergrößerte (hervorstehende) Bereich mit dem anderen Bereich verbunden, der zu den Lötaugen oder Elektroden unterschiedlich ist.
Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Montageverfahren eines elektronischen Teils den Schritt eines derartigen Druckens eines leitenden Kleb­ stoffs auf ein erstes und ein zweites Lötauge, die auf dem Montagesubstrat vorgesehen sind, daß dieser eine Abmessung aufweist, die größer als diejenige des ersten und des zwei­ ten Lötauges ist. Gemäß diesem Montageverfahren wird der Bereich einer großen Abmessung mit dem anderen Bereich ver­ bunden, der zu den Lötaugen oder Elektroden unterschiedlich ist, um eine Haftfestigkeit des leitenden Klebstoffs zu verbessern.
Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht einer Montage­ struktur eines elektronischen Teils gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung;
Fig. 2 eine Draufsicht eines Teils um eine Ag- Paste gemäß dem ersten Ausführungsbei­ spiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 einen Graph einer Haftfestigkeit der Mon­ tagestruktur gemäß dem ersten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verglichen mit derjenigen im Stand der Technik;
Fig. 4 eine Querschnittsansicht einer Monta­ gestruktur eines elektronischen Teils ge­ mäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5A eine Querschnittsansicht einer Montage­ struktur eines elektronischen Teils gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5B eine Draufsicht eines Teils um eine Ag- Paste gemäß dem dritten Ausführungsbei­ spiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6 eine Querschnittsansicht einer Montage­ struktur eines elektronischen Teils gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 eine Querschnittsansicht einer Montage­ struktur eines elektronischen Teils gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 8 eine Querschnittsansicht einer Montage­ struktur eines elektronischen Teils gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 9 eine Querschnittsansicht einer Montage­ struktur eines elektronischen Teils gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 10A bis 10D Querschnittsansichten eines Montagever­ fahrens des elektronischen Teils gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung;
Fig. 11 eine Darstellung einer Beziehung zwischen einem Durchmesser einer Ag-Paste, einem Durchmesser eines Lötauges und einer Druckverschiebung;
Fig. 12A und 12B Darstellungen eines Lötaugenabstands, wenn die Lotpaste verwendet wird, im Stand der Technik;
Fig. 12C und 12D Darstellungen eines Lötaugenabstands, wenn die Ag-Paste verwendet wird, gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung;
Fig. 13 eine Querschnittsansicht einer Montage­ struktur eines elektronischen Teils gemäß einem achten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung,
Fig. 14A und 14B Darstellungen eines Lötaugenabstands, wenn die Lotpaste verwendet wird, im Stand der Technik;
Fig. 14C und 14D Darstellungen eines Lötaugenabstands, wenn die Ag-Paste verwendet wird, gemäß dem achten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung;
Fig. 15 eine Querschnittsansicht einer Montage­ struktur eines elektronischen Teils im Stand der Technik;
Fig. 16A bis 16D Querschnittsansichten eines Montagever­ fahrens des elektronischen Teils im Stand der Technik; und
Fig. 17 eine Querschnittsansicht einer Montage­ struktur eines elektronischen Teils im Stand der Technik.
In den folgenden Ausführungsbeispielen sind durchgängig durch die Ausführungsbeispiele entsprechende Teile oder Be­ reiche in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen be­ zeichnet und Teile von Erklärungen von ihnen werden wegge­ lassen.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines ersten Aus­ führungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
In dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung wird ein geschichteter Keramikkondensator als ein oberflächenmontierbares elektronisches Teil verwendet. Die­ ses Ausführungsbeispiel wird unter Bezugnahme auf Fig. 1, welche eine Querschnittsansicht zeigt, wenn der geschich­ tete Keramikkondensator (das elektronische Teil) 11 auf ein Montagesubstrat 14 montiert ist, und Fig. 2 erklärt, welche eine Draufsicht zeigt, die eine Umgebung einer Ag-Paste in Fig. 1 darstellt.
Der geschichtete Keramikkondensator 11 weist eine Ab­ messung von sogenannt 3216 auf und beinhaltet einen Haupt­ körperchip (ein Körperteil) 12, innere Schichtelektroden (nicht gezeigt) und ein Paar von Anschlußelektroden (eine Elektrode) 13.
Der Hauptkörperchip 12 ist sechsflächig (mit einer Länge von 3,2 mm, einer Breite von 1,6 mm und einer Höhe von 1,25 mm) ausgebildet und besteht aus einem keramischen Dielektrikum. Die inneren Schichtelektroden bestehen aus einer Ag-Pb-Legierung oder dergleichen und sind durch ab­ wechselndes Schichten von mehreren Teilen in dem Hauptkör­ perchip 12 angeordnet. An den einander gegenüberliegenden Seitenflächen des Hauptkörperchip 12 (den Seitenflächen, an denen die inneren Schichtelektroden freiliegen) sind die Anschlußelektroden 13 derart vorgesehen, daß sie mit jeder inneren Schichteelektrode verbunden sind. In diesem liegt eine Außenfläche der Anschlußelektrode 13 frei. Wie es in Fig. 2 gezeigt ist, wird eine Abmessung eines Kontakts der Anschlußelektrode 13 (eines Vorsprungs der unteren Fläche) auf zum Beispiel 0,5 mm × 1,6 mm festgelegt.
Das Montagesubstrat 14, welches zum Montieren des zuvor erwähnten geschichteten Keramikkondensators 11 dient, be­ steht aus einem Substrat aus 92%igem Aluminiumoxid oder dergleichen. Ein Paar von Substratelektroden 15, das durch Kupferplattieren oder dergleichen hergestellt ist, ist auf dem Montagesubstrat 14 ausgebildet. In diesem Fall ist eine Fläche jeder Substratelektrode 15 derart festgelegt, daß sie kleiner als die Kontaktfläche der Anschlußelektrode 13 des geschichteten Keramikkondensators 11 (zum Beispiel un­ gefähr 1/4 der Fläche), insbesondere eine Abmessung von 0,2 mm × 1,0 mm ist, wie es in Fig. 2 gezeigt ist. Leiterdrähte von dem Montagesubstrat 14 können durch Verdrahtungsmuster, die auf dem Montagesubstrat 14 vorgesehen sind, oder Durch­ gangslochdrähte, die in dem Montagesubstrat 14 vorgesehen sind, realisiert werden.
Der geschichtete Keramikkondensator 11 ist unter Ver­ wendung einer Ag-Paste (eines leitenden Klebstoffs, eines leitenden Verbundteils) 16 auf das Montagesubstrat 14 mon­ tiert.
