DE19732459A1 - Endstufentransistor-Schaltungsanordnung - Google Patents
Endstufentransistor-SchaltungsanordnungInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/34—Networks for connecting several sources or loads working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Endstufentransistor-Schaltungs
anordnung, bei der ein erstes Eingangsanpaßnetz
werk eingangsseitig mit einem ersten Wechselspannungs-Ein
gangsanschluß und ausgangsseitig mit einem Eingang eines
einzigen Endstufentransistors und ein Ausgang des Endstufen
transistors mit einem Eingang eines ersten Ausgangsanpaß
netzwerkes verbunden ist, dessen Ausgang an einen ersten
Wechselspannungs-Ausgangsanschluß angeschlossen ist. Sie be
zieht sich insbesondere auf eine Hochfrequenz-End
stufentransistor-Schaltungsanordnung, bevorzugt zum Ein
satz in einem Mobiltelefon für zwei unterschiedliche Fre
quenzbänder.
Bei bekannten Endstufentransistor-Schaltungsanordnungen für
verschiedene Frequenzbänder ist für jedes Frequenzband ein
separater Endstufentransistor vorgesehen. Soll nun ein elek
tronisches Gerät, wie beispielsweise ein Mobiltelefon, für
mehrere Frequenzbänder verwendbar sein, so muß für jedes
dieser Frequenzbänder eine Endstufentransistor-Schaltungs
anordnung vorhanden sein. Das heißt, für jedes Fre
quenzband ist ein Endstufen-Transistor erforderlich. Da End
stufentransistoren auf einem IC-Halbleiterchip bekanntermaßen
sehr viel Platz benötigen, sind derartige Schaltungsanordnun
gen mit einem sehr großen Chipflächenbedarf und folglich mit
hohen Kosten verbunden.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine
Endstufentransistor-Schaltungsanordnung zu entwickeln, die
auf einem integrierten Halbleiterchip eine möglichst geringe
Chipfläche benötigt.
Diese Aufgabe wird durch eine Endstufentransistor-Schaltungs
anordnung mit den Merkmalen des Anspruches 1 ge
löst. Bevorzugte Weiterbildung sind Gegenstand der Unteran
sprüche 2 und 3.
Erfindungsgemäß ist bei der Endstufentransistor-Schaltungs
anordnung der eingangs genannten Art mindestens ein
zweites Eingangsanpaßnetzwerk und ein zweites Ausgangsan
paßnetzwerk vorgesehen. Das zweite Eingangsanpaßnetzwerk
ist eingangsseitig mit einem zweiten Wechselspannungs-Ein
gangsanschluß und ausgangsseitig mit dem Eingang des End
stufentransistors verbunden. Das zweite Ausgangsanpaßnetz
werk ist eingangsseitig mit dem Ausgang des Endstufentransi
stors und ausgangsseitig mit einem zweiten Wechselspannungs-Aus
gangsanschluß verbunden.
Das erste Eingangsanpaßnetzwerk und das erste Ausgangsan
paßnetzwerk sind an ein erstes Frequenzband angepaßt. Eben
so ist das zweite Eingangsanpaßnetzwerk und das zweite Aus
gangsanpaßnetzwerk an ein von dem ersten verschiedenes zwei
tes Frequenzband angepaßt. Der einzige Endstufentransistor
kann somit vorteilhafterweise im Betrieb der Endstufentransi
stor-Schaltungsanordnung wahlweise für beide Frequenzbänder
benutzt werden.
Die beiden Eingangsanpaßnetzwerke sind derart gestaltet,
daß sie die Quellenimpedanzen der jeweiligen Wechselspan
nungs-Eingangsanschlüsse an die Eingangs-Impedanz des End
stufentransistors anpassen. Ein Signal, daß das erste Ein
gangsanpaßnetzwerk passiert und am Eingang des Endstufen
transistors anliegt, wird vom zweiten Eingangsanpaßnetzwerk
nicht belastet. Analoges gilt für ein Signal, das das zweite
Eingangsanpaßnetzwerk passiert.
Nachdem das jeweilige Signal den Endstufentransistor passiert
hat und mit dessen Übertragungscharakteristik verändert wur
de, steht dieses an den Eingängen der beiden Ausgangsanpaß
netzwerke an. Es wird jedoch nur von dem für das Frequenz
band, aus dem das Signal stammt, ausgelegten Ausgangsanpaß
netzwerk durchgelassen, so daß hier eine Separation der an
kommenden Signale erfolgt. Dazu ist ein Ausgangsanpaßnetz
werk beispielsweise ein Hochpaß und der andere ein Tiefpaß.
Die Ausgangsanpaßnetzwerke passen arbeitspunktbedingte Aus
gangsimpedanz des Endstufentransistors bei den beiden unter
schiedlichen Frequenzen an die entsprechenden Last-Impedanzen
an.
Dem Endstufentransistor werden also über geeignete Eingangs
anpaßnetzwerke Signale aus unterschiedlichen Frequenzbändern
über einen einzigen Eingang zugeführt. Diese Signale werden
im Endstufen-Transistor verstärkt und an dessen Ausgang über
geeignete Ausgangsanpaßnetzwerk, von denen jedes nur für ein
einziges Frequenzband ausgelegt ist, separiert und einer Last
zugeführt.
Da bei der oben beschriebenen erfindungsgemäßen Endstufen
transistor-Schaltungsanordnung für mindestens zwei verschie
dene Frequenzbänder nur ein einziger Endstufentransistor not
wendig ist, ist hier gegenüber den bislang bekannten End
stufentransistor-Schaltungsanordnungen für mehrere Frequenz
bänder eine deutliche Chipflächen-Reduktion erzielt. Dies
geht mit einer deutlichen Kostenreduktion einher.
Die erfindungsgemäße Endstufentransistor-Schaltungsanordnung
wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispieles in Ver
bindung mit einer Figur näher erläutert.
Die Figur zeigt einen System-Schaltplan des Ausführungsbei
spieles.
Bei dem Ausführungsbeispiel handelt es sich um eine Zweiband-Leistungs
verstärkerstufe, beispielsweise für den Einsatz in
einem Mobiltelefon, das in zwei Frequenzbändern betrieben
werden kann.
Ein erstes Eingangsanpaßnetzwerk EN1 und ein zweites Ein
gangsanpaßnetzwerk EN2 sind jeweils eingangsseitig mit einem
ersten Wechselspanungs-Eingangsanschluß RFin1 bzw. mit einem
zweiten Wechselspannungs-Eingangsanschluß RFin2 verbunden.
Ausgangsseitig sind die beiden Eingangsanpaßnetzwerke EN1,
EN2 mit einem Eingang E eines Endstufentransistors T verbun
den.
Ein Ausgang A des Endstufentransistors T ist jeweils mit ei
nem Eingang eines ersten AN1 und eines zweiten Ausgangsan
paßnetzwerkes AN2 verbunden. Ein Ausgang des ersten Aus
gangsanpaßnetzwerkes AN1 ist an einen ersten Wechselspan
nungs-Ausgangsanschluß RFout1 und ein Ausgang des zweiten
Ausgangsanpaßnetzwerkes AN2 ist an einen zweiten Wechsels
pannungs-Ausgangsanschluß RFout2 angeschlossen.
Das erste Eingangsanpaßnetzwerk EN1 ist derart gestaltet,
daß die Quellenimpedanz des ersten Wechselspannungs-Ein
gangsanschlusses RFin1 an die Eingangsimpedanz des End
stufentransistors T angepaßt ist. Ein Signal aus einem er
sten Frequenzband, das das erste Eingangsanpaßnetzwerk EN1
passiert und am Eingang E des Endstufentransistors T anliegt,
wird vom zweiten Eingangsanpaßnetzwerk AN2 nicht belastet.
Nachdem das Signal den Endstufentransistor T passiert hat und
mit dessen Übertragungscharakteristik verändert wurde, steht
es an den Eingängen der beiden Ausgangsanpaßnetzwerke
AN1, AN2 an. Die Ausgangsanpaßnetzwerke AN1, AN2 sind jeweils
nur für ein ganz bestimmtes Frequenzband ausgelegt, so daß
hier eine Trennung der den Endstufentransistor T passierenden
Signale, die aus einem beiden Frequenzbänder stammen können,
erfolgt. Das erste Ausgangsanpaßnetzwerk AN1 ist dazu bei
spielweise als Hochpaß und das zweite Ausgangsanpaßnetzwerk
AN2 als Tiefpaß ausgelegt.
Analoges gilt für ein Signal aus einem von dem ersten ver
schiedenen zweiten Frequenzband. Das zweite Eingangsanpaß
netzwerk EN2 ist dazu derart gestaltet, daß die Quellenimpe
danz des zweiten Wechselspannungs-Eingangsanschlusses RFin2
an die Eingangsimpedanz des Endstufentransistors T angepaßt
ist.
Die Eingangsanpaßnetzwerke weisen beispielsweise jeweils ei
nen Vorstufenverstärker auf. Zur Kombination der Signale aus
den verschiedenen Frequenzbänder auf den Eingang E des End
stufentransistors T ist beispielsweise eine Duplexweiche vor
gesehen.
Die Ausgangsanpaßnetzwerke AN1, AN2 passen die arbeitspunkt
bedingte Ausgangsimpedanz des Endstufentransistors bei den
beiden unterschiedlichen Frequenzbändern an die entsprechen
den Lastimpedanzen an.
Die Beschreibung der Erfindung anhand des Ausführungsbeispie
les ist selbstverständlich nicht als Einschränkung der Erfin
dung auf dieses Ausführungsbeispiel zu verstehen.
Claims (3)
1. Endstufentransistor-Schaltungsanordnung, bei der ein er
stes Eingangsanpaßnetzwerk (EN1) eingangsseitig mit einem er
sten Wechselspannungs-Eingangsanschluß (RFin1) und ausgangs
seitig mit einem Eingang (E) eines einzigen Endstufentransi
stors (T) und ein Ausgang (A) des Endstufentransistors (T)
mit einem Eingang eines ersten Ausgangsanpaßnetzwerkes (AN1)
verbunden ist, dessen Ausgang an einen ersten Wechselspan
nungs-Ausgangsanschluß (RFout1) angeschlossen ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
mindestens ein zweites Eingangsanpaßnetzwerk (EN2) vorgesehen ist, das eingangsseitig mit einem zweiten Wechselspannungs-Ein gangsanschluß (RFin2) und ausgangsseitig mit dem Eingang (E) des Endstufentransistors (T) verbunden ist, und daß mindestens ein zweites Ausgangsanpaßnetzwerk (AN2) vorgesehen ist, das eingangsseitig mit dem Ausgang (A) des Entstufen transistor (T) und ausgangsseitig mit einem zweiten Wechsels pannungs-Ausgangsanschluß (Rfout2) verbunden ist,
wobei das erste Eingangsanpaßnetzwerk (EN1) und das erste Ausgangsanpaßnetzwerk (AN1) an ein erstes Frequenzband ange paßt sind und das zweite Eingangsanpaßnetzwerkwerk (EN2) und das zweite Ausgangsanpaßnetzwerk (AN2) an ein von dem ersten verschiedenes zweites Frequenzband angepaßt sind, derart, daß der Endstufentransistor (T) im Betrieb der Endstufen transistor-Schaltungsanordnung wahlweise für beide Frequenz bänder benutzt werden kann.
mindestens ein zweites Eingangsanpaßnetzwerk (EN2) vorgesehen ist, das eingangsseitig mit einem zweiten Wechselspannungs-Ein gangsanschluß (RFin2) und ausgangsseitig mit dem Eingang (E) des Endstufentransistors (T) verbunden ist, und daß mindestens ein zweites Ausgangsanpaßnetzwerk (AN2) vorgesehen ist, das eingangsseitig mit dem Ausgang (A) des Entstufen transistor (T) und ausgangsseitig mit einem zweiten Wechsels pannungs-Ausgangsanschluß (Rfout2) verbunden ist,
wobei das erste Eingangsanpaßnetzwerk (EN1) und das erste Ausgangsanpaßnetzwerk (AN1) an ein erstes Frequenzband ange paßt sind und das zweite Eingangsanpaßnetzwerkwerk (EN2) und das zweite Ausgangsanpaßnetzwerk (AN2) an ein von dem ersten verschiedenes zweites Frequenzband angepaßt sind, derart, daß der Endstufentransistor (T) im Betrieb der Endstufen transistor-Schaltungsanordnung wahlweise für beide Frequenz bänder benutzt werden kann.
2. Endstufentransistor-Schaltungsanordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die beiden Frequenzbänder im HF-Frequenzbereich liegen.
3. Endstufentransistor-Schaltungsanordnung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
es für den Einsatz als Zweiband-Leistungsverstärkerstufe in
einem Zweiband-Mobiltelefon vorgesehen ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997132459 DE19732459A1 (de) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | Endstufentransistor-Schaltungsanordnung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997132459 DE19732459A1 (de) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | Endstufentransistor-Schaltungsanordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19732459A1 true DE19732459A1 (de) | 1999-02-04 |
Family
ID=7837146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1997132459 Ceased DE19732459A1 (de) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | Endstufentransistor-Schaltungsanordnung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19732459A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10003704A1 (de) * | 2000-01-28 | 2001-08-09 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung mit Bandpaßfiltern |
WO2001073942A2 (en) * | 2000-03-28 | 2001-10-04 | California Institute Of Technology | Concurrent multi-band low noise amplifier architecture |
US6917815B2 (en) | 2001-03-14 | 2005-07-12 | California Institute Of Technology | Concurrent dual-band receiver architecture |
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JPH0537255A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 広帯域増幅器 |
-
1997
- 1997-07-28 DE DE1997132459 patent/DE19732459A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
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US6674337B2 (en) | 2000-03-28 | 2004-01-06 | California Institute Of Technology | Concurrent multi-band low noise amplifier architecture |
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