JP2000223475A - 耐浸蝕性のネジを有したプラズマ反応室 - Google Patents
耐浸蝕性のネジを有したプラズマ反応室Info
- Publication number
- JP2000223475A JP2000223475A JP11022552A JP2255299A JP2000223475A JP 2000223475 A JP2000223475 A JP 2000223475A JP 11022552 A JP11022552 A JP 11022552A JP 2255299 A JP2255299 A JP 2255299A JP 2000223475 A JP2000223475 A JP 2000223475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- screw
- reaction chamber
- threaded shaft
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010039491 Ricin Proteins 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical group [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16B—DEVICES FOR FASTENING OR SECURING CONSTRUCTIONAL ELEMENTS OR MACHINE PARTS TOGETHER, e.g. NAILS, BOLTS, CIRCLIPS, CLAMPS, CLIPS OR WEDGES; JOINTS OR JOINTING
- F16B35/00—Screw-bolts; Stay-bolts; Screw-threaded studs; Screws; Set screws
- F16B35/04—Screw-bolts; Stay-bolts; Screw-threaded studs; Screws; Set screws with specially-shaped head or shaft in order to fix the bolt on or in an object
- F16B35/06—Specially-shaped heads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐プラズマ浸蝕性且つ製造が容易なネジ、及
びこのようなネジを有したプラズマ反応室を提供する。 【解決手段】 汚染を制御した環境下で、浸蝕性のプラ
ズマを利用してウェーハ処理を行うための装置はプラズ
マ処理されるウェーハを内部に収容し、プラズマ処理の
間においてウェーハを外部から侵入する汚染物から隔離
するための反応室と、ネジ付シャフトと拡径状のネジヘ
ッドとを有する１つ以上の耐プラズマ浸蝕性のネジとを
有し、ネジ付シャフトはプラズマに曝されないように前
記反応室内に固定されるものであり、ネジヘッドはネジ
付シャフトと同様な材料で一体で形成されており、かつ
エッジ数の少ない連続凹型形状を有して、電荷の蓄積が
少なくなっており、耐プラズマ浸蝕性が与えられてい
る。
びこのようなネジを有したプラズマ反応室を提供する。 【解決手段】 汚染を制御した環境下で、浸蝕性のプラ
ズマを利用してウェーハ処理を行うための装置はプラズ
マ処理されるウェーハを内部に収容し、プラズマ処理の
間においてウェーハを外部から侵入する汚染物から隔離
するための反応室と、ネジ付シャフトと拡径状のネジヘ
ッドとを有する１つ以上の耐プラズマ浸蝕性のネジとを
有し、ネジ付シャフトはプラズマに曝されないように前
記反応室内に固定されるものであり、ネジヘッドはネジ
付シャフトと同様な材料で一体で形成されており、かつ
エッジ数の少ない連続凹型形状を有して、電荷の蓄積が
少なくなっており、耐プラズマ浸蝕性が与えられてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ反応室に
関するもので、特に、半導体集積回路の製造に使用され
るような、耐浸蝕性のネジを有したプラズマ反応室に関
するものである。
関するもので、特に、半導体集積回路の製造に使用され
るような、耐浸蝕性のネジを有したプラズマ反応室に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１は、例えば半導体集積回路の製造に
使用できるようなプラズマ反応室を描いたものである。
図中示されるように、（例えば表面に半導体集積回路が
１つ以上形成されているような）ウェーハＷは、反応室
両側に位置する第１の電極ｅ１と第２の電極ｅ２の間、
且つ同じく反応室両側に位置する磁石のＮ磁極ｍ１とＳ
磁極ｍ２の間に配置されている。ここで、磁極ｍ１及び
ｍ２が位置する両側は、電極ｅ１及びｅ２が位置する両
側と直交する。低圧ガスＧは、例えばシャワーヘッドＳ
のような入口を経てプラズマ反応室に導入される。電極
ｅ１、ｅ２に跨るような振動電圧を電圧源Ｖから提供
し、電極方向に電場Ｅを生じさせると、低圧ガス分子は
サイクロイド状の回転を開始する。一方、Ｎ磁極ｍ１と
Ｓ磁極ｍ２の間には、電場Ｅと直交するような磁極方向
の磁場Ｂが生じる。これにより、回転する分子の衝突確
率を高めて分子を完全にイオン化させ、ウェーハＷの上
方にプラズマＰを形成することができる。冷却材Ｃは例
えば液体Ｈｅ等でよく、プラズマ処理期間中ウェーハＷ
の下側で循環してウェーハＷを冷却する。
使用できるようなプラズマ反応室を描いたものである。
図中示されるように、（例えば表面に半導体集積回路が
１つ以上形成されているような）ウェーハＷは、反応室
両側に位置する第１の電極ｅ１と第２の電極ｅ２の間、
且つ同じく反応室両側に位置する磁石のＮ磁極ｍ１とＳ
磁極ｍ２の間に配置されている。ここで、磁極ｍ１及び
ｍ２が位置する両側は、電極ｅ１及びｅ２が位置する両
側と直交する。低圧ガスＧは、例えばシャワーヘッドＳ
のような入口を経てプラズマ反応室に導入される。電極
ｅ１、ｅ２に跨るような振動電圧を電圧源Ｖから提供
し、電極方向に電場Ｅを生じさせると、低圧ガス分子は
サイクロイド状の回転を開始する。一方、Ｎ磁極ｍ１と
Ｓ磁極ｍ２の間には、電場Ｅと直交するような磁極方向
の磁場Ｂが生じる。これにより、回転する分子の衝突確