Insbesondere wird vor der Montage die Ag-Paste 16 an einem Umfangsbereichs des Paars von Substratelektroden 15 mit einer Dicke von zum Beispiel 70 ± 20 µm und mit einer Druckabmessung von zum Beispiel 0,35 mm × 1,4 mm per Sieb­ druck auf das Montagesubstrat 14 aufgebracht. Durch Festle­ gen der Druckabmessung auf die zuvor erwähnte Abmessung wird die Substratelektrode 15 derart festgelegt, daß sie kleiner als die Ag-Paste 16 ist. Die Ag-Paste beinhaltet ein aminhärtendes Epoxidharz als ein Bindemittel. Ein Zu­ sammensetzungsverhältnis eines Ag-Füllstoffs und des Epoxidharz ist auf 80 : 20 (Gewichtsprozent) festgelegt.
Dann wird der geschichtete Keramikkondensator 11 in ei­ nem Zustand, daß eine Kraft 1 (N) beträgt, eine Zeit 0,5 (s) beträgt, auf die Ag-Paste 16 montiert. In diesem Fall wird, wie es in Fig. 1 gezeigt ist, die Ag-Paste 16 derart zwischen dem geschichteten Keramikkondensator 11 und dem Montagesubstrat 14 ausgebreitet (hervorstehend ausgebil­ det), daß eine Kontaktfläche vergrößert wird. Das heißt, die Ag-Paste 16 wird von der Substratelektrode 15 genug vergrößert (hervorstehend ausgebildet), um den Hauptkörper­ chip 12 als das Körperteil zu kontaktieren. Ein Steuern der Kraft, die auf den geschichteten Keramikkondensator 11 aus­ geübt wird, kann eine Form der Ag-Paste 16, genauer gesagt, die Kontaktfläche der Ag-Paste 16, steuern. Wenn die Ag-Pa­ ste 16 dicker als eine bestimmte Dicke ausgebildet wird, welche erzeugt wird, nachdem die Ag-Paste 16 gehärtet ist, steht die Ag-Paste 16 mit einer hohen Zuverlässigkeit von der Substratelektrode 15 hervor.
Die Form der Ag-Paste 16 kann ebenso durch Vibrieren des geschichteten Keramikkondensators 11 und/oder des Mon­ tagesubstrats 14 gesteuert werden.
Die Ag-Paste 16 wird durch Glühen der verbundenen Struktur des geschichteten Keramikkondensators 11 und des Montagesubstrats 14 unter dem vorbestimmten Zustand in ei­ ner sauerstoffunterbindenden Atmosphäre gehärtet. Durch dieses Glühen werden die Anschlußelektrode 13 und die Substratelektrode 15 durch den Ag-Füllstoff in der Ag-Paste 16 elektrisch verbunden und wird der Umfangsbereich der Ag- Paste 16 durch einen Flächenkontakt sowohl mit dem Haupt­ körperchip 12 des geschichteten Keramikkondensators 11 als auch dem Montagesubstrat 14 verbunden.
Der Hauptkörperchip 12 des geschichteten Keramikkonden­ sators 11 und das Montagesubstrat 14 werden aus einem iso­ lierenden Teil, wie zum Beispiel Keramik, hergestellt. Ge­ mäß dem Experiment, um einen Verbundzustand zu überprüfen, wenn die Ag-Paste 16 mit dem isolierenden Teil verbunden ist, ist es festgestellt worden, daß der Verbundzustand viel besser als der Verbundzustand ist, wenn die Ag-Paste 16 mit einem Metall verbunden ist.
Deshalb kann, wenn der Umfangsbereich der Ag-Paste 16 durch einen Flächenkontakt sowohl mit dem Hauptkörperchip 12 des geschichteten Keramikkondensators 11 als auch dem Montagesubstrat 14 verbunden ist, die Haftfestigkeit ver­ glichen mit der, wenn die Ag-Paste 16 lediglich mit dem Me­ tall (der Elektrode) verbunden ist, verbessert werden. Dann kann das Erzeugen von Rissen auch dann wirksam verhindert werden, wenn die Ag-Paste 16 aufgrund des Glühens schwin­ det. Folglich kann die Zuverlässigkeit einer Montage ver­ bessert werden.
Fig. 3 zeigt die Haftfestigkeit von zwei Arten von Kon­ densatoren, um die Verbesserung einer Haftfestigkeit der zuvor erwähnten Montagestruktur zu bestätigen. In diesem Fall ist eine Gruppe von Kondensatoren durch den geschich­ teten Keramikkondensator unter Verwendung der Montagestruk­ tur dieses Ausführungsbeispiels ausgebildet und ist eine an­ dere Gruppe von Kondensatoren durch den geschichteten Kera­ mikkondensator unter Verwendung einer Montagestruktur im Stand der Technik ausgebildet. Gemäß Fig. 3 weist das Aus­ führungsbeispiel, bei welchem der Umfangsbereich der Ag-Pa­ ste 16 mit dem Hauptkörperchip 12 verbunden ist, verglichen mit der Montagestruktur im Stand der Technik, bei welcher der Umfangsbereich nicht verbunden ist, eine hohe Haftfe­ stigkeit auf.
Gemäß diesem Ausführungsbeispiel steht ein Teil des leitenden Klebstoffs von einem Lötauge oder einer Elektrode hervor. Das Körperteil besteht aus einem Material, dessen Haftfestigkeit mit dem leitenden Klebstoff größer als die­ jenige zwischen den ersten und zweiten Elektroden und dem leitenden Klebstoff ist. Das Montagesubstrat besteht aus einem Material, dessen Haftfestigkeit mit dem leitenden Klebstoff größer als diejenige zwischen den ersten und zweiten Lötaugen und dem leitenden Klebstoff ist. Deshalb wird der vergrößerte (hervorstehende) Bereich mit dem ande­ ren Bereich verbunden, der zu den Lötaugen oder Elektroden unterschiedlich ist, wodurch die Haftfestigkeit des leiten­ den Klebstoffs verbessert werden kann.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines zweiten Aus­ führungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
In Fig. 4, die ein zweites Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung zeigt, ist eine Fläche der Substrat­ elektrode verglichen mit der Ag-Paste (dem leitenden Kleb­ stoff, dem leitenden Verbundteil) 16 verhältnismäßig klein festgelegt.
Genauer gesagt wird ein Paar von Substratelektroden 17, das aus einer Kupferplatte oder dergleichen besteht, an dem Bereich, an dem der geschichtete Keramikkondensator 11 mon­ tiert wird, auf dem Montagesubstrat 14 ausgebildet. Ein Passivierungsfilm 18, der aus einem isolierenden Material, wie zum Beispiel Glas oder Harz, besteht, wird auf dem Mon­ tagesubstrat 14 ausgebildet und weist an dem Bereich, an dem die Substratelektroden 17 vorhanden sind, Öffnungen auf. Die Sustratelektroden 17 liegen teilweise über die Öffnungen frei. Die Öffnung weist eine Abmessung von zum Beispiel 0,2 mm × 1,0 mm auf. Die freiliegende Fläche der Substratelektroden 17 wird derart festgelegt, daß sie klei­ ner als die Abmessung der Ag-Paste 16 ist.
