DE19700839A1 - Teststation für Halbleiterwafer bzw. Bruchstücke von Halbleiterwafern - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Teststation für Halbleiterwafer bzw. Bruchstücke von Halbleiterwafern mit einer Chuckanord­ nung, welche eine Auflage mit einer im Wesentlichen ebenen Oberfläche aufweist, die mit mehreren Bohrungen versehen ist, welche für die lösbare Fixierung des Halbleiterwafers bzw. Bruchstückes durch Ansaugen auf der Auflage mit einer Vakuum­ quelle gekoppelt sind.

Derartige Teststationen werden in der automatisierten Meßtechnik von Halbleiterwafern bzw. -scheiben eingesetzt. Die Teststation besitzt eine geeignet gelagerte Chuckanord­ nung, welche motorgetrieben in wenigstens zwei unterschiedli­ che Richtungen bewegbar ist, vorzugsweise entlang einer ver­ tikalen Z-Richtung und in einer horizontalen Richtung, bei­ spielsweise entweder in X- und/oder Y-Richtung, oder in einer Richtung schwenkbar um die Z-Achse bis zu einem maximalen Verstellwinkel. Die Chuckanordnung besitzt eine Auflage mit einer im Wesentlichen ebenen Oberfläche, auf welcher der zu messende Halbleiterwafer abgelegt und für die durchzuführende Messung angesaugt wird. Zu diesem Zweck ist die Auflage mit mehreren Bohrungen versehen, welche mit einer Vakuumquelle oder dergleichen Saugeinrichtung in Verbindung stehen. Damit Halbleiterwafer mit unterschiedlichen Waferdurchmessern ge­ messen werden können, besitzt eine solche Teststation in der Regel mehrere austauschbare Chuckanordnungen für unterschied­ liche Waferdurchmesser. Bei den vorbekannten Standard-Chuck­ anordnungen mit nur einer Vakuumversorgung sind die in der Auflage vorgesehenen Bohrungen in konzentrischen oder spiral­ förmigen Sicken angeordnet, um eine optimale Aufteilung der Vakuumansaugung über die gesamte Waferfläche hinweg vorzuse­ hen, wodurch eine sichere Fixierung des Halbleiterwafers auf der Auflage und damit sichere Kontaktierung am Meßautomaten gewährleistet und damit ein Verrutschen der Halbleiterscheibe vermieden werden kann. Allerdings können mit den bekannten Chuckanordnungen keine Bruchstücke von Halbleiterwafern mit der notwendigen Sicherheit fixiert werden. Durch die konzen­ trische oder spiralförmige Anordnung der Sicken wird die Va­ kuumversorgung bei der Abstützung eines Bruchstückes eines Halbleiterwafers unterbrochen, so daß eine Bruchscheibe auf der Chuckanordnung nicht mehr ausreichend sicher haftet, und damit eine sichere Kontaktierung am Meßautomaten nicht mehr gewährleistet werden kann. Eine Bruchscheibe, deren Form nicht einem Kreis oder Quadrat entspricht, kann somit nicht gemessen werden und wird als Ausfall verworfen.

Weiterhin besitzen die bekannten Teststationen zur definier­ ten Einstellung der Temperatur der Auflage eine elektronisch regelbare Temperaturstabilisierung, bei welcher eine dem Wa­ fer zugeordnete Auflageplatte auf einem bestimmten thermi­ schen Potential gehalten wird. Aufgrund von unterhalb oder neben der Teststation angeordneten elektromechanischen Kompo­ nenten, die zusätzlich Wärme erzeugen, ist ein genaues Ausre­ geln der Temperatur der Chuckanordnung wegen erheblicher Schwankungen der Temperatur des thermischen Gegenpotentials meist nicht möglich.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Teststation der eingangs genannten Art zu schaffen, welche eine sichere Fixierung auch von Bruchstücken eines Halbleiterwafers ge­ währleistet. Der Erfindung liegt des weiteren die Aufgabe zu­ grunde, eine Teststation bzw. eine Chuckanordnung der ein­ gangs genannten Art zu schaffen, bei der eine Regelung der Meßtemperatur mit Abweichungen von der gewünschten Solltem­ peratur von maximal ± 0,1° Celsius gewährleistet werden kann.

Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß jeweils eine zusammenge­ hörende Gruppe von Bohrungen in eine von mehreren, jeweils unabhängig voneinander über Vakuumschalter mit der Vakuum­ quelle koppelbaren Kammern mündet. Dem Prinzip der Erfindung folgend ist hierbei vorgesehen, daß einer Kammer eine zusam­ mengehörende Gruppe von in einem Kreissegment angeordneter Bohrungen für die gemeinsame Kopplung mit der Vakuumquelle zugeordnet ist. Nach einem wesentlichen Gedanken der Erfin­ dung wird die Vakuumansaugung auf mehrere, einzeln schaltbare Segmente aufgeteilt. Abhängig von der Form des zu messenden Bruchstückes eines Halbleiterwafers wird nur noch das Segment freigegeben, auf dem tatsächlich eine Scheibenfläche auf­ liegt. Die anderen Segmente, auf denen kein Teil des zu mes­ senden Scheibenstückes zum Liegen kommt, sind gesperrt und verhindern eine Unterbrechung der Vakuumversorgung.

Von Vorteil ist hierbei vorgesehen, daß die Abstände der in einem Kreissegment angeordneten Bohrungen einer zusammengehö­ renden Gruppe zum Rand der Auflage hin in radialer Richtung zunehmen. Des weiteren kann der Durchmesser der inneren Boh­ rungen größer sein als die der äußeren. Dadurch kann der zu messende Halbleiterwafer bzw. das zu messende Halbleiterwa­ ferbruchstück in der Mitte der Auflage stärker angesaugt wer­ den als in den Randbereichen. Leicht gekrümmte Halbleiterwa­ fer bzw. Bruchstücke bekommen im Zentrum somit eine höhere Ansaugkraft und liegen plan auf. Ein plötzliches Abheben wäh­ rend des Meßvorgangs, was zu einer Zerstörung des Halblei­ terwafers oder der Nadelkarte oder sonstiger Meßinstrumente führen würde, kann vermieden werden.

Bei Bruchstücken von Halbleiterwafern gibt es oftmals eine bevorzugte Bruchrichtung. Die entstehenden Waferformen sind in der Regel hierbei rechteckig. Im Extremfall besitzen die Bruchstücke eine Länge entsprechend des vollen Halbleiterwa­ ferdurchmessers, sind jedoch lediglich nur wenige Chipsysteme breit. Um auch solche extrem schmalen Scheibenstreifen mit einer ausreichenden Ansaugkraft auf der Auflage fixieren zu können, ist vorgesehen, daß wenigstens eine zusammengehören­ de Gruppe von in einem Kreissegment angeordneter Bohrungen doppelreihig oder mehrfachreihig in radialer Richtung ange­ ordnet ist. Nachdem wegen der Lage der Chips auf der Scheibe die beiden Möglichkeiten vorhanden sind, die schmalen Recht­ ecke entweder im Hochformat oder im Querformat auf der Aufla­ ge der Chuckanordnung auflegen zu müssen, kann vorgesehen sein, daß wenigstens zwei Segmente mit doppelreihig angeord­ neten Bohrungen ausgeführt sind, wobei jeweils ein Segment in horizontaler Richtung, und ein anderes in vertikaler Richtung verläuft. Von Vorteil ergibt sich hiermit eine im Wesentli­ chen doppelte Ansaugkraft und damit Abstützung in X- oder Y- Richtung auch bei solchen Scheibenbruchstücken, die lediglich auf einem schaltbaren Segment aufliegen.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind die Vakuumschalter unmittelbar am Rand der Chuckanordnung angebracht, und ver­ mittels flexibler Schlauchleitungen mit den einzeln und unab­ hängig voneinander mit der Vakuumquelle koppelbaren Kammern verbunden. Die Vakuumschalter sind somit direkt an der Chuck­ anordnung befestigt, um die Zuleitungen möglichst kurz zu halten. Im Sinne einer möglichst kompakten Bauweise können vorzugsweise vier Vakuumschalter zu einem Block zusammenge­ faßt sein, wobei bei einer bevorzugten Aufteilung der Vaku­ umversorgung in Form einer Achter-Teilung die beiden Vakuum­ schalterblöcke sehr nahe an der Chuckanordnung befestigt sind, um beim Verfahren der Chuckanordnung nicht an Stützsäu­ len des Meßautomaten oder sonstiges Meßinstrumentarium an­ zufahren.

