DE19815220C2 - Verfahren zur haftfesten und dichten chemischen oder galvanischen Metallisierung von Substraten sowie Haftvermittler zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents

Verfahren zur haftfesten und dichten chemischen oder galvanischen Metallisierung von Substraten sowie Haftvermittler zur Durchführung des Verfahrens

Info

Publication number
DE19815220C2
DE19815220C2 DE19815220A DE19815220A DE19815220C2 DE 19815220 C2 DE19815220 C2 DE 19815220C2 DE 19815220 A DE19815220 A DE 19815220A DE 19815220 A DE19815220 A DE 19815220A DE 19815220 C2 DE19815220 C2 DE 19815220C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
group
alkoxy
halogen
groups
polymerization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19815220A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19815220A1 (de
Inventor
Axel Fikus
Waldfried Plieth
Dietmar Appelhans
Hans-Juergen Adler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Technische Universitaet Dresden
Original Assignee
Technische Universitaet Dresden
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Technische Universitaet Dresden filed Critical Technische Universitaet Dresden
Priority to DE19815220A priority Critical patent/DE19815220C2/de
Publication of DE19815220A1 publication Critical patent/DE19815220A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19815220C2 publication Critical patent/DE19815220C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
    • C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
    • B05D1/185—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping applying monomolecular layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/38—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal at least one coating being a coating of an organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
    • C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
    • C23C18/1837—Multistep pretreatment
    • C23C18/1844—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886—Multistep pretreatment
    • C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur haftfesten und dichten, chemischen oder galvanischen Metallisierung von Substraten, wie Aluminium, Titan, Magnesium deren Legierungen und Oxide, Silicium, Siliciumoxide, Gläser oder Keramiken.
Die Erfindung betrifft weiterhin einen Haftvermittler auf der Basis von Phosphonsäure- oder Phosphorsäuregruppen für den haftfesten, geordneten Aufbau von leitfähigen Polymerschichten zur Durchführung des Verfahrens.
Die Plattierung unedler Metalle ist mit Problemen verbunden, die sich aus der schnellen Ausbildung von Oxidschichten auf den Metalloberflächen ergeben, wenn diese der Luft ausgesetzt sind. Es müssen folglich chemische Spezialbehandlungen durchgeführt werden, die auf Ätzbehandlung mit Säuren oder Metallionensalze enthaltende Säuren (zum Beispiel Eisen- und Nickelsalz) oder Behandlung mit alkalischen Verdrängungslösungen zurückgreifen. Eine weitere Behandlungsmöglichkeit ist als Zinkatprozeß bekannt, wobei Zink z. B. auf Aluminium durch Verdrängung abgeschieden wird. Die Beschleunigung des Prozesses sowie die Verbesserung von Gleichmäßigkeit und Haftfestigkeit sind beispielsweise in DE 40 32 232 A1 und DE 42 02 409 A1 beschrieben worden.