率を高めて分子を完全にイオン化させ、ウェーハＷの上
方にプラズマＰを形成することができる。冷却材Ｃは例
えば液体Ｈｅ等でよく、プラズマ処理期間中ウェーハＷ
の下側で循環してウェーハＷを冷却する。
【０００３】図２は、実際のプラズマ反応室（例えばAp
plied Materials Inc.が提供し、アメリカ合衆国カリフ
ォルニアのサンタ・クララに設置されているＭＸＰ Cen
tura TM等）の特定部位を詳細に描いたものである。反応
室１００は円筒状の側壁１０５を有し、陰極１１０は反
応室１００の底部に設けられている。台座１２０は、台
座１２０の穴１２２と陰極１１０の穴１１２にネジを差
し込むことにより、陰極１１０に固定される（実際に
は、Ｏリングやアルミニウムシートのインターフェース
などが陰極１１０上に固定されるが、ここでは簡略化の
ため省略する）。また、台座１２０をとり囲む反応室１
００に石英台座ライナリング（未図示）を設けることも
できる。これは、ウェーハＷ上方に生じるプラズマガス
フローの均一性改善を目的とする。ついで、透明な石英
カバーまたはフォーカスリング１５０を反応室１００の
頂部に固定することにより気密シールを形成し、プラズ
マＰを反応室１００内に封じ込め、ウェーハＷが外部に
汚染されないよう隔離する。図２に描かれているよう
に、透明な石英カバーまたはフォーカスリング１５０
は、ネジ１３０を穴１３２に差し込むことにより、反応
室１００または反応室１００に固定された別の部位（簡
略化を図るため未図示）に固定される。この他、石英キ
ャップ１４０が各ネジ１３０の頂部にはめ込まれる。
plied Materials Inc.が提供し、アメリカ合衆国カリフ
ォルニアのサンタ・クララに設置されているＭＸＰ Cen
tura TM等）の特定部位を詳細に描いたものである。反応
室１００は円筒状の側壁１０５を有し、陰極１１０は反
応室１００の底部に設けられている。台座１２０は、台
座１２０の穴１２２と陰極１１０の穴１１２にネジを差
し込むことにより、陰極１１０に固定される（実際に
は、Ｏリングやアルミニウムシートのインターフェース
などが陰極１１０上に固定されるが、ここでは簡略化の
ため省略する）。また、台座１２０をとり囲む反応室１
００に石英台座ライナリング（未図示）を設けることも
できる。これは、ウェーハＷ上方に生じるプラズマガス
フローの均一性改善を目的とする。ついで、透明な石英
カバーまたはフォーカスリング１５０を反応室１００の
頂部に固定することにより気密シールを形成し、プラズ
マＰを反応室１００内に封じ込め、ウェーハＷが外部に
汚染されないよう隔離する。図２に描かれているよう
に、透明な石英カバーまたはフォーカスリング１５０
は、ネジ１３０を穴１３２に差し込むことにより、反応
室１００または反応室１００に固定された別の部位（簡
略化を図るため未図示）に固定される。この他、石英キ
ャップ１４０が各ネジ１３０の頂部にはめ込まれる。
【０００４】ウェーハＷを台座１２０に固定する方法は
２通りある。１つ目は、台座１２０として静電チャッキ
ング台座（electrostatic chucking pedestal ）を使用
する方法で、この種の台座１２０は、静電荷を生ずるこ
とにより処理期間中ウェーハを適切に保持することがで
きる。２つ目は一般の台座１２０を使用する方法で、例
えば図２の例では、締付環１６０を利用してウェーハＷ
を台座１２０の上に挟み付けている。図中、締付環１６
０は複数個のチップ１７０を有し、各チップは締付環１
６０の内側向きに半径方向に設けられている。締付環１
６０は、環部１６５の直径がウェーハＷのそれよりも大
きく且つウェーハＷに触れない程度の大きさで、さらに
的確に言えば、チップ１７０のみがウェーハＷに触れる
程度の大きさである。チップ１７０には穴１７２が空い
ており、ここに（例えば金属製の）ネジ１３１を差し込
んで台座１２０に締付環１６０を固定し、チップ１７０
でウェーハＷの上面を押さえることによりウェーハを保
持する。なお、各ネジ１３１はグラファイトのプラグで
覆われている。
２通りある。１つ目は、台座１２０として静電チャッキ
ング台座（electrostatic chucking pedestal ）を使用
する方法で、この種の台座１２０は、静電荷を生ずるこ
とにより処理期間中ウェーハを適切に保持することがで
きる。２つ目は一般の台座１２０を使用する方法で、例
えば図２の例では、締付環１６０を利用してウェーハＷ
を台座１２０の上に挟み付けている。図中、締付環１６
０は複数個のチップ１７０を有し、各チップは締付環１
６０の内側向きに半径方向に設けられている。締付環１
６０は、環部１６５の直径がウェーハＷのそれよりも大
きく且つウェーハＷに触れない程度の大きさで、さらに
的確に言えば、チップ１７０のみがウェーハＷに触れる
程度の大きさである。チップ１７０には穴１７２が空い
ており、ここに（例えば金属製の）ネジ１３１を差し込
んで台座１２０に締付環１６０を固定し、チップ１７０
でウェーハＷの上面を押さえることによりウェーハを保
持する。なお、各ネジ１３１はグラファイトのプラグで
覆われている。
【０００５】プラズマ処理は、ポリシリコン構造や酸化
シリコン構造などをウェーハにエッチングする方法とし
て一般に使用されている。特に、ウェーハ上エッチング
しない部分にマスクを被せてエッチングしたい部分を露
出させ、この露出させた部分をプラズマによりエッチン
グする。
シリコン構造などをウェーハにエッチングする方法とし
て一般に使用されている。特に、ウェーハ上エッチング
しない部分にマスクを被せてエッチングしたい部分を露
出させ、この露出させた部分をプラズマによりエッチン
グする。
【０００６】この種のプラズマエッチングは、反応室１
００内の各種部品にも影響を及ぼし、部品の寿命が縮ま
る原因となる。しかも、これらの部品がウェーハ処理の
さいに浸蝕を受けると、浸蝕された部品材料が反応室１
００内に入り込んで汚染物質となる。これは、ウェーハ
処理により半導体集積回路を製造するさいの歩留り低下
を招く。このうち、プラズマによる浸蝕の影響を特に受
け易い部品は、石英フォーカスリング又は石英カバー１
５０を固定するために使用される（理論的には反応室１
００内のその他の物体を固定することもできる）ネジ１
３０、及び締付環１６０の２つである。
００内の各種部品にも影響を及ぼし、部品の寿命が縮ま
る原因となる。しかも、これらの部品がウェーハ処理の