Dann wird der geschichtete Keramikkondensator 11 derart auf das Montagesubstrat 14 montiert, daß er bezüglich der per Siebdruck aufgebrachten Ag-Paste 16 und des Paars von Substratelektroden 17 ausgerichtet ist, und wird die Ag-Pa­ ste gehärtet. Durch dieses Verfahren werden die Anschluß­ elektrode 13 und die Substratelektrode 17 über den Ag-Füll­ stoff in der Ag-Paste 16 elektrisch verbunden und wird der Umfangsbereich der Ag-Paste 16 durch einen Flächenkontakt mit sowohl dem Hauptkörperchip 12 des geschichteten Kera­ mikkondensators 11 als auch dem Passivierungsfilm 18 des Montagesubstrats 14 verbunden. Deshalb kann, da der Um­ fangsbereich der Ag-Paste 16 durch den Flächenkontakt mit dem Passivierungsfilm 18 verbunden ist, welcher aus dem isolierenden Material besteht, die Haftfestigkeit verbes­ sert werden.
Wie es zuvor beschrieben worden ist, kann, wenn ein Überzugsmaterial auf den Substratelektroden 17 ausgebildet ist und die freiliegende Fläche der Substratelektrode 17 derart festgelegt ist, daß sie kleiner als die Abmessung der Ag-Paste 16 ist, der gleiche Vorzug wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erzielt wer­ den. Weiterhin wird eine Form der Substratelektrode 17 selbst nicht eingeschränkt, da die Substratelektrode 17 mit dem Überzugsmaterial bedeckt werden kann.
Nachstehend die Beschreibung eines dritten Ausführungs­ beispiels der vorliegenden Erfindung.
Wie es in den Fig. 5A, 5B gezeigt ist, welche das dritte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zei­ gen, ist ein oberflächenmontierbares elektronisches Teil ein oberflächenmontierbarer Aluminiumelektrolytkondensator 30. Der Aluminiumelektrolytkondensator 30 beinhaltet einen Kondensatorhauptkörper 31, einen Sockelbereich (ein Körper­ teil) 32, das an dem Sockel des Kondensatorhauptkörpers 31 vorgesehen ist, und ein Paar von Anschlußelektroden (Elektroden) 33, das an der hinteren Oberfläche des Sockel­ bereichs 32 vorgesehen ist. Die Anschlußelektrode 33 liegt teilweise frei.
Dann wird der geschichtete Keramikkondensator 11 derart auf das Montagesubstrat 14 montiert, daß er bezüglich der per Siebdruck aufgebrachten Ag-Paste (dem leitenden Kleb­ stoff, dem leitenden Verbundteil) 16 und des Paars von Substratelektroden 15 ausgerichtet ist, und wird die Ag-Pa­ ste 16 gehärtet. Durch dieses Verfahren werden die An­ schlußelektrode 33 und die Substratelektrode 15 über den Ag-Füllstoff in der Ag-Paste 16 elektrisch verbunden und wird der Umfangsbereich der Ag-Paste 16 durch einen Flä­ chenkontakt sowohl mit dem Sockelbereich 32 des Aluminium­ elektrolytkondensators 30 als auch dem Montagesubstrat 14 verbunden. Deshalb kann, da der Umfangsbereich der Ag-Paste 16 durch den Flächenkontakt mit dem Montagesubstrat 14 ver­ bunden ist, welches aus dem isolierenden Material besteht, die Haftfestigkeit verbessert werden.
Wie es zuvor beschrieben worden ist kann, wenn die vor­ liegende Erfindung an dem Aluminiumelektroytkondensator 30 angewendet wird, welcher die Anschlußelektroden 33 auf­ weist, welche an der hinteren Oberfläche des Sockelbereichs 32 freiliegen, der gleiche Vorzug wie in dem ersten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erzielt werden.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines vierten Aus­ führungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
Wie es in Fig. 6 gezeigt ist, welche das vierte Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt, ist eine Ag-Paste 16a zusätzlich zu der Ag-Paste 16 auf einen ande­ ren Bereich, der zu den Substratelektroden 15 unterschied­ lich ist, auf das Montagesubstrat 14 gedruckt. Die Ag-Paste 16a ist durch einen Flächenkontakt direkt oder indirekt mit mindestens entweder dem Hauptkörperchip 12 oder dem Mon­ tagesubstrat 14 verbunden. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Ag-Paste 16a durch den Flächenkontakt sowohl mit dem Hauptkörperchip 12 als auch dem Montagesubstrat 14 ver­ bunden.
Da die Ag-Paste 16a zusätzlich zu der Ag-Paste 16 an dem anderen Bereich, der zu den Substratelektroden 15 un­ terschiedlich ist, auf dem Montagesubstrat 14 vorgesehen ist, kann die Haftfestigkeit zwischen dem Montagesubstrat 14 und dem geschichteten Keramikkondensator 11 verbessert werden.
In diesem Fall endet in Fig. 6 der Umfangsbereich der Ag-Paste 16 innerhalb der Substratelektrode 15. Jedoch ist es zulässig, die Ag-Paste 16 derart aufzudrucken, daß sie von der Substratelektrode 15 hervorsteht.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines fünften Aus­ führungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
Wie es in Fig. 7 gezeigt ist, welche das fünfte Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt, weist die Substratelektrode 15 einen Schlitz (einen freiliegenden Lochbereich) 15a auf. Das Montagesubstrat 14 liegt über den Schlitz 15a teilweise frei. Dann wird die Ag-Paste 16 durch einen Flächenkontakt über den Schlitz 15a mit dem Montage­ substrat 14 verbunden.
Wie es zuvor beschrieben worden ist, kann, wenn die Substratelektrode 15 einen Schlitz 15a aufweist, der glei­ che Vorzug wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung erzielt werden. In diesem Fall kann der Schlitz 15a an mehreren Bereichen der Substratelektrode 15 vorgesehen werden.
In diesem Fall endet in Fig. 7 der Umfangsbereich der Ag-Paste 16 innerhalb der Substratelektrode 15. Jedoch ist es zulässig, die Ag-Paste derart aufzudrucken, daß sie von der Substratelektrode 15 hervorsteht.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines sechsten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
Wie es in Fig. 8 gezeigt ist, welche das sechste Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt, weist die Anschlußelektrode 13 einen Schlitz (einen freiliegenden Lochbereich) 13a auf. Der Hauptkörperchip 12 liegt über den Schlitz 13a teilweise frei. Dann wird die Ag-Paste 16 durch einen Flächenkontakt über den Schlitz 13a mit dem Hauptkör­ perchip 12 verbunden.
Wie es zuvor beschrieben worden ist kann, wenn die An­ schlußelektrode 13 einen Schlitz 13a aufweist, der gleiche Vorzug wie in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegen­ den Erfindung erzielt werden. In diesem Fall kann der Schlitz 13a an mehreren Bereichen der Substratelektrode 13 vorgesehen werden.
In diesem Fall endet in Fig. 8 der Umfangsbereich der Ag-Paste 16 innerhalb der Substratelektrode 15. Jedoch ist es zulässig, die Ag-Paste 16 derart aufzudrucken, daß sie von der Substratelektrode 15 oder von der Anschlußelektrode 13 hervorsteht.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines siebten Aus­ führungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
In diesem Ausführungsbeispiel wird ein Flipchip-Halb­ leiter als das elektronische Teil verwendet und wird, wie es in Fig. 9 gezeigt ist, ein Halbleiterelement 1 als das elektronische Teil durch ein Flipchip-Verfahren auf ein ge­ schichtetes Aluminiumoxidsubstrat (Montagesubstrat) 2 mon­ tiert.
Das Halbleiterelement 1, welches eine Abmessung von 10 mm × 10 mm aufweist, weist ein Mehrzahl von Lotperlen 3 (Elektroden 3) auf seiner hinteren Oberfläche auf. Jede Lotperle 3 weist einen Durchmesser von im wesentlichen 0,1 mm auf. 32 Lotperlen sind in quadratischen Formen an einem Unfangsbereich des Halbleiterelements 1 mit einem Abstand von 0,25 mm zueinander angeordnet.
Lötaugen (eine Substratelektrode) 4 sind auf dem ge­ schichteten Aluminiumoxidsubstrat 2 an der Fläche ausgebil­ det, die den Lotperlen 3 entspricht. Jedes Lötauge 4 weist einen Durchmesser von 0,08 mm auf und ist durch die folgen­ den Schritte ausgebildet, wobei Wolfram mit einem Alumi­ niumoxid gesintert wird. Dann wird eine Kupferplatte 8 auf dem gesinterten Wolfram ausgebildet.
Weiterhin werden Ag-Pasten (ein leitender Klebstoff, ein leitendes Verbundteil) 5 auf dem geschichteten Alumini­ umoxidsubstrat 2 durch Drucken und Überziehen derart ausge­ bildet, daß sie elektrisch mit allen Lötaugen 4 verbunden sind. Die Ag-Paste 5 weist einen Durchmesser von 0,15 mm auf und besteht aus einem Epoxidharz, das einen Ag-Füll­ stoff beinhaltet. Daher ist der Durchmesser des Lötauges 4 kleiner als derjenige der Ag-Paste 5. Genauer gesagt ist in der Richtung, in welcher die Lötaugen 4 angeordnet sind, eine Abmessung (Breite) von jedem Lötauge 4 kleiner als diejenige der Ag-Paste 5.
Das Halbleiterelement wird nach einem derartigen Aus­ richten, daß die Lotperle 3 der Ag-Paste 5 entspricht, auf das geschichtete Aluminiumoxidsubstrat 2 montiert. Die Ag- Pasten 5 werden durch Glühen elektrisch mit den Lotperlen 3 verbunden, um elektrisch das Halbleiterelement 1 und das geschichtete Aluminiumoxidsubstrat 2 zu verbinden.
In diesem Fall werden, wie es in Fig. 9 gezeigt ist, die Ag-Pasten 5, welche zum elektrischen Verbinden des Halbleiterelements 1 und des geschichteten Aluminiumoxid­ substrats 2 verwendet werden, zu diesem Zeitpunkt nicht ausgebreitet, sondern wie gedruckt aufrechterhalten.
An den Bereichen, an denen das Halbleiterelement nicht auf das geschichtete Aluminiumoxidsubstrat 2 montiert ist, ist ein Pseudo-Lötauge 7 ausgebildet, welches nicht elek­ trisch mit dem Halbleiterelement 1 verbunden ist. Dieses Pseudo-Lötauge 7 wird als eine Ausrichtungsmarkierung ver­ wendet, um eine Position der Lötaugen 4 während der Montage anzuzeigen.
Das Montageverfahren zum Montieren des zuvor erwähnten Halbleiterelements 1 auf das geschichtete Aluminiumoxid­ substrat 2 wird unter Bezugnahme auf die Fig. 10A bis 10D erklärt.
Wie es in Fig. 10A gezeigt ist, wird ein geschichtetes Aluminiumoxidsubstrat 2, welches Lötaugen 4, ein Pseudo- Lötauge 7 und Kupferplatten 8 aufweist, die auf dem Lötauge 4 und dem Pseudo-Lötauge 7 ausgebildet sind, vorgesehen. Hier im weiteren Verlauf wird eine Erklärung hinsichtlich der Kupferplatten 8 weggelassen, um eine Beziehung zwischen allen Lötaugen 4, 7 klarzustellen.
Das Lötauge 4, das auf dem Bereich ausgebildet ist, an dem das Halbleiterelement 1 montiert wird, weist einen Durchmesser von 0,08 mm und einen Abstand zu einem benach­ barten Lötauge 4 von 0,25 mm auf. Die Abmessung des Pseudo- Lötauges 7 ist nicht besonders beschränkt, solange der Be­ reich der Lötaugen 4 festgestellt werden kann.
Wie es in Fig. 10B gezeigt ist, werden Ag-Pasten 5 un­ ter Verwendung des Pseudo-Lötauges 7 als die Ausrichtungs­ markierung mit einem Durchmesser von 0,15 mm auf die Löt­ augen 4 gedruckt (auf diesen ausgebildet). Eine Verschie­ bung kann zu diesem Zeitpunkt auftreten. Jedoch berührt auch dann, wenn die Verschiebung auftreten kann, jedes Löt­ auge 7 teilweise jede Ag-Paste 5.
Wie es zuvor beschrieben worden ist, ist der Durchmes­ ser des Lötauges 4 auf 0,08 mm festgelegt. Dieser Durchmes­ ser wird derart bestimmt, daß der Durchmesser des Lötauges 4 kleiner als derjenige der Ag-Paste 5 ist und daß das Lötauge 4 nicht aufgrund der Verschiebung des Druckens der Ag-Paste 5 von der Ag-Paste 5 getrennt wird.
Da die Ag-Paste 5 gehärtet wird, während ihre Form auf­ rechterhalten wird, breitet sich die Ag-Paste 5 nicht von dem Lötauge 4 aus. Daher kann die Abmessung des Lötauges 4 derart bestimmt werden, daß sie kleiner als diejenige der Ag-Paste 5 ist. Genauer gesagt werden die Abmessungen des Lötauges 4 und der Ag-Paste 5 derart bestimmt, daß sie sich auch dann nicht voneinander trennen, wenn die Druckver­ schiebung auftritt.
