DE19848832A1 - Thermistoren und Verfahren zum Einstellen und Erzeugen von Thermistoren - Google Patents

Description

Diese Erfindung bezieht sich auf Thermistoren einschließlich Chiptypthermistoren (oder "chipthermistoren") der Art, die allgemein bei einer temperaturkompensierenden Schaltung oder einem Temperaturerfassungselement verwendet wird. Insbeson­ dere bezieht sich diese Erfindung auf solche Thermistoren, die ein Paar von Oberflächenelektroden aufweisen, die auf einer Oberfläche eines Thermistorblocks gebildet sind, um einander gegenüber zu liegen. Diese Erfindung bezieht sich ferner auf Verfahren zum Einstellen des Widerstandswerts ei­ nes derartigen Thermistors, sowie auf ein Verfahren zum Er­ zeugen von derartigen Thermistoren.

Chiptypthermistoren, die Halbleiterkeramiken verwenden, die einen positiven oder negativen Temperaturkoeffizienten auf­ weisen, sind weit verbreitet verwendet worden, und Chiptyp­ thermistoren mit vielen unterschiedlichen Strukturen wurden als ohne weiteres an einer gedruckten Schaltungsplatine oberflächenanbringbar betrachtet. Die Struktur von bekannten Chiptypthermistoren wird zunächst unter Bezugnahme auf die Fig. 16-19 beschrieben.

Fig. 16 zeigt einen bekannten Chiptypthermistor 71 mit einem Paar von äußeren Elektroden 73a und 73b, die derart gebildet sind, um beide Endoberflächen 72a und 72b eines thermistor­ bildenden Basiskörpers (hierin im folgenden als "Thermistor­ block" bezeichnet) 72 eines Halbleiterkeramikmaterials zu bedecken. Der Widerstand des Thermistors 71 wird nicht nur durch den Widerstand des Thermistorblocks 72 sondern ferner durch die Kontaktbereiche der äußeren Elektroden 73a und 73b mit dem Thermistorblock 72 bestimmt. Die äußeren Elektroden 73a und 73b sind üblicherweise durch ein Tauchverfahren ge­ bildet, dieses Verfahren tendiert jedoch dazu, zu großen Va­ riationen der Längen der Teile der Elektroden 73a und 73b zu führen, die die oberen, unteren und Seitenoberflächen des Thermistorblocks 72 bedecken. Da es ferner Variationen des spezifischen Widerstandes der Thermistorblöcke gibt, sind die Gesamtvariationen des Widerstandes der Thermistoren 71, die folglich erzeugt werden, groß, und es ist schwierig, Thermistoren mit einem gewünschten Widerstandswert zu er­ zeugen.

Hinsichtlich des vorhergehenden wurden Thermistoren, wie in Fig. 17 bei 75 gezeigt, mit Glasschichten 74 vorgeschlagen, die über die obere, untere und beide Seitenoberflächen eines Thermistorblocks 72 gebildet sind. Da die äußeren Elektroden 73a und 73b den Thermistorblock 72 lediglich über die End­ oberflächen 72a und 72b desselben kontaktieren, wird der Widerstand des Thermistors 75 lediglich durch den Widerstand des Thermistorblocks 72 selbst und den Bereich der Endober­ flächen 72a und 72b desselben bestimmt. Folglich können die Variationen der Widerstandswerte der Thermistoren reduziert werden.

Wenn die äußeren Elektroden 73a und 73b durch Beschichten einer leitfähigen Paste und Aussetzen derselben gegenüber einem Brennprozeß gebildet werden, tendieren jedoch die Ma­ terialien der Glasschichten 74 und der äußeren Elektroden 73a und 73b dazu ineinander zu diffundieren, wobei sich die­ selben kontaktieren. Wenn ein Abschnitt der Glasschicht 74 als ein Resultat einer derartigen Diffusion abfällt, wie es in dem vergrößerten Abschnitt von Fig. 17 gezeigt ist, der durch einen Kreis A eingeschlossen ist, kann die äußere Elektrode 73b den Thermistorblock 72 direkt kontaktieren. Da es schwierig ist, ein derartiges Diffusionsphänomen zu ver­ hindern, verbleibt dennoch das Problem, Thermistoren mit einem gewünschten Widerstandswert zu erhalten.

Überdies bleiben die Variationen des Widerstandswerts der Thermistorblöcke 72 groß, was es sehr schwer macht, Thermi­ storen mit sehr genauen Widerstandswerten zu erhalten.

Wenn Thermistoren 75 mit unterschiedlich spezifizierten Wi­ derstandswerten erzeugt werden sollen, sind außerdem Ther­ mistorblöcke mit unterschiedlichen spezifischen Widerstands­ werten erforderlich. Es ist daher sogar noch schwieriger Thermistoren mit unterschiedlichen Widerstandswerten genau zu erzeugen.

Es wurde ferner vorgeschlagen, Thermistoren, wie bei 77 in Fig. 18A und 18B gezeigt, mit inneren Elektroden 76a und 76b zu erzeugen, die innerhalb des Thermistorblocks 72 gebildet sind. Bei dem in den Fig. 18A und 18B gezeigten Beispiel sind die zwei inneren Elektroden 76a und 76b in einer gegen­ überliegenden Beziehung zueinander innerhalb einer gleichen Ebene auf einer spezifischen Höhe innerhalb des Thermistor­ blocks 72 positioniert, wobei eine der inneren Elektroden (76a) mit einer der äußeren Elektroden (73a) verbunden ist, und wobei die andere innere Elektrode 76b mit der anderen äußeren Elektrode 73b verbunden ist.

Derartige Thermistoren 77 werden durch eine bekannte Art der Keramikschichtungstechnologie erzeugt, wobei die inneren Elektroden 76a und 76b durch Anbringen einer leitfähigen Paste an einem Keramikgrünblatt durch ein Siebdruckverfahren gebildet werden. Folglich kann der Zwischenraum zwischen den zwei inneren Elektroden 76a und 76b ohne weiteres, selbst wenn Thermistorblöcke 72 einer gleichen Größe verwendet wer­ den, durch Einstellen des Intervalls zwischen den gedruckten Bereichen zum Zeitpunkt des Siebdruckens variiert werden. Mit anderen Worten können Thermistoren 77 mit unterschied­ lichen Widerstandswerten ohne weiteres erhalten werden.

Wenn die leitfähige Paste bei einem Druckprozeß, wie im vor­ hergehenden beschrieben, angebracht wird, sind die nach in­ nen gerichteten Kanten der inneren Elektroden 76a und 76b manchmal verschmiert und deformiert, wie es vergrößert in dem ellyptisch markierten Abschnitt gezeigt ist, der durch den Pfeil B in Fig. 18B gezeigt ist. Da mehrere Keramik­ grünblätter zusammen gegenüber einem Brennprozeß ausgesetzt werden, nachdem eine leitfähige Paste auf dieselben gedruckt wurde, und dieselben aufeinander geschichtet wurden, tragen außerdem Variationen beim Schrumpfen, das mit dem Brennpro­ zeß einhergeht, zu Variationen der Formen der inneren Elek­ troden 76a und 76b bei. Als ein Resultat ist es ferner schwierig Thermistoren dieser Art mit inneren Elektroden zu erzeugen, die genau einen gewünschten Widerstandswert auf­ weisen.

Fig. 19A und 19B zeigen einen Chiptypthermistor 78, der in der Japanischen Patentveröffentlichung Tokkai 6-61011 of­ fenbart ist und Variationen des Widerstandswerts reduzieren soll, dadurch gekennzeichnet, daß derselbe ein Paar von rechteckigen Oberflächenelektroden 79a und 79b aufweist, die auf der oberen Oberfläche eines Thermistorblocks 72 in einer gegenüberliegenden Beziehung zueinander mit einem Zwischen­ raum einer spezifizierten Breite zwischen denselben gebildet sind. Äußere Elektroden 73a und 73b, wie im vorhergehenden beschrieben, sind gebildet, um Abschnitte dieser Ober­ flächenelektroden 79a und 79b auf der oberen Oberfläche des Thermistorblocks 72 zu bedecken. Eine isolierende Schicht wird zusätzlich auf der oberen Oberfläche des Thermistor­ blocks 72 gebildet, um gegenüberliegende Kantenabschnitte der Oberflächenelektroden 79a und 79b zu bedecken. Diese Oberflächenelektroden 79a und 79b können genau gebildet werden, da die Dünnfilmtechnologie für diesen Zweck ver­ wendet werden kann. Die Erfordernis, daß die Elektroden 79a und 79b rechteckig sein müssen, ist jedoch ein Nachteil, wenn es gewünscht ist, Chiptypthermistoren mit einem sehr kleinen Widerstandswert zu erzeugen, da die Trennung zwi­ schen diesen Oberflächenelektroden 79a und 79b erhöht werden muß, und dies macht es notwendig, einen größeren Thermistor­ block 72 zu verwenden.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin einen Chipthermistor mit einem kleinen Widerstandswert und einer kleinen Variation des Widerstandswerts und ein Verfahren zum Erzeugen eines derartigen Thermistors zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch einen Chipthermistor gemäß Anspruch 1 und durch ein Verfahren zum Erzeugen eines Thermistors ge­ mäß Anspruch 3 gelöst.

Ein Chiptypthermistor, der diese Erfindung darstellt und mit dem die obige Aufgabe gelöst werden kann, ist durch die fol­ genden Merkmale gekennzeichnet: ein Paar von elektrisch leitfähigen planaren Oberflächenelektroden, wobei mindestens eine derselben kammförmig ist und sich dieselben an einer der Hauptoberflächen eines Thermistorblocks gegenüberliegen, wobei eine isolierende Schicht auf der gleichen Oberfläche des Thermistorblocks gebildet ist, um diese Oberflächenelek­ troden zu bedecken, und ein Paar von äußeren Elektroden, die auf Endoberflächen des Thermistorblocks gebildet sind, um jeweils mit einer Zugeordneten der Oberflächenelektroden elektrisch verbunden zu sein. Beide Elektroden des Paars dieser Oberflächenelektroden können kammförmig sein, und die Dicke dieser Oberflächenelektroden ist vorzugsweise 0,1-2 µm. Ein ähnliches Paar von Oberflächenelektroden kann ferner auf der anderen der Hauptoberflächen des Thermistorblocks vorhanden sein, und die isolierende Schicht erstreckt sich vorzugsweise zu Kanten zwischen der Hauptoberfläche und den Endoberflächen des Thermistorblocks.

Der Widerstandswert eines derartigen Chiptypthermistors wird gemäß dieser Erfindung durch Entfernen mindestens eines Ab­ schnitts der Oberflächenelektroden desselben eingestellt, wie z. B. ein Abschnitt von einem der Elektrodenfinger, bis der Widerstandswert desselben innerhalb eines spezifizierten Bereichs seines Zielwerts fällt. Für eine derartige Entfer­ nung eines Abschnitts oder von Abschnitten einer Ober­ flächenelektrode kann ein Verfahren des Lasertrimmens, des Sandstrahlens oder des Ätzens verwendet werden. Chiptyp­ thermistoren, die dadurch gekennzeichnet sind, daß dieselben derart eingestellt werden, sollen ferner diese Erfindung darstellen.

Chiptypthermistoren, die wie oben gekennzeichnet sind, kön­ nen gemäß dieser Erfindung durch zunächst Vorbereiten eines Thermistorwafers (einer Thermistorscheibe), Bilden einer elektrisch leitfähigen Elektrodenschicht auf dem Wafer (der Scheibe) durch ein Verfahren der Dünnfilmerzeugungstechnolo­ gie, durch Strukturieren dieser Elektrodenschicht durch Pho­ tolithographie, um Oberflächenelektroden in der Form von gegenüberliegenden Kämmen mit sich erstreckenden Fingern zu bilden, durch Bilden von isolierenden Schichten, z. B. durch Schleuderbeschichten eines Harzmaterials auf sowohl die obere als auch die untere Oberfläche des Thermistorwafers, durch Teilen des Thermistorwafers in einer Richtung, um verlängerte Waferstäbe zu erhalten, durch Bilden von elek­ trisch leitfähigen äußeren Elektrodenschichten an den Wafer­ stäben durch die Dünnfilmtechnologie, wie z. B. Sputtern (Zerstäuben), Aufdampfen und Elektroplattieren und durch Teilen dieser Waferstäbe in einzelne Thermistoren erzeugt werden. Nach dem Strukturieren der Oberflächenelektroden kann die Verteilung von Widerstandswerten über den Ther­ mistorwafer gemessen werden, und die strukturierte Elek­ trodenschicht wird, z. B. durch Entfernen mindestens eines Teils jeder Oberflächenelektrode, die den einzelnen Thermi­ storen entspricht, durch Photolithographie, korrigiert, um die Widerstandswerte von Abschnitten des Thermistorwafers zu korrigieren, die den einzelnen Thermistoren entsprechen. Zum Teilen des Thermistorwafers und der Waferstäbe, werden Schnitte durch ein Ritzgerät an einer Oberfläche des Ther­ mistorwafers vorgenommen, und Druck wird entlang dieser Schnitte angelegt.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1A und 1B eine Seitenschnittansicht bzw. eine Drauf­ sicht eines Chiptypthermistors gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung und Fig. 1C eine Draufsicht, nachdem ein Abschnitt von einem der Elektrodenfinger gemäß einem Ausführungsbei­ spiel der Erfindung entfernt ist;

Fig. 2A eine Seitenschnittansicht eines weiteren Chiptyp­ thermistors gemäß einem zweiten Ausführungsbei­ spiel dieser Erfindung und Fig. 2B eine Draufsicht eines Paars von Oberflächenelektroden desselben;

Fig. 3A und 3B eine Seitenschnittansicht bzw. eine Drauf­ sicht eines weiteren Chiptypthermistors gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel dieser Erfin­ dung;

Fig. 4A, 4B und 4C Unteransichten eines weiteren Chiptyp­ thermistors dieser Erfindung mit Oberflächenelek­ troden, die auf der unteren Oberfläche eines Ther­ mistorblocks gebildet sind;

Fig. 5A und 5B Draufsichten von anderen Oberflächenelektro­ den;

Fig. 6A, 6B, 6C und 6D Seitenansichten, die Anfangsschritte eines Verfahrens zum Erzeugen von Thermistoren gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel dieser Erfin­ dung zeigen;

Fig. 7A eine Seitenansicht, die einen anschließenden Schritt des Verfahrens zeigt, und Fig. 7B eine Draufsicht der Maske;

Fig. 8A, 8B und 8C Seitenansichten des Wafers von Fig. 6D während des Schritts, der dem Schritt folgt, der in Fig. 7A gezeigt ist, und Fig. 8D eine Drauf­ sicht des Wafers, der in Fig. 8C gezeigt ist;

Fig. 9A, 9B, 9C, 9D und 9E Seitenansichten des Wafers von Fig. 8C und 8D, der aufeinanderfolgenden Schritten des Erzeugungsverfahrens unterzogen wird;

Fig. 10A und 10B eine Seitenansicht bzw. eine Draufsicht des Wafers von Fig. 10A und 10B, der in einzelne Ele­ mente geschnitten ist;

Fig. 12A und 12B eine Seitenansicht bzw. eine Draufsicht der Waferstäbe, in die der Wafer, der in Fig. 11A und 11B gezeigt ist, geschnitten ist;

Fig. 13A und 13B Seitenansichten eines Waferstabs während unterschiedlicher Stufen eines Verfahrens zum Her­ stellen von Thermistorelementen dieser Erfindung;

Fig. 14 eine Draufsicht von Waferstäben, bevor dieselben in einzelne Thermistoren gebrochen werden;

Fig. 15 eine Diagonalansicht eines Chiptypthermistorele­ ments dieser Erfindung;

Fig. 16 eine Seitenschnittansicht eines bekannten Chiptyp­ thermistors;

Fig. 17 eine Seitenschnittansicht eines weiteren bekannten Chiptypthermistors;

Fig. 18A eine Seitenschnittansicht eines weiteren bekannten Chiptypthermistors, und Fig. 18B eine Schnitt­ draufsicht des gleichen Chiptypthermistors, die entlang der Linie 18B-18B von Fig. 18A vorgenommen ist; und

Fig. 19A eine Draufsicht eines weiteren bekannten chip­ ähnlichen Thermistors, und Fig. 19B eine Sei­ tenschnittansicht des gleichen Chiptypthermistors, die entlang der Linie 19B-19B von Fig. 19A vorge­ nommen ist.

Fig. 1A und 1B zeigen einen Chiptypthermistor 1 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung, der einen Basis­ körper (auf den hierin als der "Thermistorblock" Bezug ge­ nommen wird) 2 aus einem Halbleiterkeramikmaterial aufweist, das entweder einen positiven oder einen negativen Tempera­ turkoeffizienten für den Widerstandswert desselben aufweist. Wie durch die gestrichelten Linien in Fig. 1B gezeigt, weisen kammförmige Oberflächenelektroden 3 und 4, die je­ weils eine Mehrzahl von gegenseitig parallelen vorstehenden Baugliedern (auf die hierin als die "Elektrodenfinger" Bezug genommen wird) 3a und 4a auf, die auf der oberen Oberfläche 2a des Thermistorblocks 2 gebildet sind. Die Elektrodenfin­ ger 3a oder 4a von jeder der Elektroden 3 und 4 werden zwi­ schen die Elektrodenfinger 4a oder 3a der anderen Elektrode der Elektroden 3 und 4 in einer interdigitalen Formation derart eingebracht und schichtmäßig angeordnet, daß die ge­ genüberliegende Strecke der Oberflächenelektroden 3 und 4 (die qualitativ als die Strecke entlang des Abschnitts der Kontur der kammförmigen Elektroden definiert ist, wobei die zwei Elektroden lediglich durch einen kleinen Zwischenraum zwischen den Fingerelektroden derselben getrennt sind) größer als die Breite derselben ist. Die Oberflächenelek­ troden 3 und 4 können ein geeignetes Metallmaterial, wie z. B. eine Ni/Cr-Legierung oder Ag aufweisen, oder dieselben können aus einer geschichteten Struktur mit zwei oder mehre­ ren Schichten bestehen. Dieselben sind vorzugsweise durch ein Verfahren der Dünnfilmtechnologie, wie z. B. dem Auf­ dampfen, dem Sputtern oder dem Elektroplattieren, derart gebildet, daß dieselben genaue Formen aufweisen können.

Eine isolierende Schicht 5a ist gebildet, die die Oberflä­ chenelektroden 3 und 4 bedeckt. Eine weitere isolierende Schicht 5b bedeckt die untere Oberfläche des Thermistor­ blocks 2. Diese isolierenden Schichten 5a und 5b können einen wärmebeständigen Harz, wie z. B. Polyimid, aufweisen. Mit dem wärmebeständigen Harz ist ein Harz gemeint, das ei­ ner Temperatur von 150°C standhalten kann, oder dessen Tem­ peratur der thermischen Deformation gemäß dem ASTN-Verfahren (D648) oberhalb von 150°C liegt. Es ist vorzuziehen, diese isolierenden Schichten 5a und 5b durch ein Schleuderbe­ schichtungsverfahren derart zu bilden, daß dieselben mit einer gleichmäßigen Decke gebildet werden können.

Gegenseitig getrennte äußere Elektroden 6 und 7 sind an den Endoberflächen 2b und 2c des Thermistorblocks 2 gebildet, wobei jede derselben aus einer geschichteten Struktur mit einer unterliegenden Schicht 6a oder 7a und einer äußeren Schicht 6b oder 7b besteht. Die unterliegenden Schichten 6a und 7a weisen ein leitfähiges Material auf, das ohne weite­ res mit den Oberflächenelektroden 3 oder 4 verbindbar ist und abhängig von dem Material der Oberflächenelektroden 3 aus 4 geeignet ausgewählt werden kann. Wenn die Oberflächen­ elektroden 3 und 4 aus einer geschichteten Struktur mit Schichten aus einer Ni/Cr-Legierung und Ag bestehen, können beispielsweise die darunterunterliegenden Schichten 6a und 7a einen Film aus einer Ni/Cr-Legierung oder Ag aufweisen. Die äußeren Schichten 6b und 7b können ein Material mit einer besseren Lötbarkeit (als die unterliegenden Schichten 6a und 7a), wie z. B. Sn, Pb und Sn/Pb-Legierungen, aufwei­ sen.

Zusätzlich kann eine Zwischenschicht, obwohl nicht darge­ stellt, aus einem Material, das ohne weiteres an den äußeren Schichten 6b und 7b haftet, wie z. B. Ni, zwischen den darunterliegenen Schichten 6a und 7a und den äußeren Schich­ ten 6b und 7b zum Schützen der unterliegenden Schichten 6a und 7a gebildet sein.

Der Widerstandswert dieses Thermistors 1 wird durch die ge­ genüberliegende Strecke der Oberflächenelektroden 3 und 4 (wie im vorhergehenden definiert) und die Breite der Trennung derselben bestimmt. Da die Oberflächenelektroden 3 und 4 kammförmig sind, können jedoch Thermistoren mit ver­ schiedenen Widerstandswerten ohne weiteres durch Variieren der Breiten von und der Zwischenräume zwischen den Elek­ trodenfingern 3a und 4a (oder des Trennungsabstands zwischen den zueinander benachbarten Elektrodenfingern) erhalten werden. Mit anderen Worten können Thermistoren mit ver­ schiedenen Widerstandswerten gemäß dieser Erfindung erhalten werden, obwohl Thermistorenblöcke der gleichen Art verwendet werden.

Ein weiterer Vorteil dieser Erfindung besteht darin, daß Thermistoren mit niedrigen Widerstandswerten erzeugt werden können, ohne die Größe derselben zu erhöhen, da die Ober­ flächenelektroden 3 und 4 kammförmig sind, und die Elektro­ denfinger 3a und 4a derselben zwischeneinander in einer interdigitalen Anordnung eingebracht sind. Noch ein weiterer Vorteil dieser Erfindung besteht darin, daß die Oberflächen­ elektroden 3 und 4, da die bekannte Dünnfilmtechnologie ver­ wendet werden kann, genau gebildet werden können, und daher können Variationen der Widerstandswerte derselben reduziert werden.

Es sei bemerkt, daß die isolierende Schicht 5a an der oberen Oberfläche 2a des Thermistorblocks 2 sich zu den Kanten an den Endoberflächen 2b und 2c erstreckt, und daß daher die äußeren Elektroden 6 und 7 die Oberflächenelektroden 3 und 4 nicht direkt kontaktieren. Da die äußere Elektroden 6 und 7 die Oberflächenelektroden 3 und 4 lediglich an den Endober­ flächen 2b und 2c des Thermistorblocks 2 kontaktieren, wer­ den ferner die Variationen der Widerstandswerte aufgrund der Ungenauigkeit der Form der äußeren Elektroden 6 und 7 redu­ ziert.

Die Oberflächenelektroden 3 und 4 können durch Photolitho­ graphie genau gebildet werden, wenn die Filmdicke derselben bis zu 0,1-2 µm klein ist. Wenn die Dicke derselben 2 µm überschreitet, ist es unter Umständen nicht möglich, dieselben mit einem hohen Genauigkeitsgrad durch Photoli­ thographie zu bilden. Wenn die Dicke kleiner als 0,1 µm ist, ist diese zu dünn, und die Zuverlässigkeit als Elektrode kann ungünstig beeinflußt werden.

Fig. 2A und 2B zeigen einen weiteren Chiptypthermistor 11 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung, der ähnlich zu dem Thermistor 1 gemäß dem ersten Ausfüh­ rungsbeispiel der Erfindung ist, das im vorhergehenden unter Bezugnahme auf die Fig. 1A und 1B beschrieben ist, wobei sich derselbe jedoch davon lediglich dahingehend unter­ scheidet, daß die Oberflächenelektroden 2 und 4 ebenfalls an der unteren Oberfläche 2d des Thermistorblocks 2 gebildet sind. Mit anderen Worten weisen sowohl die obere Oberfläche 2a als auch die untere Oberfläche 2d des Thermistorblocks 2 ein Paar von Oberflächenelektroden 3 und 4 auf, die auf denselben gebildet sind, und isolierende Schichten 5a und 5b sind gebildet, um diese Oberflächenelektroden 3 und 4 zu be­ decken.

Die Oberflächenelektroden 3 und 4 sind kammförmig, wie es in Fig. 2B gezeigt ist, wobei dieselben eine Mehrzahl von Elek­ trodenfingern 3a und 4a aufweisen, die hin zueinander vor­ stehen, und die zueinander in einer interdigitalen Form schichtmäßig angeordnet sind. Aufgrund der kammähnlichen Form der Oberflächenelektroden 3 und 4 genießen die Ther­ mistoren gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung ebenfalls die gleichen Vorteile, die im vorhergehenden unter Bezugnahme auf den Thermistor 1 gemäß dem ersten Aus­ führungsbeispiel der Erfindung beschrieben sind. Da ein weiteres Paar kammförmiger Oberflächenelektroden 3 und 4 zusätzlich an der unteren Oberfläche 2d des Thermistorblocks 2 gebildet ist, können folglich Thermistoren mit noch nie­ drigeren Widerstandswerten erhalten werden.

Fig. 3A und 3B zeigen noch einen weiteren Chiptypthermistor 21 gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung, das ähnlich zu dem Thermistor 1 gemäß dem ersten Ausfüh­ rungsbeispiel der Erfindung ist, der unter Bezugnahme auf die Fig. 1A und 1B im vorhergehenden beschrieben ist, das sich jedoch von demselben dahingehend unterscheidet, daß eine Elektrode des Paars der kammförmigen Oberflächenelek­ troden 3 des Thermistors 1 gemäß dem ersten Ausführungs­ beispiel durch eine rechteckige Elektrode 23 ersetzt ist, und die andere Oberflächenelektrode 4 kammförmig ist und Elektrodenfinger 4a aufweist, die hin zu der rechteckigen Oberflächenelektrode 23 vorstehen. Gemäß diesem Ausführungs­ beispiel der Erfindung können ebenfalls Thermistoren mit verschiedenen Widerstandswerten unter Verwendung von Ther­ mistorenblöcken 2 einer gleichen Form gebildet werden, da die Anzahl, Breite und/oder Länge der Elektrodenfinger 4a der kammförmigen Oberflächenelektrode 4 ohne weiteres ein­ gestellt werden kann.

Zusätzlich zu den Oberflächenelektroden 3 und 4 an der obe­ ren Oberfläche 2a des Thermistorblocks 2 des Thermistors 1 können Oberflächenelektroden mit verschiedenen Formen an der unteren Oberfläche des Thermistorblocks 2 gebildet werden, um einen niedrigeren Widerstandswert zu erhalten. Fig. 4A zeigt einen Chiptypthermistor 41 mit zwei rechteckigen Ober­ flächenelektroden 42 und 43, die an der unteren Oberfläche eines Thermistorblocks 2 gebildet sind, so daß dieselben an einer Mittelregion der unteren Oberfläche einander gegenüber liegen, und dieselben elektrisch mit den äußeren Elektroden 6 bzw. 7 an den Endoberflächen des Thermistorblocks 2 ver­ bunden sind. Obwohl die Fig. 4A ein Ausführungsbeispiel zeigt, bei dem die Elektroden 42 und 43 die gesamte Breite der unteren Oberfläche des Thermistorblocks 2 überspannen, ist es weder erforderlich, daß sich dieselben derart er­ strecken, noch ist es erforderlich, daß dieselben in der Mitte der unteren Oberfläche gegenüberliegen. Solange die­ selben teilweise mit den Oberflächenelektroden an der oberen Oberfläche des Thermistorblocks 2 überlappen, wie es in der vertikalen Richtung sichtbar ist, können dieselben jede ver­ nünftige Form aufweisen.

Fig. 4B zeigt einen weiteren Chiptypthermistor 44, der durch eine schwebende Elektrode 45 an der unteren Oberfläche des Thermistorblocks 2 gekennzeichnet ist. Die schwebende Elek­ trode 45 ist derart gebildet, daß dieselbe keine der äußeren Elektroden 6 und 7 elektrisch kontaktiert. Fig. 4C zeigt noch einen weiteren Chiptypthermistor 46, der eine Ober­ flächenelektroden 47 aufweist, die an der unteren Oberfläche des Thermistorblocks 2 gebildet ist, so daß dieselbe ledig­ lich eine der äußeren Elektroden (7) elektrisch kontaktiert.

Um die Genauigkeit zu verbessern, die der Bildung der Ober­ flächenelektroden 3 und 4 zugeordnet ist, z. B. des Thermi­ stors 1, der in den Fig. 1A und 1B gezeigt ist, lehrt die vorliegende Erfindung ferner das Verfahren des Entfernens eines Abschnitts eines Elektrodenfingers von einer der Ober­ flächenelektroden. Fig. 1C zeigt einen Thermistor 1', der folglich aus dem Thermistor von Fig. 1A und 1B durch Einfüh­ ren eines entfernten Abschnitts (Zwischenraum) 4c in einem der Elektrodenfinger 4a erhalten wird. Dieser entfernte Ab­ schnitt 4C wird derart entfernt, daß der Widerstandswert des Thermistors 1' in den zulässigen Bereich seines Zielwider­ standswerts fällt.

Die Erfindung erzwingt keine bestimmte Begrenzung des Ver­ fahrens des Entfernens eines Abschnitts eines Elektroden­ fingers 4a, um einen entfernten Abschnitt 4c vorzusehen. Die Entfernung kann nachdem die Oberflächenelektroden 3 und 4, wie es in Fig. 1B gezeigt ist, durch Lasertrennen, Sand­ strahlen oder Ätzen gebildet sind, bewirkt werden.

Das Entfernungsverfahren, wie es im vorhergehenden beschrie­ ben ist, muß nicht exakt, wie es in Fig. 1C gezeigt ist, be­ wirkt werden. Ein entfernter Abschnitt (Zwischenraum) kann an einem Elektrodenfinger 3A der anderen Elektrode des Paars von Oberflächenelektroden (3) vorgesehen werden, obwohl es nicht getrennt dargestellt ist. Wie in Fig. 5A gezeigt, kann ein Spitzenabschnitt 4B eines der Elektrodenfinger 4a durch effektives Reduzieren der Länge des Elektrodenfingers be­ wirkt werden. Alternativ, wie in Fig. 5B gezeigt ist, kann ein Abschnitt (3b und 4b) von jedem der Elektrodenfinger 3a und 4a entfernt werden.

Es wird als nächstes das Verfahren beschrieben, durch das die Thermistoren 1 und 1', die im vorhergehenden beschrieben sind, erzeugt werden.

Zunächst werden Mn-Verbindungen, Ni-Verbindungen und Co-Ver­ bindungen mit einem Binder zusammengemischt, um einen Schlamm zu bilden, und ein Blatt wird aus demselben durch ein Abstreichmesserverfahren erhalten. Dasselbe wird in rechteckige planare Grünblätter von 65 × 65 mm geschnitten. Wie in Fig. 6A gezeigt, wird eine Mehrzahl von derartigen Grünblättern 31 aufeinander geschichtet. Nachdem dieselben zusammengepreßt sind, werden dieselben einem Brennprozeß bei 1300°C für eine Stunde ausgesetzt, um einen Thermistorwafer 32 von 50 × 50 × 0,5 mm, wie in Fig. 6B gezeigt, zu erhal­ ten. Als nächstes werden ein Film aus einer Ni/Cu-Legierung und ein Film aus Ag, jeweils mit einer Dicke von 0,5 µm, aufeinanderfolgend durch Sputtern über die gesamte obere Oberfläche des Wafers 32 gebildet, um eine Elektrodenschicht 33, wie in Fig. 6C gezeigt, zu erhalten.

Die Elektrodenschicht 33 ist das, was schließlich die Ober­ flächenelektroden werden, und dieselbe besteht vorzugsweise aus einem Material, das einen Ohmschen Kontakt mit einem Thermistorblock bilden kann, mechanisch gegenüber dem Ab­ schälen stabil ist, und leicht zu verarbeiten ist. Diese Elektrodenschicht 33 kann durch ein Siebdruckverfahren gebildet werden, das Vakuumaufdampfverfahren ist jedoch hin­ sichtlich des Photolithographieverfahrens, das später ver­ wendet werden soll, vorzuziehen, da eine gleichmäßige Film­ dicke von weniger als einigen µm erhalten werden kann.

Danach wird ein Photolackmaterial an der Elektrodenschicht 33 durch Schleuderbeschichten angebracht, um eine Photo­ lackschicht 34 einer Dicke von 1 µm zu bilden, wie es in Fig. 6D gezeigt ist. Als nächstes wird, wie es in Fig. 7A gezeigt ist, eine Maske 35 mit einer spezifizierten Form, wie z. B. in Fig. 7B gezeigt, auf der Photolackschicht 34 plaziert und mit Licht belichtet. Nach der Belichtung mit Licht wird dieselbe unter Verwendung eines Lösungsmittels entwickelt, um eine Struktur in der Photolackschicht 34, wie in Fig. 8A gezeigt, zu bilden. Als nächstes werden die Teile der Elektrodenschicht 33, die nicht durch die Photolack­ schicht 33 bedeckt sind, in der Reihenfolge des Ag-Films und dann des Ni/Cr-Films geätzt, um eine Struktur in der Elek­ trodenschicht 33, wie in Fig. 8B gezeigt, zu bilden.

Als nächstes wird der verbleibende Teil der Photolackschicht 34 an der strukturierten Elektrodenschicht 33 mittels eines Lösungsmittels entfernt, um eine strukturierte Elektroden­ schicht 33A, wie in Fig. 8C und 8D gezeigt, zu erhalten. Die strukturierte Elektrodenschicht 33A weist die Form der Ober­ flächenelektrode von vielen angesammelten (z. B. in Zeilen und Spalten) Thermistorelementen auf. Der Zwischenraum zwi­ schen einander gegenüberliegenden Paaren von Oberflächen­ elektroden, die jedem Thermistorelement entsprechen, ist auf 100 µm eingestellt. Die Genauigkeit des Widerstandswerts ei­ nes Thermistors hängt zum größten Teil von der Trennung zwi­ schen den Oberflächenelektroden ab. Hinsichtlich der Ge­ nauigkeit des Photolithographieverfahrens und des gewünsch­ ten Widerstandswerts, der erhalten werden soll, liegt der Trennabstand vorzugsweise zwischen mehreren 10 µm bis zu mehreren 100 µm und insbesondere in einem Bereich von 10-200 µm. Aus dem gleichen Grund liegt die Breite der Elektroden­ finger der kammförmigen Elektroden vorzugsweise in einem Be­ reich von 10-100 µm.

Während der Strukturierungsverfahren, die im vorhergehenden beschrieben sind, kann die Anzahl der Elektrodenfinger an den kammförmigen Elektroden erhöht oder verringert werden, um ohne weiteres den Widerstandswert einzustellen. Hinsicht­ lich des vorhergehenden werden Widerstandswerte von ver­ schiedenen Thermistorelementbereichen des Wafers 32 ge­ messen. Mit anderen Worten wird die Verteilung der Wider­ standswerte innerhalb des Wafers 32 durch Kontaktieren von Anschlüssen eines Geräts zum Messen des Widerstands ge­ messen. Um eine derartige Widerstandsverteilung zu be­ stimmen, werden die Messungen an 20 zufällig ausgewählten Positionen durchgeführt.

Bei einigen der Thermistorelemente (1') wird ein Spitzenteil eines Elektrodenfingers einer kammförmigen Elektrode ent­ fernt, um den Widerstandswert auf der Basis der gemessenen Widerstandsverteilung einzustellen. Diese Teilentfernung eines Elektrodenfingers wird durch ein Photolithoätzverfah­ ren durch zunächst Anbringen eines Photolacks 36 über der strukturierten Elektrodenschicht 33A, wie in Fig. 9A ge­ zeigt, Plazieren einer Maske 27 auf derselben, wie in Fig. 9B gezeigt, und durch Belichten derselben mit Licht durch­ geführt. Wenn der Photolack 36 ein Positivtyp ist, ist die Maske 37 von einem Typ mit Öffnungen dort, wo die Ober­ flächenelektrode entfernt werden soll. Wenn der Photolack 36 ein Negativtyp ist, ist die Maske 37 von einem Typ mit Öff­ nungen dort, wo die Oberflächenelektrode nicht entfernt wer­ den soll. Nach der Belichtung mit Licht sind die Teile des Photolacks 36 oberhalb der Bereiche der Elektrodenschicht 13A, die entfernt werden sollen, unter Verwendung eines Lösungsmittels zur Entwicklung entfernt, wie es in Fig. 9C gezeigt ist. Danach wird eine Säure verwendet, um die Teile der Elektrodenschicht 13A wegzuätzen, die entfernt werden sollen, wie es in Fig. 9D gezeigt ist, und der verbleibende Photolack 36 wird dann durch ein Lösungsmittel entfernt, wie es in Fig. 9E gezeigt ist.

Als nächstes werden, wie in Fig. 10A und 10B gezeigt, Poly­ imidschichten 38a und 38b einer Dicke von 4 µm auf der oberen und der unteren Oberfläche des Wafers 32 durch Schleuderbeschichten gebildet. Danach, wie in Fig. 11A und 11B gezeigt, wird der Wafer 32 entlang paralleler Ebenen C und D durch Bilden von länglichen Schnitten sowohl in der longitudinalen als auch in der transversalen Richtung auf der Oberfläche des Wafers mittels eines Ritzgeräts, wie z. B. einer Diamantklinge X, die mit einem Druck von 9,8 N angewendet wird, geschnitten. Der Ritzschritt kann bevor die Polyimidschichten 38a und 38b gebildet werden, durchgeführt werden.

Danach wird der Wafer 32 in Waferstäbe 32A, wie in Fig. 12A und 12B gezeigt, unter Verwendung einer Hartgummirolle, ge­ brochen, um eine Kraft in der Richtung der Dicke des Wafers 32 entlang der Linie C anzulegen. Die Breite der stabförmi­ gen Wafereinteilungen 32A ist gleich der Breite in der longitudinalen Richtung der Thermistoren 1, die schließlich erhalten werden sollen. Mit anderen Worten besteht jeder Waferstab 32A aus einer einzigen Zeile von gegenseitig ver­ bundenen einzelnen Thermistorelementen.

Als nächstes werden geschichtete Filme aus Ni/Cr-Legierung und Ag 39A, jeweils mit einer Dicke von 1 µm, auf beiden Seitenoberflächen jedes Waferstabs 32A gebildet, die folg­ lich, wie in Fig. 13A gezeigt ist, erhalten werden. Danach wird ein Ni-Film 39b und ein Sn-Film 39c, jeweils mit einer Dicke von 2 µm, in dieser Reihenfolge, wie in Fig. 13B ge­ zeigt, durch ein naßelektrolytisches Plattierungsverfahren an jedem der geschichteten Filme 39A, wie in Fig. 13B ge­ zeigt, gebildet. Es gibt Verfahren, bei denen die unterlie­ genen Elektroden durch Drucken oder Eintauchen gebildet wer­ den, diese Verfahren haben jedoch den Nachteil, daß diesel­ ben die unterliegenen Elektroden zu dick machen. Da es schon äußere Elektroden gibt, ist der nächste Schritt des Brechens der Waferstäbe schwer durchzuführen. Aus diesem Grund müssen die unterliegenden Elektroden so dünn wie möglich herge­ stellt werden, während dieselben eine ausreichende Ohmsche Charakteristik und eine ausreichende Widerstandsfähigkeit gegen das Abschälen aufweisen. Folglich sind Verfahren des Sputterns oder des Aufdampfens vorzuziehen. Von dem Ge­ sichtspunkt des Bildens eines plattierten oberen Schicht­ elektrode auf einer unterliegenen Elektrode aus ist es vor­ zuziehen, die unterliegende Elektrode mit einem Metall, wie z. B. Ag oder Au, zu bilden, das eine hohe elektrische Leit­ fähigkeit aufweist und in Luft nicht oxidiert. Wenn die un­ terliegende Elektrode aus einem Metall gebildet ist, wie z. B. ein Ni/Cr-Legierung, die ohne weiteres oxidiert, ist es vorzuziehen, eine Schicht aus Ag oder Au darüber vorzusehen.

Als nächstes werden die Waferstäbe 32 entlang der Linien D, wie in Fig. 14 gezeigt, gebrochen, um viele Thermistorele­ mente 40 zu erhalten, wobei eines derselben in Fig. 15 ge­ zeigt ist, bei dem die Oberflächenelektroden, die aus der vorher erwähnten Elektrodenschichten 33A gebildet sind, durch die Symbole 33A₁ und 33A₂ bezeichnet sind.

Als ein Teil der Experimente zum Untersuchen der Effekte der Erfindung werden vier Arten von Chiptypthermistoren 1 unter Verwendung von-unterschiedlichen Masken 35 vorbereitet, um die Anzahl, die Länge und die Breite der Elektrodenfinger der Oberflächenelektroden sowie die Trennung zwischen dem Paar von Oberflächenelektroden zu variieren, und um die Wi­ derstandswerte und die Variationen derselben zu messen. Der spezifische Widerstand des Materials für die Thermistor­ blöcke 2, das verwendet wurde, um diese Chiptypthermistoren 1 herzustellen, ist 2 kΩcm bei 25°C, und die Abmessungen sind 1,6 × 0,8 × 0,8 mm. Zum Zweck des Vergleichs werden die gleichen Thermistorblöcke verwendet, um bekannte Thermisto­ ren, die bei 71, 75, 77, 78 in Fig. 16-19 gezeigt sind, zu erzeugen, und die Widerstandswerte und die Variationen 3 CV (%) derselben werden gemessen. Die Resulatate sind in Ta­ belle 1 gezeigt. Die Widerstandswerte, die in Tabelle 1 ge­ zeigt sind, sind Durchschnittswerte für eine Probenanzahl von n = 100 und die Variationen 3 CV sind die Resultate der gemessenen Variationen für eine Probenanzahl von n = 100.

Tabelle 1

Tabelle 1 zeigt klar, daß Thermistoren 1 mit sehr unter­ schiedlichen Widerstandswerten (von 2,5 bis 33,2 kΩ) ledig­ lich durch Ändern der Anzahl, Länge und Breite der Elektro­ denfinger der Oberflächenelektroden sowie der Trennung zwi­ schen dem Paar von Oberflächenelektroden erhalten werden können. Dieselbe zeigt ferner, daß die Variationen (3 CV) der Widerstandswerte nicht größer als 1,6% sind, obwohl die Variationen bei den bekannten Thermistoren ziemlich groß sind.

Als ein weiterer Teil des Experiments zum Untersuchen der Effekte der Erfindung, werden Masken 17 mit unterschiedli­ chen Formen der erhaltenen Chipthermistoren, wie oben ge­ zeigt, verwendet, um die Länge des entfernten Abschnitts ei­ nes Elektrodentingers einer Oberflächenelektrode zu ändern. Die Resultate dieser Untersuchung sind in Tabelle 2 zusam­ mengefaßt. In Tabelle 2 bedeutet "entfernte Länge" die Län­ ge, die durch den doppelköpfigen Pfeil E in Fig. 15 gezeigt ist. Zum Zweck dieses Experiments werden Thermistoren mit drei Fingern, die von der Oberflächenelektroden 33A₁ vor­ stehen, und zwei Fingern erzeugt, die von der Oberflächen­ elektrode 33A₂ vorstehen, wobei dieselben jeweils eine Brei­ te W von 0,040 mm und eine Länge (vor der "Entfernung") L von 1,200 mm aufweisen.

Tabelle 2

Korrektur des Widerstandswerts (%)
Entfernte Länge (mm)
+0,5	0,017
+1,0	0,034
+1,5	0,051
+2,0	0,068
+2,5	0,085

Wie in Tabelle 2 gezeigt, kann der Widerstandswert innerhalb eines Bereichs von 0,5% bis 2,5% durch Ändern der Länge des Abschnitts eines Elektrodenfingers, der entfernt werden soll, von 0,017 mm bis 0,085 mm verändert werden. Mit ande­ ren Worten können die Thermistoren der Art, die in Fig. 5 bei 40 gezeigt ist, und die Widerstandswerte innerhalb eines spezifizierten zulässigen Bereichs aufweisen, zuverlässig durch Bilden einer strukturierten Elektrodenschicht 33A, da­ nach Messen der Widerstandswerte zwischen den Oberflächen­ elektroden der einzelnen Thermistorelementteile, Vergleichen der gemessenen Werte mit dem Zielwert, und dann Entfernen von Abschnitten der Elektrodenfinger der einzelnen Ther­ mistorelementeteile gemäß den Unterschieden zwischen den gemessenen Werten und dem Zielwert unabhängig erzeugt wer­ den. Gemäß einem praktischen Verfahren wird eine Tabelle, die die Beziehung zwischen der Korrektur des Widerstands­ werts und der entfernten Länge des Elektrodenfingers zeigt, vorher durch Durchführen von Messungen vorbereitet. Wenn die Thermistoren erzeugt werden, werden die tatsächlichen Wider­ standswerte derselben gemessen, und es werden erforderliche Korrekturwerte aus derartigen gemessenen Werten unter Ver­ wendung dieser vorbereiteten Beziehung erhalten. Wenn das Gerät zum Durchführen dieser Messungen und das Gerät zum Entfernen eines Abschnitts eines Elektrodenfingers zusammen gesteuert werden, können die Korrekturhandlungen effizienter durchgeführt werden.

Die Erfindung wurde im vorhergehenden unter Bezugnahme auf eine begrenzte Anzahl von Beispielen beschrieben, diese Bei­ spiele sollen jedoch nicht den Schutzbereich der Erfindung begrenzen. Viele Modifikationen und Variationen sind inner­ halb des Schutzbereichs dieser Erfindung möglich. Beispiels­ weise muß die Entfernung eines Abschnitts eines Elektroden­ fingers nicht notwendigerweise durch ein Photolithographie­ verfahren ausgeführt werden, sondern dasselbe kann unter Verwendung eines Lasers durchgeführt werden. Wenn ein Laser zum Zweck dieser Erfindung verwendet wird, kann der Laser­ strahl verwendet werden, um den Abschnitt des Elektroden­ fingers, der entfernt werden soll, wegzubrennen, oder um al­ ternativ einen Abschnitt des Elektrodenfingers durch die La­ serenergie zu oxidieren, um den Ohmschen Kontakt zwischen diesem Abschnitt der Oberflächenelektrode und dem Thermi­ storblock zu entfernen. Mit anderen Worten beziehen sich Ausdrücke wie "teilweise Entfernung" oder "teilweises Ent­ fernen" auf eine Handlung, mit der die ursprüngliche Funk­ tion der Oberflächenelektrode verloren geht, jedoch nicht notwendigerweise auf eine physische Entfernung, und dies umfaßt Situationen, bei denen der betroffene Teil der Elek­ trode isolierend wird. Die Entfernung eines Abschnitts einer Oberflächenelektrode kann ähnlicherweise durch ein Sand­ strahlverfahren bewirkt werden.

Wenn spezifizierte Teile der Oberflächenelektroden entfernt werden, kann diese Trimmhandlung an dem Wafer durchgeführt werden, oder kann durchgeführt werden, nachdem der Wafer in einzelne Thermistorenelemente geteilt wurde. Nachdem die isolierende Schicht oberhalb der Elektroden durch eine der­ artige Trimmhandlung zerstört ist, kann dieselbe derart zu­ rückgelassen werden, oder die zerstörten Abschnitte können durch Beschichten mit einem isolierenden Material repariert werden.

Obwohl die Offenbarung allgemein breit interpretiert werden sollte, sollten Ausdrücke wie "Kammelektroden" und "kamm­ förmige Elektroden" als sich auf eine Elektrode beziehend interpretiert werden, die eine Form aufweist, die praktisch als die Form eines Kamms beschrieben werden kann, der einen Satz von länglichen festen Baugliedern (Fingern) im wesent­ lichen der gleichen Länge aufweist, die im wesentlichen in der gleichen Richtung vorstehen.

Claims (8)

1. Chipthermistor mit folgenden Merkmalen:
einem Thermistorblock (2) mit Endoberflächen (2b, 2c) und einer oberen Oberfläche (2a), die benachbart zu den Endoberflächen (2b, 2c) ist;
einem Paar von Oberflächenelektroden (3, 4; 23, 4), die auf der oberen Oberfläche (2a) des Thermistorblocks (2) einander gegenüberliegen, wobei mindestens eine der Oberflächenelektroden (4) kammförmig ist, mit Elektro­ denfingern (4a), die zu der anderen der Oberflächen­ elektroden (3; 23) hin vorstehen;
einer isolierenden Schicht (5a) auf der oberen Ober­ fläche (2a) des Thermistorblocks (2), wobei die iso­ lierende Schicht (5a) das Paar von Oberflächenelek­ troden (3, 4; 23, 4) bedeckt und sich zu Kanten er­ streckt, die sich zwischen der oberen Oberfläche (2a) und den Endoberflächen (2b, 2c) des Thermistorblocks (2) befinden; und
einem Paar von äußeren Elektroden (6, 7), die jeweils mit einer zugeordneten der Oberflächenelektroden (3, 4; 23, 4) elektrisch verbunden sind, und die auf einer entsprechenden der Endoberflächen (2b, 2c) angeordnet sind.

2. Chipthermistor gemäß Anspruch 1, bei dem jedes Paar von Oberflächenelektroden (3, 4) kammförmig ist, mit Elek­ trodenfingern (3a, 4a), die zu der anderen der Ober­ flächenelektroden (3) hin vorstehen, und einer Dicke von 0,1 bis 2 µm.

3. Verfahren zum Erzeugen von Thermistoren mit folgenden Schritten:
Vorbereiten eines Thermistorwafers mit einer oberen Oberfläche (2a) und einer unteren Oberfläche (2d);
Bilden einer elektrisch leitfähigen Elektrodenschicht auf der oberen Oberfläche (2a) des Thermistorwafers durch ein Verfahren einer Dünnfilmerzeugungstechnolo­ gie;
Strukturieren der Elektrodenschicht durch Photolitho­ graphie, um Oberflächenelektroden (3, 4; 23, 4) einer spezifizierten Form zu bilden;
Bilden von isolierenden Schichten (5a, 5b) auf der oberen Oberfläche (2a) und der unteren Oberfläche (2d) des Thermistorwafers;
Teilen des Thermistorwafers entlang eines ersten Satzes von zueinander parallelen Ebenen, um längliche Wafer­ stäbe zu erhalten, die jeweils eine Mehrzahl von Ther­ mistoren aufweisen, die in einer Reihe verbunden sind;
Bilden von elektrisch leitfähigen äußeren Elektroden­ schichten (6, 7) auf den Waferstäben durch ein Ver­ fahren einer Dünnfilmerzeugungstechnologie; und
Teilen der Waferstäbe in einzelne Thermistoren entlang eines zweiten Satzes von zueinander parallelen Ebenen.

4. Verfahren gemäß Anspruch 3, das ferner folgende Schrit­ te, nachdem der Schritt des Strukturierens durchgeführt ist, aufweist:
Messen einer Widerstandswerteverteilung über den Ther­ mistorwafer; und
Bewirken von Korrekturen an der strukturierten Elektro­ denschicht, um dadurch Widerstandswerte von Abschnitten des Thermistorwafers zu korrigieren, die einzelnen Thermistoren entsprechen.

5. Verfahren gemäß Anspruch 3, bei dem die isolierenden Schichten (5a, 5b) durch Schleuderbeschichten eines Harzmaterials gebildet werden, wobei der Schritt des Teilens des Thermistorwafers und der Schritt des Teilens der Waferstäbe durch Erzeugen von Schnitten in einer Oberfläche des Thermistorwafers und der Waferstä­ be durch ein Ritzgerät und Anlegen eines Drucks entlang der Schnitte durchgeführt werden, und wobei die äußeren Elektrodenschichten (6, 7) durch ein Verfahren gebildet werden, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Sputtern, Aufdampfen und Elektroplattieren besteht.

6. Verfahren gemäß Anspruch 4, das ferner den Schritt des Entfernens mindestens eines Abschnitts (4c, 4b, 3b) der Oberflächenelektroden (3, 4; 23, 4) aufweist, bis sich die Widerstandswerte innerhalb eines spezifizierten Zielbereichs befinden, wobei der Schritt des Entfernens durch ein Verfahren durchgeführt wird, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Lasertrimmen, Sand­ strahlen und Ätzen besteht.

7. Verfahren gemäß Anspruch 4, bei dem die Widerstands­ werte durch Entfernen mindestens eines Teils von Ab­ schnitten (4c, 4b, 3b) der Oberflächenelektroden (3, 4; 23, 4), die den einzelnen Thermistoren entsprechen, durch Photolithographie korrigiert werden.

8. Verfahren gemäß Anspruch 6 oder 7, bei dem die Ober­ flächenelektroden (3, 4; 23, 4) kammförmige Elektroden (4) mit vorstehenden Elektrodenfingern (4a) aufweisen, und bei dem der Schritt des Entfernens mindestens das Entfernen eines Abschnitts (4c, 4b, 3b) eines der Elek­ trodenfinger (4a) aufweist.