さいに浸蝕を受けると、浸蝕された部品材料が反応室１
００内に入り込んで汚染物質となる。これは、ウェーハ
処理により半導体集積回路を製造するさいの歩留り低下
を招く。このうち、プラズマによる浸蝕の影響を特に受
け易い部品は、石英フォーカスリング又は石英カバー１
５０を固定するために使用される（理論的には反応室１
００内のその他の物体を固定することもできる）ネジ１
３０、及び締付環１６０の２つである。
【０００７】図３は、ネジ１３０及びネジキャップ１４
０を詳しく図示したものである。図３より、ネジ１３０
は、ネジ付シャフト１３５、及び該ネジ付シャフト１３
５に固定されたネジヘッド１３７を含有し、これらはネ
ジ１３０の頂部で結合している。ネジ１３０は、できれ
ばポリイミドで形成されていることが好ましく、例えば
市販材料では、アメリカ合衆国デラウェアのニューアー
クにあるDuPont Engineering polymers のVespelTM 等
が挙げられる。ネジヘッド１３７は、凹んだ形状、特に
凹部又はスロット１３９を有するような形状を呈してお
り、該凹部又はスロット１３９は、ドライバーの刃を収
納するために形成されている。このようなネジヘッド１
３７は鋭い（pointed ）エッジ１３１及び１３３を有
し、該エッジ１３１及び１３３は各自小表面積を有す
る。
０を詳しく図示したものである。図３より、ネジ１３０
は、ネジ付シャフト１３５、及び該ネジ付シャフト１３
５に固定されたネジヘッド１３７を含有し、これらはネ
ジ１３０の頂部で結合している。ネジ１３０は、できれ
ばポリイミドで形成されていることが好ましく、例えば
市販材料では、アメリカ合衆国デラウェアのニューアー
クにあるDuPont Engineering polymers のVespelTM 等
が挙げられる。ネジヘッド１３７は、凹んだ形状、特に
凹部又はスロット１３９を有するような形状を呈してお
り、該凹部又はスロット１３９は、ドライバーの刃を収
納するために形成されている。このようなネジヘッド１
３７は鋭い（pointed ）エッジ１３１及び１３３を有
し、該エッジ１３１及び１３３は各自小表面積を有す
る。
【０００８】ネジ１３０のうち、ネジヘッド１３７はプ
ラズマによる浸蝕を特に受け易いため（一般に、ネジ付
シャフト１３５は反応室１００内の別の物体内、例えば
穴１３２等に完全に差し込まれているため、プラズマに
曝されるのはネジヘッド１３７のみである）、一般に、
保護用の石英キャップ１４０をネジの上に配置して、ネ
ジ１３０の寿命延長を図る。該石英キャップ１４０は、
ネジヘッド１３７より大きい開口１４１を有することに
より、ネジヘッド１３７を覆うことができるようにして
いる。
ラズマによる浸蝕を特に受け易いため（一般に、ネジ付
シャフト１３５は反応室１００内の別の物体内、例えば
穴１３２等に完全に差し込まれているため、プラズマに
曝されるのはネジヘッド１３７のみである）、一般に、
保護用の石英キャップ１４０をネジの上に配置して、ネ
ジ１３０の寿命延長を図る。該石英キャップ１４０は、
ネジヘッド１３７より大きい開口１４１を有することに
より、ネジヘッド１３７を覆うことができるようにして
いる。
【０００９】ネジ１３０と石英キャップ１４０を組み合
わせて使用する場合には、次に挙げるような問題点があ
る。第１は、ネジ１３０の上に緊密にはめ込めるような
キャップ１４０は製造が困難だという点である。キャッ
プがネジに緊密にはめ込まれないと、プラズマがネジ１
３０部分に達して浸蝕が進む。すると、浸蝕を受けた材
料が開口１４１内で汚染物質を生成してウェーハを汚染
する。また、過度に浸蝕されると、ネジ１３０の使用寿
命は僅か１００時間ほどに制限されてしまう。
わせて使用する場合には、次に挙げるような問題点があ
る。第１は、ネジ１３０の上に緊密にはめ込めるような
キャップ１４０は製造が困難だという点である。キャッ
プがネジに緊密にはめ込まれないと、プラズマがネジ１
３０部分に達して浸蝕が進む。すると、浸蝕を受けた材
料が開口１４１内で汚染物質を生成してウェーハを汚染
する。また、過度に浸蝕されると、ネジ１３０の使用寿
命は僅か１００時間ほどに制限されてしまう。
【００１０】第２に、使用時において、反応室１００の
振動によりキャップ１４０が外れ（dislodge）、着脱可
能なパーツ下（又は内）に位置する部分の多くが、さら
なる損傷又は破壊を受ける（図１にはその一部のみが図
示されている）。また、石英キャップ１４０は非常に高
価（単価で約４０ドル程度）であるため、半導体集積回
路の製造コストを相当引き上げる原因となる。
振動によりキャップ１４０が外れ（dislodge）、着脱可
能なパーツ下（又は内）に位置する部分の多くが、さら
なる損傷又は破壊を受ける（図１にはその一部のみが図
示されている）。また、石英キャップ１４０は非常に高
価（単価で約４０ドル程度）であるため、半導体集積回
路の製造コストを相当引き上げる原因となる。
【００１１】この他、実際の利用時には、反応室１００
の汚染物質を制御する必要があるため、反応室の作業員
は保護手袋をはめてネジ１３０を挿し込まなければなら
ない。この作業は、ネジを穴に差し込み、さらにドライ
バーでねじ込むという２段階を経るため、大量の時間を
費やす必要があり、このため反応室の使用時間が減って
しまう。
の汚染物質を制御する必要があるため、反応室の作業員
は保護手袋をはめてネジ１３０を挿し込まなければなら
ない。この作業は、ネジを穴に差し込み、さらにドライ
バーでねじ込むという２段階を経るため、大量の時間を
費やす必要があり、このため反応室の使用時間が減って
しまう。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
欠点を克服し、耐浸蝕性且つ製造が容易なネジ、及びこ
のようなネジを有したプラズマ反応室を提供することを
目的とする。
欠点を克服し、耐浸蝕性且つ製造が容易なネジ、及びこ
のようなネジを有したプラズマ反応室を提供することを
目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は汚染を制御した
環境下で、浸蝕性のプラズマを使用してウェーハ処理を
行うための装置を提供する。この装置はプラズマ処理さ
れるウェーハを内部に収容し、プラズマ処理の間におい
てウェーハを外部から侵入する汚染物から隔離するため