Beziehungen zwischen dem Durchmesser der Ag-Paste 5, dem Durchmesser des Lötauges 4 und der Druckverschiebung werden hier im weiteren Verlauf unter Bezugnahme auf Fig. 11 erklärt. In diesem Fall ist der Durchmesser der Ag-Paste 5 durch ϕ1, der Durchmesser des Lötauges 4 durch ϕ2 und ein Maximalwert einer Druckverschiebung durch X dargestellt.
Wie es aus Fig. 11 zu verstehen ist, ist es wünschens­ wert, eine Beziehung von 2(X-ϕ2/2)<ϕ1 zu erfüllen, um zu verhindern, daß sich die Ag-Paste 5 aufgrund der Druckver­ schiebung von dem Lötauge 4 trennt. Deshalb wird auf der Grundlage der zuvor erwähnten Beziehung und einer Beziehung von (ϕ1<ϕ2), welche darstellt, daß der Durchmesser des Lötauges 4 kleiner als derjenige der Ag-Paste 5 ist, der Durchmesser der Ag-Paste 5 ϕ1 derart bestimmt, daß er eine Beziehung von 2(X-ϕ2/2)<ϕ1 erfüllt.
In diesem Fall wird ein Lötaugenabstand P unter Berück­ sichtigung des Durchmessers des Lötauges 4, des Durchmes­ sers der Ag-Paste 5, der Druckverschiebung der Ag-Paste 5 und so weiter bestimmt. Deshalb kann der Abstand P verrin­ gert werden, da die Abmessung des Lötauges 4 klein festge­ legt werden kann.
Diese Vorzüge werden im Detail durch Vergleich mit der Montagestruktur im Stand der Technik unter Bezugnahme auf die Fig. 12A und 12B, welche die Montagestruktur im Stand der Technik zeigen, die eine Lotpaste 20 verwendet, und Fig. 12C und 12B erklärt, welche die Montagestruktur, die eine Ag-Paste 5 verwendet, gemäß diesem Ausführungsbei­ spiel zeigen. In diesem Fall zeigt Fig. 12A einen Zustand vor einem Rückfluß bzw. Aufschmelzen bzw. Reflow der Lotpa­ ste 20 und zeigt Fig. 12B einen Zustand nach einem Rückfluß der Lotpaste 20.
Im Gegensatz dazu zeigt Fig. 12C einen Zustand vor ei­ nem Härten der Ag-Paste und zeigt Fig. 12D einen Zustand nach einem Härten der Ag-Paste 5 durch Glühen.
Wie es in Fig. 12A und 12B gezeigt ist, ist es, da sich die Lotpaste 20 nach einem Rückfluß von dem Lötauge 21 ausbreitet, erwünscht, den Durchmesser des Lötauges 21 der­ art festzulegen, daß er im wesentlichen gleich zu demjeni­ gen der Lotpaste 20 ist. Da jedoch die Ag-Paste 5 ihre Form nach dem Glühen aufrechterhalten kann, können die Ag-Paste 5 und das Lötauge 4 elektrisch miteinander verbunden wer­ den, solange sie einander berühren.
Deshalb kann die Montagestruktur, die die Ag-Paste 5 verwendet, die Abmessung des Lötauges 4 verringern. Folg­ lich ist ein Abstand D, der in Fig. 12C gezeigt ist, um ei­ nen Grad, um den die Abmessung des Lötauges 4 verringert ist, größer als ein Abstand d, der in Fig. 12A gezeigt ist. Das heißt, der Lötaugenabstand K kann um den Grad verrin­ gert werden, um den der Abstand D erhöht wird.
Als nächstes wird, wie es in Fig. 10C gezeigt ist, das Halbleiterelement 1 unter Verwendung des Pseudo-Lötauges 7 als die Ausrichtungsmarkierung derart ausgerichtet, daß die Lotperlen 3 mit Ag-Pasten 5 übereinstimmen. Dann wird das Halbleiterelement 1 auf das geschichtete Aluminiumoxid­ substrat 2 montiert. In diesem Fall wird eine Kraft von 10 Gramm auf das Halbleiterelement ausgeübt, so daß alle Lot­ perlen 3 mit den Ag-Pasten 5 kontaktiert werden.
Wenn eine zusätzliche Ag-Paste zum Ausrichten in einem Verfahren eines Druckens der Ag-Paste, das in Fig. 10B ge­ zeigt ist, auf einen anderen Bereich des Halbleiterelements 1 gedruckt wird, kann das Halbleiterelement 1 unter Berück­ sichtigung der Druckverschiebung der Ag-Paste unter Verwen­ dung einer Ausrichtungsmarkierung ausgerichtet werden. Da­ her kann eine Verschiebung zwischen der Ag-Paste 5 und der Lotperle 3 weiter verringert werden und kann der Verbundzu­ stand zwischen der Ag-Paste 5 und der Lotperle 3 weiter verbessert werden.
Dann wird die Ag-Paste 5 durch Glühen bei 150°C für ei­ ne Stunde gehärtet, um die Lotperle 3 und die Ag-Paste 5 zu verbinden, wie es in Fig. 10D gezeigt ist. Durch dieses Glühen werden das Halbleiterelement 1 und das geschichtete Aluminiumoxidsubstrat 2 elektrisch verbunden und wird die in Fig. 9 gezeigte Montagestruktur erzielt.
Auf diese Weise kann ein Verwenden des leitenden Kleb­ stoffs, wie zum Beispiel der Ag-Paste, die Abmessung des Lötauges 4 verringern. Folglich kann der Lötaugenabstand verringert werden. Weiterhin kann, wenn der Lötaugenabstand verringert wird, die Ag-Paste 5 von dem Lötauge 4 hervor­ stehen und kann der gleiche Vorzug wie in dem ersten Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erzielt werden.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines achten Aus­ führungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.
Das achte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin­ dung wird unter Bezugnahme auf Fig. 13 erklärt. In den letzten Jahren ist eine weitere Miniaturisierung (ein enge­ rer Elektrodenabstand) 8 erwünscht gewesen. Zum Beispiel ist ein Kondensator einer Abmessung von 2012 erwünscht, welcher kleiner als der Kondensator einer Abmessung von 3216 ist, der in dem ersten Ausführungsbeispiel der vorlie­ genden Erfindung beschrieben ist, und weiterhin ist ein Kondensator einer Abmessung von 1005 erwünscht, welcher kleiner als der Kondensator einer Abmessung von 2012 ist.
Dieses Ausführungsbeispiel kann an jedem der Kondensa­ toren einer Abmessung von 1005, 2012 und 3216 angewendet werden. In diesem Ausführungsbeispiel wird eine Montage­ struktur, daß die vorliegende Erfindung an einem geschich­ teten Keramikkondensator (einem elektronischen Teil) einer Abmessung von 1005 angewendet wird, hier im weiteren Ver­ lauf erklärt. In Fig. 13 ist ein Abstand zwischen jedem Endbereich der Substratelektrode 15, welche auf dem Monta­ gesubstrat 14 angeordnet ist, auf 0,6 mm eingestellt.
Die Ag-Paste (der leitende Klebstoff, das leitende Ver­ bundteil) 16 ist derart auf das Montagesubstrat 14 ge­ druckt, daß eine Breite der Substratelektrode in Anord­ nungsrichtung 0,6 mm beträgt. Dann wird der geschichtete Keramikkondensator 11 auf das Montagesubstrat 14 montiert und wird die Ag-Paste 16 gehärtet. Auf diese Weise wird die Ag-Paste 16 von der Substratelektrode 15 hervorstehend aus­ gebildet und folglich wird die Ag-Paste 16 durch einen Flä­ chenkontakt mit mindestens entweder dem Hauptkörperchip 12 des geschichteten Keramikkondensators 11 oder dem Montage­ substrat 14 verbunden.
Bei dieser Montagestruktur wird, wenn eine Änderung ei­ nes Brennschwunds 0,5% (das heißt, eine Änderung von 0,5 mm bei einem Chip von 10 mm × 10 mm) beträgt und weiterhin, wenn eine Verschiebung von dem Mittenbereich 0,25 mm be­ trägt und eine Druckverschiebung 0,05 mm beträgt, eine ma­ ximale Verschiebung aufgrund der Verschiebungsfaktoren durch Berechnen eines quadratischen Mittels jeder Verschie­ bung auf ungefähr 0,255 mm geschätzt.
Die Verschiebung dieser Montagestruktur wird im Detail durch Vergleich mit der Montagestruktur im Stand der Tech­ nik erklärt. Die Fig. 14A und 14B zeigen die Montage­ struktur im Stand der Technik, welche eine Lotpaste 21 ver­ wendet und bei welcher eine Abmessung der Lotpaste 21 im wesentlichen gleich zu derjenigen der Substratelektode 22 ist. Die Fig. 14C und 14D zeigen die Montagestruktur, welche eine Ag-Paste 5 verwendet, gemäß diesem Ausführungs­ beispiel. In diesem Fall zeigt Fig. 14A einen Zustand vor einem Rückfluß der Lotpaste 21 und zeigt Fig. 14B einen Zu­ stand nach einem Rückfluß der Lotpaste 21. Im Gegensatz dazu zeigt Fig. 14C einen Zustand vor einem Härten der Ag- Paste 5 und zeigt Fig. 14D einen Zustand nach einem Härten der Ag-Paste 5 durch Glühen. In den Fig. 14A bis 14D sind Abstände zwischen jedem Mittenbereich (ein Lötaugenab­ stand) von angrenzenden Substratelektroden 15, 22 derart festgelegt, daß sie im wesentlichen gleich zueinander sind.
In dem Fall der Struktur im Stand der Technik, die in den Fig. 14A und 14B gezeigt ist, beträgt, wenn die Ab­ messungen der Substratelektrode 22 und der Lotpaste 21 gleich festgelegt sind, ein Abstand zwischen den sich am nächsten befindenden Endbereich von angrenzenden Substrat­ elektroden 22 0,3 mm. Deshalb können, wenn sich die Ver­ schiebung an ihrem Maximum befindet, die angrenzenden Substratelektroden 22 durch Fließen der geschmolzenen Lot­ paste 21 kurzgeschlossen werden.
Im Gegensatz dazu beträgt in dem Fall der Struktur ge­ mäß diesem Ausführungsbeispiel, die in den Fig. 14C und 14D gezeigt ist, der Abstand zwischen den sich am nächsten befindenden Endbereich von angrenzenden Substratelektroden 15 0,6 mm. Deshalb beträgt, wenn sich die Verschiebung an ihrem Maximum befindet, ein Abstand zwischen den sich am nächsten befindenden Endbereich der angrenzenden Substrat­ elektrode 15 und der Ag-Paste 16 0,345 mm. Da die Ag-Paste 16 ihre Form wie gedruckt aufrechterhalten kann, wie es zu­ vor beschrieben worden ist, kann der Kurzschluß zwischen angrenzenden Substratelektroden 15 verhindert werden.
Wie es zuvor beschrieben worden ist, kann der Kurz­ schluß zwischen angrenzenden Substratelektroden 15 durch derartiges Festlegen der Abmessung der Substratelektrode 15, daß diese kleiner als diejenige der Ag-Paste 16 ist, verhindert werden. Weiterhin kann eine Haftfestigkeit zwi­ schen der Ag-Paste 16 und dem Montagesubstrat 14 oder dem Hauptkörperchip 12 verbessert werden.
Nachstehend erfolgt die Beschreibung von anderen Aus­ führungsbeispielen der vorliegenden Erfindung.
Die vorliegende Erfindung kann an einer Montagestruktur für ein anderes elektronisches Teil, wie zum Beispiel eines anderen Typs eines oberflächenmontierbaren Kondensators, einer Spule und so weiter, angewendet werden, das den ge­ schichteten Keramikkondensator 11 oder den oberflächenmon­ tierbaren Kondensator 19, die zuvor beschrieben worden sind, ersetzt. Bei dem zuvor erwähnten Ausführungsbeispiel wird die Ag-Paste 16 als der leitende Klebstoff verwendet, der ein Epoxidharz beinhaltet, das den Ag-Füllstoff füllt. Jedoch kann ein Material des Bindemittels der Ag-Paste und des leitenden Füllstoffs aus einem anderen Material ausge­ wählt werden. Das geschichtete Substrat 14 aus 92%igem Alu­ miniumoxid kann durch ein anderes Substrat, wie zum Bei­ spiel ein Keramiksubstrat oder ein Harzsubstrat, ersetzbar sein.
Genauer gesagt kann das geschichtete Aluminiumoxid­ substrat 2 als das Montagesubstrat durch ein bei einer niedrigen Temperatur brennbares Substrat, das zum Beispiel aus einem Glas, einem Aluminiumoxid oder einer Glaskeramik besteht, ein Harzsubstrat, das zum Beispiel aus einem Epoxid, einem Glasepoxid, einem Papierphenol oder einem Po­ lyamid besteht, oder ein auf einem AlN- bzw. Aluminium­ nitridsubstrat basierenden Metall ersetzbar sein. Wie es in dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben worden ist, ist es zulässig, ein Überzugsmate­ rial unter Verwendung von einem der zuvor erwähnten Mate­ rialien oder einem unter einem ultravioletten Strahl här­ tenden Harz, wie zum Beispiel ein Epoxidacrylat, auf das Montagesubstrat aufzutragen.
