DE19811078B4 - Halbleiterbauelement - Google Patents

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Abstract

Halbleiterbauelement mit:
einem Halbleitersubstrat (100) mit einem isolierten Inselgebiet (3) eines ausschließlich ersten Leitfähigkeitstyps, welches von anderen Halbleitergebieten darin durch eine erste Isolierungsschicht (2) isoliert und abgesondert ist;
einer Kontaktstelle (5), welche auf dem isolierten Inselgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, wobei eine zweite Isolierungsschicht (4) dazwischen angeordnet ist; und
einem Teil (7, 8) zum Bereitstellen eines festgelegten Potentials dem isolierten Inselgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement und insbesondere auf eine Struktur eines Kontaktstellenteils bzw. Bondinselteils für Eingangs/Ausgangssignale.
  • Üblicherweise ist eine Kontaktstelle für Eingangs/Ausgangssignale eines Halbleiterbauelements auf einem Halbleitersubstrat mit einer dazwischen angeordneten Isolierungsschicht gebildet. Wenn bei einer derartigen Struktur das Isolierungsvermögen der Isolierungsschicht sich infolge von darin gebildeten Rissen verschlechtert, entsteht daraus die Schwierigkeit, daß die Eingangs/Ausgangssignale an der Kontaktstelle in das Halbleitersubstrat streuen bzw. abfließen. Um diese Schwierigkeit zu lösen wurde beispielsweise in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. H.3-195032 vorgeschlagen, daß wie in 9 dargestellt ein isoliertes Inselgebiet 3 auf einer Substratschicht 1 eines Halbleitersubstrats 100 gebildet wird. Das isolierte Inselgebiet 3 ist elektrisch isoliert und von dem anderen Teil des Halbleitersubstrats 100 durch eine Isolierungsschicht 2 abgesondert, und es ist eine Kontaktstelle 5 auf dem isolierten Inselgebiet 3 gebildet, wobei dazwischen eine Isolierungsschicht 4 angeordnet ist. Da das isolierte Inselgebiet 3 unter der Kontaktstelle 5 lokalisiert ist, kann als Ergebnis verhindert werden, daß die Eingangs/Ausgangssignale aus dem isolierten Inselgebiet 3 abfließen.
  • Bei der in 9 dargestellten Struktur, welche der Offenbarung der JP 3-195032A (Abstract) entspricht, floatet bzw. treibt das unter der Kontaktstelle 5 lokalisierte isolierte Inselgebiet 3 elektrisch bezüglich des anderen Teils des Halbleitersubstrats 100. Wie durch eine äquivalente Schaltung in 10 dargestellt ist ein Kondensator 21 durch die Isolierungsschicht 4 zwischen der Kontaktstelle 5 und dem isolierten Inselgebiet 3 gebildet, und ein Kondensator 22 ist durch die Isolierungsschicht 2 zwischen dem isolierten Inselgebiet 3 und der Substratschicht 1 gebildet. Diese Kondensatoren 21 und 22 befinden sich infolge des isolierten Inselgebiets 3 in einem elektrisch floatenden Zustand. Es wird festgestellt, daß Bezugszeichen 20 eine innere Schaltung darstellt, die in den anderen Inselgebieten des Halbleitersubstrats 100 gebildet ist.
  • Wenn das isolierte Inselgebiet 3, welches unter der Kontaktstelle 5 befindlich ist, elektrisch floatet und den Eingangs/Ausgangssignalen ein Rauschen überlagert wird, wirkt sich dieses Rauschen auf den Betrieb der Halbleiterelemente in den anderen Halbleitergebieten über das isolierte Inselgebiet 3 und die Substratschicht 1 aus. Umgekehrt wird in den anderen Halbleitergebieten erzeugtes Rauschen über die Substratschicht 1 und das isolierte Inselgebiet 3 den Eingangs/Ausgangssignalen überlagert.
  • Aus der US 4 855 257 ist ein Halbleiterbauelement bekannt mit: einem Halbleitersubstrat mit einem Inselgebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps, das von Halbleitergebieten eines zweiten Leitfähigkeitstyps umgeben ist; einer Kontaktstelle, die auf dem Inselgebiet über einer Isolierungsschicht gebildet ist, und einem Teil zum Bereitstellen eines festgelegten Potentials dem Inselgebiet. In der Oberfläche des Inselgebiets ist eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet, das unter der Kontaktstelle befindich ist.