の反応室と、ネジ付シャフトと拡径状のネジヘッドとを
有する１つ以上の耐プラズマ浸蝕性のネジとを有する。
前記ネジ付シャフトはプラズマに曝されないように前記
反応室内に固定されるものであり、前記ネジヘッドは前
記ネジ付シャフトと同様な材料で一体で形成されてお
り、かつエッジ数の少ない連続凹型形状を有して、電荷
の蓄積が少なくなっており、耐プラズマ浸蝕性が与えら
れている。
環境下で、浸蝕性のプラズマを使用してウェーハ処理を
行うための装置を提供する。この装置はプラズマ処理さ
れるウェーハを内部に収容し、プラズマ処理の間におい
てウェーハを外部から侵入する汚染物から隔離するため
の反応室と、ネジ付シャフトと拡径状のネジヘッドとを
有する１つ以上の耐プラズマ浸蝕性のネジとを有する。
前記ネジ付シャフトはプラズマに曝されないように前記
反応室内に固定されるものであり、前記ネジヘッドは前
記ネジ付シャフトと同様な材料で一体で形成されてお
り、かつエッジ数の少ない連続凹型形状を有して、電荷
の蓄積が少なくなっており、耐プラズマ浸蝕性が与えら
れている。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の上述及びその他の目的、
特徴、及び利点をいっそう明瞭にするため、以下に好ま
しい実施の形態を挙げ、図を参照にしつつさらに詳しく
説明する。本発明では、ネジのスロットのエッジ部分
（例えばスロット１３９のエッジ１３１及び１３３）が
プラズマによる浸蝕を最も受け易く、また、磁場Ｂが荷
電イオンよりなるプラズマＰのネットドリフトを誘発す
る結果、一方の磁極付近にネット陰電荷（net negative
charge ）が蓄積し、もう一方の磁極付近にはネット陽
電荷（net positive charge ）が蓄積するため、例えば
ウェーハＷやネジ１３０等、プラズマ反応室内のあらゆ
る物体上にも電荷が誘導される。このほか、陰電荷に
は、例えばネジのスロットのエッジ部分など、小体積や
小面積の部分に集中する傾向があるが、もし電荷がネジ
のスロットのエッジ部分に高度に集中及び蓄積すると、
その場所におけるプラズマの浸蝕速度が速まる。したが
って、ネジ１３０からスロットのエッジを取り除くこと
が望ましい。
特徴、及び利点をいっそう明瞭にするため、以下に好ま
しい実施の形態を挙げ、図を参照にしつつさらに詳しく
説明する。本発明では、ネジのスロットのエッジ部分
（例えばスロット１３９のエッジ１３１及び１３３）が
プラズマによる浸蝕を最も受け易く、また、磁場Ｂが荷
電イオンよりなるプラズマＰのネットドリフトを誘発す
る結果、一方の磁極付近にネット陰電荷（net negative
charge ）が蓄積し、もう一方の磁極付近にはネット陽
電荷（net positive charge ）が蓄積するため、例えば
ウェーハＷやネジ１３０等、プラズマ反応室内のあらゆ
る物体上にも電荷が誘導される。このほか、陰電荷に
は、例えばネジのスロットのエッジ部分など、小体積や
小面積の部分に集中する傾向があるが、もし電荷がネジ
のスロットのエッジ部分に高度に集中及び蓄積すると、
その場所におけるプラズマの浸蝕速度が速まる。したが
って、ネジ１３０からスロットのエッジを取り除くこと
が望ましい。
【００１５】図４は、本発明によるネジ２００を描いた
図である。図中、ネジ２００はつまみ型の機械ネジであ
るが、別種のネジを使用した実施の形態もまた可能であ
る。このネジ２００は、ネジ付シャフト（threaded sha
ft）２３５と、該ネジ付シャフト２３５に一体で連結さ
れた拡径状のネジヘッド２３７とを有し、該ネジ付シャ
フト２３５とネジヘッド２３７は、例えばポリイミド等
の耐プラズマ浸蝕性の材料で一体成形されていることが
好ましい。
図である。図中、ネジ２００はつまみ型の機械ネジであ
るが、別種のネジを使用した実施の形態もまた可能であ
る。このネジ２００は、ネジ付シャフト（threaded sha
ft）２３５と、該ネジ付シャフト２３５に一体で連結さ
れた拡径状のネジヘッド２３７とを有し、該ネジ付シャ
フト２３５とネジヘッド２３７は、例えばポリイミド等
の耐プラズマ浸蝕性の材料で一体成形されていることが
好ましい。
【００１６】図中示されているように、ネジ２００のネ
ジヘッド２３７はｌ1 ≒８mmの長さｌ1 を有し、できれ
ば５mmより長いことが好ましい。ネジヘッド２３７は連
続凹型回転面（concave surface of rotation ）であ
り、本実施例では円柱状（cylinder）を採用している。
この他、ドーム型等も可能である。図中、ネジ２００は
ｒ1 ≒５mmの半径ｒ1 を有しているが、その他、１〜５
０mmの範囲内のあらゆる値が使用できる。また、ネジヘ
ッド２３７を手動方式で扱えるように、ネジ２００の半
径ｒ1 及び長さｌ1 を選択することができる。特に、ス
ロットがすでに取り除かれているため、ネジ２００を手
で回して穴（例えば穴１３２、１２２、又は１１２）に
差し込むようにすることが好ましく、これが本実施の形
態の長所でもある。作業員にとっては、手でネジを回す
方が、ドライバーを使用するよりも容易である。この
他、ネジ２００の高さｌ1 を増すことにより、使用不能
になるまでにプラズマによる浸蝕を大量に受けられるよ
うにすることができ、これによって、ネジ２００の寿命
を約３００時間まで延長することができる。
ジヘッド２３７はｌ1 ≒８mmの長さｌ1 を有し、できれ
ば５mmより長いことが好ましい。ネジヘッド２３７は連
続凹型回転面（concave surface of rotation ）であ
り、本実施例では円柱状（cylinder）を採用している。
この他、ドーム型等も可能である。図中、ネジ２００は
ｒ1 ≒５mmの半径ｒ1 を有しているが、その他、１〜５
０mmの範囲内のあらゆる値が使用できる。また、ネジヘ
ッド２３７を手動方式で扱えるように、ネジ２００の半
径ｒ1 及び長さｌ1 を選択することができる。特に、ス
ロットがすでに取り除かれているため、ネジ２００を手
で回して穴（例えば穴１３２、１２２、又は１１２）に
差し込むようにすることが好ましく、これが本実施の形
態の長所でもある。作業員にとっては、手でネジを回す
方が、ドライバーを使用するよりも容易である。この
他、ネジ２００の高さｌ1 を増すことにより、使用不能
になるまでにプラズマによる浸蝕を大量に受けられるよ
うにすることができ、これによって、ネジ２００の寿命
を約３００時間まで延長することができる。
【００１７】ネジ２００は、反応室１００（図２）内で
使用でき、台座１２０、石英フォーカスリング又は石英
キャップ１５０、締付環１６０等、反応室内のあらゆる
物体又はその内部を締め付けることができる。作業員
は、ネジ付シャフト２３５を穴１１２、１３２、１２
２、又は１７２の中に差し込み、ネジヘッド２３７を手
で回すことにより、ネジを容易にきつく締めることがで
きる。このようにして、ネジ付シャフト２３５が、反応
室１００内でプラズマの浸蝕に曝されるのを避けること
ができる。作業員は、作業時に手袋をはめることによ
り、反応室１００が汚染されるのを避けることが好まし
い。
使用でき、台座１２０、石英フォーカスリング又は石英
キャップ１５０、締付環１６０等、反応室内のあらゆる
物体又はその内部を締め付けることができる。作業員
は、ネジ付シャフト２３５を穴１１２、１３２、１２
２、又は１７２の中に差し込み、ネジヘッド２３７を手
で回すことにより、ネジを容易にきつく締めることがで
きる。このようにして、ネジ付シャフト２３５が、反応
室１００内でプラズマの浸蝕に曝されるのを避けること
ができる。作業員は、作業時に手袋をはめることによ
り、反応室１００が汚染されるのを避けることが好まし
い。
【００１８】以上に好ましい実施の形態を開示したが、
これらは決して本発明の範囲を限定するものではなく、
当業者ならば誰でも、本発明の精神と領域を逸脱しない
範囲内でさまざまな変形ないしは変更をなすことがで
き、従って本発明の保護範囲は特許請求の範囲で規定し
た内容を基準とすべきものである。
これらは決して本発明の範囲を限定するものではなく、
当業者ならば誰でも、本発明の精神と領域を逸脱しない
範囲内でさまざまな変形ないしは変更をなすことがで
き、従って本発明の保護範囲は特許請求の範囲で規定し
た内容を基準とすべきものである。
【００１９】
【発明の効果】以上より、本発明によるネジは、プラズ
マによる浸蝕を最も受け易い部分であるネジヘッドのス
ロット部分をなくしたものであり、従来のものよりも長
く且つエッジ数の少ない連続凹型回転面を有するような
ネジヘッドを採用することにより、耐プラズマ浸蝕性を
高め、ネジの使用寿命を従来型の３倍程度まで延ばすこ
とに成功した。また、ネジヘッドの長さ及び半径を適当
に調整すれば、ドライバーを使用せずとも手でネジを締
めることが可能である。
マによる浸蝕を最も受け易い部分であるネジヘッドのス
ロット部分をなくしたものであり、従来のものよりも長
く且つエッジ数の少ない連続凹型回転面を有するような
ネジヘッドを採用することにより、耐プラズマ浸蝕性を
高め、ネジの使用寿命を従来型の３倍程度まで延ばすこ
とに成功した。また、ネジヘッドの長さ及び半径を適当
に調整すれば、ドライバーを使用せずとも手でネジを締
めることが可能である。
【図１】従来のプラズマ反応室を描いた図である。
【図２】従来のプラズマ反応室の分解図である。
【図３】従来のネジ及びキャップを描いた図である。
【図４】本発明に基づいて製作されたネジを描いた図で
ある。
ある。
ｅ１、ｅ２ 電極 ｍ１ Ｎ磁極 ｍ２ Ｓ磁極 Ｗ ウェーハ Ｂ 磁場 Ｐ プラズマ Ｃ 冷却材 １００ プラズマ反応室 １０５ 円筒状の側壁 １１０ 陰極 １２０ 台座 １１２、１２２ 穴 １５０ フォーカスリング １３０ ネジ １３２ 穴 １４０ 石英キャップ １６０ 環部 １７０ チップ １７２ 穴 １３１、１３３ エッジ １３７ ネジヘッド １３９ スロット １３５ ネジ付シャフト １４１ 開口 ２００ ネジ ２３５ ネジ付シャフト ２３７ ネジヘッド
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１２月２４日（１９９９．１２．
２４）
２４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は汚染を制御した
環境下で、浸蝕性のプラズマを使用してウェーハ処理を
行うための装置を提供する。この装置はプラズマ処理さ
れるウェーハを内部に収容し、プラズマ処理の間におい
てウェーハを外部から侵入する汚染物から隔離するため
の反応室と、ネジ付シャフトと拡径状のネジヘッドとを
有する１つ以上の耐プラズマ浸蝕性のネジとを有する。
前記ネジ付シャフトはプラズマに曝されないように前記
反応室内に固定されるものであり、前記ネジヘッドは前
記ネジ付シャフトと同様な材料で一体で形成されてお
り、かつエッジを形成する溝を有しない連続面形状を有
して、電荷の蓄積が少なくなっており、耐プラズマ浸蝕
性が与えられている。
環境下で、浸蝕性のプラズマを使用してウェーハ処理を
行うための装置を提供する。この装置はプラズマ処理さ
れるウェーハを内部に収容し、プラズマ処理の間におい
てウェーハを外部から侵入する汚染物から隔離するため
の反応室と、ネジ付シャフトと拡径状のネジヘッドとを
有する１つ以上の耐プラズマ浸蝕性のネジとを有する。
前記ネジ付シャフトはプラズマに曝されないように前記
反応室内に固定されるものであり、前記ネジヘッドは前
記ネジ付シャフトと同様な材料で一体で形成されてお
り、かつエッジを形成する溝を有しない連続面形状を有
して、電荷の蓄積が少なくなっており、耐プラズマ浸蝕
性が与えられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】図中示されているように、ネジ２００のネ
ジヘッド２３７はｌ1 ≒８mmの長さｌ1 を有し、できれ
ば５mmより長いことが好ましい。ネジヘッド２３７は連
続凸型回転面であり、本実施例では円柱状（cylinder）
を採用している。この他、ドーム型等も可能である。図
中、ネジ２００はｒ1 ≒５mmの半径ｒ1 を有している
が、その他、１〜５０mmの範囲内のあらゆる値が使用で
きる。また、ネジヘッド２３７を手動方式で扱えるよう
に、ネジ２００の半径ｒ1 及び長さｌ1 を選択すること
ができる。特に、スロットがすでに取り除かれているた
め、ネジ２００を手で回して穴（例えば穴１３２、１２
２、又は１１２）に差し込むようにすることが好まし
く、これが本実施の形態の長所でもある。作業員にとっ
ては、手でネジを回す方が、ドライバーを使用するより
も容易である。この他、ネジ２００の高さｌ1 を増すこ
とにより、使用不能になるまでにプラズマによる浸蝕を
大量に受けられるようにすることができ、これによっ
て、ネジ２００の寿命を約３００時間まで延長すること
ができる。
ジヘッド２３７はｌ1 ≒８mmの長さｌ1 を有し、できれ
ば５mmより長いことが好ましい。ネジヘッド２３７は連
続凸型回転面であり、本実施例では円柱状（cylinder）
を採用している。この他、ドーム型等も可能である。図
中、ネジ２００はｒ1 ≒５mmの半径ｒ1 を有している
が、その他、１〜５０mmの範囲内のあらゆる値が使用で
きる。また、ネジヘッド２３７を手動方式で扱えるよう
に、ネジ２００の半径ｒ1 及び長さｌ1 を選択すること
ができる。特に、スロットがすでに取り除かれているた
め、ネジ２００を手で回して穴（例えば穴１３２、１２
２、又は１１２）に差し込むようにすることが好まし
く、これが本実施の形態の長所でもある。作業員にとっ
ては、手でネジを回す方が、ドライバーを使用するより
も容易である。この他、ネジ２００の高さｌ1 を増すこ
とにより、使用不能になるまでにプラズマによる浸蝕を
大量に受けられるようにすることができ、これによっ
て、ネジ２００の寿命を約３００時間まで延長すること
ができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】
【発明の効果】以上より、本発明によるネジは、プラズ
マによる浸蝕を最も受け易い部分であるネジヘッドのス
ロット部分をなくしたものであり、従来のものよりも長
く且つエッジ数の少ない連続凸型回転面を有するような
ネジヘッドを採用することにより、耐プラズマ浸蝕性を
高め、ネジの使用寿命を従来型の３倍程度まで延ばすこ
とに成功した。また、ネジヘッドの長さ及び半径を適当
に調整すれば、ドライバーを使用せずとも手でネジを締
めることが可能である。
マによる浸蝕を最も受け易い部分であるネジヘッドのス
ロット部分をなくしたものであり、従来のものよりも長
く且つエッジ数の少ない連続凸型回転面を有するような
ネジヘッドを採用することにより、耐プラズマ浸蝕性を
高め、ネジの使用寿命を従来型の３倍程度まで延ばすこ
とに成功した。また、ネジヘッドの長さ及び半径を適当
に調整すれば、ドライバーを使用せずとも手でネジを締
めることが可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 599002397 モーゼル バイテリック インコーポレイ テッド 台湾、シンチュウ、サイエンス−ベースド インダストリアルパーク、リシンロード ナンバー 19 (71)出願人 599002401 ジーメンス・アー・ゲー ドイツ連邦共和国、Ｄ−80333、ミュンヘ ン、ヴィッテルスバッハープラッツ ２ (72)発明者 李 錦瑞 台湾台北市中山北路六段730号 (72)発明者 ▲ぼう▼ 徳勲 台湾嘉義縣竹崎郷灣橋村314巷１弄26号 (72)発明者 徐 武達 台湾苗栗縣竹南鎮公館里８鄰23−８号 (72)発明者 李 ▲はく▼昇 台湾高雄市左営区▲きょ▼光里18鄰和光街 88巷113号 Ｆターム(参考） 5F004 BA04 BB07 BB11 BB21 BB23 BB29
Claims (5)
- 【請求項１】 汚染を制御した環境下で、浸蝕性のプラ
ズマを利用してウェーハ処理を行うための装置であっ
て、 プラズマ処理されるウェーハを内部に収容し、プラズマ
処理の間においてウェーハを外部から侵入する汚染物か
ら隔離するための反応室と、 ネジ付シャフトと拡径状のネジヘッドとを有する１つ以
上の耐プラズマ浸蝕性のネジと、を有し、 前記ネジ付シャフトはプラズマに曝されないように前記
反応室内に固定されるものであり、前記ネジヘッドは前
記ネジ付シャフトと同様な材料で一体で形成されてお
り、かつエッジ数の少ない連続凹型形状を有して、電荷
の蓄積が少なくなっており、耐プラズマ浸蝕性が与えら
れている装置。 - 【請求項２】 前記耐プラズマ浸蝕性のネジヘッドが回
転面を有し、且つ前記ネジ付シャフトより少なくとも５
mm以上突き出しており、手動方式で前記ネジを締めるこ
とができることを特徴とする、請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記耐プラズマ浸蝕性のネジが、耐プラ
ズマ浸蝕性の材料で形成されることを特徴とする、請求
項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記耐プラズマ浸蝕性の材料が、ポリイ
ミドであることを特徴とする、請求項３に記載の装置。 - 【請求項５】 低圧ガスを前記プラズマ反応室に導入す
るためのガス注入口と、 前記プラズマ反応室の向かい合う第１及び第２の側辺に
設けられて、第１の方向に電場を生じさせるための一対
の電極と、 前記プラズマ反応室の前記第１及び第２の側辺と直交す
る方向で向かい合う第３及び第４の側辺に設けられ、前
記第１の方向と直交する第２の方向に磁場を生じさせる
磁石と、 内部に穴を形成された物体と、 を有し、前記ネジのネジ付シャフトを前記穴に差し込む
ことで、前記ネジ付シャフトが前記反応室内のプラズマ
から遮蔽された状態で、前記物体が前記反応室に固定さ
れることを特徴とする、請求項４に記載の装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/183,015 US6379491B1 (en) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | Plasma chamber with erosion resistive securement screws |
| TW087119829A TW387113B (en) | 1998-10-30 | 1998-11-30 | A anti-corrosion screw of plasma reaction chamber |
| DE19855655A DE19855655B4 (de) | 1998-10-30 | 1998-12-02 | Plasmakammer mit erosionsresistenten Halteschrauben |
| JP11022552A JP2000223475A (ja) | 1998-10-30 | 1999-01-29 | 耐浸蝕性のネジを有したプラズマ反応室 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/183,015 US6379491B1 (en) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | Plasma chamber with erosion resistive securement screws |
| TW087119829A TW387113B (en) | 1998-10-30 | 1998-11-30 | A anti-corrosion screw of plasma reaction chamber |
| DE19855655A DE19855655B4 (de) | 1998-10-30 | 1998-12-02 | Plasmakammer mit erosionsresistenten Halteschrauben |
| JP11022552A JP2000223475A (ja) | 1998-10-30 | 1999-01-29 | 耐浸蝕性のネジを有したプラズマ反応室 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223475A true JP2000223475A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=27438897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11022552A Pending JP2000223475A (ja) | 1998-10-30 | 1999-01-29 | 耐浸蝕性のネジを有したプラズマ反応室 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6379491B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000223475A (ja) |
| DE (1) | DE19855655B4 (ja) |
| TW (1) | TW387113B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006526888A (ja) * | 2003-04-30 | 2006-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | ハイブリッドボールロックアタッチメント装置 |
| JP4913603B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2012-04-11 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ反応器のエッチング速度ドリフトを低減するための温度制御されたホットエッジリングアセンブリ |
| JP2017139428A (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4444437B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2010-03-31 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US20030106644A1 (en) * | 2001-07-19 | 2003-06-12 | Sirkis Murray D. | Electrode apparatus and method for plasma processing |
| US8216418B2 (en) * | 2007-06-13 | 2012-07-10 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings |
| US8187414B2 (en) * | 2007-10-12 | 2012-05-29 | Lam Research Corporation | Anchoring inserts, electrode assemblies, and plasma processing chambers |
| US8152954B2 (en) * | 2007-10-12 | 2012-04-10 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assemblies and plasma processing chambers incorporating the same |
| US8187413B2 (en) * | 2008-03-18 | 2012-05-29 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970003885B1 (ko) * | 1987-12-25 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 에칭 방법 및 그 장치 |
| JPH02268427A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5522932A (en) * | 1993-05-14 | 1996-06-04 | Applied Materials, Inc. | Corrosion-resistant apparatus |
| US5534751A (en) * | 1995-07-10 | 1996-07-09 | Lam Research Corporation | Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement |
| US5860640A (en) * | 1995-11-29 | 1999-01-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer alignment member and clamp ring |
| US5942074A (en) * | 1996-03-29 | 1999-08-24 | Lam Research Corporation | Single-piece gas director for plasma reactors |
| US5983906A (en) * | 1997-01-24 | 1999-11-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for a cleaning process in a high temperature, corrosive, plasma environment |
-
1998
- 1998-10-30 US US09/183,015 patent/US6379491B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-30 TW TW087119829A patent/TW387113B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-12-02 DE DE19855655A patent/DE19855655B4/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-01-29 JP JP11022552A patent/JP2000223475A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006526888A (ja) * | 2003-04-30 | 2006-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | ハイブリッドボールロックアタッチメント装置 |
| KR101016835B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2011-02-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리장치 및 그 장치내의 하이브리드 볼-록장치의 사용방법 |
| JP4913603B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2012-04-11 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ反応器のエッチング速度ドリフトを低減するための温度制御されたホットエッジリングアセンブリ |
| JP2017139428A (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US10665428B2 (en) | 2016-02-05 | 2020-05-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19855655A1 (de) | 2000-06-15 |
| DE19855655B4 (de) | 2004-10-21 |
| TW387113B (en) | 2000-04-11 |
| US6379491B1 (en) | 2002-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9905402B2 (en) | Plasma processing chamber with a grounded electrode assembly | |
| EP0637055B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR100791652B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 그 조립 방법 | |
| JP3266163B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| TWI424492B (zh) | 一種用於使用在半導體基板處理中之電漿反應腔室之護環總成、包含該護環總成之電極總成以及中心定位該護環總成之方法 | |
| JP2000223475A (ja) | 耐浸蝕性のネジを有したプラズマ反応室 | |
| US20040129226A1 (en) | Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system | |
| KR950027985A (ko) | 플라스마 에칭장치 | |
| KR20150070970A (ko) | 엘라스토머 밴드용 설치 픽스처 | |
| US7641451B2 (en) | Turbo pump and processing apparatus comprising the same | |
| JP2723489B2 (ja) | 固体環状ガス放電電極 | |
| EP1263025A1 (en) | Removable shield arrangement for plasma reactors | |
| JP2993565B1 (ja) | 耐浸蝕性のチップを有したプラズマ反応室のウェ―ハ締付環 | |
| JP2002246371A (ja) | 分割可能な電極及びこの電極を用いたプラズマ処理装置ならびに電極交換方法 | |
| JP3113836B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3180438B2 (ja) | プラズマ処理装置被処理基板固定方法 | |
| JP2008192618A (ja) | 突出したプラズマ排出口の周囲に吸入口が形成されたプラズマ発生装置 | |
| JPH01175738A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS6094724A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH0642331Y2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| TW399395B (en) | The plasma treatment chamber wafer clamping ring with anti-corrosion tips | |
| KR100211654B1 (ko) | 반도체 건식식각설비의 가스분배판 | |
| EP0460337A2 (en) | Plasma reactor and process with ceramic chamber | |
| JP2005136165A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH04216624A (ja) | 半導体製造装置 |