Bei einer weiterhin bevorzugten Ausführungsform kann vorgese­ hen sein, daß eine oder mehrere Bohrungen in der Mitte der Auflage separat an eine weitere Vakuumquelle angeschlossen ist bzw. sind. Eine im Zentrum der Auflage vorgesehene sepa­ rate Vakuumansaugung, die ständig in Betrieb sein kann, be­ sitzt hierbei den Vorteil, daß bei extrem kleinen Bruchstüc­ ken alle anderen Segmente geschlossen werden können, so daß die gesamte Ansaugwirkung nur noch für die kleine Fläche zur Verfügung steht und demzufolge eine hohe Ansaugkraft bewirkt.

Die Erfindung betrifft des weiteren eine Chuckanordnung zur Messung der elektronischen Eigenschaften von im Waferverbund befindlichen Halbleiterschaltungen, mit einer eine im Wesent­ lichen ebene Oberfläche aufweisenden Auflage zur Abstützung des Halbleiterwafers und einer elektronisch regelbaren Tempe­ raturstabilisierungseinrichtung zur definierten Einstellung der Temperatur der Auflage. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß die Temperaturstabilisierungseinrichtung zwei unabhängig voneinander regelbare Stabilisierungsstufen aufweist, von de­ nen die erste Stufe der Einstellung der Temperatur der Aufla­ ge und die zweite Stufe der Abführung der von der ersten Stu­ fe abgegebenen Verlustleistung zugeordnet ist.

Dem Prinzip der Erfindung folgend kann hierbei des weiteren vorgesehen sein, daß die erste und die zweite Stabilisie­ rungsstufe jeweils durch ein Peltierelement ausgebildet ist.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, daß ein vermittels Kühlluft gekühltes thermisches Gegenpotential vorgesehen ist. Hierbei kann von Vorteil vorgesehen sein, daß die zur Kühlung des thermischen Gegenpotentials einge­ brachte Kühlluft in einer durch eine Doppelschnecke ausgebil­ deten Kühlschlange geführt ist.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels weiter erläutert. Es zeigt:

Fig. 1 eine schematische Seitenansicht einer Teststation mit einer Chuckanordnung nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;

Fig. 2 eine schematische Draufsicht der Teststation;

Fig. 3 eine schematische Schnittansicht der Teststation ent­ lang der Linie III-III;

Fig. 4 eine schematische Schnittansicht der Teststation ent­ lang der Linie IV-IV;

Fig. 5 eine schematische Schnittansicht der Teststation ent­ lang der Linie V-V.

Das in den Fig. 1 bis 5 dargestellte Ausführungsbeispiel der Erfindung umfaßt eine Teststation 1 für einen Halblei­ terwafer bzw. ein Bruchstück 2 eines Halbleiterwafers mit ei­ ner Chuckanordnung 3, welche eine Auflage 4 mit einer im We­ sentlichen ebenen Oberfläche besitzt, die mit mehreren Boh­ rungen 5 versehen ist, welche für die lösbare Fixierung des Bruchstückes bzw. Halbleiterwafers 2 durch Ansaugen auf der Auflage 4 mit einer (in den Figuren nicht näher dargestell­ ten) Vakuumpumpe gekoppelt sind. Die Teststation 1 umfaßt des weiteren eine in Fig. 1 lediglich schematisch angedeute­ te Meßanordnung 6 mit elektronischen Steuer- und Auswerte­ schaltkreisen, Meßgeräten und mit an Positioniereinrichtun­ gen befestigten Sondenarmen 7, 8, die in an sich bekannter Weise am freien Ende jeweils eine Testsonde bzw. Mess-Spitze 9, 10 abstützen, die in Kontakt mit einem Anschluß einer in­ tegrierten Schaltung an einer vorbestimmten Stelle auf der Oberfläche des Halbleiterwafers 2 zu bringen ist. Die Test­ station 1 mit Chuckanordnung 3 und Meßanordnung 6 dient der Messung der elektronischen Eigenschaften der auf dem Halblei­ terwafer 2 in hoher Integrationsdichte gefertigten Mikro­ schaltkreise und dergleichen Halbleiterbauelemente, und zwar noch im Waferverbund befindlichen Schaltkreise und Bauelemen­ te. Der prinzipielle Aufbau und die Wirkungsweise einer sol­ chen Teststation ist dem Fachmann geläufig und braucht an dieser Stelle nicht näher erläutert zu werden; insbesondere sind nähere Einzelheiten der elektrischen Verbindungen, etwa von der Mess-Spitze zum Messeingang des in der Meßanordnung 6 vorgesehenen Meßgerätes und weitere erforderliche Meß- und Auswerteschaltungen in den Figuren nicht näher darge­ stellt. Für die Kontaktierung der Mess-Spitzen 9 und 10 auf den vorbestimmten Kontaktflächen auf der Oberfläche des Halb­ leiterwafers 2 ist die Chuckanordnung 3 und die Meßanordnung 6 relativ zueinander beweglich gelagert. Beim dargestellten Ausführungsbeispiel kann die Chuckanordnung 3 entlang einer Z-Achse 11 in vertikaler Richtung, und über Antriebsmittel 12 um einen maximalen Schwenkwinkel von etwa 90° entlang der durch den Pfeil 13 angedeuteten Richtung bewegt werden. Zu­ sammen mit der in wenigstens einer Richtung quer zur Z-Achse 11 bewegbaren Positioniereinrichtung bzw. Sondenarmen 7, 8 entlang einer X- oder Y-Richtung kann jede gewünschte Stelle auf der Oberfläche des Halbleiterwafers 2 erreicht und mit den Mess-Spitzen 9, 10 kontaktiert werden.

Wie dies insbesondere aus der schematischen Draufsicht nach Fig. 2 ersichtlich ist, sind die in der Auflage 4 vorgesehe­ nen Bohrungen 5 in zusammengehörenden Gruppen 14a bis 14h dergestalt geordnet, daß jeweils eine zusammengehörende Gruppe 14 von Bohrungen 5 in eine von mehreren, jeweils unab­ hängig voneinander über Vakuumschalter 15a bis 15h mit einer an Vakuumleitungen 16 und 18 angeschlossenen Vakuumquelle koppelbaren Kammern 17a bis 17h mündet. Jede Kammer 17a bis 17h kann hierbei über die vermittels flexibler Anschlußlei­ tungen 19a bis 19h verbundenen, jeweils einzeln elektrisch betätigbaren Vakuumschalter 15a bis 15h mit der Vakuumquelle gekoppelt werden, um auf diese Weise Halbleiterwafer bzw. Bruchstücke von Halbleiterwafern in unterschiedlichen Größen sicher auf der Auflage 4 zu fixieren. Hierbei sind die Boh­ rungen 5 einer zugehörenden Kammer vorzugsweise segmentweise zu Gruppen 14a bis 14h geordnet, d. h. Bohrungen entlang einer radial von der Mitte bis zum Rand der Auflage verlaufenden Linie gehören zusammen. Die Segmente für die Aufteilung des Vakuums wurden hierbei in Form einer 8-er-Teilung gewählt. Jedes Segment wird einzeln durch den zugehörenden Vakuum­ schalter geschaltet. Die Vakuumschalter 15a bis 15h sind hierbei von Vorteil in unmittelbarer Nähe und direkt an der Chuckanordnung 3 befestigt, um die Zuleitungen 16 bzw. 19a bis 19h möglichst kurz zu halten. Im Sinne einer besseren Kompaktheit wurden hierbei jeweils vier Vakuumschalter zu ei­ nem Block zusammengefaßt. Beide Schalterblöcke sind sehr na­ he an der Chuckanordnung 3 befestigt, um bei einem Verfahren der Chuckanordnung 3 nicht an (in der Figur nicht dargestell­ te) Stützsäulen der Meßanordnung 6 anzufahren.

Im Zentrum der Chuckanordnung 3 befindet sich eine zentrale Kammer 20, die mit zentralen Bohrungen 21 in Verbindung steht, und an eine (nicht näher dargestellte) zentrale Vakuu­ mansaugung gekoppelt ist, die ständig in Betrieb sein kann. Der Vorteil bei dieser Ausbildung besteht darin, daß bei sehr kleinen Bruchstücken eines Halbleiterwafers alle anderen Segmente geschlossen werden können, so daß das gesamte Vaku­ um nur noch für die kleine Fläche in der Mitte der Auflage 4 zur Verfügung steht und eine hohe Ansaugkraft bewirkt.

Die im Wesentlichen kreisförmige Oberfläche der Auflage 4 wurde für einen Waferdurchmesser von fünf Zoll ausgelegt. Die Bohrungen 5 einer jeden Gruppe sind so angeordnet, daß der Abstand von Bohrung zu Bohrung von der Mitte der Auflage nach außen hin zum Rand zunimmt. Der Durchmesser der inneren Boh­ rungen ist hierbei größer als die der äußeren. Dadurch wird der Halbleiterwafer 2 im Zentrum stärker angesaugt als in den Randbereichen. Die oftmals leicht konkav gekrümmten Wafer be­ kommen damit im Zentrum eine höhere Ansaugkraft und liegen dann plan auf. Ein plötzliches Abheben während des Prüfvor­ gangs, was zur Zerstörung des Wafers und/oder der Meß- Spitzen 9, 10 führen würde, wird vermieden.

Zur sicheren Fixierung auch sehr schmaler Bruchstücke von Halbleiterwafern mit einer im Wesentlichen rechteckigen Form sind die Bohrungen 5 bei den Gruppen 14a und 14c doppelreihig in radialer Richtung angeordnet. Damit ergibt sich eine dop­ pelte Ansaugkraft und Stützung eines schmalen Bruchstückes entweder in X- oder in Y-Richtung auch bei solchen Wafern, die nur auf einem schaltbaren Segment aufliegen.

In den Fig. 3 bis 5 sind nähere Einzelheiten einer elek­ tronisch regelbaren Temperaturstabilisierungseinrichtung dar­ gestellt, die zur definierten Einstellung der Temperatur der Auflage 4 und damit der Temperatur des zu messenden Halblei­ terwafers 2 dient. Eine Temperaturstabilisierung der Auflage 4 ist im Sinne einer ausreichenden Meßgenauigkeit und Repro­ duzierbarkeit der vorgenommenen Messungen erforderlich, wobei die gewählte Temperatur des zu messenden Halbleiterwafers auf wenigstens ± 0,1° Celsius stabil gehalten werden soll. Eine Schwierigkeit besteht hier vor allem darin, daß sich unter­ halb der Chuckanordnung 3 in der Regel elektromechanische Komponenten befinden, die zusätzlich Wärme erzeugen. Zur Ab­ führung dieser Wärme ist ein thermisches Gegenpotential bei­ spielsweise in Form einer Luftkühlung vorgesehen, dessen Tem­ peratur gegenüber den Wafertemperaturen größeren Schwankungen unterworfen ist, was dazu führt, daß ein genaues Ausregeln der Temperatur der Chuckanordnung aufgrund der Schwankungen des Gegenpotentials besondere Maßnahmen erfordert. Erfin­ dungsgemäß ist nunmehr vorgesehen, daß die Chuckanordnung 3 wenigstens über zwei unabhängig voneinander regelbare Wär­ mestabilisierungsstufen 22 und 23 verfügt, von denen die er­ ste Stufe 22 der Einstellung der Temperatur der Auflage 4 und die zweite Stufe 23 der Abführung der Verlustleistung der er­ sten Stufe 22 zugeordnet ist. Von Vorteil werden für beide Stufen sogenannte Peltierelemente verwendet, und zwar Peltie­ relemente 24 für die erste Stufe der Wärmestabilisierung (vgl. Fig. 3) und Peltierelemente 25 für die zweite Stabili­ sierungsstufe (vgl. insbesondere Fig. 4). Die Peltierelemen­ te 24, 25 befinden sich in innigem thermischen Kontakt zu un­ terhalb der Auflage 4 angeordneten vorzugsweise aus Metall oder anderem gut wärmeleitenden Material gefertigten Platten 26, 27, 28 der Chuckanordnung 3. Die elektrischen Versor­ gungs- und Regelungseinrichtungen für die Peltierelemente 24, 25 sind in den Figuren nicht näher dargestellt. Peltierele­ mente sind in vielen Typen und Ausgestaltungen bekannt, so daß deren genauere Beschreibung weggelassen werden kann. Wichtig ist, daß die Peltierelemente 24 solchermaßen regel­ bar sind, daß in der Auflage 4 und damit in dem zu messenden Halbleiterwafer 2 eine gleichmäßig konstante Meßtemperatur von typischerweise etwa der Zimmertemperatur (etwa 15° Celsi­ us bis 25° Celsius) mit einer Genauigkeit von wenigstens ± 0,1° Celsius einstellbar ist. Normalerweise arbeiten die Pel­ tierelemente 24 als Heizelement; durch einfaches Umpolen der Spannungsversorgung sind die Peltierelemente 24 auch als Küh­ lelemente betreibbar, so daß in der Auflage 4 auch Meßtem­ peraturen von kleiner als Zimmertemperatur mit ausreichender Genauigkeit regelbar sind. Die Peltierelemente 25 der zweiten Stabilisierungsstufe 23 dienen im Wesentlichen zur Abführung der von der ersten Stufe erzeugten Verlustleistung. Durch den relativ geringen Wirkungsgrad der Peltierelemente 24, 25 ent­ steht meistens nur eine geringfügig höhere Temperatur in der ersten Stufe gegenüber der zweiten Stufe. Bei einem bevorzug­ ten Ausführungsbeispiel wird die Regelung für die zweite Stu­ fe deshalb so geschaltet, daß sie grundsätzlich nur Wärme von der ersten Stufe abführt, aber niemals Wärme des Gegenpo­ tentials auf die erste Stufe 22 überführen kann. Zur Einstel­ lung des thermischen Gegenpotentials ist Luft als Medium be­ vorzugt, da Flüssigkeiten als Kühlmedien wegen der hohen Elektrifizierung der gesamten Teststation 1 konstruktive Nachteile mit sich bringen. Bei dem bevorzugten Ausführungs­ beispiel wird die Kühlluft in einer in Form einer Doppel­ schnecke ausgebildeten Kühlschlange 29 geführt, die an Lei­ tungen 30 zur Einspeisung des Kühlmediums und 31 zur Abfuhr des Kühlmediums angeschlossen ist, und innerhalb der aus Vollmaterial gefertigten Platte 28 ausgebildet ist.

Bezugszeichenliste

1

Teststation

2

Halbleiterwafer bzw. Bruchstücke von Halbleiterwafern

3

Chuckanordnung

4

Auflage

5

Bohrungen

6

Meßanordnung

7, 8

Sondenarme

9, 10

Mess-Spitzen

11

Z-Achse

12

Antriebsmittel

13

Pfeil

14

a

14

h Gruppen

15

a bis

15

h Vakuumschalter

16

Vakuumleitung

17

a bis

17

h Kammern

18

Vakuumleitung

19

a bis

19

h Anschlußleitungen

20

zentrale Kammer

21

zentrale Bohrungen

22 23

Wärmestabilisierungsstufen

24, 25

Peltierelemente

26, 27

Platten

29

Kühlschlange

30, 31

Leitungen

Claims (14)

