DE19855655A1 - Plasmakammer mit erosionsresistenten Halteschrauben - Google Patents
Plasmakammer mit erosionsresistenten HalteschraubenInfo
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Abstract
Eine Vorrichtung ist zum Behandeln eines Wafers bei Herstellung mit einem erosiven Plasma in einer kontaminationsgesteuerten Umgebung vorgesehen. Die Vorrichtung enthält eine Kammer zum Aufnehmen des Wafers, welcher durch das Plasma behandelt werden soll, und zum Isolieren des Wafers vor Schmutzstoffen außerhalb der Kammer während der Behandlung. Die Kammer enthält ebenfalls eine oder mehrere plasmaerosionsresistente Schrauben. Jede Schraube weist einen Schaft, welcher innerhalb der Kammer derartig befestigt ist, daß der Schaft dem Plasma nicht ausgesetzt ist und einen erhöhten Kopf auf, welcher integral mit dem Schaft ist und aus dem gleichen Material wie der Schaft hergestellt ist. Der Kopf weist eine kontinuierliche, konkave Oberflächenform mit einer reduzierten Anzahl von Kanten auf, um so die Ansammlung von Ladung darauf zu reduzieren, wodurch er einer Erosion durch das Plasma widersteht.
Description
Die vorliegende Anmeldung betrifft Plasma-Behandlungskammern, wie bei
spielsweise solche, die zur Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen
benutzt werden.
Fig. 1 zeigt eine Plasmakammer, welche beispielsweise zur Herstellung von in
tegrierten Halbleiterschaltungen benutzt werden könnte. Wie gezeigt ist, wird ein
Wafer (auf welchem z. B. eine oder mehrere integrierte Halbleiterschaltungen aus
gebildet sind) zwischen ersten und zweiten Elektroden e1 und e2, welche an ge
genüberliegenden Seiten der Kammer angeordnet sind, positioniert. Der Wafer W
wird ebenfalls zwischen ebenfalls an gegenüberliegenden Seiten der Kammer be
findlichen Nord- und Südpolen m1, m2 eines Magneten plaziert, wobei dessen
Seiten orthogonal zu den Seiten sind, an welchen die Elektroden e1 und e2 ange
ordnet sind. Ein Niederdruckgas G wird in die Plasmakammer durch eine Einlaß
öffnung, wie beispielsweise einen Brausekopf S. eingeführt. Eine Spannungs
quelle V legt eine oszillierende Spannung (von z. B. 13.58 MHz) an den Elektro
den e1 und e2 an, um ein elektrisches Feld E zu erzeugen, welches zwischen den
zwei Elektroden e1 und e2 ausgerichtet ist. Dies zielt darauf ab, die Moleküle des
Niederdruckgases G zu veranlassen, in einer zykloiden Bewegung zu kreisen.
Der Nord- und der Südpol m1 und m2 des Magneten führen ein Magnetfeld B ein,
welches zwischen den zwei Polen ausgerichtet ist, wobei das Magnetfeld B ortho
gonal zu dem elektrischen Feld E ist. Dies zielt darauf ab, die Zusammenstöße
der kreisenden Moleküle zu erhöhen, wodurch sie vollständig ionisiert werden,
um das Plasma P über dem Wafer W auszubilden. Ein Kühlmittel C, wie bei
spielsweise flüssiges Helium, kann auf der Unterseite des Wafers W zirkuliert
werden lassen, um ihn während der Behandlung zu kühlen.
Fig. 2 zeigt eine detailliertere Ansicht bestimmter Teile einer eigentlichen Plas
makammer 100, wie beispielsweise die MXP Centura™, welche von Applied
Materials, Inc.™, ansässig in Santa Clara, Kalifornien, vertrieben wird. Die
Kammer 100 weist zylindrisch geformte Seitenwände 105 auf. Eine Kathode 110
ist am Boden der Kammer 100 angeordnet. Ein Sockel 120 ist an der Kathode
110 befestigt. (Eigentlich können zusätzliche Teile an der Kathode 110, zwischen
der Kathode 110 und dem Sockel 120 angebracht werden, wie beispielsweise ein
O-Ring und eine Aluminiumplatten-Zwischenschicht. Diese sind aus Gründen
der Kürze weggelassen.) Der Sockel 120 ist durch Einschrauben von Schrauben
durch die Löcher 122 des Sockels 120 und die Löcher 112 der Kathode 110 befe
stigt. Ein Quarz-Sockeleinlegring, nicht gezeigt, kann nun in der Kammer 100
angeordnet werden, wobei er den Sockel 120 umgibt (zum Zweck des Verbes
serns der Gleichmäßigkeit des Plasmagasstroms über den gesamten Wafer W).
Eine transparente Quarzabdeckung oder ein Fokusring 150 kann dann an die
Oberseite der Kammer 100 angebracht werden, um eine gasdichte Versiegelung
auszubilden, wodurch das Plasma P innerhalb der Kammer 100 eingeschlossen
und der Wafer W vor einer Kontamination von außen isoliert wird. Wie gezeigt
wird die Quarzabdeckung oder der Fokusring 150 durch Einschrauben von
Schrauben 130 durch Löcher 132 an der Kammer 100 oder ein anderes Teil, wel
ches darin befestigt ist (aus Gründen der Kürze nicht gezeigt), befestigt. Eine
Quarzkappe kann auf der Oberseite einer jeden Schraube 130 plaziert werden.
Der Wafer W kann an den Sockel 120 auf eine von zwei Arten befestigt werden.
Der Sockel 120 kann ein elektrostatischer Spannsockel sein. Solch ein Sockel
120 kann eine elektrostatische Ladung hervorrufen, welche den Wafer W während
der Behandlung in Position hält. Alternativ kann ein gewöhnlicher Sockel 120
benutzt werden. In einem solchen Fall ist der Wafer W unter Benutzung eines
Klemmringes 160 an dem Sockel 120 festgeklemmt. Wie gezeigt, weist der
Klemmring 160 eine Vielzahl von Spitzen 170 auf, welche sich radial in Richtung
des Inneren des Ringes 160 erstrecken. Die Abmessungen des Klemmringes 160
sind derartig, daß dessen Ring 165 einen größeren Durchmesser als der Wafer W
aufweist und den Wafer nicht berührt. Vielmehr sind nur die Spitzen 170 in
Kontakt und berühren den Wafer W. Die Spitzen 170 weisen Löcher 172 auf, um
ein Schrauben des Klemmringes 160 an den Sockel 120 zu ermöglichen, wobei (z.
B. Metall) Schrauben 131 benutzt werden (welche wiederum durch nicht gezeigte
Graphitstopfen abgedeckt sind), so daß die Spitzen 170 in Kontakt sind und auf
den Wafer W nach unten drücken, wodurch er in Position gehalten wird.
Eine Plasmabehandlung wird gewöhnlich verwendet, um Strukturen auf einen
Wafer zu ätzen, wie beispielsweise polykristallines Silizium (poly) und Oxid
strukturen. Insbesondere werden Waferstrukturen, welche nicht geätzt werden
sollen, mit einer Maske abgedeckt, während Waferstrukturen, welche geätzt wer
den sollen, unbedeckt belassen werden. Die Behandlung, welche das Plasma
verwendet, erodiert die unbedeckten Strukturen.
Ein solcher plasmaerosiver Effekt betrifft auch die verschiedenen Teile in der
Kammer 100. Dies reduziert die Lebensdauer der Teile. Weil solche Teile wäh
rend des Behandelns des Wafers erodiert werden, wird das erodierte Material der
Teile darüber hinaus in die Plasmakammer 100 als Schmutzstoff eingeführt. Dies
führt dazu, daß sich die Ausbeute an integrierten Halbleiterschaltungen, welche
aus den behandelten Wafern ausgebildet werden, verringert. Zwei Teile, die be
sonders dem plasmaerosiven Effekt unterliegen, sind die Schrauben 130, welche
verwendet werden, um den Quarz-Fokusring oder die Abdeckung 150 (und die
theoretisch verwendet werden können, um andere Objekte in der Plasmakammer
100 zu befestigen) und die Klemmringe 160.
Fig. 3 zeigt die Anordnung der Schraube 130 und Kappe 140 im Detail. Die
Schraube 130 enthält einen gewindetragenden Schaft 135 und einen Kopf 137,
welcher angebracht an und integral mit der Oberseite der Schraube 130 ist. Die
Schraube 130 ist vorzugsweise aus einem Polyimidmaterial, wie beispielsweise
das Material, welches unter dem Markennamen Vespel™ von DuPont Engi
neering Polymers™ angesiedelt in Newark, Delaware, vertrieben wird. Der
Schraubenkopf 137 weist eine konvexe Form auf. Insbesondere weist der
Schraubenkopf 137 eine Vertiefung oder einen Schlitz 139 auf, welcher darin
ausgebildet ist, um eine Schraubenzieherklinge aufzunehmen. Der Schraubenkopf
137 als solcher weist scharfe "zugespitzte" Kanten 131 und 133 auf, wobei die
Kanten 131 und 133 jeweils einen kleinen Oberflächenbereich aufweisen.
