DE19811115A1 - Verfahren zur Behandlung von Wafern beim Dünnen und Sägen - Google Patents

Verfahren zur Behandlung von Wafern beim Dünnen und Sägen

Info

Publication number
DE19811115A1
DE19811115A1 DE19811115A DE19811115A DE19811115A1 DE 19811115 A1 DE19811115 A1 DE 19811115A1 DE 19811115 A DE19811115 A DE 19811115A DE 19811115 A DE19811115 A DE 19811115A DE 19811115 A1 DE19811115 A1 DE 19811115A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
sawing
cutting
thinning
mechanical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19811115A
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JAKOB, ANDREAS, 82319 STARNBERG, DE DORNER, JOHANN
Original Assignee
Stromberg Michael
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stromberg Michael filed Critical Stromberg Michael
Priority to DE19811115A priority Critical patent/DE19811115A1/de
Priority to AU31448/99A priority patent/AU3144899A/en
Priority to PCT/EP1999/001602 priority patent/WO1999048137A2/de
Priority to DE19980448T priority patent/DE19980448D2/de
Publication of DE19811115A1 publication Critical patent/DE19811115A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

Anwendungsgebiet
Das Verfahren soll es erleichtern dünnere Wafer zu fertigen und/oder sicherer zu bearbeiten und/oder den Fertigungsaufwand beim Herstellen von elektrischen Bauelementen und/oder Schaltungen und/oder Sensoren usw. zu reduzieren und/oder kostengünstiger zu gestalten und/oder den Einsatz von Laserstrahlschneidverfahren zu ermöglichen und/oder zu erleichtern.
Stand der Technik
Vorbemerkung: Die Beschreibung der gegenwärtigen Verfahrensweise (Stand der Technik) ist oberflächlich und kann von Anwender zu Anwender abweichen.
Bei der Herstellung von elektrischen Bauelementen und Schaltungen (Dioden, Transistoren, IC's, Sensoren etc.) werden auf Wafer (Scheiben aus Silizium, GaAs etc.) mittels verschiedener Technologien Strukturen, Schichten u. ä. aufgebracht.
Gegenwärtig werden diese Wafer nach Abschluß der hierzu notwendigen Fertigungsschritte auf der Vorderseite (aktive Seite bzw. Seite auf der sich die aufgebrachten Strukturen befinden) mit einer Schutzfolie oder einer sonstigen Schutzschicht versehen. Diese Folie bzw. Schicht hat die Aufgabe, die Waferoberseite und somit die aufgebrachten elektrischen und mechanischen Strukturen während des anschließend folgenden Dünnen des Wafers (Grinden, Lappen, Schleifen oder Ätzen der Rückseite) zu schützen. Nach Aufbringen der Folie oder Schicht wird der Wafer auf der rückwärtigen Seite gedünnt. Dadurch wird die ursprüngliche Dicke des Wafers reduziert. Die verbleibende Restdicke wird nachhaltig von den zu erwartenden mechanischen Belastungen der nachfolgenden Prozeßschritte bestimmt die ohne signifikante Erhöhung einer Bruchgefahr überstanden werden müssen.
Nach dem Dünnen kann sich zur Verbesserung der Brucheigenschaften des Wafers eine chemische Behandlung der Waferrückseite anschließen.
Nach eventuellen weiteren Reinigungsschritten wird die Schutzfolie von der Waferoberseite abgezogen bzw. entfernt.
Es können sich nun eventuelle weitere Fertigungsschritte und/oder Maßnahmen der Verbesserung von Eigenschaften und/oder Untersuchungen anschließen.
Hiernach wird der Wafer mit der Rückseite nach unten (aktive Seite nach oben) auf eine Sägefolie (Expansionsfolie bzw. Rahmen) aufgelegt. Abschließend erfolgt das Sägen des Wafers (Vereinzeln der Bauteile) mittels Rotationstrennscheiben oder anderer mechanischer Sägevorrichtungen.
Nachteile des Standes der Technik
Mit dem gegenwärtigen Verfahren ist es sehr schwierig dünne Wafer zu handeln bzw. herzustellen. Diese Schwierigkeiten ergeben sich u. a. aus dem Umstand, daß der Wafer nach dem Dünnen mechanischen Belastungen ausgesetzt werden muß. Diese Belastungen treten auf:
  • a) Während dem Abziehen der Schutzfolie bzw. Schutzschicht die während des Dünnen die Wafervorderseite schützt.
  • b) Während des Auflegen des Wafers auf die Sägefolie.
  • c) Während des Transportes zwischen dem Dünnen und dem Sägen des Wafers und aller eventuell dazwischen geschalteten Fertigungsschritte.
Mit dem gegenwärtigen Verfahren ist es sehr schwierig und teilweise unmöglich, Wafer mittels Laserstrahl effizient und/oder kostengünstig zu schneiden. Die zur Zeit verfügbaren Laser haben, so sie die geeigneten Strahlqualitäten besitzen, nur unzureichende Strahlleistungen um dickere Wafer zu sägen. Da nach dem Stand der Technik der Wafer nach dem Dünnen noch wie voran unter a. bis c. beschrieben, behandelt werden muß, ist eine Mindestdicke des Wafers notwendig. Diese Dicke erschwert bzw. behindert den Einsatz von Laser zum Trennen nachhaltig und bedingt vielfach den Einsatz der mechanischer Sägeverfahren.
Neben dem Umstand, daß mechanische Sägen den Wafer mechanisch belasten und somit Beschädigen verursachen, weisen sie im Vergleich zum Sägen mittels Laser weitere Nachteile auf (Nachteile bei z. B. Schnittgeschwindigkeit, Verbrauch von Verbrauchsmaterialien wie Trennscheiben, Notwendigkeit von Kühlflüssigkeit, Partikelbelastung, Beschränkungen hinsichtlich Breite der Schneidgräben und der diesbezüglichen Sicherheitsabstände, hohe Betriebskosten, hoher Wartungsaufwand, Beschränkungen hinsichtlich der Anordnung der Bauelemente usw.).
Bei den gegenwärtigen Verfahren ist der Gebrauch einer Schutzfolie bzw. Schutzschicht notwendig. Diese übernimmt nach dem Dünnen keine weitere Funktion mehr.
Bei den gegenwärtigen Verfahren muß der Wafer nach Dünnen aufwendig gehandelt bzw. behandelt werden (mehrere Fertigungsschnitte).
Bei den gegenwärtigen Verfahren unterliegt der Wafer einer erhöhten Gefährdung durch Bruch.
Bei den gegenwärtigen Verfahren ist es schwierig, den Wafer mit der Rückseite nach oben (aktive Seite liegt auf der Schneidfolie) zu schneiden.
Aufgabe der Erfindung
Aufgabe der Erfindung ist es, den Fertigungsablauf nach dem Dünnen zu vereinfachen, wirtschaftlicher zu gestalten und das Handeln bzw. Behandeln von dünnen Wafern zu erleichtern. Weiterhin soll die Erfindung ermöglichen, daß Wafer mittels Laserstrahl einfacher und wirtschaftlicher vereinzelt bzw. geschnitten werden können.
Lösung der Aufgabe
Der Wafer wird vor dem Dünnen (Schleifen der Rückseite) mit der Vorderseite nach unten auf eine Folie oder ähnlichen Schicht aufgelegt. Diese Folie oder Schicht erfüllt eine Doppelfunktion. Sie schützt während des Dünnen die Wafervorderseite, vermindert die mechanischen Belastungen die durch nachfolgendes Behandeln und Transportieren des Wafers entstehen, schützt die Wafervorderseite vor Verunreinigungen und dient abschließend als Sägefolie.
Vorteile der Erfindung
Das Verfahren ermöglicht die Realisierung wesentlicher technologischer Vorteile in der Fertigung und Handhabung von Wafern zum Zwecke der Herstellung von Halbleitern (elektrischen Bauelementen, IC's, Sensoren etc.). Mit dem Verfahren wird die Fertigung vereinfacht und kostengünstiger gestaltet.
Weiterhin ermöglicht das Verfahren, dünnere Waferscheibendicken einfacher, wirtschaftlicher und sicherer zu herzustellen.
Weiterhin ermöglicht das Verfahren den effektiveren und/oder wirtschaftlicheren Einsatz von Laserstrahlen zum Zwecke des Sägens.
  • - Durch die Anwendung des Verfahrens kann die Wahrscheinlichkeit eines Bruches von Wafern minimiert werden. Dadurch wird es möglich, dünnere Wafer als bisher herzustellen und sicher zu handeln. Dieses resultiert aus dem Faktum, daß der Wafer zwischen dem Dünnen (Rückseitenschleifen bzw. Grinding) und dem Trennprozeß (Schneiden bzw. Dicen) geringeren mechanischen Belastungen ausgesetzt wird.
  • - Durch die Anwendung des Verfahrens ist es möglich mehrere Fertigungsschritte einzusparen.
    Es kann das Abtrennen (Abziehen) der Schutzfolie oder Schutzschicht (sie schützt die Waferoberfläche (aktive Seite) während des Dünnen (Rückseitenschleifen)) entfallen.
    Es kann das Auflegen auf die Expansionsfolie (Rahmen) vor dem Trennprozeß entfallen. Dieses Fertigungsschritt ist überflüssig, da die Folie, die vor dem Dünnen des Wafers aufgebracht wird, auch während des Trennprozeß als Schneidfolie benutzt werden kann.
    Es kann u. U. eine gegenwärtig zum Teil eingesetzte Nachbehandlung der Waferrückseite nach dem Dünnen entfallen. Diese Nachbehandlung dient zur Zeit dazu, die während des Dünnen entstandenen Beschädigungen (Mikrorisse etc.) zu verringern. Die Behandlung soll es ermöglichen, den Wafer anschließend höheren mechanischen Belastungen aussetzen zu können.
  • - Durch die Anwendung des Verfahrens ist es möglich die Anwendung von Laserstrahlen zum Trennen bzw. Vereinzeln von Wafern effektiver einzusetzen. Dieses resultiert aus dem Faktum, daß die gegenwärtigen Verfahren des Behandeln des Wafers ein Mindestmaß an Dicke voraussetzten. Diese Waferdicke erschwert nachfolgend den Einsatz von Laser zum Trennen.
  • - Durch die Anwendung des Verfahrens ist es möglich allgemeine Vorteile des Trennen mit Laserstrahl wahrzunehmen. Diese Vorteile sind u. a. die gegenüber mechanischen Sägeverfahren höheren Schnittgeschwindigkeiten. Dieser Vorteil läßt sich weitergehend verbessern, da das beschriebene Verfahren die Herstellung extrem dünner Wafer vereinfacht und/oder ermöglicht und somit das Sägen mittels Laserstrastrahl erleichtert. Die Schnittgeschwindigkeit eines Lasers ist u. a. abhängig von der Dicke des Wafers und der Leistung des eingesetzten Lasers.
  • - Weiterhin lassen sich die für das mechanische Sägen typischen Beschädigungen der Schnittkante (Ausbrechungen) vermeiden.
  • - Weiterhin ist es möglich mittels Einsatz von Laser gegenüber den derzeitigen Verfahren geringere Schnittgrabenbreiten zu erzielen.
  • - Weiterhin ist es u. U. möglich gegenüber den derzeitigen Verfahren geringere Sicherheitsabstände (Abstand zwischen Schnittkante und aktiven Strukturen) zu realisieren und somit eine wirtschaftlichere Ausnutzung der Waferoberfläche zu erzielen.
  • - Weiterhin ist es möglich die Waferoberfläche mittels besserer Anordnung der Bauelemente besser auszunutzen. Die gegenwärtigen Verfahren bedingen eine durchgehende Gestaltung der Schneid- und Ritzgräben. Die Verwendung von Laser ermöglicht es, mittels Abschaltung oder Ablenkung des Laserstrahls frei wählbarer Strukturen und Konturen zu folgen. Die Bauelemente können somit frei angeordnet werden. So ist eine verbesserte und wirtschaftlichere Anordnung der Bauelemente auf dem Wafer zu realisieren.
  • - Weiterhin ist es möglich bzw. erleichtert den Wafer upside down (die aktive Oberfläche liegt auf der Folie) zu sägen. Dieses ist mit den gegenwärtigen Verfahren mit Nachteilen verbunden. Mechanische Sägeverfahren neigen dazu Ausbrechungen an der Waferrückseite (diese liegt u. a. wegen dieser Erscheinung mit der Waferrückseite auf der Sägefolie) zu erzeugen.
  • - Weiterhin ist es möglich die Partikelbelastung der Waferoberfläche zu reduzieren. Beim mechanischen Sägen wird die Waferoberfläche ungeschützt den beim Schneiden entstehenden Partikeln und der eingesetzter Kühl- und/oder Schneidflüssigkeiten ausgesetzt. Beim Sägen mittels Laserstrahl ist die Wafervorderseite durch die aufgebrachte Folie oder Schicht geschützt.
Beispielbeschreibung
Angenommene Voraussetzung ist, daß der Wafer bereits die Fertigungsschritte zum Aufbringen der elektrischen Bauelemente (Dioden, Transitoren, Sensoren usw.) bzw. mechanischer Strukturen und Schichten maßgeblich durchlaufen hat.
Zum Zwecke des Verringern der Waferscheibendicke soll er nun mittels eines mechanischen oder chemischen Verfahrens behandelt werden. Hierbei wird vorab zum Zwecke des Schutzes des Wafers (z. B. gegen Partikel, Bruchbelastung usw.) auf dessen Oberseite (die Seite auf der sich die aufgebrachten Strukturen und Schichten befinden) eine Folie oder eine ähnliche Form von Schicht aufgebracht.
Nach Abschluß des Dünnen (Verfahren wie z. B. Lappen, Schleifen u. ä.) des Wafers wird dieser zusammen mit der aufgebrachten Folie oder Schicht der hierfür verwandten Einrichtung entnommen und kann dabei ggf. zusätzlich durch eine mechanische Vorrichtung gegen mechanischen Belastung geschützt bzw. unterstützt werden.
Weiterhin ist es möglich, daß vor oder nach Entnahme Prozesse zum Zwecke der Reduzierung von Oberflächendefekten auf der Rückseite und/oder zum Zwecke der Reinigung des Wafers durchgeführt werden.
Nach oder vor der Entnahme des Wafers ist es weiterhin möglich, daß der Wafer zum Zwecke von Untersuchungen oder weiterer Fertigungsschritte weiteren Behandlungen zugeführt wird.
Zweck der Erfindung bzw. des beschriebenen Verfahrens ist es hierbei, daß der Wafer und dessen Oberfläche weiterhin mittels der aufgebrachten Folie oder Schicht geschützt wird.
Der Wafer wird nun oder ggf. anschließend zum Zwecke dpa Sägens des Wafers (Vereinzeln, Fachbegriff "Dicen") einer Sägeeinrichtung zugeführt.
Zum Zwecke des Positionieren des Wafers (das exakte Ausrichten des Wafers/so daß die Sägeeinrichtung mit großmöglichster Genauigkeit die vorgesehenen Strukturen und Figuren sägen kann/Fachbegriff "Aligment") werden optische und mechanische Verfahren eingesetzt.
Hierbei ist u. a. möglich den Wafer mittels Strahlung geeigneter Wellenlänge so zu durchleuchten oder zu beleuchten, daß die hierfür vorgesehenen Strukturen und Markierungen erkannt werden können.
Nach dem Ausrichten des Wafers oder der Sägeeinrichtung wird der Sägevorgang in Gang gesetzt. Hierbei fährt vorzugweise ein Laser die zum Schneiden vorgesehenen Strukturen, Konturen und/oder Linien schneidet mittels seines Strahls. Dieser Vorgang wird durch geeignete Einrichtungen wie optische, elektrische oder mechanische Mess- und Regeleinrichtungen überwacht und ggf. nachgesteuert.
Während oder nach dem Sägen der Wafers ist es vorgesehen und möglich durch geeignete Einrichtungen die entstehenden Partikel, Gase sind Stäube abführen, abzublasen oder abzusaugen.
Nach Abschluß des Sägens des Wafers kann die Folie evtl. zum Zwecke einer vereinfachten Entnahme der nun vereinzelt vorliegenden Bauelemente expandiert werden. Dieses ist aber nicht immer zwingend.
Die Entnahme der Bauelemente kann durch die derzeitig bekannten Verfahren wie z. B. Ansaugen mittels Vakuum oder "pick and place" erfolgen.
Die Erkennung der guten Bauelemente (Unterscheidung von als schlecht oder gut getesteten Bauelementen) ist mittels der beim vorgehenden Testen und Proben des Wafers ermittelten Daten möglich (Fachbegriff "Wafermapping").
Weiterhin ist es möglich, einen Inkpunkt oder eine ähnliche Markierung auf der Bauteilvorder- oder -rückseite so zu gestalten, daß dieser oder diese (evtl. durch den Wafer hindurch/zu diesem Zeitpunkt ist der Wafer eine Anordnung auf der Vorderseite liegender Bauelemente) mit den derzeitig verfügbaren optischen Verfahren erkannt werden kann. Es ist möglich (die nunmehr nicht mehr miteinander verbundener Bauelemente) zu diesem Zwecke schon während oder nach dem Proben hierfür geeignete Markierungen aufzubringen (Tinte, Markierung mittels Laser) die mittels Durch- oder Beleuchten des Wafers erkannt werden können.
Um das Entnehmen der vereinzelten Bauelemente von der Folie oder Schicht zu erleichtern kann es möglich oder notwendig sein, die Haftungseigenschaften der Folie oder Schicht zu verringern. Heute verfügbare Verfahren erzielen dies durch Verwendung von Licht, Wärme oder durch mechanische Einrichtungen wie Nadeln welche die Bauelemente zum Zwecke der Entnahme anheben.
Begriffsdefinition
Dünnen gleichbedeutend mit Abtragen der Rückseite des Wafers mittels Lappen, Grinden, Schleifen, Ätzen oder ähnlichen Verfahren zum Zwecke der Reduzierung der Waferscheibendicke.
Vereinzeln, Schneiden gleichbedeutend mit dem Sägen des Wafers zum Zwecke der Trennung der einzelnen Bauelemente voneinander.

Claims (5)

1. Verfahren zum Behandeln und Bearbeiten von Wafern beim Dünnen (Reduzieren der Waferdicke) und dem Vereinzeln (Sägen des Wafers) und den dazwischen liegenden Fertigungsschritten dadurch gekennzeichnet, daß die Vorderseite (aktive Seite) des Wafer mit einer Folie oder einer sonstigen Schicht überzogen wird, die zwischen dem Dünnen und den Vereinzeln des Wafers nicht von der Wafervorderseite entfernt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Zwecke des Vereinzeln (Sägen) des Wafers ein Laserstrahl zur Anwendung kommt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Zwecke des Vereinzeln (Sägen) des Wafers ein mechanisches Sägeverfahren zu Anwendung kommt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wafer durch die auf der Vorderseite des Wafers aufgebrachte Folie oder Schicht während des Dünnen geschützt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wafer durch die auf der Vorderseite des Wafers aufgebrachte Folie oder Schicht während des Sägen geschützt wird.
DE19811115A 1998-03-14 1998-03-14 Verfahren zur Behandlung von Wafern beim Dünnen und Sägen Withdrawn DE19811115A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19811115A DE19811115A1 (de) 1998-03-14 1998-03-14 Verfahren zur Behandlung von Wafern beim Dünnen und Sägen
AU31448/99A AU3144899A (en) 1998-03-14 1999-03-11 Method and device for treating wafers presenting components during thinning of the wafer and separation of the components
PCT/EP1999/001602 WO1999048137A2 (de) 1998-03-14 1999-03-11 Verfahren und vorrichtung zum behandeln von wafern mit bauelementen beim abdünnen des wafers und beim vereinzeln der bauelemente
DE19980448T DE19980448D2 (de) 1998-03-14 1999-03-11 Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Wafern mit Bauelementen beim Abdünnen des Wafers und beim Vereinzeln der Bauelemente

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19811115A DE19811115A1 (de) 1998-03-14 1998-03-14 Verfahren zur Behandlung von Wafern beim Dünnen und Sägen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19811115A1 true DE19811115A1 (de) 1999-09-16

Family

ID=7860900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19811115A Withdrawn DE19811115A1 (de) 1998-03-14 1998-03-14 Verfahren zur Behandlung von Wafern beim Dünnen und Sägen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19811115A1 (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1107299A2 (de) * 1999-11-30 2001-06-13 LINTEC Corporation Verfahren zur Herstellung von Hableitervorrichtungen
EP1220010A2 (de) * 2000-12-29 2002-07-03 Texas Instruments Incorporated Wiederbeschichtungsverfahren für mikromechanische Bauelemente
EP1372192A2 (de) * 2002-06-11 2003-12-17 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Verfahren zur Herstellung von Mikrohalbleiterbauelementen
US6756562B1 (en) 2003-01-10 2004-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor wafer dividing apparatus and semiconductor device manufacturing method
EP1458021A2 (de) * 2003-03-06 2004-09-15 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE10353530A1 (de) * 2003-11-14 2005-06-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Wafer mit Deckschicht und Trennschicht, Verfahren zur Herstellung eines solchen Wafers sowie Verfahren zum Dünnen bzw. Rückseitenmetallisieren eines Wafers
DE10140046B4 (de) * 2001-08-16 2006-12-07 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterchips

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1107299A3 (de) * 1999-11-30 2004-06-16 LINTEC Corporation Verfahren zur Herstellung von Hableitervorrichtungen
EP1107299A2 (de) * 1999-11-30 2001-06-13 LINTEC Corporation Verfahren zur Herstellung von Hableitervorrichtungen
EP1220010A3 (de) * 2000-12-29 2004-10-27 Texas Instruments Incorporated Wiederbeschichtungsverfahren für mikromechanische Bauelemente
EP1220010A2 (de) * 2000-12-29 2002-07-03 Texas Instruments Incorporated Wiederbeschichtungsverfahren für mikromechanische Bauelemente
US7651734B2 (en) 2000-12-29 2010-01-26 Texas Instruments Incorporated Micromechanical device fabrication
DE10140046B4 (de) * 2001-08-16 2006-12-07 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterchips
EP1372192A2 (de) * 2002-06-11 2003-12-17 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Verfahren zur Herstellung von Mikrohalbleiterbauelementen
EP1372192A3 (de) * 2002-06-11 2004-06-16 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Verfahren zur Herstellung von Mikrohalbleiterbauelementen
DE10317115A1 (de) * 2003-01-10 2004-07-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleiter-Waferteilungsanordnung und Halbleitereinrichtungs-Herstellungsverfahren
DE10317115B4 (de) * 2003-01-10 2008-09-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleitereinrichtungs-Herstellungsverfahren
US6756562B1 (en) 2003-01-10 2004-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor wafer dividing apparatus and semiconductor device manufacturing method
EP1458021A3 (de) * 2003-03-06 2005-01-26 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
EP1458021A2 (de) * 2003-03-06 2004-09-15 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE10353530A1 (de) * 2003-11-14 2005-06-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Wafer mit Deckschicht und Trennschicht, Verfahren zur Herstellung eines solchen Wafers sowie Verfahren zum Dünnen bzw. Rückseitenmetallisieren eines Wafers

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10391811B4 (de) Verfahren zum Zerlegen eines Halbleiterwafers
DE102015208893B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE60006127T2 (de) Schaltungsvereinzelungssystem und verfahren
DE102016213248B4 (de) Verfahren zum dünnen Ausgestalten eines Wafers
EP1924392B1 (de) Verfahren zum durchtrennen von spröden flachmaterialien mittels laser entlang einer zuvor erzeugten spur
DE102004055443B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102005010377B4 (de) Waferbearbeitungs-Verfahren
DE112013007505B4 (de) Halbleiterelement-Fertigungsverfahren
DE102012109355B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem Prüfprozess
DE102010003600B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102011084525A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE102016224214A1 (de) Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
DE10031252A1 (de) Verfahren zur Zertrennung eines Substratwafers in eine Anzahl von Substratchips
DE102010040441B4 (de) Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung
DE102011002546A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer mehrschichtigen Struktur mit Trimmen nach dem Schleifen
DE102013205644A1 (de) Herstellverfahren für Chips mit Haftfolien
DE112004002374T5 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Laser-Dicing
DE102014111977A1 (de) Trennen von Chips auf einem Substrat
DE102020200724B4 (de) Trägerplattenentfernungsverfahren
DE19811115A1 (de) Verfahren zur Behandlung von Wafern beim Dünnen und Sägen
DE102017219344A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE10296522T5 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
DE102019204974A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
WO1999048137A2 (de) Verfahren und vorrichtung zum behandeln von wafern mit bauelementen beim abdünnen des wafers und beim vereinzeln der bauelemente
DE102013109375B4 (de) Verfahren zum verarbeiten eines wafers

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: JAKOB, ANDREAS, 82319 STARNBERG, DE DORNER, JOHANN

8143 Withdrawn due to claiming internal priority