1. Teststation für Halbleiterwafer bzw. Bruchstücke von Halb­ leiterwafern (2) mit einer Chuckanordnung (3), welche eine Auflage (4) mit einer im Wesentlichen ebenen Oberfläche auf­ weist, die mit mehreren Bohrungen (5) versehen ist, welche für die lösbare Fixierung des Halbleiterwafers bzw. Bruch­ stückes (2) durch Ansaugen auf der Auflage (4) mit einer Va­ kuumquelle gekoppelt sind, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils eine zusammengehörende Gruppe von Bohrungen (5) in eine von mehreren, jeweils unabhängig voneinander über Va­ kuumschalter (15a bis 15h) mit der Vakuumquelle koppelbaren Kammern (17a bis 17h ) mündet.

2. Teststation nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß einer Kammer (17a bis 17h) eine zusammengehörende Gruppe (14a bis 14h) von in einem Kreissegment angeordneter Bohrun­ gen (5) für die gemeinsame Kopplung mit der Vakuumquelle zu­ geordnet ist.

3. Teststation nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstände der in einem Kreissegment angeordneten Boh­ rungen (5) einer zusammengehörenden Gruppe (14a bis 14h) zum Rand der Auflage (4) hin in radialer Richtung zunehmen.

4. Teststation nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchmesser der in einem Kreissegment angeordneten Bohrungen (5) einer zusammengehörenden Gruppe (14a bis 14h) zum Rand der Auflage (4) hin in radialer Richtung abnehmen.

5. Teststation nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine zusammengehörende Gruppe (14a bis 14h) von in einem Kreissegment angeordneter Bohrungen (5) doppel­ reihig oder mehrfachreihig in radialer Richtung angeordnet ist.

6. Teststation nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vakuumschalter (15a bis 15h) unmittelbar am Rand der Chuckanordnung (3) angebracht und vermittels flexibler Schlauchleitungen mit den einzeln und unabhängig voneinander - mit der Vakuumquelle koppelbaren Kammern (17a bis 17h) ver­ bunden sind.

7. Teststation nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder mehrere Bohrungen (5) in der Mitte der Auflage (4) separat an eine weitere Vakuumquelle angeschlossen ist bzw. sind.

8. Teststation nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Chuckanordnung (3) zur definierten Einstellung der Temperatur der Auflage (4) eine elektronisch regelbare Tempe­ raturstabilisierungseinrichtung aufweist.

9. Teststation nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturstabilisierungseinrichtung zwei unabhängig voneinander regelbare Stabilisierungsstufen (22, 23) auf­ weist, von denen die erste Stufe der Einstellung der Tempera­ tur der Auflage (4) und die zweite Stufe der Abführung der Verlustleistung von der ersten Stufe zugeordnet ist.

10. Teststation nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Stabilisierungsstufe (22, 23) jeweils durch ein Peltierelement (24, 25) ausgebildet ist.

11. Chuckanordnung zur Messung der elektronischen Eigenschaf­ ten von im Waferverbund befindlichen Halbleiterschaltungen, mit einer eine im Wesentlichen ebene Oberfläche aufweisenden Auflage (4) zur Abstützung des Halbleiterwafers (2) und einer elektronisch regelbaren Temperaturstabilisierungseinrichtung zur definierten Einstellung der Temperatur der Auflage (4), dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturstabilisierungseinrichtung zwei unabhängig voneinander regelbare Stabilisierungsstufen (22, 23) auf­ weist, von denen die erste Stufe der Einstellung der Tempera­ tur der Auflage (4) und die zweite Stufe der Abführung der von der ersten Stufe abgegebenen Verlustleistung zugeordnet ist.

12. Chuckanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Stabilisierungsstufe (23, 23) jeweils durch ein Peltierelement (24, 25) ausgebildet ist.

13. Chuckanordnung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein vermittels Kühlluft gekühltes thermisches Gegenpo­ tential vorgesehen ist.

14. Chuckanordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Kühlung des thermischen Gegenpotentials einge­ brachte Kühlluft in einer durch eine Doppelschnecke ausgebil­ deten Kühlschlange (29) geführt ist.