Die Schraube 130, insbesondere der Schraubenkopf 137, unterliegt der Erosion
durch das Plasma. (Der Schaft 135 ist typischerweise vollständig in einen ande
ren Gegenstand in der Kammer 100 eingeschraubt, wie beispielsweise das Loch
132. Folglich wird lediglich der Schraubenkopf 137 dem Plasma der Kammer
100 ausgesetzt.) In einem Ansatz die Lebensdauer der Schraube 130 zu verlän
gern, wird eine schützende Quarzkappe 140 typischerweise über der Schraube
angeordnet. Die Quarzkappe 140 weist eine Öffnung 141 auf, welche größer als
der Schraubenkopf bemessen ist, so daß sie über den Schraubenkopf 137 ange
ordnet werden kann und den Schraubenkopf 137 abdecken kann.
Es gibt verschiedene Probleme bei der Anordnung der Schraube 130 und der
Quarzkappe 140. Erstens ist es schwierig eine Kappe 140 herzustellen, welche
eng auf die Schraube 130 paßt. Dies hat zwei Konsequenzen. Insbesondere ist
etwas Plasma in der Lage, die Schraube 130 zu erreichen und sie zu erodieren.
Das erodierte Material erzeugt einen Aufbau von kontaminierenden Partikeln in
der Öffnung 140. Dies verschmutzt den Wafer. Zusätzlich wird die nutzbare Le
bensdauer der Schraube 130 auf nur ungefähr 100 Stunden begrenzt, bevor sie zu
sehr erodiert ist, um wiederbenutzt zu werden.
Zweitens kann während der Benutzung die Schwingung der Kammer 100 die
Kappen 140 entfernen, was bewirkt, daß eine oder mehrere beschädigt werden
oder unter (oder in) einem der vielen abnehmbaren Teile der Maschine (von denen
nur einige in Fig. 1 gezeigt sind) verloren gehen können. Da die Quarzkappen
140 sehr teuer sind (z. B. ca. US$ 40 pro Stück), steigert dies wesentlich die Her
stellungskosten von integrierten Halbleiterschaltungen.
Zusätzlich wird die Kammer 100 in einer Anwendung verwendet, bei welcher die
Kontamination gesteuert ist. Der Bediener der Kammer muß deshalb schützende
Handschuhe während des Einführens und Einschraubens der Schrauben 130 tra
gen. Da dies sowohl ein Anordnen der Schraube in einem Loch und ein Benutzen
eines Schraubenziehers erfordert, erfordert die Bedienung eine große Menge an
Zeit, wodurch die Menge an Zeit reduziert wird, in welcher die Kammer 100 für
den Herstellungsprozeß benutzt werden kann.
Es ist ein Ziel der Erfindung, die Nachteile des Standes der Technik zu überwin
den.
Dieses und weitere Ziele werden durch die Erfindung erreicht. Gemäß einem
Ausführungsbeispiel wird eine Vorrichtung zum Behandeln eines Wafers unter
Herstellung mit einem erosiven Plasma in einer kontaminationsgesteuerten Um
gebung vorgesehen. Die Vorrichtung enthält eine Kammer zum Aufnehmen des
Wafers, welcher durch das Plasma behandelt werden soll, und zum Isolieren des
Wafers vor Schmutzstoffen außerhalb der Kammer während der Behandlung. Die
Kammer enthält ebenfalls eine oder mehrere plasmaerosionsresistente Schrauben.
Jede Schraube weist einen Schaft auf, welcher innerhalb der Kammer derartig
befestigt ist, daß der Schaft nicht dem Plasma ausgesetzt ist, und einen erhöhten
Kopf, welcher damit integral und aus dem gleichen Material wie der Schaft herge
stellt ist. Der Kopf weist eine kontinuierliche, konkave Oberflächenform mit ei
ner reduzierten Anzahl von Kanten auf, um so die Ansammlung von Ladung dar
auf zu reduzieren, wodurch einer Erosion durch das Plasma widerstanden wird.
Weitere Vorteile, Merkmale und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung wer
den nachfolgend anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Ansicht einer konventionellen Plasmakammer;
Fig. 2 eine auseinandergezogene Ansicht einer konventionellen Plasmakammer;
Fig. 3 eine konventionelle Schrauben-und-Kappen-Anordnung; und
Fig. 4 eine Schraube gemäß der Erfindung.
Diese Erfindung basiert auf der Feststellung, daß die Schraubenschlitzkanten (z. B.
Schlitz 139, Kanten 131 und 133) am meisten dem Angriff durch die Plasmaero
sion unterliegen. Insbesondere ist es bekannt, daß das Magnetfeld B eine Net
todrift in dem Plasma P bewirkt, welche aus geladenen Ionen besteht. Als Ergeb
nis sammelt sich eine positive Nettoladung an einem der magnetischen Pole an,
und eine negative Nettoladung sammelt sich an dem anderen magnetischen Pol
an. Dies kann eine Ladung auf jedes Objekt in der Kammer 100, wie beispiels
weise den Wafer W oder die Schrauben 130, induzieren. Wie gut bekannt ist,
neigt eine negative Ladung dazu, sich an einem Punkt eines Gegenstandes zu
konzentrieren, welcher ein geringes Volumen und einen kleinen Oberflächenbe
reich aufweist, wie beispielsweise die Ränder der Schraubenschlitze. Die hoch
konzentrierte angesammelte Ladung an den Schraubenschlitzkanten erhöht dra
matisch die Plasmaerosion daran. Es ist als solches wünschenswert, solche Kan
ten von der Schraube 130 zu entfernen.
Fig. 4 zeigt eine Schraube 200 gemäß der Erfindung. Die Schraube ist in der
Form von einer "Daumen"-Maschinenschraube, obwohl andere Schraubenausführungsformen
möglich sind. Die Schraube 200 weist einen gewindetragenden
Schaft 235 auf, welcher befestigt an und integral mit einem erhöhten Kopf 237 ist.
Beispielsweise sind sowohl der Schaft 235 als auch der Kopf 237 integral aus dem
gleichen plasmaerosionsresistenten Material hergestellt, wie beispielsweise ein
Polyimidmaterial.
Beispielsweise weist der Kopf 237 der Schraube 200 eine Länge von ungefähr l1
≈ 8 mm auf, obwohl die Länge vorzugsweise 5 mm oder mehr ist. Der Schrau
benkopf 237 ist eine kontinuierliche konkave Rotationsoberfläche, in diesem Fall
ein Zylinder, obwohl andere Formen von Rotationsoberflächen möglich sind, wie
beispielsweise Kuppelformen. Der Radius der Schraube 200 ist ungefähr r1 ≈ 5
mm, obwohl jeder Radius von 1-50 mm verwendet werden kann.
Der Radius r1 und die Länge l1 der Schraube 200 werden derartig ausgewählt,
daß der Schraubenkopf 237 per Hand bewegt werden kann. Insbesondere wird
die Schraube 200, da der Schlitz beseitigt wurde, vorzugsweise manuell in das
aufnehmende Loch (z. B. das Loch 132, 152 oder 112) eingeschraubt. Das ist
vorteilhaft. Da der Bediener die Schrauben 200 per Hand einführen muß, ist es
einfacher dies manuell als mit einem Schraubenzieher zu tun. Darüber hinaus
erlaubt es die vergrößerte Höhe l1 der Schraube 200, der Schraube 200 einer grö
ßeren Erosion ausgesetzt zu sein, bevor sie nicht mehr länger nutzbar ist. Diese
Verbesserungen haben die Lebensdauer der Schraube 200 auf ungefähr 300 Stun
den bis zum Versagen erhöht.
Die Schrauben 200 können in der Kammer 100 (Fig. 2) benutzt werden, um im
Grunde genommen jedes Objekt darin oder daran einzuschrauben, wie beispiels
weise den Sockel 120, den Quarz-Fokusring oder die Abdeckung 150, den
Klemmring 160, etc. Wie zuvor, führt der Bediener den gewindetragenden Schaft
235 in das Loch 112, 132, 152 oder 172 ein. Dann dreht der Bediener einfach den
Kopf 237 der Schraube manuell bis die Schraube festgezogen ist, z. B. bis der
Schaft 235 abgeschirmt vor dem Aussetzen mit dem Plasma in der Kammer 100
ist. Vorzugsweise trägt der Bediener während dieser Bedienung Handschuhe, um
ein Kontaminieren der Kammer 100 zu vermeiden.
Die obige Diskussion ist rein beispielhaft für die Erfindung. Fachleute können
sich zahlreiche alternative Ausführungsbeispiele ausdenken, ohne von dem Geist
und dem Umfang der folgenden Ansprüche abzuweichen.
Claims (5)
1. Vorrichtung zum Behandeln eines Wafers bei Herstellung mit einem erosiven
Plasma in einer kontaminationsgesteuerten Umgebung, wobei die Vorrichtung
umfaßt:
eine Kammer zum Aufnehmen eines Wafers, welcher durch das Plasma be handelt werden soll, und zum Isolieren des Wafers während der Behandlung vor Schmutzstoffen außerhalb der Kammer, und
eine oder mehrere plasmaerosionsresistente Schrauben, wobei jede einen Schaft aufweist, welcher innerhalb der Kammer derartig befestigt ist, daß der Schaft nicht dem Plasma ausgesetzt ist und einen erhöhten Kopf, welcher in tegral mit dem Schaft und aus dem gleichen Material wie der Schaft herge stellt ist, wobei der Kopf eine kontinuierliche, konkave Oberflächenform mit einer reduzierten Anzahl von Kanten aufweist, um so die Ansammlung von Ladung darauf zu reduzieren, wodurch sie der Erosion durch das Plasma wi derstehen.
eine Kammer zum Aufnehmen eines Wafers, welcher durch das Plasma be handelt werden soll, und zum Isolieren des Wafers während der Behandlung vor Schmutzstoffen außerhalb der Kammer, und
eine oder mehrere plasmaerosionsresistente Schrauben, wobei jede einen Schaft aufweist, welcher innerhalb der Kammer derartig befestigt ist, daß der Schaft nicht dem Plasma ausgesetzt ist und einen erhöhten Kopf, welcher in tegral mit dem Schaft und aus dem gleichen Material wie der Schaft herge stellt ist, wobei der Kopf eine kontinuierliche, konkave Oberflächenform mit einer reduzierten Anzahl von Kanten aufweist, um so die Ansammlung von Ladung darauf zu reduzieren, wodurch sie der Erosion durch das Plasma wi derstehen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der plasmaerosionsresistente Schrauben
kopf eine Rotationsoberfläche ist und mindestens 5 mm über den Schaft her
vorsteht, um so das manuelle Einschrauben der Schraube zu erleichtern.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei die plasmaerosionsresistente Schraube
aus einem Material hergestellt ist, welches einer Erosion durch das Plasma
widersteht.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei das Material ein Polyimid ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4 weiterhin umfassend:
einen Einlaß in die Kammer zum Einführen eines Niederdruckgases in die Kammer, welches zu einem Plasma ionisiert werden soll,
ein Paar Elektroden an ersten und zweiten gegenüberliegenden Seiten der Kammer zum Erzeugen eines elektrischen Feldes in einer ersten Richtung,
ein Magnet mit einem Nord- und einem Südpol auf dritten und vierten gegen überliegenden Seiten der Kammer, wobei die dritten und vierten Seiten or thogonal zu den ersten und zweiten Seiten sind, zum Erzeugen eines Magnet feldes in einer Richtung, welche orthogonal zu der ersten Richtung ist, und
einen Gegenstand, welcher ein darin ausgebildetes Loch umfaßt, durch wel ches der Schaft der Schraube eingeführt wird, um so den Gegenstand an der Kammer zu befestigen, wobei der Schaft vor dem Plasma, welches in der Kammer gebildet wird, abgeschirmt ist.
einen Einlaß in die Kammer zum Einführen eines Niederdruckgases in die Kammer, welches zu einem Plasma ionisiert werden soll,
ein Paar Elektroden an ersten und zweiten gegenüberliegenden Seiten der Kammer zum Erzeugen eines elektrischen Feldes in einer ersten Richtung,
ein Magnet mit einem Nord- und einem Südpol auf dritten und vierten gegen überliegenden Seiten der Kammer, wobei die dritten und vierten Seiten or thogonal zu den ersten und zweiten Seiten sind, zum Erzeugen eines Magnet feldes in einer Richtung, welche orthogonal zu der ersten Richtung ist, und
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Citations (4)
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---|---|---|---|---|
EP0323620A2 (de) * | 1987-12-25 | 1989-07-12 | Tokyo Electron Limited | Ätzverfahren und -gerät |
EP0392516A2 (de) * | 1989-04-11 | 1990-10-17 | Tokyo Electron Limited | Plasmabearbeitungsvorrichtung |
EP0753881A1 (de) * | 1995-07-10 | 1997-01-15 | Lam Research Corporation | Plasmaätzgerät unter Benützung von Plasmaeinschluss |
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Patent Citations (4)
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---|---|---|---|---|
EP0323620A2 (de) * | 1987-12-25 | 1989-07-12 | Tokyo Electron Limited | Ätzverfahren und -gerät |
EP0392516A2 (de) * | 1989-04-11 | 1990-10-17 | Tokyo Electron Limited | Plasmabearbeitungsvorrichtung |
EP0753881A1 (de) * | 1995-07-10 | 1997-01-15 | Lam Research Corporation | Plasmaätzgerät unter Benützung von Plasmaeinschluss |
EP0777264A1 (de) * | 1995-11-29 | 1997-06-04 | Applied Materials, Inc. | Ausrichtvorrichtung für eine Halbleiterscheibe und Klemmring |
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