In den ersten bis achten Ausführungsbeispielen der vor­ liegenden Erfindung kann ein pastenartiger Klebstoff als der leitende Klebstoff verwendet werden. In diesem Fall kann der pastenartige Klebstoff aus einem Harz bestehen, welches mindestens entweder ein Phenol, ein Acryl, ein Po­ lyester oder ein Polyimid beinhaltet, das einen metalli­ schen Füllstoff aufweist, welcher mindestens entweder Ag, Au, Ni, Cu, Pd, Pt, Ir, AgPd oder AgPt beinhaltet.
Wie es zuvor beschrieben worden ist, ist die Haftfe­ stigkeit zwischen der Ag-Paste und dem Aluminiumoxid oder dem Glasepoxid größer als diejenige zwischen der Ag-Paste und dem Kupfer, das das Lötauge (die Elektrode) bildet. Aus dem gleichen Grund ist es wünschenswert, die Abmessung des Lötauges auch dann zu verringern, wenn das andere Material für den leitenden Klebstoff verwendet wird, da die Verrin­ gerung des Lötauges zuläßt, die Kontaktfläche zwischen dem leitenden Klebstoff und dem Körperteil oder dem Montage­ substrat zu erhöhen.
In den zuvor erwähnten Ausführungsbeispielen kann die Haftfestigkeit verbessert werden, wenn mindestens ein Be­ reich des Umfangsbereichs der Ag-Pasten 5, 16 mit minde­ stens entweder einer Oberfläche des Hauptkörperchip 12, ei­ ner Oberfläche des Harzsockelbereichs 12 oder einer Ober­ fläche des Montagesubstrats 32, 14 verbunden wird. Folglich können auch die Risse durch die Ag-Paste verhindert werden. Eine in der vorhergehenden Beschreibung offenbarte Mon­ tagestruktur beinhaltet einen geschichteten Keramikkonden­ sator, der auf ein Montagesubstrat montiert ist. Der ge­ schichtete Keramikkondensator beinhaltet einen Hauptkörper­ chip, der aus einem keramischen Dielektrikum besteht, in­ terne Schichtelektroden und ein Paar von Anschlußelektro­ den. Das Montagesubstrat besteht aus einem Aluminiumoxid­ substrat und weist ein Paar von Substratelektroden auf, das durch Kupferplatieren hergestellt ist. Der geschichtete Ke­ ramikkondensator ist unter Verwendung einer Ag-Paste auf das Montagesubstrat montiert. In diesem Fall wird die Substratelektrode derart festgelegt, daß sie kleiner als die Ag-Paste ist. Das heißt, die Ag-Paste steht von den An­ schlußelektroden und der Substratelektrode derart hervor, daß sie sowohl den Hauptkörperchip als auch das Montage­ substrat kontaktiert. Da die Ag-Paste eine hohe Haftfestig­ keit verglichen mit der aufweist, wenn sie mit einem Metall verbunden ist, kann eine gesamte Haftfestigkeit verbessert werden. Folglich kann die Zuverlässigkeit einer Montage verbessert werden.

Claims (20)

1. Montagestruktur eines elektronischen Teils (1, 11, 30), die aufweist:
das elektronische Teil (1, 11, 30), das erste und zweite Elektroden (3, 13, 33) aufweist;
ein Montagesubstrat (2, 14), auf das das elektronische Teil montiert ist;
erste und zweite Lötaugen (4, 15, 17, 22), die auf dem Montagesubstrat vorgesehen sind und an vorbestimmten Bereichen angeordnet sind, die den ersten und den zwei­ ten Elektroden des elektronischen Teils entsprechen; und
einen leitenden Klebstoff (5, 16), der zwischen der er­ sten Elektrode und dem ersten Lötauge und der zweiten Elektrode und dem zweiten Lötauge vorgesehen ist, um das elektronische Teil und die ersten und zweiten Lötaugen elektrisch zu verbinden, wobei
sich ein Teil des leitenden Klebstoffs von einem der ersten, der zweiten Lötaugen, der ersten und zweiten Elektroden ausbreitet.
2. Montagestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß:
das elektronische Teil ein Körperteil (12) aufweist, daß aus einem Material besteht, dessen Haftfestigkeit mit dem leitenden Klebstoff größer als diejenige zwi­ schen den ersten und den zweiten Elektroden und dem leitenden Klebstoff ist;
die ersten und die zweiten Elektroden auf der Oberflä­ che des Körperteils vorgesehen sind; und
das Montagesubstrat aus einem Material besteht, dessen Haftfestigkeit mit dem leitenden Klebstoff größer als diejenige zwischen den ersten und den zweiten Lötaugen und dem leitenden Klebstoff ist.
3. Montagestruktur nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, daß das Material des Körperteils ein isolierendes Material ist und das Material des Montagesubstrats ein isolierendes Material ist.
4. Montagestruktur nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, daß mindestens ein Teil eines Umfangsbereichs des leitenden Klebstoffs einen Verbundbereich aufweist, welcher mit dem Körperteil des elektronischen Teils verbunden ist.
5. Montagestruktur nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich­ net, daß jede der ersten und der zweiten Elektroden ei­ nen freiliegenden Lochbereich (13a) zum Freilegen des Körperteils aufweist und ein Teil des leitenden Kleb­ stoffs über den freiliegenden Lochbereich mit dem Kör­ perteil verbunden ist.
6. Montagestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß mindestens ein Teil eines Umfangsbereichs des leitenden Klebstoffs einen Verbundbereich aufweist, welcher mit dem Montagesubstrat verbunden ist.
7. Montagestruktur nach Anspruch 6, dadurch gekennzeich­ net, daß jedes der ersten und der zweiten Lötaugen ei­ nen freiliegenden Lochbereich (15a) zum Freilegen des Montagesubstrats aufweist und ein Teil des leitenden Klebstoffs über den freilegenden Lochbereich mit dem Montagesubstrat verbunden ist.
8. Montagestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß:
die ersten und die zweiten Lötaugen in einer vorbe­ stimmten Richtung angeordnet sind; und
jedes der ersten und der zweiten Lötaugen eine Abmes­ sung aufweist, die größer als eine Abmessung des lei­ tenden Klebstoffs in der vorbestimmten Richtung ist.
9. Montagestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß der leitende Klebstoff aus einem pastenartigen Klebstoff besteht, in welchem ein metallischer Füll­ stoff in ein Harz gemischt ist, wobei der metallische Füllstoff mindestens entweder Ag, Au, Ni, Cu, Pd, Pt, Ir, AgPd oder AgPt beinhaltet und das Harz mindestens entweder ein Phenol, ein Acryl, ein Polyester oder ein Polyimid beinhaltet.
10. Montagestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß:
der leitende Klebstoff durch Drucken ausgebildet ist; und
ein Durchmesser ϕ1 des leitenden Klebstoffs in einer Anordnungsrichtung derart bestimmt ist, daß er eine Be­ ziehung 2(X-ϕ2/2)<ϕ1 erfüllt, wobei
X eine Druckverschiebung ist und ϕ2 ein Durchmesser des Lötauges in der Anordnungsrichtung ist.
11. Montagestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Montagesubstrat weiterhin aufweist:
einen Passivierungsfilm, der aus einem isolierenden Ma­ terial besteht, um teilweise die ersten und die zweiten Lötaugen zu bedecken, wobei
eine Abmessung eines freiliegenden Bereichs des Lötau­ ges größer als eine Abmessung des leitenden Klebstoffs in einer Anordnungsrichtung ist.
12. Montagestruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß der leitende Klebstoff einen zusätzlichen Be­ reich beinhaltet, der an einem anderen Abschnitt als die ersten und die zweiten Lötaugen auf dem Montage­ substrat vorgesehen ist und mindestens mit entweder dem Körperteil oder dem Montagesubstrat verbunden ist.
13. Montageverfahren eines elektronischen Teils, das erste und zweite Elektroden (3, 13, 33) aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
derartiges Drucken eines leitenden Klebstoffs (5, 16) auf erste und zweite Lötaugen, die auf einem Montage­ substrat vorgesehen sind, daß dieser eine Abmessung aufweist, die größer als diejenige der ersten und zwei­ ten Lötaugen (4, 15, 17, 22) ist;
Ausrichten des leitenden Klebstoffs und der ersten und der zweiten Elektroden des elektronischen Teils (1, 11, 30);
Montieren des elektronischen Teils auf das Montage­ substrat (2, 14); und
Härten des leitenden Klebstoffs durch Wärme.
14. Montageverfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich­ net, daß:
der Druckschritt ein derartiges Drucken des leitenden Klebstoffs beinhaltet, daß er eine Beziehung von 2(X-ϕ2/2)<ϕ1 erfüllt, wobei
X eine Druckverschiebung ist, ϕ1 ein Durchmesser des leitenden Klebstoffs in einer Anordnungsrichtung ist und ϕ2 ein Durchmesser der ersten und der zweiten Lötaugen in der Anordnungsrichtung ist.
15. Montageverfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich­ net, daß der Druckschritt ein derartiges Drucken des leitenden Klebstoffs beinhaltet, daß dieser von den er­ sten und den zweiten Lötaugen hervorsteht.
16. Montageverfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich­ net, daß:
der Druckschritt einen Ausrichtungsbereich durch den leitenden Klebstoff an einem anderen Bereich als die ersten und die zweiten Lötaugen auf das Montagesubstrat druckt; und
der Ausrichtungsschritt das elektronische Teil unter Verwendung des Ausrichtungsbereichs als eine Ausrich­ tungsmarkierung ausrichtet.
17. Montageverfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich­ net, daß der Druckschritt den leitenden Klebstoff der­ art druckt, daß er dicker als eine Dicke nach einem Härten ist.
18. Montageverfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich­ net, daß der Montageschritt einen Steuerschritt bein­ haltet, um eine Form des leitenden Klebstoffs durch Steuern einer Kraft, die während eines Montierens auf das elektronische Teil ausgeübt wird, zu steuern.
19. Montageverfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich­ net, daß der Montageschritt einen Steuerschritt bein­ haltet, um eine Form des leitenden Klebstoffs durch Vi­ brieren mindestens entweder des elektronischen Teils oder des Montagesubstrats zu steuern.
20. Montageverfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich­ net, daß:
der Druckschritt einen zusätzlichen Bereich an dem an­ deren Bereich als die ersten und die zweiten Lötaugen auf das Montagesubstrat druckt; und
der zusätzliche Bereich mit mindestens entweder dem Körperteil oder dem Montagesubstrat in dem Montage­ schritt verbunden wird.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006054085A1 (de) * 2006-11-16 2008-05-29 Epcos Ag Bauelement-Anordnung
WO2022074245A1 (de) * 2020-10-08 2022-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrische kontaktanordnung, verfahren für deren herstellung und diese umfassendes optoelektronisches bauteil

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6461891B1 (en) * 1999-09-13 2002-10-08 Intel Corporation Method of constructing an electronic assembly having an indium thermal couple and an electronic assembly having an indium thermal couple
JP2005310843A (ja) * 2004-04-16 2005-11-04 Sony Corp プリント配線基板、部品実装方法及び搭載位置確認方法
WO2009001842A1 (ja) * 2007-06-27 2008-12-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. 積層セラミック電子部品及びその実装構造
DE102008036837A1 (de) * 2008-08-07 2010-02-18 Epcos Ag Sensorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung
JP5899517B2 (ja) * 2012-08-10 2016-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 部品実装基板の製造方法及び製造システム
JP6011573B2 (ja) * 2014-03-24 2016-10-19 株式会社村田製作所 電子部品

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56167394A (en) 1980-05-27 1981-12-23 Mitsubishi Electric Corp Method of soldering circuit board
JPH04336490A (ja) 1991-05-13 1992-11-24 Sharp Corp リフローハンダの形成方法
DE4220441A1 (de) 1992-06-23 1994-01-05 Gambro Dialysatoren Verfahren zum Trocknen poröser Ultrafilterfiltrationsmembranen
JP3267409B2 (ja) * 1992-11-24 2002-03-18 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
JP3258764B2 (ja) * 1993-06-01 2002-02-18 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに外部引出用電極およびその製造方法
WO1995026047A1 (en) * 1994-03-18 1995-09-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor package manufacturing method and semiconductor package
KR100194130B1 (ko) * 1994-03-30 1999-06-15 니시무로 타이죠 반도체 패키지
JPH0917601A (ja) 1995-06-30 1997-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品およびその実装方法
JPH09232371A (ja) 1996-02-23 1997-09-05 Japan Aviation Electron Ind Ltd 半導体素子と実装用基板の組合せ構造

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006054085A1 (de) * 2006-11-16 2008-05-29 Epcos Ag Bauelement-Anordnung
US8081485B2 (en) 2006-11-16 2011-12-20 Epcos Ag Component assembly
EP2057647B1 (de) * 2006-11-16 2019-08-28 TDK Electronics AG Bauelement-anordnung
WO2022074245A1 (de) * 2020-10-08 2022-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrische kontaktanordnung, verfahren für deren herstellung und diese umfassendes optoelektronisches bauteil

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