    •
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es ein Halbleiterbauelement zu schaffen, bei welchem eine Rauschreduzierung in einem Fall durchgeführt werden kann, bei welchem eine Kontaktstelle für Eingangs/Ausgangssignale auf einem isolierten Inselgebiet gebildet ist.
  • Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche.
  • Entsprechend der vorliegenden Erfindung ist eine Kontaktstelle auf einem isolierten Inselgebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet, wobei dazwischen eine Isolierungsschicht angeordnet ist. Das isolierte Inselgebiet ist elektrisch isoliert und von anderen Halbleitergebieten in einem Halbleitersubstrat abgesondert, und ein Teil zum Bereitstellen eines festgelegten Potentials stellt dem isolierten Inselgebiet ein festgelegtes Potential bereit. Durch Bereitstellen des festgelegten Potentials dem isolierten Inselgebiet ist es möglich zu verhindern, daß Eingangs/Ausgangssignalen überlagertes Rauschen den Betrieb anderer Halbleitergebiete stört. Ebenfalls ist es möglich zu verhindern, daß in den anderen Halbleitergebieten erzeugtes Rauschen den Eingangs/Ausgangssignalen überlagert wird. Die Kontaktstelle empfängt ein Eingangssignal, welches einer in dem Halbleiterbauelement gebildeten Halbleiterschaltung eingegeben wird, oder ein Ausgangssignal, welches von einer darin gebildeten Halbleiterschaltung ausgegeben wird.
  • In einer Alternative der vorliegenden Erfindung ist das Teil zum Bereitstellen eines festgelegten Potentials entlang einem Rand eines isolierten Inselgebiets gebildet. In diesem Fall ist vorzugsweise eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps in der Oberfläche des isolierten Inselgebiets unter der Kontaktstelle gebildet. Die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps verhindert eine Kontinuität zwischen der Kontaktstelle und dem isolierten Inselgebiet sogar dann, wenn Risse in der Isolierungsschicht zwischen der Kontaktstelle und dem isolierten Inselgebiet gebildet sind. Daher ist es möglich zu verhindern, daß Eingangs/Ausgangssignale in das isolierte Inselgebiet streuen bzw. abfließen.
  • Das Halbleiterbauelement kann derart angeordnet sein, daß eine Kontaktstelle für Eingangs/Ausgangssignale auf einem isolierten Inselgebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, welches elektrisch isoliert ist und von anderen Halbleitergebieten in einem Halbleitersubstrat abgesondert ist, wobei ein Teil zum Bereitstellen eines festgelegten Potentials dem isolierten Inselgebiet ein festgelegtes Potential bereitstellt wird und die Kontaktstelle mit dem isolierten Inselgebiet über eine Diode unter Verwendung des isolierten Inselgebiets als Bildungs- bzw. Strukturelement elektrisch verbunden ist. Bei diesem Halbleiterbauelement kann Rauschen, welches in einem anderen Halbleitergebiet erzeugt wird und der Kontaktstelle über das Halbleitersubstrat und das isolierte Inselgebiet eingeführt wird, durch das mit dem festgelegten Potential versehene isolierte Inselgebiet entfernt werden. Den Eingangs/Ausgangssignalen überlagertes Rauschen kann durch die Diode entfernt werden.
  • Die Diode kann durch eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, welche in der Oberfläche des isolierten Inselgebiets gebildet wird, und das isolierte Inselgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet werden. Des weiteren kann durch Bilden einer Öffnung in der Isolierungsschicht zwischen der Kontaktstelle und dem isolierten Inselgebiet die Kontaktstelle das isolierte Inselgebiet kontaktieren (die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps). In diesem Fall gibt es eine Sperrschichtkapazität zwischen der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps und dem isolierten Inselgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps. Als Ergebnis kann den Eingangs/Ausgangssignalen überlagertes Rauschen infolge der Sperrschichtkapazität und der Diode wirksam entfernt werden.
  • Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.
  • 1 zeigt eine Querschnittsansicht, welche ein Kontaktstellenteil eines Halbleiterbauelements veranschaulicht;
  • 2 zeigt eine Draufsicht auf das in 1 dargestellte Kontaktstellenteil;
  • 3 zeigt ein äquivalentes Schaltungsdiagramm des in 1 dargestellten Halbleiterbauelements;
  • 4 zeigt ein Schaltungsdiagramm in einem Fall, bei welchem das in 1 dargestellte Halbleiterbauelement für eine Lampenabschalteerfassungsschaltung verwendet wird;
  • 5 zeigt eine Draufsicht auf das Kontaktstellenteil einer modifizierten Version, bei welcher eine n+-Typ Schicht 7 in dem Rand einer n–-Typ Schicht 3 bezüglich des in 2 dargestellten Kontaktstellenteils gebildet ist;
  • 6 zeigt eine Querschnittsansicht, welche ein Kontaktstellenteil eines Halbleiterbauelements entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
  • 7 zeigt eine äquivalente Schaltung des in 6 dargestellten Halbleiterbauelements;
  • 8 zeigt ein Schaltungsdiagramm, welches teilweise eine Anwendung der Ausführungsform veranschaulicht;
  • 9 zeigt eine Querschnittsansicht, welche ein Kontaktstellenteil eines herkömmlichen Halbleiterbauelements veranschaulicht; und
  • 10 zeigt eine äquivalente Schaltung des in 9 dargestellten Halbleiterbauelements.
    •
  • Im folgenden wird die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben.
  • 1 zeigt eine Querschnittsansicht, welche ein Kontaktstellenteil bzw. eine Bondinsel eines Halbleiterbauelements veranschaulicht. 2 zeigt eine Draufsicht auf das Kontaktstellenteil.
  • Bei dem in 1 veranschaulichten Halbleiterbauelement ist eine Isolierungsschicht 2a, welche aus SiO2 (einer Oxidschicht) besteht, auf einem p–-Typ Subtrat 1 gebildet. Auf der Isolierungsschicht 2a sind eine n+-Typ Schicht 3a und eine n–-Typ Schicht 3b gebildet. Die n+-Typ Schicht 3a und die n–-Typ Schicht 3b sind von den benachbarten Gebieten durch Isolierungsschichten 2b isoliert und abgesondert. D.h. die n+-Typ Schicht 3a und die n–-Typ Schicht 3b bilden ein isoliertes Inselgebiet 3, welches von den anderen Halbleitergebieten durch die Isolierungsschicht 2 (2a, 2b) isoliert und abgesondert ist. Durch Bilden der n+-Typ Schicht 3a mit einer hohen Störstellenkonzentration in einem Bodenteil des isolierten Inselgebiets 3 ist es dann, wenn ein festgelegtes Potential durch eine später beschriebene n+-Typ Schicht 7 bereitgestellt wird, möglich, das elektrische Feld des isolierten Inselgebiets starkt gleichförmig zu machen. Auf diese Weise wird ein Halbleitersubstrat 100 mit einer Mehrzahl von isolierten Inselgebieten 3 durch das p–-Typ Substrat 1, die Isolierungsschicht 2 (2a, 2b) und die n+-Typ Schicht 3a und die n–-Typ Schicht 3b gebildet. Die in der Mehrzahl vorhandenen isolierten Inselgebiete 3 werden als isoliertes Inselgebiet, welches unter einer Kontaktstelle für Eingangs/Ausgangssignale lokalisiert ist, und ebenfalls als isoliertes Inselgebiet verwendet, bei welchem Halbleiterelemente gebildet sind, die eine innere Schaltung 20 bilden.
  • Eine Isolierungsschicht 4, welche aus SiO2 besteht, ist auf dem Halbleitersubstrat 100 gebildet. Eine Kontaktstelle 5 ist auf der Isolierungsschicht 5 gebildet. Die Kontaktstelle 5 besitzt eine Doppelschichtstruktur einer ersten Aluminiumschicht (Al-Schicht) 5a und einer zweiten Al-Schicht 5b. Auf die zweite Al-Schicht 5b sind Drähte 6 zum Übertragen der Eingangs/Ausgangssignale gebondet.
  • Eine n+-Typ Schicht 7, welche zum Festlegen eines Potentials des isolierten Inselgebiets 3 auf ein vorbestimmtes Potential bestimmt ist, ist in der n–-Typ Schicht 3b gebildet. Diese n+-Typ Schicht 7 ist elektrisch mit der Potentialfestlegungs-Al-Elektrode 8 über eine in der Isolierungsschicht 4 gebildeten Öffnung verbunden. Durch Festlegen des Potentials der Potentialfestlegungs-Al-Elektrode 8 auf ein maximales Potential (Versorgungsspannung) wird das Potential des isolierten Inselgebiets 3 auf das maximale Potential festgelegt.
  • In der Oberfläche der n–-Typ Schicht 3b, welche unterhalb der Kontaktstelle 5 liegt, ist eine p+-Typ Schicht 9 gebildet. Durch Vorsehen der p+-Typ Schicht 9 in der Oberfläche der n–-Typ Schicht 3b kann sogar dann, wenn Risse in der Isolierungsschicht 4 gebildet sind, keine Kontinuität zwischen der Kontaktstelle 5 und der n–-Typ Schicht 3b sichergestellt werden. Es ist daher möglich zu verhindern, daß die Eingangs/Ausgangssignale in das isolierte Inselgebiet 3 streuen bzw. abfließen. Es wird festgestellt, daß eine Schutzschicht 10 auf dem Halbleitersubstrat 100 außer einem Gebiet oberhalb der Kontaktstelle 5 gebildet ist.
  • 3 zeigt eine äquivalente Schaltung des in 1 dargestellten Halbleiterbauelements. In dieser äquivalenten Schaltung ist ein Kondensator 21 infolge der Isolierungsschicht 4 zwischen der Kontaktstelle 5 und dem isolierten Inselgebiet 3 gebildet. Ebenfalls ist ein Kondensator 22 infolge der Isolierungsschicht 2a zwischen dem isolierten Inselgebiet 3 und dem p-+Typ Substrat 1 gebildet. Die Kondensatoren 21 und 22 sind mit der Potentialfestlegungs-Al-Elektrode 8 über das isolierte Inselgebiet 3 verbunden.
  • Aus der äquivalenten Schaltung und der in 1 dargestellten Struktur ergibt es sich, daß es durch Festlegen des Potentials des isolierten Inselgebiet 3 auf das maximale Potential möglich ist, zu veranlassen, daß das Rauschen, welches den Eingangs/Ausgangssignalen überlagert wird oder in anderen Halbleitergebieten erzeugt wird, in eine Leistungsquelle entweicht, welche das maximale Potential über das isolierte Inselgebiet 3 und die Potentialfestlegungs-Al-Elektrode 8 zuführt. Auf diese Weise kann das Kontaktstellenteil eine Rauschentfernungsfunktion aufweisen. Da die Kapazität des durch die Isolierungsschicht 4 erzeugten Kondensators 21 bei etwa 10 pF liegt und die Kapazität des durch die Isolierungsschicht 2 gebildeten Kondensators 22 in dem Bereich von 5 pF bis 6 pF liegt, ist das Kontaktstellenteil der vorliegenden Erfindung als Gegenmaßnahme zu EMI (electromagnetic interference) bezüglich der Eingangs/Ausgangssignale wirksam.
  • 4 zeigt ein Schaltungsdiagramm in einem Fall, bei welchem das oben beschriebene Halbleiterbauelement für eine Lampenausschalt- bzw. Lampenabtrennungserfassungsschaltung verwendet wird. In diesem Fall sind Komponenten wie ein Komparator 31 und Widerstände 32, 33 zum Erzeugen einer Bezugsspannung in dem Halbleiterbauelement gebildet.
  • Eine Richtungsanzeigevorrichtung für ein Fahrzeug besitzt wie in Fig. dargestellt Lampen 40a für die rechte Seite und Lampen 40b für die linke Seite. Diese Lampen leuchten auf den Empfang von Leistung aus einer in einem Fahrzeug angebrachten Batterie 34 über einen Umschalte-Schaltkreis 35. Der Umschalte-Schaltkreis 35 enthält einen Drehschalter und einen Gefahrenschalter (hazard switch) und veranlaßt die Lampen 40a für die rechte Seite und/oder die Lampen 40b für die linke Seite dazu, im Ansprechen auf die Betätigung der Schalter aufzuleuchten.
  • Ein Erfassungswiderstand 36 zum Erfassen einer Lampenabtrennung ist in einem Pfad angeordnet, durch welchen Strom von der Batterie 34 zu den Lampen 40a, 40b fließt.
  • Ein Ende des Erfassungswiderstands 36 ist mit einem invertierten Eingangsanschluß des Komparators 31 durch die Eingangskontaktstelle 5 verbunden. Ein äußerer Kondensator 37 zum Entfernen von Rauschen ist parallel zu dem Erfassungswiderstand 36 angeschlossen.
  • Wenn bei dieser Lampenabtrennungserfassungsschaltung die Lampen 40a für die rechte Seite und/oder die Lampen 40b für die linke Seite aufleuchten, wird ein Spannungsabfall über dem Erfassungswiderstand 36 überwacht. Wenn eine Abtrennung in einer der Lampen aufgetreten ist, wird die Spannung an dem Erfassungswiderstand 36 klein. D.h. die dem invertierten Eingangsanschluß des Komparators 34 eingegebene Spannung wird groß, so daß der Ausgang des Komparators 31 invertiert wird. Als Ergebnis kann die Lampenabtrennung erfaßt werden.
  • Der Widerstandswert des Erfassungswiderstands 36 liegt in einem Bereich von 10 mΩ bis 20 mΩ, und die von dem Erfassungswiderstand 36 erfaßte Spannung liegt in einem Bereich von 40 mV bis 60 mV. Da die Lampenabtrennungserfassungsschaltung mit einem derartig kleinen Spannungssignal arbeitet, tritt dann, wenn ein Rauschen an Leitungen überlagert wird, welche beide Enden des Erfassungswiderstands 36 mit dem Halbleiterbauelement verbinden, die Möglichkeit eines fehlerhaften Erfassens einer Lampenabtrennung auf. Da jedoch die Kontaktstelle 5 die Rauschentfernungsfunktion wie oben beschrieben aufweist, kann ein Erfassungsfehler beim Erfassen einer Lampenabtrennung vermieden werden. Ob wohl die Kondensatoren 38 und 39 zum Entfernen von Rauschen in dem herkömmlichen Halbleiterbauelement wie durch die gestrichelte Linie von 4 dargestellt eingebaut sind, können sie bei der vorliegenden Ausführungsform weggelassen werden, da die Kontaktstellen 5 die Rauschentfernungsfunktion besitzen. Bei der vorliegenden Erfindung können jedoch die eingebauten Kondensatoren 38 und 39 dazu verwendet werden, die Rauschentfernung zuverlässig durchzuführen.
  • Die n+-Typ Schicht 7 wurde lediglich in einem Teil der n–-Typ Schicht 3b wie in 2 dargestellt gebildet. Jedoch kann eine Mehrzahl von n+-Typ Schichten 7 entlang dem Rand bzw. Umfang der n–-Typ Schicht 3b gebildet werden. Entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Mehrzahl von Öffnungen ebenfalls in der Isolierungsschicht 4 gebildet werden, und die n+-Typ Schichten 7 können die Potentialfestlegungs-Al-Elektrode 8 über die in der Mehrzahl vorkommenden Öffnungen wie in 5 dargestellt kontaktieren. In diesem Fall kann verhindert werden, daß sich das elektrische Feld lediglich auf einer n+-Typ Schicht 7 konzentriert.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform wird wie in 6 dargestellt eine Isolierungsschicht 2 derart in einem Gebiet entfernt, in welchem die Kontaktstelle 5 zu bilden ist, so daß eine Öffnung in der Isolierungsschicht 2 gebildet wird. Die Kontaktstelle 5 wird auf der durch die Öffnung bloßgelegten p+-Typ Schicht 9 gebildet. Infolge dieser Struktur wird eine parasitäre Diode zur Verwendung als Stoßspannungsschutz durch die p+-Typ Schicht 9 und die n–-Typ Schicht 3b gebildet.
  • 7 zeigt eine äquivalente Schaltung des in 6 dargestellten Halbleiterbauelements. Die Kontaktstelle 5 ist elektrisch mit der n–-Typ Schicht 3b durch eine Diode 23 verbunden, welche durch die p+-Typ Schicht 9 und die n–-Typ Schicht 3b gebildet ist. Ebenfalls liegt eine Sperr schichtkapazität 24 zwischen der p+-Typ Schicht 9 und der n–-Typ Schicht 3b vor. Daher kann das Eingangs/Ausgangssignalrauschen, welches ein größeres Potential als das maximale Potential aufweist, über die Diode 23 zu einer Leistungsquelle entkommen. Ebenfalls kann ein Rauschen wie eine Funkstörung mit einer hohen Frequenz über die Sperrschichtkapazität 24 zur Leistungsquelle entkommen.
  • Eine Metallschicht kann an der Öffnung der Isolierungsschicht 4 anstelle der p+-Typ Schicht 9 derart gebildet werden, daß eine Schottky-Sperrschichtdiode zwischen der Metallschicht und der n–-Typ Schicht 3b gebildet wird. Wenn die Kontaktstelle 5 auf der Metallschicht gebildet ist, dient die Schottky-Sperrschichtdiode als Diode 23.
  • Die Diode 23 kann als Diode zum Absorbieren einer Rücklaufspannung eines Motors verwendet werden. Insbesondere sind wie in 8 dargestellt die Kontaktstellen 5, welche als Ausgangsanschlüsse dienen, mit dem Motor 41 verbunden. Wenn ein Transistor 42 den Motor 41 steuert, wird die Rücklaufspannung von der Diode 23 absorbiert.
  • Bei den obigen Ausführungsformen kann das Halbleiterbauelement derart strukturiert werden, daß der p-Typ und der n-Typ verschiedener Schichten vertauscht werden. In einem derartigen Fall wird jedoch das isolierte Inselgebiet 3 auf ein minimales Potential (beispielsweise das Massepotential) festgelegt.
  • Ebenfalls kann die Kontaktstelle 5 eine Einfach-Al-Schichtstruktur anstelle der Doppelschichtstruktur aufweisen.
  • Vorstehend wurde ein Halbleiterbauelement offenbart. Eine Kontaktstelle für Eingangs/Ausgangssignale ist auf einem isolierten Inselgebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet, wobei eine Isolierungsschicht dazwischen angeord net ist. Das isolierte Inselgebiet ist von anderen Halbleitergebieten in einem Halbleitersubstrat elektrisch isoliert und abgesondert. Ein festgelegtes Potential wird dem isolierten Inselgebiet durch eine n+-Typ Schicht und eine Elektrode bereitgestellt. Als Ergebnis ist es möglich zu verhindern, daß den Eingangs/Ausgangssignalen überlagertes Rauschen den Betrieb der anderen Halbleitergebiete stört, und zu verhindern, daß in den anderen Halbleitergebieten erzeugtes Rauschen den Eingangs/Ausgangssignalen überlagert wird.

Claims (19)

  1. Halbleiterbauelement mit: einem Halbleitersubstrat (100) mit einem isolierten Inselgebiet (3) eines ausschließlich ersten Leitfähigkeitstyps, welches von anderen Halbleitergebieten darin durch eine erste Isolierungsschicht (2) isoliert und abgesondert ist; einer Kontaktstelle (5), welche auf dem isolierten Inselgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, wobei eine zweite Isolierungsschicht (4) dazwischen angeordnet ist; und einem Teil (7, 8) zum Bereitstellen eines festgelegten Potentials dem isolierten Inselgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps.
  2. Halbleiterbauelement mit: einem Halbleitersubstrat (100) mit einem isolierten Inselgebiet (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps, welches von anderen Halbleitergebieten darin durch eine erste Isolierungsschicht (2) isoliert und abgesondert ist; einer Kontaktstelle (5), welche auf dem isolierten Inselgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, wobei eine zweite Isolierungsschicht (4) dazwischen angeordnet ist; und einem Teil (7, 8) zum Bereitstellen eines festgelegten Potentials dem isolierten Inselgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps, welches entlang einem Rand des isolierten Inselgebiets gebildet ist.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine Halbleiterschicht (9) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, welche in einer Oberfläche des isolierten Inselgebiets des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, das unter der Kontaktstelle lokalisiert ist.
  4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Teil (7, 8) zum Bereitstellen eines festgelegten Potentials ein Halbleitergebiet (7) des ersten Leitfähigkeitstyps, welches in der Oberfläche des isolierten Inselgebiets gebildet ist, und eine Elektrode (8) aufweist, welche sich in Kontakt mit dem Halbleitergebiet befindet.
  5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitergebiet (7) eine Störstellenkonzentration aufweist, die größer als diejenige eines Oberflächenteils des isolierten Inselgebiets ist.
  6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Teil (7, 8) zum Bereitstellen des festgelegten Potentials entlang einem Rand des isolierten Inselgebiets gebildet ist.
  7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierte Inselgebiet (3) eine Schicht (3a) mit hoher Störstellenkonzentration des ersten Leitfähigkeitstyps und eine Schicht (3b) mit niedriger Störstellenkonzentration des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, welches auf der Schicht mit hoher Störstellenkonzentration gebildet ist.
  8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitfähigkeitstyp ein n-Typ und der zweite Leitfähigkeitstyp ein p-Typ sind.
  9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitfähigkeitstyp ein p-Typ und der zweite Leitfähigkeitstyp ein n-Typ sind.
  10. Halbleiterbauelement mit: einem Halbleitersubstrat (100) mit einem isolierten Inselgebiet (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps, welches von anderen Halbleitergebieten darin durch eine erste Isolierungsschicht (2) isoliert und abgesondert ist; einer Kontaktstelle (5), welche auf dem isolierten Inselgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist; einem Teil (7, 8) zum Bereitstellen eines festgelegten Potentials dem isolierten Inselgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps, wobei die Kontaktstelle mit dem isolierten Gebiet über eine Diode (23) unter Verwendung des isolierten Inselgebiets des ersten Leitfähigkeitstyps als Bildungselement elektrisch verbunden ist.
  11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine zweite Isolierungsschicht (4), welche zwischen dem isolierten Inselgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps und der Kontaktstelle angeordnet ist, wobei eine Öffnung in der Isolierungsschicht dazwischen gebildet ist und die Kontaktstelle in der Öffnung gebildet ist.
  12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (23) durch eine Halbleiterschicht (9) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, welche in einer Oberfläche des isolierten Inselgebiets des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, und das isolierte Inselgebiet (3) des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist.
  13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Kontaktstelle in Kontakt mit der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps befindet.
  14. Halbleiterbauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Teil (7, 8) zum Bereitstellen eines festgelegten Potentials durch ein Halbleitergebiet (7) des ersten Leitfähigkeitstyps, welches in einer Oberfläche des isolierten Inselgebiets gebildet ist, und eine Elektrode (8) gebildet ist, welche sich in Kontakt mit dem Halbleitergebiet befindet.
  15. Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitergebiet (7) eine Störstellenkonzentration aufweist, die größer als diejenige eines Oberflächenteils des isolierten Inselgebiets ist.
  16. Halbleiterbauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Teil (7, 8) zum Bereitstellen des festgelegten Potentials entlang einem Rand des isolierten Inselgebiets gebildet ist.
  17. Halbleiterbauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierte Inselgebiet (3) eine Schicht (3a) mit hoher Störstellenkonzentration des ersten Leitfähigkeitstyps und eine Schicht (3b) mit niedriger Störstellenkonzentration des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, welche auf der Schicht mit hoher Störstellenkonzentration gebildet ist.
  18. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitfähigkeitstyp ein n-Typ und der zweite Leitfähigkeitstyp ein p-Typ sind.
  19. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitfähigkeitstyp ein p-Typ und der zweite Leitfähigkeitstyp ein n-Typ sind.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000021972A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Fujitsu Ltd 半導体装置
EP1059602B1 (de) 1999-06-10 2006-12-13 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Gerät zur Erkennung von Oberflächengestalten
TWI240370B (en) * 2004-08-26 2005-09-21 Airoha Tech Corp Substrate structure underlying a pad and pad structure
JP4722522B2 (ja) * 2005-03-29 2011-07-13 三菱電機株式会社 高周波半導体集積回路
WO2009107182A1 (ja) * 2008-02-28 2009-09-03 パナソニック株式会社 電極パッドを有する半導体装置、及び該半導体装置を備えた無線回路装置
US20100127392A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Joe Yang Semiconductor die

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4855257A (en) * 1984-05-23 1989-08-08 Hitachi, Ltd. Forming contacts to semiconductor device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2522207B2 (ja) * 1987-02-16 1996-08-07 日本電装株式会社 半導体装置
JP2763013B2 (ja) * 1989-12-25 1998-06-11 富士通株式会社 半導体装置
JPH06268054A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Nippondenso Co Ltd 半導体装置
JP2773611B2 (ja) * 1993-11-17 1998-07-09 株式会社デンソー 絶縁物分離半導体装置
JPH0982746A (ja) * 1995-09-08 1997-03-28 Sony Corp 半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4855257A (en) * 1984-05-23 1989-08-08 Hitachi, Ltd. Forming contacts to semiconductor device

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 03195032 A. In: Patent Abstracts of Japan *
JP 03-195032 A. In: Patent Abstracts of Japan
JP 62069656 A. In: Patent Abstracts of Japan *
JP 62-069656 A. In: Patent Abstracts of Japan

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