Eine weitere Schrift (DE 196 15 201 A1) befaßt sich mit der Verwendung einer Zwischenschicht von leitfähigem Polymer zur Metallisierung von Oberflächen. Auf einer unedlen Metalloberfläche wird eine Schicht aus höherwertigem Oxidationsmittel aufgebracht, welche anschließend mit organischen Monomeren umgesetzt wird. Die darauf erfolgende Metallisierung erzeugt eine Metallschicht, die jedoch durch nur geringe Haftfestigkeit gekennzeichnet ist.
Die Beschreibung eines haftvermittelnden Moleküls auf Basis eines langkettigen Thiophenderivats ist in EP 0 587 159 A1 aufgeführt. Die Synthese des Moleküls sowie das Aufbringen als adsorbierter Film auf die Substratoberfläche werden dargestellt.
Trotz der Akzeptanz und der Wirksamkeit des Zinkatprozesses besteht ein Bedarf an Verfahren, die neben Aluminium auch eine Vielzahl anderer, unedler Metalle, deren Legierungen und Oxide sowie Silizium, Quarz und Keramiken einer Metallisierung zugänglich machen. Dabei steht die haftfeste und gleichmäßige Beschichtung der Oberflächen im Mittelpunkt.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und einen Haftvermittler anzugeben, womit universell Silizium und Siliziumdioxid; Leichtbaumetalle, wie Titan, Aluminium und Magnesium, deren Legierungen und Oxide, Quarz und Keramiken haftfest und dicht plattiert werden können.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch ein Verfahren mit den im Anspruch 1 genannten Merkmalen gelöst. Vorteilhafte Verfahrensvarianten sind Gegenstand der zugehörigen Unteransprüche.
Weiterhin wird die Aufgabe durch einen Haftvermittler mit den im Anspruch 6 genannten Merkmalen gelöst.
Das Verfahren beruht darauf, daß auf einer Substratoberfläche eine kovalent gebundene, organische Molekülschicht durch einen Tauchprozeß aufgebracht wird (Konditionierung) und diese gebundenen Moleküle A durch eine Polymersisation mit weiteren heterocyclischen Monomeren B zu einer haftfesten, dichten und leitfähigen Polymerschicht entwickelt werden. Die leitende Polymerschicht kann anschließend galvanisch oder außen stromlos weiter verstärkt werden.
Die intrinsisch leitfähige Polymerschicht, welche geordnet und chemisch gebunden ist, kann auf nichtleitenden Substraten, wie zum Beispiel Silizium und Siliziumoxid, Metalloxide, Quarz, Keramiken oder schwer galvanisierbaren Metallen, zum Beispiel Leichtbaumetalle, wie Titan, Aluminium und Magnesium, aufgebracht werden. Mit der nachfolgenden, galvanisch oder chemisch außenstromlosen Metallisierung sind somit Metallisierungen auf unterschiedlichste Ausgangsmaterialien für verschiedene Anwendungen aufbringbar.
Für den Schritt der Konditionierung haben sich die Moleküle A als geeignet erwiesen, die nachfolgend als Haftvermittler bezeichnet werden sollen. Der Haftvermittler kann durch folgende Formel bzw. Reste beschrieben werden.
Molekül A besteht aus einer:
  • a) Silangruppe als Haftgruppe, welche über eine Alkylkette (1-30 CH2-Gruppen) an eine für die Polymerisation geeignete Kopfgruppe in 2- oder 3-Position gebunden ist -SiR1R2R3 R1 und/oder R2 und/oder R3 = Halogen, Alkoxy, Alkyl oder
  • b) Phosphonsäuregruppe als Haftgruppe, die über eine Alkylkette (1-30 CH2-Gruppen) an eine für die Polymerisation geeignete Kopfgruppe in 2- oder 3-Position gebunden ist -POR1R2 R1 und/oder R2 = Halogen, OH, Alkoxy oder
  • c) Phosphorsäuregruppe als Haftgruppe, die über eine Alkylkette (1-30 CH2-Gruppen) an eine für die Polymerisation geeignete Kopfgruppe in 2- oder 3-Position gebunden ist -O-POR1R2 R1 und/oder R2 = Halogen, OH, Alkoxy
und aus einer Kopfgruppe:
  • a) 
    X = S, O oder NR, wobei R = H oder eine beschriebene Haftgruppe
    n = 1 bis 6 oder
  • b) Anilin.
Die Kontrolle des Konditionierungsprozesses erfolgt über die Konzentration der Moleküle A. Weiterhin kann der Prozeß über die Variation der Temperatur geregelt werden. Entscheidend für die erfolgreiche Konditionierung ist die effektive Vorbehandlung der Substratoberfläche durch Reinigungs- und Ätzprozesse, die für folgende Substrate ausgewiesen sind:
Silizium und dessen Oxid:
  • - Ätzen mit Piranha-Lösung (H2O2/H2SO4)
  • - Ätzen mit HF/NH4F
  • - Ohne Ätzen (poliert und luftgelagert)
Leichtbaumetalle (zum Beispiel Aluminium, Titan, Magnesium sowie deren Legierungen):
  • - Anodisch oxidiert
  • - Chemisch oxidiert
  • - Ohne Ätzen (poliert und luftgelagert)
Quarz und Gläser sowie Oxide und Keramiken:
  • - Chemisch geätzt
  • - Ohne Ätzen (poliert und luftgelagert)
Die nachfolgende, oxidative Behandlung mit einer Lösung von Monomeren B, die für die Bildung intrinsisch leitfähiger Polymere bekannt sind, ergab überraschend die Ausbildung eines haftfesten, dichten Polymerfilmes auf der zuvor mit dem Molekül A konditionierten Oberfläche. Dabei bilden sich Schichten mit den folgenden Grundkörpern B:
Molekül B
  • a) 
    X = S, O oder NR3, wobei
    R1 und/oder R2 = H oder
    R1 und/oder R2 über eine Alkylkette (1-20 CH2-Gruppen) verknüpfte Halogen-, Methyl-, Alkoxy-, Carbonsäure- oder Estergruppe oder eine Ether- oder Dietherbrücke zwischen R1 und R2,
    R3 = H oder über eine Alkylkette (1-20 CH2-Gruppen) verknüpfte Halogen-, Methyl-, Alkoxy-, Carbonsäure- oder Estergruppe,
    n = 1 bis 6 oder
  • b) Anilin und Anilinderivate.
Die Derivatisierung beeinflußt die funktionellen Eigenschaften der Polymerschicht. Die Polymerisation kann vorteilhaft chemisch erfolgen. Als Oxidationsmittel geeignet erweisen sich H2O2, Fe3+, S2O8 2-, MnO4 -, Metalloxide oder Ce4+.
Eine weitere Möglichkeit besteht in der elektrochemischen Polymerisation (anodisch). Außerdem kann die Polymerisation photochemisch durch UV/VIS-Bestrahlung erreicht werden.
Aufbauend auf diese entwickelte Polymerschicht kann nun eine zusätzliche Verstärkung erzeugt werden. Dies geschieht zum einen durch Aufbringen weiterer Polymerschichten und/oder durch Metallisierung, welche galvanisch oder chemisch außenstromlos erfolgt. Diese Metallisierung, beispielsweise mit Kupfer, Nickel, Gold durch übliche Metallisierungsverfahren, erzeugt eine haftfeste, dichte Metallschicht auf unterschiedlichen Substraten, womit zugleich auch der Vorteil der Erfindung beschrieben ist.
Die Erfindung wird nachfolgend an Hand von Ausführungsbeispielen näher beschrieben. Die zugehörigen Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer mit einem Polymer beschichteten Oberfläche,
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer für die Metallisierung mit Kupfer vorbereiteten Polymeroberfläche auf Aluminium.
Beispiel 1
Eine Silizium/Siliziumoxid-Oberfläche wurde nach folgenden Prozeßschritten haftfest mit einem leitfähigen Polymer beschichtet:
  • 1. 30 Minuten Tauchen des Substrates in eine 15%ige Wasserstoffperoxidlösung in konzentrierter Schwefelsäure (96%ig) zur Oxidation der Siliziumoberfläche bei 80°C
  • 2. Spülen mit kaltem Wasser
  • 3. Trocknen im Stickstoffstrom
  • 4. 60 Minuten Tauchen in einer 3-(3-Thienyl)propyltrichlorsilan (50 mg/l) enthaltenden, organischen Lösung (z. B. Bicyclohexyl) bei Raumtemperatur
  • 5. 1 Minute Spülen in einem organischen Lösungsmittel
  • 6. 10 Minuten Tauchen in einer organischen Thiophenlösung (3 g/l) bei Raumtemperatur
  • 7. Zugabe einer gesättigten, organischen Lösung von wasserfreiem Eisen(III)-chlorid (50 g/l) als Oxidationsmittel zur Lösung im Prozeßschritt 6 und 60 Minuten Polymersisation bei Raumtemperatur
  • 8. Trocknen mit Heißluft
Beispiel 2
Eine Titan/Titandioxid-Oberfläche wurde nach folgenden Prozeßschritten haftfest mit einem leitfähigen Polymer beschichtet:
  • 1. Schleifen der Titanoberfläche bis Körnung 1000
  • 2. Spülen in Ethanol unter Ultraschall
  • 3. 5 Minuten Elektropolieren der Titanoberfläche bei 20°C in einer Lösung, bestehend aus 60 ml Perchlorsäure (70%), 350 ml Ethylenglykolmonobutylether und 540 ml Methanol, mit einer Stromdichte von 100 mA/cm2
  • 4. Spülen in Ethanol unter Ultraschall
  • 5. 2 Stunden elektrochemische Oxidation der Titanoberfläche in 0,5 molarer Schwefelsäure (pH = 0,3) bei 10 Volt
  • 6. Spülen mit kaltem Wasser
  • 7. Prozeßschritte 3 bis 8 des Beispiels 1
Beispiel 3
Quarz wurde nach folgenden Prozeßschritten haftfest mit einem leitfähigen Polymer beschichtet:
  • 1. Prozeßschritte 1 bis 8 des Beispiels 1
Beispiel 4
Aluminium wurde nach folgenden Prozeßschritten haftfest mit Kupfer beschichtet:
  • 1. Schleifen und Polieren der Aluminiumoberfläche bis Körnung 4000
  • 2. 1 Tag Lagerung des Aluminiums bei Raumtemperatur an der Luft
  • 3. 20 Sekunden Tauchen der Metalloberfläche in Aceton bei Raumtemperatur zur Entfernung organischer Verunreinigungen
  • 4. Prozeßschritte 3 bis 5 des Beispiels 1
  • 5. 10 Minuten Tauchen in einer organischen Ethylendioxythiophenlösung (10 g/l) bei Raumtemperatur
  • 6. Zugabe einer gesättigten, organischen Lösung von wasserfreiem Eisen(III)-chlorid (50 g/l) als Oxidationsmittel zur Lösung im Prozeßschritt 5 und 60 Minuten Polymerisation bei Raumtemperatur
  • 7. Trocknen mit Heißluft
  • 8. 2 Minuten galvanische Kupferabscheidung in einem kommerziellen, cyanidischen Elektrolyten (Degussa) bei 60°C und 100 mA/cm2
  • 9. Spülen mit kaltem Wasser.

Claims (6)

1. Verfahren zur haftfesten und dichten, chemischen oder galvanischen Metallisierung von Substraten, wie Aluminium, Titan, Magnesium, deren Legierungen und Oxide, Silicium, Siliciumoxide, Gläser oder Keramiken, dadurch gekennzeichnet, dass vor der Metallisierung auf die Substratoberfläche eine haftvermittelnde Substanz A, bestehend aus einer:
  • a) Silangruppe als Haftgruppe, welche über eine Alkylkette (1-30 CH2-Gruppen) an eine für die Polymerisation geeignete Kopfgruppe in 2- oder 3-Position gebunden ist
    -SiR1R2R3 R1 und/oder R2 und/oder R3 = Halogen, Alkoxy, Alkyl oder
  • b) Phosphonsäuregruppe als Haftgruppe, die über eine Alkylkette (1-30 CH2-Gruppen) an eine für die Polymerisation geeignete Kopfgruppe in 2- oder 3-Position gebunden ist
    -POR1R2 R1 und/oder R2 = Halogen, OH, Alkoxy oder
  • c) Phosphorsäuregruppe als Haftgruppe, die über eine Alkylkette (1-30 CH2-Gruppen) an eine für die Polymerisation geeignete Kopfgruppe in 2- oder 3-Position gebunden ist
    -O-POR1R2 R1 und/oder R2 = Halogen, OH, Alkoxy
und aus einer Kopfgruppe:
  • a) 
    X = S, O oder NR, wobei R = H oder eine beschriebene Haftgruppe
    n = 1 bis 6 oder
  • b) Anilin,
aus einer flüssigen oder gasförmigen Phase aufgebracht wird, wobei es zu einer chemischen Reaktion mit der Substratoberfläche kommt und sich ein ultradünner Film ausbildet, und nachfolgend eine oxidative Behandlung, welche chemisch, elektrochemisch oder photochemisch durchgeführt wird, mit einer Lösung aus Monomeren B erfolgt, bestehend aus:
  • 1. 
    X = S, O oder NR3, wobei
    R1 und/oder R2 = H oder
    R1 und/oder R2 über eine Alkylkette (1-20 CH2-Gruppen) verknüpfte Halogen-, Methyl-, Alkoxy-, Carbonsäure- oder Estergruppe oder eine Ether- oder Dietherbrücke zwischen R1 und R2,
    R3 = H oder über eine Alkylkette (1-20 CH2-Gruppen) verknüpfte Halogen-, Methyl-, Alkoxy-, Carbonsäure- oder Estergruppe,
    n = 1 bis 6 oder
  • 2. Anilin oder Anilinderivate.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der ultradünne Film durch Aufbringen weiterer Polymerschichten und/oder durch galvanische oder chemisch außenstromlose Metallisierung verstärkt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallisierung mit Kupfer, Nickel oder Gold vorgenommen wird, die eine haftfeste, dichte Metallschicht auf dem Substrat erzeugt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Polymerisation chemisch und photochemisch oder elektrochemisch und photochemisch erfolgt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Oxidationsmittel H2O2, Fe3+, S2O8 2-, MnO4 -, Metalloxide oder Ce4+ verwendet werden.
6. Haftvermittler zur haftfesten und dichten, chemischen oder galvanischen Metallisierung von Substraten, wie Aluminium, Titan, Magnesium deren Legierungen und Oxide, Silicium, Siliciumoxide, Gläser oder Keramiken, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz aus einer Haftgruppe aus:
  • a) einer Phosphonsäuregruppe, die über eine Alkylkette (1-30 CH2-Gruppen) an eine für die Polymerisation geeignete Kopfgruppe in 2- oder 3-Position gebunden ist
    -POR1R2 R1 und/oder R2 = Halogen, OH, Alkoxy oder
  • b) Phosphorsäuregruppe, die über eine Alkylkette (1-30 CH2-Gruppen) an eine für die Polymerisation geeignete Kopfgruppe in 2- oder 3-Position gebunden ist
    -O-POR1R2 R1 und/oder R2 = Halogen, OH, Alkoxy und
aus einer Kopfgruppe:
  • a) 
    X = S, O oder NR, wobei R = H oder eine beschriebene Haftgruppe
    n = 1 bis 6 oder
  • b) Anilin
besteht.
DE19815220A 1998-03-27 1998-03-27 Verfahren zur haftfesten und dichten chemischen oder galvanischen Metallisierung von Substraten sowie Haftvermittler zur Durchführung des Verfahrens Expired - Fee Related DE19815220C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19815220A DE19815220C2 (de) 1998-03-27 1998-03-27 Verfahren zur haftfesten und dichten chemischen oder galvanischen Metallisierung von Substraten sowie Haftvermittler zur Durchführung des Verfahrens

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19815220A DE19815220C2 (de) 1998-03-27 1998-03-27 Verfahren zur haftfesten und dichten chemischen oder galvanischen Metallisierung von Substraten sowie Haftvermittler zur Durchführung des Verfahrens

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19815220A1 DE19815220A1 (de) 1999-09-30
DE19815220C2 true DE19815220C2 (de) 2003-12-18

Family

ID=7863652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19815220A Expired - Fee Related DE19815220C2 (de) 1998-03-27 1998-03-27 Verfahren zur haftfesten und dichten chemischen oder galvanischen Metallisierung von Substraten sowie Haftvermittler zur Durchführung des Verfahrens

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19815220C2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004008784B3 (de) * 2004-02-23 2005-09-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Durchkontaktierung von Feldeffekttransistoren mit einer selbstorganisierten Monolage einer organischen Verbindung als Gatedielektrikum
DE102007038573A1 (de) 2007-08-16 2009-02-19 Dracowo Forschungs- Und Entwicklungs Gmbh Photopolymerisation nativer Epoxide und Verfahren ihrer Anwendung

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19945935B4 (de) 1999-09-24 2008-01-03 Universität Heidelberg Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmodifizierten Schichtsystems
AU731328B3 (en) * 2000-03-02 2001-03-29 Tyco Electronics Pty Limited Electroplating
DE10025522B4 (de) * 2000-05-18 2004-05-13 Technische Universität Dresden Verfahren zur strukturierten Abscheidung leitfähiger Polymerer
DE10040993B4 (de) * 2000-08-16 2007-07-12 Technische Universität Dresden Verfahren zur Erzeugung von Schichten aus leitfähigem Polymer auf Metalloberflächen
US6433359B1 (en) * 2001-09-06 2002-08-13 3M Innovative Properties Company Surface modifying layers for organic thin film transistors
US6946676B2 (en) 2001-11-05 2005-09-20 3M Innovative Properties Company Organic thin film transistor with polymeric interface
US6768132B2 (en) * 2002-03-07 2004-07-27 3M Innovative Properties Company Surface modified organic thin film transistors
US7166327B2 (en) * 2003-03-21 2007-01-23 International Business Machines Corporation Method of preparing a conjugated molecular assembly
DE10328811B4 (de) * 2003-06-20 2005-12-29 Infineon Technologies Ag Verbindung zur Bildung einer selbstorganisierenden Monolage, Schichtstruktur, Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur
DE10332567A1 (de) * 2003-07-11 2005-02-17 Infineon Technologies Ag Verbindung für die Bildung einer Schicht auf einem Substrat, Verfahren zur Herstellung einer Schicht auf einem Substrat und Halbleiterbauelement

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4032232A1 (de) * 1989-10-12 1991-04-18 Enthone Verfahren zur herstellung von aluminium-plattenspeichern mit glatten, metallplattierten oberflaechen
WO1992006100A1 (fr) * 1990-10-03 1992-04-16 Office National D'etudes Et De Recherches Aerospatiales Agent de couplage du type silane, procede pour sa preparation, et son utilisation pour la realisation d'un revetement conducteur sur du verre
DE4202409A1 (de) * 1991-02-04 1992-08-06 Enthone Omi Inc Verbesserte zinkatloesungen zur behandlung von aluminium und aluminiumlegierungen
DE4112462A1 (de) * 1991-04-12 1992-10-15 Schering Ag Waessriges konditionierungsmittel fuer die behandlung von nichtleitern
EP0587159A1 (de) * 1992-09-10 1994-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 3-Thienylsiliziumverbindungen, hieraus geformter, ultradünner, chemisch adsorbierter Film und Verfahren zur Herstellung
JPH0725885A (ja) * 1993-05-14 1995-01-27 Showa Denko Kk トリアルコキシ（チエニルアルキル）シラン及びその製造法
DE4227836C2 (de) * 1992-08-20 1997-09-25 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur Metallisierung von Nichtleitern
DE19615201A1 (de) * 1996-04-18 1997-10-23 Univ Dresden Tech Verfahren zur Metallisierung von chemisch nicht oder schwer plattierbaren Metalloberflächen

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4032232A1 (de) * 1989-10-12 1991-04-18 Enthone Verfahren zur herstellung von aluminium-plattenspeichern mit glatten, metallplattierten oberflaechen
WO1992006100A1 (fr) * 1990-10-03 1992-04-16 Office National D'etudes Et De Recherches Aerospatiales Agent de couplage du type silane, procede pour sa preparation, et son utilisation pour la realisation d'un revetement conducteur sur du verre
DE4202409A1 (de) * 1991-02-04 1992-08-06 Enthone Omi Inc Verbesserte zinkatloesungen zur behandlung von aluminium und aluminiumlegierungen
DE4112462A1 (de) * 1991-04-12 1992-10-15 Schering Ag Waessriges konditionierungsmittel fuer die behandlung von nichtleitern
DE4227836C2 (de) * 1992-08-20 1997-09-25 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur Metallisierung von Nichtleitern
EP0587159A1 (de) * 1992-09-10 1994-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 3-Thienylsiliziumverbindungen, hieraus geformter, ultradünner, chemisch adsorbierter Film und Verfahren zur Herstellung
JPH0725885A (ja) * 1993-05-14 1995-01-27 Showa Denko Kk トリアルコキシ（チエニルアルキル）シラン及びその製造法
DE19615201A1 (de) * 1996-04-18 1997-10-23 Univ Dresden Tech Verfahren zur Metallisierung von chemisch nicht oder schwer plattierbaren Metalloberflächen

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004008784B3 (de) * 2004-02-23 2005-09-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Durchkontaktierung von Feldeffekttransistoren mit einer selbstorganisierten Monolage einer organischen Verbindung als Gatedielektrikum
US7390703B2 (en) 2004-02-23 2008-06-24 Infineon Technologies, Ag Method for through-plating field effect transistors with a self-assembled monolayer of an organic compound as gate dielectric
DE102007038573A1 (de) 2007-08-16 2009-02-19 Dracowo Forschungs- Und Entwicklungs Gmbh Photopolymerisation nativer Epoxide und Verfahren ihrer Anwendung

Also Published As

Publication number Publication date
DE19815220A1 (de) 1999-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19815220C2 (de) Verfahren zur haftfesten und dichten chemischen oder galvanischen Metallisierung von Substraten sowie Haftvermittler zur Durchführung des Verfahrens
EP2145031B1 (de) Metallisierende vorbehandlung von zinkoberflächen
RU2486286C2 (ru) Способ пассивирования металлических подложек и соответствующие металлические подложки с покрытием
US6149794A (en) Method for cathodically treating an electrically conductive zinc surface
JPS6022067B2 (ja) 金属表面の皮膜形成方法
KR102181792B1 (ko) 리튬을 함유하는 지르코늄 전처리 조성물, 관련된 금속 기판 처리 방법 및 관련된 코팅된 금속 기판
EP0041638A1 (de) Verfahren zur Vorbehandlung von Edelstahl für eine direkte galvanische Vergoldung
JPH10501027A (ja) ホスフェート化された金属基体のコーティング方法
EP1088117B1 (de) Verfahren zum aufbringen einer metallischen schicht auf eine polymeroberfläche eines werkstückes
JPH05117869A (ja) 複合皮膜形成用金属表面処理剤
JPS62107096A (ja) 亜鉛メツキ鋼板の表面処理方法
EP0752453B1 (de) Lackiertes Blechbauteil, insbesondere Fahrzeugkarosserie, mit einer korrosionsschützenden Haftschicht auf Basis von Polysäuren und Verfahren zum Aufbringen einer solchen Haftschicht
JPS6230262B2 (de)
JPH0220336A (ja) 有機コーティング
DE4012086A1 (de) Verfahren zur oberflaechenvorbehandlung von metallen fuer die katodische elektrotauchlackierung
JP3131323B2 (ja) ステンレス鋼の被覆前処理方法
JPS62238399A (ja) 片面電気めつき鋼板の製造方法
DE10040993B4 (de) Verfahren zur Erzeugung von Schichten aus leitfähigem Polymer auf Metalloberflächen
DE3222140C2 (de) Anwendung des Tauch-Verzinkungsverfahrens auf die Herstellung korrosionsgeschützter Aluminiumbauteile und korrosionsgeschütztes Aluminiumbauteil
JPS6230894A (ja) 金属に対する延性ある接着力に強い亜鉛コ−テイングを電気メツキするための組成物及び方法
JPH0416338A (ja) 電磁波シールド層の形成方法
EP0504705A1 (de) Vorbehandlung von metallischen Werkstoffen für die galvanische Beschichtung mit Metall
JP3016118B2 (ja) 高耐食性表面処理鋼板とその製造方法
JP2002129350A (ja) 耐食性、密着性に優れる金属製品、製造方法及びその化成処理液
DE19615201A1 (de) Verfahren zur Metallisierung von chemisch nicht oder schwer plattierbaren Metalloberflächen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8304 Grant after examination procedure
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee