DE19813910A1 - Vorrichtung zur Wärmebehandlung von plattenförmigen beschichteten Substraten - Google Patents
Vorrichtung zur Wärmebehandlung von plattenförmigen beschichteten SubstratenInfo
- Publication number
- DE19813910A1 DE19813910A1 DE1998113910 DE19813910A DE19813910A1 DE 19813910 A1 DE19813910 A1 DE 19813910A1 DE 1998113910 DE1998113910 DE 1998113910 DE 19813910 A DE19813910 A DE 19813910A DE 19813910 A1 DE19813910 A1 DE 19813910A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrates
- containers
- treatment chamber
- cooling
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 3
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 abstract 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B25/00—Annealing glass products
- C03B25/04—Annealing glass products in a continuous way
- C03B25/06—Annealing glass products in a continuous way with horizontal displacement of the glass products
- C03B25/08—Annealing glass products in a continuous way with horizontal displacement of the glass products of glass sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B27/00—Tempering or quenching glass products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B27/00—Tempering or quenching glass products
- C03B27/04—Tempering or quenching glass products using gas
- C03B27/044—Tempering or quenching glass products using gas for flat or bent glass sheets being in a horizontal position
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B29/00—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins
- C03B29/04—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins in a continuous way
- C03B29/06—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins in a continuous way with horizontal displacement of the products
- C03B29/08—Glass sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Abstract
Bei einer Vorrichtung zur Wärmebehandlung von Glasscheiben mit einer auf dieser aufgebrachten photovoltaischen Schicht in einer absperrbaren Behandlungskammer mit einem Förderer für den Transport der Substrate durch die Behandlungskammer und mit einer Heiz- und/oder Kühlvorrichtung werden die beschichteten Substrate jeweils in kastenförmige Behältnisse eingesetzt, wobei die Behältnisse die Substrate jeweils mit geringem Spiel allseits umschließen und aus Carbonfaser verstärktem Kohlenstoff oder einer Keramik gebildet und mit einer Heizung versehen sind, wobei die Behandlungskammer und/oder die Behältnisse an eine Gasquelle und eine Saugpumpe angeschlossen sind, so daß die Substrate mit Schutzgas umspült werden können, das nach erfolgter Wärmebehandlung wieder aus der Behandlungskammer und/oder den Behältnissen abpumpbar ist.
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Wärme
behandlung von plattenförmigen beschichteten
Substraten, beispielsweise von Glasscheiben mit
einer auf dieser aufgebrachten photovoltaischen
Schicht in einer absperrbaren Behandlungskammer,
beispielsweise einer Vakuumkammer und mit einem
Förderer für den Transport der Substrate durch die
Behandlungskammer und einer Heiz- und/oder Kühl
vorrichtung.
Bekannt sind ein Verfahren und eine Vorrichtung
(US 5,248,349) zur Herstellung von preiswerten
photovoltaischen Elementen bestehend aus einer
Glasplatte von etwa 5 mm Stärke als Basis einer
auf diese Basis aufgedampften Zinnoxidschicht, ei
ner Siliziumoxidschicht, einer zweiten Fluor do
tierten Zinnoxidschicht, zwei auf dieses Schicht
paket aufgebrachte Halbleiterschichten auf Basis
von Cadmium-Tellurid bzw. Cadmium-Sulfid, einer
auf diesen Halbleiterschichten abgeschiedenen wei
teren P-Typ Halbleiterschicht auf Basis von Zink-
Tellurid, einer sehr dünnen Nickel-Schicht, einer
Aluminium-Schicht und einer Schutzlack-Schicht.
Bei dieser bekannten Vorrichtung werden die
Glasplatten mittels eines Förderers kontinuierlich
durch eine Anlage gefördert, die eine Vielzahl von
einzelnen Kammern aufweist, die mit den zur Erzeu
gung der Schichtpakete notwendigen Verdampfungs-
und Sputterquellen und mit den zum Tempern der ab
geschiedenen Schichten erforderlichen Heizelemente
und Kühlaggregate ausgestattet und durch Schleusen
voneinander getrennt sind. Die Glasscheiben selbst
liegen auf den Rollen des Förderers und werden von
diesen motorisch angetriebenen Rollen von Kammer
zu Kammer bzw. von der einen Prozeßstation zur
nächsten bewegt.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu
grunde, eine Vorrichtung zu schaffen, die geeignet
ist, Glassubstrate mit auf diesen aufgebrachten
photovoltaischen Schichten aufzuheizen und an
schließend abzukühlen, und zwar unter kontrollier
ter Atmosphäre. Insbesondere sollen bestimmte ab
dampfende (toxische) Elemente der photovoltaischen
Schicht sicher aufgefangen und entsorgt werden
können, wobei sichergestellt sein soll, daß wäh
rend der Wärmebehandlung keine zu große Menge die
ser Elemente abdampft.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst,
daß die plattenförmigen beschichteten Substrate
jeweils in kastenförmige Behältnisse eingesetzt
sind, wobei die Behältnisse die Substrate jeweils
mit geringem Spiel allseits umschließen, aus wär
mebeständigem Werkstoff, vorzugsweise aus Carbon
faser verstärktem Kohlenstoff oder einer Keramik
gebildet und mit einer Heizung versehen sind.
Vorzugsweise sind Teile der Behältniswände als Wi
derstandsheizelemente ausgebildet und mit Kontakt
fahnen versehen, die an stromleitenden Kontakt
schienen beim Durchlauf der Behältnisse durch die
Behandlungskammer anliegen und ein Aufheizen der
Heizelemente und damit der Substrate bewirken.
Mit Vorteil sind die Behandlungskammer und/oder
die Behältnisse an eine Gasquelle und eine Saug
pumpe angeschlossen, wobei die Substrate mit
Schutzgas umspült werden, das nach erfolgter Wär
mebehandlung aus der Behandlungskammer und/oder
den Behältnissen abgepumpt wird.
Um einen kostengünstigen kontinuierlichen Produk
tionsprozeß zu ermöglichen, ist die Behandlungs
kammer mit einer Schleuse versehen, über die die
Behältnisse mit dem Förderer ein- und ausge
schleust werden, wobei die Kontaktfahnen der Be
hältnisse für einen ersten Prozeßschritt nach ih
rem Eintritt in die Behandlungskammer zum Aufhei
zen der Substrate mit den stromführenden Schienen
in Kontakt geraten und die Behältnisse danach für
einen zweiten Prozeßschritt einer Kühlgasdusche
ausgesetzt werden, die die Behältnisse und die von
ihnen umschlossenen Substrate abkühlt.
Zweckmäßigerweise ist die Behandlungskammer in
mehrere Abteilungen aufgeteilt, die über Schleusen
miteinander verbunden sind, wobei eine der Abtei
lungen mit einer Schutzgasquelle und die dieser
benachbarte Abteilung mit einer Saugpumpe und eine
dritte Abteilung mit einer Kühlgasquelle verbunden
ist.
Um eine rundum gleichmäßige Wärmebehandlung zu er
möglichen sind die Behältnisse für die Substrate
mit Zwischenböden oder ihre Bodenteile mit Stützen
versehen, auf denen die Substrate aufliegen, die
aus Graphit oder einer Keramik gebildet sind.
Vorzugsweise sind jeweils das Bodenteil und der
Deckel eines Behältnisses über ein die Seitenwände
bildendes Rahmenteil aus elektrisch isolierendem
Werkstoff miteinander verbunden.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind in der
Abteilung zum Kühlen der Substrate bewegliche
Greifer gelagert, die nach dem Eintritt eines Be
hältnisses das Deckelteil und/oder das Bodenteil
vom Rahmenteil abheben und die vom Rahmenteil oder
vom Bodenteil gehaltenen Substrate unmittelbar dem
Kühlmittelstrom aussetzen.
Erfindungsgemäß ist die Kühldusche aus einer in
der Kühlabteilung beweglich gehaltenen Platte ge
bildet, deren dem Substrat zugekehrte Seite mit
einer Vielzahl von feinen Gasdüsen versehen ist,
die sämtlich mit der Kühlgasquelle verbunden sind,
wobei die Platte sich in einer Ebene parallel der
Ebene des Substrats erstreckt.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausfüh
rungsmöglichkeiten zu; einige davon sind in den
anhängenden Zeichnungen rein schematisch näher
dargestellt und zwar zeigen:
Fig. 1 ein Behältnis in Längsschnitt mit
Substrat, wobei das Substrat auf einer
Zwischenwand aufliegt,
Fig. 2 ein Behältnis im Längsschnitt mit ei
nem auf dem Bodenteil aufliegenden
Substrat,
Fig. 3 das Behältnis gemäß Fig. 2, jedoch mit
Kontaktfahnen zur Stromübertragung auf
das Deckelteil und das Bodenteil,
Fig. 4 einen Schnitt quer durch eine Behand
lungskammer mit einem in dieser ange
ordneten Behältnis mit Substrat und
jeweils einer oberhalb und einer un
terhalb des Behältnisses angeordneten
Kühlplatte,
Fig. 5 einen Schnitt quer durch eine Behand
lungskammer mit einem in dieser ange
ordneten Behältnis und mit Vorrichtung
zum Abheben des Deckelteils und des
Bodenteils des Behältnisses und mit
Kühlplatten,
Fig. 6 einen Schnitt quer durch eine Behand
lungskammer mit einem in dieser gehal
tenen Behältnis und mit oberhalb und
unterhalb des Behältnisses vorgesehe
nen an einen Kühlmittelkreislauf ange
schlossenen Kühlplatten,
Fig. 7 eine Behandlungskammer ähnlich derje
nigen nach Fig. 6, jedoch mit zwischen
den beiden Kühlplatten einerseits und
dem Behältnis angeordneten Abschirmfo
lien und,
Fig. 8 einen Schnitt quer durch eine Behand
lungskammer mit einem in dieser gehal
tenen Behältnis mit Substrat und einer
Rohrleitung mit eingeschaltetem Meßge
rät, das den Innenraum des Behältnis
ses mit dem Innenraum der Behandlungs
kammer verbindet, wobei das Meßgerät
ein in eine zur Behandlungskammer füh
rende Gaszufuhrleitung eingeschaltetes
Ventil steuert.
Wie Fig. 1 zeigt, besteht das Behältnis aus einem
Rahmenteil 3, einem Deckel 4, einem Bodenteil 5
und einer im Rahmenteil 3 gehaltenen Stützplatte 6
auf der das Substrat 7 aufliegt. Das Rahmenteil 5
und der mit diesem verbundene Deckel 4 und auch
das Bodenteil 5 sind aus Carbonfaser verstärktem
Kohlenstoff (CFC), Quarz oder Graphit gefertigt,
wobei die Abmessungen dieser Teile von denjenigen
des Substrats 7 bestimmt sind, d. h. der zwischen
den Innenwänden des Behältnisses und dem Substrat
7 verbleibende Hohlraum ist so klein wie möglich
bemessen.
Bei der Ausführungsform nach Fig. 2 fehlt eine be
sondere Stützplatte für das Substrat 7 das unmit
telbar auf dem Bodenteil aufliegt.
Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 3 ist der Rah
men 9 aus einem elektrisch isolierendem Werkstoff
gefertigt und das Deckelteil 9 und das Bodenteil
10 sind jeweils mit einem Paar von Schleifkontak
ten 11, 11' bzw. 12, 12' versehen, die mit Strom
schienen zusammenwirken, die in der nicht näher
dargestellten Behandlungskammer vorgesehen sind,
und zwar derart, daß das Deckelteil 9 und das Bo
denteil 10 direkt als Widerstandsheizelemente wir
ken und das Substrat 7 aufheizen.
Die in den Fig. 1 bis 3 dargestellten Behält
nisse werden in eine Behandlungskammer gefördert,
die hermetisch verschließbar ist und sowohl an ei
ne Gasquelle als auch an eine Saugpumpe ange
schlossen ist. Das Behältnis und damit auch das
Substrat wird innerhalb der Behandlungskammer auf
geheizt, so daß die auf das Substrat 7 aufgebrach
te Schicht eine Wärmebehandlung erfährt, wobei aus
der Schicht abdampfende Substanzen, beispielsweise
Selen nicht ins Freie austreten können, sondern
nach erfolgter Behandlung abgesaugt werden können.
Der Vorteil der Behältnisse mit geringem Volumina
besteht im wesentlichen darin, daß nur relativ ge
ringe Mengen an Substanzen (z. B. Selen) abdampfen
und damit der Schicht verloren gehen. Je kleiner
das Volumen ist, um so eher wird das Volumen mit
Selen gesättigt, so daß der Verlust aus der
Schicht tolerierbar bleibt.
Während des Heizvorgangs kann die Behandlungskam
mer und damit auch das Innere des nicht vollstän
dig dichten Behältnisses mit einem Schutzgas ge
füllt sein (z. B. H2S), das nach erfolgter Wärme
behandlung (nach der Alterung und Stabilisierung)
der Schicht zusammen mit den abgedampften
(toxischen) Substanzen (Selen) abgepumpt werden
kann, so daß eine kontrollierte Entsorgung der
Substanzen (des Selens) erfolgen kann.
In der Darstellung gemäß Fig. 4 ist das Behältnis
mit dem Substrat 7 zum Zwecke seiner kontrollier
ten Abkühlung in die unmittelbare Nachbarschaft
von seitlich verfahrbaren Kühlplatten 13, 14; 13',
14' gefördert, wobei das Behältnis auf Stützen 15,
15' ruht. Die Kühlplatten 13, 13' sind von Kühl
wasser durchströmt und weisen an ihren dem Behält
nis zugekehrten Flächen Düsen auf, über die ge
kühltes Gas auf das Behältnis strömt. In Fig. 4.
ist außerdem strichliert angedeutet, daß das Dec
kelteil 4 vom Rahmenteil 8 abgehoben werden kann
(mittels eines nicht näher dargestellten Greifer
systems), so daß die Kühlplatten 13, 13' das
Substrat 7 unmittelbar kühlen können.
In der Darstellung nach Fig. 5 ist eine Vorrich
tung 16 zum Abhebendes Deckelteils 4 dargestellt,
wobei die Kühlplatten 17, 17' in Pfeilrichtung A,
B verfahrbar sind und im übrigen mit Anschlüssen
für die Gasversorgung und das Kühlmittel 18, 18'
versehen sind. Das Behältnis ruht auf den Stützen
19, 19' und die unterhalb des Behältnisses vorge
sehene Kühlplatte 20 ist mittels der Hubeinrich
tung 21 auf- und abbewegbar.
Die Ausführungsform gemäß Fig. 6 ähnelt derjenigen
nach Fig. 5, jedoch mit dem Unterschied, daß die
beiden Kühlplatten 21, 22 mittels der Hubeinrich
tungen 23, 24 nur vertikal bewegbar sind, ein be
sonderes Greifersystem zum Abnehmen des Deckel
teils 4 jedoch eingespart wird.
Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 7 sind besonde
re Abschirmfolien 25, 26 oberhalb bzw. unterhalb
des Behältnisses vorgesehen, die geeignet sind,
den Kühlprozeß zu optimieren.
In Fig. 8 ist das Prinzip einer Behandlungskammer
27 mit einem in dieser angeordneten Behältnis 28
gezeigt, wobei der Innenraum 29 des Behältnisses
28 über eine Rohrleitung 30 mit dem Innenraum der
Behandlungskammer 27 verbunden ist und ein Sensor
bzw. ein Meßgerät 31 die Druckdifferenz zwischen
beiden Räumen 29, 32 ermittelt und ein Ventil 33
steuert, das in die Gaszufuhrleitung 34 zur Be
handlungskammer 32 eingeschaltet ist.
Claims (9)
1. Vorrichtung zur Wärmebehandlung von plattenför
migen beschichteten Substraten (7), beispiels
weise von Glasscheiben mit einer auf dieser
aufgebrachten photovoltaischen Schicht in einer
absperrbaren Behandlungskammer (27, 27'), bei
spielsweise einer Vakuumkammer und mit einem
Förderer für den Transport der Substrate (7)
durch die Behandlungskammer (27, 27') und einer
Heiz- und/oder Kühlvorrichtung (13, 13', 14,
14', 17, 17', 20, 21, 22), dadurch gekennzeich
net, daß die Substrate (7) jeweils in kasten
förmige Behältnisse (3, 4, 5 bzw. 8, 9, 10 bzw.
28) eingesetzt sind, wobei die Behältnisse die
Substrate (7) jeweils mit geringem Spiel all
seits umschließen und aus einem wärmebeständi
gen Werkstoff, vorzugsweise aus Carbonfaser
verstärktem Kohlenstoff oder einer Keramik ge
bildet und mit einer Heizung versehen sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß Teile (9, 10) der Behältniswände
als Widerstandsheizelemente ausgebildet und mit
Kontaktfahnen (11, 11', 12, 12') versehen sind,
die an stromleitenden Kontaktschienen beim
Durchlauf der Behältnisse (8, 9, 10) durch die
Behandlungskammer anliegen und ein Aufheizen
der Wandteile (9, 10) und damit des Substrates
(7) bewirken.
3. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 und 2, da
durch gekennzeichnet, daß die Behandlungskammer
(27''') und/oder das Behältnis (28) an eine
Gasquelle (34) und eine Saugpumpe (35) ange
schlossen sind, und die Substrate (7) mit
Schutzgas umspült werden das nach erfolgter
Wärmebehandlung aus der Behandlungskammer
(27''') und/oder den Behältnissen (28) abge
pumpt wird.
4. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 3, da
durch gekennzeichnet, daß die Behandlungskammer
mit einer Schleuse versehen ist über die die
Behältnisse mit dem Förderer ein- und ausge
schleust werden, wobei die Behältnisse für ei
nen ersten Prozeßschritt nach ihrem Eintritt in
die Behandlungskammer zum Aufheizen der
Substrate (7) mit den stromführenden Schienen
in Kontakt geraten und danach für einen zweiten
Prozeßschritt einer Kühlgasdusche ausgesetzt
werden, die die Behältnisse und die von ihnen
umschlossenen Substrate (7) abkühlt.
5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vor
hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Behandlungskammer in mehrere Abteilun
gen aufgeteilt ist, die über Schleusen mitein
ander verbunden sind, wobei eine der Abteilun
gen mit einer Schutzgasquelle (34) und die die
ser benachbarten Abteilung mit einer Saugpumpe
(35) und eine dritte Abteilung mit einer Kühl
gasquelle verbunden ist.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vor
hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Behältnisse für die Substrate (7) mit
Zwischenböden (6) oder ihre Bodenteile mit
Stützen versehen sind, auf denen die Substrate
aufliegen und die aus Graphit oder einer Kera
mik gebildet sind.
7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vor
hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß jeweils das Bodenteil (10) und der Deckel
- (9) eines Behältnisse über ein die Seitenwände bildendes Rahmenteil (8) aus elektrisch isolie rendem Werkstoff miteinander verbunden sind.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß in der Abteilung zum Kühlen der
Substrate bewegliche Greifer (16) gelagert
sind, die nach dem Eintritt eines Behältnisses
das Deckelteil (4) und/oder das Bodenteil vom
Rahmenteil abheben und die vom Rahmenteil oder
vom Bodenteil gehaltenen Substrate unmittelbar
dem Kühlmittelstrom aussetzen.
9. Vorrichtung nach den Ansprüchen 5 oder 8, da
durch gekennzeichnet, daß die Kühldusche aus
einer in der Kühlabteilung beweglich gehaltenen
Platte (13, 13' bzw. 17, 17' bzw. 20 bzw. 21,
22) gebildet ist, deren dem Substrat zugekehrte
Seite mit einer Vielzahl von feinen Gasdüsen
versehen ist, die sämtlich mit einer Kühlgas
quelle verbunden sind, wobei die Platte sich in
einer Ebene parallel der Ebene des Substrats
erstreckt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998113910 DE19813910A1 (de) | 1998-03-28 | 1998-03-28 | Vorrichtung zur Wärmebehandlung von plattenförmigen beschichteten Substraten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998113910 DE19813910A1 (de) | 1998-03-28 | 1998-03-28 | Vorrichtung zur Wärmebehandlung von plattenförmigen beschichteten Substraten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19813910A1 true DE19813910A1 (de) | 1999-09-30 |
Family
ID=7862776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1998113910 Withdrawn DE19813910A1 (de) | 1998-03-28 | 1998-03-28 | Vorrichtung zur Wärmebehandlung von plattenförmigen beschichteten Substraten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19813910A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001038241A1 (de) * | 1999-11-25 | 2001-05-31 | Schott Glas | Verfahren und vorrichtung zum tempern von flachen körpern |
DE10119490B4 (de) * | 2000-04-21 | 2006-04-27 | Tokyo Electron Ltd. | Verfahren und Vorrichtung zum Prozessieren von Substraten |
DE102005026176B3 (de) * | 2005-06-06 | 2007-01-04 | Universität Konstanz | Verfahren zur flächigen Kontaktierung von Halbleiterbauelementen mit reduzierter Durchbiegung sowie entsprechendes Halbleiterbauelement und Herstellungsvorrichtung |
WO2014093187A1 (en) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | Corning Incorporated | Method and system for making a glass article with uniform mold temperature |
TWI481058B (zh) * | 2012-05-24 | 2015-04-11 | Sunshine Pv Corp | 薄膜太陽能電池的退火裝置 |
TWI481057B (zh) * | 2012-05-24 | 2015-04-11 | Sunshine Pv Corp | 薄膜太陽能電池的退火裝置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1012195A (en) * | 1963-03-26 | 1965-12-08 | Degussa | Vacuum furnaces |
US4149923A (en) * | 1977-07-18 | 1979-04-17 | Tokyo Ohka Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for the treatment of wafer materials by plasma reaction |
GB1546897A (en) * | 1975-04-07 | 1979-05-31 | Union Carbide Corp | Apparatus and process for surface treatment of articles |
DE3427056A1 (de) * | 1984-07-23 | 1986-01-23 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Anlage zum herstellen von halbleiter-schichtstrukturen durch epitaktisches wachstum |
US5248349A (en) * | 1992-05-12 | 1993-09-28 | Solar Cells, Inc. | Process for making photovoltaic devices and resultant product |
DE4303462C2 (de) * | 1992-03-30 | 1994-03-31 | Leybold Ag | Mehrkammerbeschichtungsanlage |
US5609459A (en) * | 1995-07-06 | 1997-03-11 | Brooks Automation, Inc. | Door drive mechanisms for substrate carrier and load lock |
-
1998
- 1998-03-28 DE DE1998113910 patent/DE19813910A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1012195A (en) * | 1963-03-26 | 1965-12-08 | Degussa | Vacuum furnaces |
GB1546897A (en) * | 1975-04-07 | 1979-05-31 | Union Carbide Corp | Apparatus and process for surface treatment of articles |
US4149923A (en) * | 1977-07-18 | 1979-04-17 | Tokyo Ohka Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for the treatment of wafer materials by plasma reaction |
DE3427056A1 (de) * | 1984-07-23 | 1986-01-23 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Anlage zum herstellen von halbleiter-schichtstrukturen durch epitaktisches wachstum |
DE4303462C2 (de) * | 1992-03-30 | 1994-03-31 | Leybold Ag | Mehrkammerbeschichtungsanlage |
US5248349A (en) * | 1992-05-12 | 1993-09-28 | Solar Cells, Inc. | Process for making photovoltaic devices and resultant product |
US5470397A (en) * | 1992-05-12 | 1995-11-28 | Solar Cells, Inc. | Process for making photovoltaic devices and resultant product |
US5609459A (en) * | 1995-07-06 | 1997-03-11 | Brooks Automation, Inc. | Door drive mechanisms for substrate carrier and load lock |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
BROWLING,Allen, DAVIS,Cecil J.: Managing contamination during advanced wafer processing. In: Solid State Technology, Feb. 1994, S.45-50 * |
DAVIET,Jean-François: Rapid Thermal Processing of Semiconductor Wafers. In: J. Electrochem. Soc., Vol.144, No.2, Feb. 1997, S.753-758 * |
JP 08000977 A.,In: Patent Abstracts of Japan * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001038241A1 (de) * | 1999-11-25 | 2001-05-31 | Schott Glas | Verfahren und vorrichtung zum tempern von flachen körpern |
DE10119490B4 (de) * | 2000-04-21 | 2006-04-27 | Tokyo Electron Ltd. | Verfahren und Vorrichtung zum Prozessieren von Substraten |
DE102005026176B3 (de) * | 2005-06-06 | 2007-01-04 | Universität Konstanz | Verfahren zur flächigen Kontaktierung von Halbleiterbauelementen mit reduzierter Durchbiegung sowie entsprechendes Halbleiterbauelement und Herstellungsvorrichtung |
TWI481058B (zh) * | 2012-05-24 | 2015-04-11 | Sunshine Pv Corp | 薄膜太陽能電池的退火裝置 |
TWI481057B (zh) * | 2012-05-24 | 2015-04-11 | Sunshine Pv Corp | 薄膜太陽能電池的退火裝置 |
WO2014093187A1 (en) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | Corning Incorporated | Method and system for making a glass article with uniform mold temperature |
US9446977B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-09-20 | Corning Incorporated | Method and system for making a glass article with uniform mold temperature |
US9975800B2 (en) | 2012-12-10 | 2018-05-22 | Corning Incorporated | Method and system for making a glass article with uniform mold temperature |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3442844C2 (de) | Vorrichtung zur Behandlung einer Probe im Vakuum | |
DE4235953C2 (de) | Sputterquelle mit einer linearen Hohlkathode zum reaktiven Beschichten von Substraten | |
DE69833832T2 (de) | Vorrichtung zum Reinigen und Trocknen, Scheibenprozesssystem und Scheibenprozessverfahren | |
DE19549487C2 (de) | Anlage zur chemischen Naßbehandlung | |
DE112006001996B4 (de) | Vakuumbearbeitungsvorrichtung | |
DE69838273T2 (de) | Verfahren zum Reinigen und Trocknen von zu verarbeitenden Objekte | |
EP2026927B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur temperaturbehandlung, insbesondere lotverbindung | |
DE112007002218T5 (de) | Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb | |
EP0219059B1 (de) | Vorrichtung zum Heissverzinnen von Leiterplatten und Verfahren zum Verlöten der Anschlüsse von Bauteilen mit den Leiterbahnen und Lötaugen einer Leiterplatte | |
DE2812271A1 (de) | Vorrichtung zum chargenweisen beschichten von substraten mit mehreren schleusenkammern | |
DE112007002217T5 (de) | Bedampfungsvorrichtung | |
DE19813910A1 (de) | Vorrichtung zur Wärmebehandlung von plattenförmigen beschichteten Substraten | |
DE2242916B2 (de) | Einrichtung zum Transportieren von zu beschichtenden Substraten durch eine Vakuumanlage | |
DE19952604B4 (de) | Vorrichtung zum Ausbilden eines Beschichtungsfilms | |
DE19713203C1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Oberflächenbehandeln durch Tauchen | |
DE19652526C2 (de) | Transporteinrichtung für Substrate und Verfahren zum Beladen der Transporteinrichtung mit Substraten | |
DE2220122B2 (de) | Ofenanlage zur Erhitzung von Werkstücken | |
DE69727658T2 (de) | Kontinuierlicher Ofen mit hohem Durchsatz für Diffusionsbehandlung mit verschiedenen Diffusionsquellen | |
DE2244913C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Wärmebehandlung von Bandstahl | |
DE102010028958B4 (de) | Substratbehandlungsanlage | |
DE3214256C2 (de) | ||
EP1026724A2 (de) | Verfahren und Anordnung zur Wärmebehandlung von flächigen Gegenständen | |
DE3448572C2 (de) | Verfahren zur Durchführung einer Behandlung unter Vakuum | |
CH643303A5 (en) | Appliance for coating surfaces by means of cathode sputtering | |
DE19917039C1 (de) | Anlage und Verfahren zur Wärmebehandlung von Teilen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: ALD VACUUM TECHNOLOGIES AG, 63450 HANAU, DE |
|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |