DE19811115A1 - Treating and processing wafers during thickness reduction and sawing - Google Patents
Treating and processing wafers during thickness reduction and sawingInfo
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Abstract
Description
Das Verfahren soll es erleichtern dünnere Wafer zu fertigen und/oder sicherer zu bearbeiten und/oder den Fertigungsaufwand beim Herstellen von elektrischen Bauelementen und/oder Schaltungen und/oder Sensoren usw. zu reduzieren und/oder kostengünstiger zu gestalten und/oder den Einsatz von Laserstrahlschneidverfahren zu ermöglichen und/oder zu erleichtern. The process is said to make it easier to manufacture thinner wafers and / or to make them safer edit and / or the manufacturing effort in the manufacture of electrical Components and / or circuits and / or sensors, etc. to reduce and / or to make it cheaper and / or the use of To enable and / or facilitate laser beam cutting processes.
Vorbemerkung: Die Beschreibung der gegenwärtigen Verfahrensweise (Stand der Technik) ist oberflächlich und kann von Anwender zu Anwender abweichen.Preliminary remark: The description of the current procedure (status of Technology) is superficial and can vary from user to user.
Bei der Herstellung von elektrischen Bauelementen und Schaltungen (Dioden, Transistoren, IC's, Sensoren etc.) werden auf Wafer (Scheiben aus Silizium, GaAs etc.) mittels verschiedener Technologien Strukturen, Schichten u. ä. aufgebracht.In the manufacture of electrical components and circuits (diodes, Transistors, ICs, sensors etc.) are placed on wafers (silicon wafers, GaAs etc.) by means of different technologies structures, layers u. Ä. applied.
Gegenwärtig werden diese Wafer nach Abschluß der hierzu notwendigen Fertigungsschritte auf der Vorderseite (aktive Seite bzw. Seite auf der sich die aufgebrachten Strukturen befinden) mit einer Schutzfolie oder einer sonstigen Schutzschicht versehen. Diese Folie bzw. Schicht hat die Aufgabe, die Waferoberseite und somit die aufgebrachten elektrischen und mechanischen Strukturen während des anschließend folgenden Dünnen des Wafers (Grinden, Lappen, Schleifen oder Ätzen der Rückseite) zu schützen. Nach Aufbringen der Folie oder Schicht wird der Wafer auf der rückwärtigen Seite gedünnt. Dadurch wird die ursprüngliche Dicke des Wafers reduziert. Die verbleibende Restdicke wird nachhaltig von den zu erwartenden mechanischen Belastungen der nachfolgenden Prozeßschritte bestimmt die ohne signifikante Erhöhung einer Bruchgefahr überstanden werden müssen.At present, these wafers become available after the completion of the necessary ones Manufacturing steps on the front (active side or side on which the applied structures) with a protective film or another Provide protective layer. This film or layer has the task of Wafer top and thus the applied electrical and mechanical Structures during the subsequent thinning of the wafer (grinding, Rags, sanding or etching the back). After applying the The wafer is thinned on the back side of the film or layer. This will the original thickness of the wafer is reduced. The remaining thickness will be sustainable from the mechanical loads to be expected from the following Process steps determine that without a significant increase in risk of breakage have to be survived.
Nach dem Dünnen kann sich zur Verbesserung der Brucheigenschaften des Wafers eine chemische Behandlung der Waferrückseite anschließen.After thinning can improve the breaking properties of the wafer connect a chemical treatment to the back of the wafer.
Nach eventuellen weiteren Reinigungsschritten wird die Schutzfolie von der Waferoberseite abgezogen bzw. entfernt.After any further cleaning steps, the protective film is removed from the Wafer top removed or removed.
Es können sich nun eventuelle weitere Fertigungsschritte und/oder Maßnahmen der Verbesserung von Eigenschaften und/oder Untersuchungen anschließen.Any further manufacturing steps and / or measures of the Connect improvement of properties and / or investigations.
Hiernach wird der Wafer mit der Rückseite nach unten (aktive Seite nach oben) auf eine Sägefolie (Expansionsfolie bzw. Rahmen) aufgelegt. Abschließend erfolgt das Sägen des Wafers (Vereinzeln der Bauteile) mittels Rotationstrennscheiben oder anderer mechanischer Sägevorrichtungen.Then the wafer is opened with the back side down (active side up) a saw foil (expansion foil or frame) placed on it. Finally, this is done Sawing the wafer (separating the components) using rotary cutting discs or other mechanical sawing devices.
Mit dem gegenwärtigen Verfahren ist es sehr schwierig dünne Wafer zu handeln
bzw. herzustellen. Diese Schwierigkeiten ergeben sich u. a. aus dem Umstand, daß
der Wafer nach dem Dünnen mechanischen Belastungen ausgesetzt werden muß.
Diese Belastungen treten auf:
With the current process, it is very difficult to trade or manufacture thin wafers. These difficulties arise, among other things, from the fact that the wafer has to be subjected to mechanical loads after thinning. These loads occur:
- a) Während dem Abziehen der Schutzfolie bzw. Schutzschicht die während des Dünnen die Wafervorderseite schützt.a) While removing the protective film or protective layer during the Thin protects the front of the wafer.
- b) Während des Auflegen des Wafers auf die Sägefolie.b) While placing the wafer on the saw foil.
- c) Während des Transportes zwischen dem Dünnen und dem Sägen des Wafers und aller eventuell dazwischen geschalteten Fertigungsschritte.c) During transport between thinning and sawing the wafer and any intermediate manufacturing steps.
Mit dem gegenwärtigen Verfahren ist es sehr schwierig und teilweise unmöglich, Wafer mittels Laserstrahl effizient und/oder kostengünstig zu schneiden. Die zur Zeit verfügbaren Laser haben, so sie die geeigneten Strahlqualitäten besitzen, nur unzureichende Strahlleistungen um dickere Wafer zu sägen. Da nach dem Stand der Technik der Wafer nach dem Dünnen noch wie voran unter a. bis c. beschrieben, behandelt werden muß, ist eine Mindestdicke des Wafers notwendig. Diese Dicke erschwert bzw. behindert den Einsatz von Laser zum Trennen nachhaltig und bedingt vielfach den Einsatz der mechanischer Sägeverfahren.With the current process, it is very difficult and sometimes impossible Cutting wafers efficiently and / or inexpensively using a laser beam. The currently available lasers, so they have the appropriate beam qualities, only insufficient beam power to saw thicker wafers. According to the status the technique of wafers after thinning as above under a. to c. described, must be treated, a minimum thickness of the wafer is necessary. This thickness complicates or hinders the use of lasers for cutting sustainable and often requires the use of mechanical sawing processes.
Neben dem Umstand, daß mechanische Sägen den Wafer mechanisch belasten und somit Beschädigen verursachen, weisen sie im Vergleich zum Sägen mittels Laser weitere Nachteile auf (Nachteile bei z. B. Schnittgeschwindigkeit, Verbrauch von Verbrauchsmaterialien wie Trennscheiben, Notwendigkeit von Kühlflüssigkeit, Partikelbelastung, Beschränkungen hinsichtlich Breite der Schneidgräben und der diesbezüglichen Sicherheitsabstände, hohe Betriebskosten, hoher Wartungsaufwand, Beschränkungen hinsichtlich der Anordnung der Bauelemente usw.).In addition to the fact that mechanical saws mechanically stress the wafer and thus causing damage, they show compared to laser sawing further disadvantages (disadvantages with e.g. cutting speed, consumption of Consumables such as cutting discs, need for coolant, Particle load, restrictions regarding the width of the cutting trenches and the related safety distances, high operating costs, high Maintenance requirements, restrictions regarding the arrangement of the components etc.).
Bei den gegenwärtigen Verfahren ist der Gebrauch einer Schutzfolie bzw. Schutzschicht notwendig. Diese übernimmt nach dem Dünnen keine weitere Funktion mehr.In current procedures, the use of a protective film or Protective layer necessary. After thinning, this does not take any more Function more.
Bei den gegenwärtigen Verfahren muß der Wafer nach Dünnen aufwendig gehandelt bzw. behandelt werden (mehrere Fertigungsschnitte).In the current processes, the wafer has to be complex after thinning are traded or treated (several production cuts).
Bei den gegenwärtigen Verfahren unterliegt der Wafer einer erhöhten Gefährdung durch Bruch.In the current processes, the wafer is at increased risk breakthrough.
Bei den gegenwärtigen Verfahren ist es schwierig, den Wafer mit der Rückseite nach oben (aktive Seite liegt auf der Schneidfolie) zu schneiden.With current methods, it is difficult to back the wafer cut upwards (active side lies on the cutting foil).
Aufgabe der Erfindung ist es, den Fertigungsablauf nach dem Dünnen zu vereinfachen, wirtschaftlicher zu gestalten und das Handeln bzw. Behandeln von dünnen Wafern zu erleichtern. Weiterhin soll die Erfindung ermöglichen, daß Wafer mittels Laserstrahl einfacher und wirtschaftlicher vereinzelt bzw. geschnitten werden können.The object of the invention is to reduce the manufacturing process after thinning simplify, make it more economical and act or treat to facilitate thin wafers. Furthermore, the invention is intended to enable wafers can be cut or cut more easily and economically using a laser beam can.
Der Wafer wird vor dem Dünnen (Schleifen der Rückseite) mit der Vorderseite nach unten auf eine Folie oder ähnlichen Schicht aufgelegt. Diese Folie oder Schicht erfüllt eine Doppelfunktion. Sie schützt während des Dünnen die Wafervorderseite, vermindert die mechanischen Belastungen die durch nachfolgendes Behandeln und Transportieren des Wafers entstehen, schützt die Wafervorderseite vor Verunreinigungen und dient abschließend als Sägefolie. The wafer is facedown before thinning (grinding the back) placed on the bottom of a film or similar layer. This slide or layer fulfills a double function. It protects the front of the wafer during thinning, reduces the mechanical loads caused by subsequent treatment and Transporting the wafer occurs protects the front of the wafer Impurities and finally serves as a saw foil.
Das Verfahren ermöglicht die Realisierung wesentlicher technologischer Vorteile in der Fertigung und Handhabung von Wafern zum Zwecke der Herstellung von Halbleitern (elektrischen Bauelementen, IC's, Sensoren etc.). Mit dem Verfahren wird die Fertigung vereinfacht und kostengünstiger gestaltet.The process enables the realization of significant technological advantages in the manufacture and handling of wafers for the purpose of producing Semiconductors (electrical components, IC's, sensors etc.). With the procedure manufacturing is simplified and made more cost-effective.
Weiterhin ermöglicht das Verfahren, dünnere Waferscheibendicken einfacher, wirtschaftlicher und sicherer zu herzustellen.Furthermore, the process enables thinner wafer slice thicknesses to be more economical and safer to manufacture.
Weiterhin ermöglicht das Verfahren den effektiveren und/oder wirtschaftlicheren Einsatz von Laserstrahlen zum Zwecke des Sägens.Furthermore, the method enables the more effective and / or more economical Use of laser beams for the purpose of sawing.
- - Durch die Anwendung des Verfahrens kann die Wahrscheinlichkeit eines Bruches von Wafern minimiert werden. Dadurch wird es möglich, dünnere Wafer als bisher herzustellen und sicher zu handeln. Dieses resultiert aus dem Faktum, daß der Wafer zwischen dem Dünnen (Rückseitenschleifen bzw. Grinding) und dem Trennprozeß (Schneiden bzw. Dicen) geringeren mechanischen Belastungen ausgesetzt wird.- By applying the procedure, the likelihood of a break can be reduced be minimized by wafers. This makes it possible to use thinner wafers than before to manufacture and act safely. This results from the fact that the Wafer between the thin (back grinding or grinding) and the Separation process (cutting or dicing) lower mechanical loads is exposed.
-
- Durch die Anwendung des Verfahrens ist es möglich mehrere Fertigungsschritte
einzusparen.
Es kann das Abtrennen (Abziehen) der Schutzfolie oder Schutzschicht (sie schützt die Waferoberfläche (aktive Seite) während des Dünnen (Rückseitenschleifen)) entfallen.
Es kann das Auflegen auf die Expansionsfolie (Rahmen) vor dem Trennprozeß entfallen. Dieses Fertigungsschritt ist überflüssig, da die Folie, die vor dem Dünnen des Wafers aufgebracht wird, auch während des Trennprozeß als Schneidfolie benutzt werden kann.
Es kann u. U. eine gegenwärtig zum Teil eingesetzte Nachbehandlung der Waferrückseite nach dem Dünnen entfallen. Diese Nachbehandlung dient zur Zeit dazu, die während des Dünnen entstandenen Beschädigungen (Mikrorisse etc.) zu verringern. Die Behandlung soll es ermöglichen, den Wafer anschließend höheren mechanischen Belastungen aussetzen zu können.- By using the method, it is possible to save several manufacturing steps.
There is no need to separate (peel off) the protective film or protective layer (it protects the wafer surface (active side) during thinning (backside grinding)).
There is no need to place it on the expansion film (frame) before the separation process. This manufacturing step is superfluous since the film that is applied before the wafer is thinned can also be used as a cutting film during the separation process.
It can A post-treatment of the back of the wafer, which is currently used in some cases, is no longer necessary after thinning. This post-treatment is currently used to reduce the damage (micro cracks, etc.) that occurred during thinning. The treatment should make it possible to subsequently expose the wafer to higher mechanical loads. - - Durch die Anwendung des Verfahrens ist es möglich die Anwendung von Laserstrahlen zum Trennen bzw. Vereinzeln von Wafern effektiver einzusetzen. Dieses resultiert aus dem Faktum, daß die gegenwärtigen Verfahren des Behandeln des Wafers ein Mindestmaß an Dicke voraussetzten. Diese Waferdicke erschwert nachfolgend den Einsatz von Laser zum Trennen.- By using the procedure it is possible to use Use laser beams more effectively to separate or separate wafers. This results from the fact that the current procedures of Treating the wafer requires a minimum amount of thickness. This The wafer thickness subsequently complicates the use of lasers for cutting.
- - Durch die Anwendung des Verfahrens ist es möglich allgemeine Vorteile des Trennen mit Laserstrahl wahrzunehmen. Diese Vorteile sind u. a. die gegenüber mechanischen Sägeverfahren höheren Schnittgeschwindigkeiten. Dieser Vorteil läßt sich weitergehend verbessern, da das beschriebene Verfahren die Herstellung extrem dünner Wafer vereinfacht und/oder ermöglicht und somit das Sägen mittels Laserstrastrahl erleichtert. Die Schnittgeschwindigkeit eines Lasers ist u. a. abhängig von der Dicke des Wafers und der Leistung des eingesetzten Lasers.- By applying the method it is possible to take advantage of general Perceive separation with laser beam. These advantages are a. the opposite mechanical sawing process higher cutting speeds. This advantage can be further improved, since the method described Manufacture of extremely thin wafers simplified and / or enabled and thus that Sawing made easier with a laser beam. The cutting speed of a laser is u. a. depending on the thickness of the wafer and the performance of the used Lasers.
- - Weiterhin lassen sich die für das mechanische Sägen typischen Beschädigungen der Schnittkante (Ausbrechungen) vermeiden.- Furthermore, the damage typical for mechanical sawing can be Avoid the cut edge (breakouts).
- - Weiterhin ist es möglich mittels Einsatz von Laser gegenüber den derzeitigen Verfahren geringere Schnittgrabenbreiten zu erzielen.- It is also possible to use lasers compared to the current ones Process to achieve smaller trench widths.
- - Weiterhin ist es u. U. möglich gegenüber den derzeitigen Verfahren geringere Sicherheitsabstände (Abstand zwischen Schnittkante und aktiven Strukturen) zu realisieren und somit eine wirtschaftlichere Ausnutzung der Waferoberfläche zu erzielen.- Furthermore, it is u. It may be less than the current process Safety distances (distance between the cutting edge and active structures) too realize and thus a more economical use of the wafer surface achieve.
- - Weiterhin ist es möglich die Waferoberfläche mittels besserer Anordnung der Bauelemente besser auszunutzen. Die gegenwärtigen Verfahren bedingen eine durchgehende Gestaltung der Schneid- und Ritzgräben. Die Verwendung von Laser ermöglicht es, mittels Abschaltung oder Ablenkung des Laserstrahls frei wählbarer Strukturen und Konturen zu folgen. Die Bauelemente können somit frei angeordnet werden. So ist eine verbesserte und wirtschaftlichere Anordnung der Bauelemente auf dem Wafer zu realisieren.- Furthermore, it is possible to better arrange the wafer surface Make better use of components. Current procedures require one continuous design of the cutting and scratching trenches. The use of Laser enables free by switching off or deflecting the laser beam selectable structures and contours. The components can thus be free to be ordered. So is an improved and more economical arrangement of the Realize components on the wafer.
- - Weiterhin ist es möglich bzw. erleichtert den Wafer upside down (die aktive Oberfläche liegt auf der Folie) zu sägen. Dieses ist mit den gegenwärtigen Verfahren mit Nachteilen verbunden. Mechanische Sägeverfahren neigen dazu Ausbrechungen an der Waferrückseite (diese liegt u. a. wegen dieser Erscheinung mit der Waferrückseite auf der Sägefolie) zu erzeugen.- Furthermore, it is possible or facilitates the wafer upside down (the active one Surface lies on the foil). This is with the current ones Procedures have disadvantages. Mechanical sawing processes tend to do this Breakouts on the back of the wafer (this is partly due to this phenomenon with the back of the wafer on the saw foil).
- - Weiterhin ist es möglich die Partikelbelastung der Waferoberfläche zu reduzieren. Beim mechanischen Sägen wird die Waferoberfläche ungeschützt den beim Schneiden entstehenden Partikeln und der eingesetzter Kühl- und/oder Schneidflüssigkeiten ausgesetzt. Beim Sägen mittels Laserstrahl ist die Wafervorderseite durch die aufgebrachte Folie oder Schicht geschützt.- It is also possible to reduce the particle load on the wafer surface. With mechanical sawing, the wafer surface is unprotected Cutting resulting particles and the cooling and / or used Cutting fluids exposed. When sawing with a laser beam, this is The front of the wafer is protected by the applied film or layer.
Angenommene Voraussetzung ist, daß der Wafer bereits die Fertigungsschritte zum Aufbringen der elektrischen Bauelemente (Dioden, Transitoren, Sensoren usw.) bzw. mechanischer Strukturen und Schichten maßgeblich durchlaufen hat.The assumed assumption is that the wafer has already completed the manufacturing steps for Application of the electrical components (diodes, transistors, sensors, etc.) or mechanical structures and layers.
Zum Zwecke des Verringern der Waferscheibendicke soll er nun mittels eines mechanischen oder chemischen Verfahrens behandelt werden. Hierbei wird vorab zum Zwecke des Schutzes des Wafers (z. B. gegen Partikel, Bruchbelastung usw.) auf dessen Oberseite (die Seite auf der sich die aufgebrachten Strukturen und Schichten befinden) eine Folie oder eine ähnliche Form von Schicht aufgebracht.For the purpose of reducing the wafer wafer thickness, it should now be by means of a mechanical or chemical process are treated. Here, in advance for the purpose of protecting the wafer (e.g. against particles, breaking load, etc.) its top (the side on which the applied structures and Layers are) a film or a similar form of layer applied.
Nach Abschluß des Dünnen (Verfahren wie z. B. Lappen, Schleifen u. ä.) des Wafers wird dieser zusammen mit der aufgebrachten Folie oder Schicht der hierfür verwandten Einrichtung entnommen und kann dabei ggf. zusätzlich durch eine mechanische Vorrichtung gegen mechanischen Belastung geschützt bzw. unterstützt werden.After completing the thinning of the wafer (processes such as rags, grinding, etc.) this is together with the applied film or layer of this related facility is removed and can optionally be additionally by a mechanical device protected or supported against mechanical stress become.
Weiterhin ist es möglich, daß vor oder nach Entnahme Prozesse zum Zwecke der Reduzierung von Oberflächendefekten auf der Rückseite und/oder zum Zwecke der Reinigung des Wafers durchgeführt werden.It is also possible that before or after removal processes for the purpose of Reduction of surface defects on the back and / or for the purpose of Wafer cleaning can be performed.
Nach oder vor der Entnahme des Wafers ist es weiterhin möglich, daß der Wafer zum Zwecke von Untersuchungen oder weiterer Fertigungsschritte weiteren Behandlungen zugeführt wird.After or before the wafer is removed, it is also possible for the wafer for the purpose of investigations or further manufacturing steps Treatments are administered.
Zweck der Erfindung bzw. des beschriebenen Verfahrens ist es hierbei, daß der Wafer und dessen Oberfläche weiterhin mittels der aufgebrachten Folie oder Schicht geschützt wird.The purpose of the invention and the method described here is that the Wafer and its surface continue by means of the applied film or layer is protected.
Der Wafer wird nun oder ggf. anschließend zum Zwecke dpa Sägens des Wafers (Vereinzeln, Fachbegriff "Dicen") einer Sägeeinrichtung zugeführt.The wafer is now or possibly subsequently for the purpose of sawing the wafer (Separate, technical term "Dicen") fed to a sawing device.
Zum Zwecke des Positionieren des Wafers (das exakte Ausrichten des Wafers/so daß die Sägeeinrichtung mit großmöglichster Genauigkeit die vorgesehenen Strukturen und Figuren sägen kann/Fachbegriff "Aligment") werden optische und mechanische Verfahren eingesetzt.For the purpose of positioning the wafer (the exact alignment of the wafer / so that the sawing device with the greatest possible accuracy Structures and figures can be sawed / technical term "Aligment") mechanical processes used.
Hierbei ist u. a. möglich den Wafer mittels Strahlung geeigneter Wellenlänge so zu durchleuchten oder zu beleuchten, daß die hierfür vorgesehenen Strukturen und Markierungen erkannt werden können.Here u. a. possible to the wafer by means of radiation of a suitable wavelength to illuminate or illuminate that the structures and Markings can be recognized.
Nach dem Ausrichten des Wafers oder der Sägeeinrichtung wird der Sägevorgang in Gang gesetzt. Hierbei fährt vorzugweise ein Laser die zum Schneiden vorgesehenen Strukturen, Konturen und/oder Linien schneidet mittels seines Strahls. Dieser Vorgang wird durch geeignete Einrichtungen wie optische, elektrische oder mechanische Mess- und Regeleinrichtungen überwacht und ggf. nachgesteuert.After aligning the wafer or the sawing device, the sawing process set in motion. Here, a laser preferably drives the for cutting provided structures, contours and / or lines cuts using his Beam. This process is supported by suitable devices such as optical, electrical or mechanical measuring and control devices are monitored and if necessary readjusted.
Während oder nach dem Sägen der Wafers ist es vorgesehen und möglich durch geeignete Einrichtungen die entstehenden Partikel, Gase sind Stäube abführen, abzublasen oder abzusaugen.It is provided and possible during or after sawing the wafers suitable devices remove the resulting particles, gases are dust, blow off or suck off.
Nach Abschluß des Sägens des Wafers kann die Folie evtl. zum Zwecke einer vereinfachten Entnahme der nun vereinzelt vorliegenden Bauelemente expandiert werden. Dieses ist aber nicht immer zwingend.After the sawing of the wafer has been completed, the film may possibly be used for the purpose of a simplified removal of the now available components expanded become. However, this is not always mandatory.
Die Entnahme der Bauelemente kann durch die derzeitig bekannten Verfahren wie z. B. Ansaugen mittels Vakuum oder "pick and place" erfolgen.The removal of the components can be done by the currently known methods such as e.g. B. suction by vacuum or "pick and place".
Die Erkennung der guten Bauelemente (Unterscheidung von als schlecht oder gut getesteten Bauelementen) ist mittels der beim vorgehenden Testen und Proben des Wafers ermittelten Daten möglich (Fachbegriff "Wafermapping"). The detection of good components (differentiation as bad or good tested components) is by means of the previous tests and samples of the Wafers determined data possible (technical term "wafer mapping").
Weiterhin ist es möglich, einen Inkpunkt oder eine ähnliche Markierung auf der Bauteilvorder- oder -rückseite so zu gestalten, daß dieser oder diese (evtl. durch den Wafer hindurch/zu diesem Zeitpunkt ist der Wafer eine Anordnung auf der Vorderseite liegender Bauelemente) mit den derzeitig verfügbaren optischen Verfahren erkannt werden kann. Es ist möglich (die nunmehr nicht mehr miteinander verbundener Bauelemente) zu diesem Zwecke schon während oder nach dem Proben hierfür geeignete Markierungen aufzubringen (Tinte, Markierung mittels Laser) die mittels Durch- oder Beleuchten des Wafers erkannt werden können.It is also possible to place an ink dot or a similar marking on the To design the front or back of the component so that this or this (possibly by the Wafer through / at this time the wafer is an arrangement on the Front components) with the currently available optical Procedure can be recognized. It is possible (now no longer with each other connected components) for this purpose during or after Apply suitable markings for this purpose (ink, marking with Lasers) that can be detected by illuminating or illuminating the wafer.
Um das Entnehmen der vereinzelten Bauelemente von der Folie oder Schicht zu erleichtern kann es möglich oder notwendig sein, die Haftungseigenschaften der Folie oder Schicht zu verringern. Heute verfügbare Verfahren erzielen dies durch Verwendung von Licht, Wärme oder durch mechanische Einrichtungen wie Nadeln welche die Bauelemente zum Zwecke der Entnahme anheben.To remove the isolated components from the film or layer It may be possible or necessary to facilitate the adhesive properties of the Reduce film or layer. Processes available today achieve this through Use of light, heat or by mechanical means such as needles which raise the components for the purpose of removal.
Dünnen gleichbedeutend mit Abtragen der Rückseite des Wafers mittels Lappen, Grinden, Schleifen, Ätzen oder ähnlichen Verfahren zum Zwecke der Reduzierung der Waferscheibendicke.Thin is equivalent to removing the back of the wafer by means of Rag, grind, grind, etch or similar process for the purpose of Reduction of the wafer thickness.
Vereinzeln, Schneiden gleichbedeutend mit dem Sägen des Wafers zum Zwecke der Trennung der einzelnen Bauelemente voneinander.Separating, cutting synonymous with sawing the wafer for the purpose of Separation of the individual components.
Claims (5)
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1998
- 1998-03-14 DE DE19811115A patent/DE19811115A1/en not_active Withdrawn
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Owner name: JAKOB, ANDREAS, 82319 STARNBERG, DE DORNER, JOHANN |
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