DE19654113A1

DE19654113A1 - Verfahren zum Herstellen eines MOS-gesteuerten Leistungshalbleiterbauelements

Info

Publication number: DE19654113A1
Application number: DE19654113A
Authority: DE
Inventors: Uwe Dr Thiemann
Original assignee: Asea Brown Boveri AG Switzerland; Asea Brown Boveri AB
Current assignee: ABB Semiconductors Ltd
Priority date: 1996-12-23
Filing date: 1996-12-23
Publication date: 1998-06-25
Also published as: EP0851475A2; CN1186331A; EP0851475A3; JPH10189971A; US6165848A

Description

TECHNISCHES GEBIET

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Leistungselektronik. Sie betrifft ein Verfahren zum Herstel len eines MOS-gesteuerten Leistungshalbleiterbauelements , welches Leistungshalbleiterbauelement in einem gemeinsamen Substrat eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten, paral lelgeschalteten Bauelementzellen umfaßt, wobei in jeder Bau elementzelle ein aus einem Kollektorgebiet eines ersten Leit fähigkeitstyps, einem darüberliegenden Basisgebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps, und einem von oben in das Basis gebiet eingelassenen Emittergebiet vom ersten Leitfähig keitstyp gebildeter Bipolartransistor vorhanden ist, und wo bei auf der Emitterseite eine MOS-Kanal-Struktur zur Steue rung des Bipolartransistors vorgesehen ist, welche MOS-Kanal- Struktur ein oberhalb des Emittergebietes liegendes Source gebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp, ein randseitig am Emit tergebiet zwischen Sourcegebiet und Basisgebiet angeordnetes Kanalgebiet vom ersten Leitfähigkeitstyp und eine über dem Kanalgebiet isoliert angeordnete Gateelektrode umfaßt.

STAND DER TECHNIK

Heutige MOS-gesteuerte Leistungshalbleiterbauelemente von der Art der IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) bestehen aus einer Vielzahl gleicher, parallelgeschalteter Bauelement zellen, die nebeneinander in einem gemeinsamen Halbleiter substrat untergebracht sind. In jeder der Bauelementzellen eines solchen Leistungshalbleiterbauelements 1, von denen eine beispielhaft in Fig. 1 im Querschnitt wiedergegeben ist, ist innerhalb des Substrats 2 ein Bipolartransistor unterge bracht, der ein (P⁺-dotiertes) Kollektorgebiet 4, ein (N-do tiertes) Basisgebiet 3 und ein (P⁺-dotiertes) Emittergebiet 6 umfaßt. Auf der Emitterseite des IGBT wird eine MOS-Kanal- Struktur der Zelle, welche ein (P-dotiertes) Kanalgebiet 7, ein (N⁺-dotiertes) Sourcegebiet 8 und eine über dem Kanalge biet 7 isoliert angeordnete (Poly-Si-)Gateelektrode 9 um faßt, dazu verwendet, um den Basisstrom des integrierten Bipolartransistors zu steuern.

Das Kanalgebiet 7 verbindet dazu das Sourcegebiet 8 mit dem Basisgebiet 3, d. h., der Basis des Bipolartransistors. Das Basisgebiet 3 ist Teil einer durchgehenden Basisschicht. Das Kollektorgebiet 4 ist Teil einer durchgehenden Kollektor schicht. Die Gateelektrode 9 ist durch ein Oxid 10 von dem darunterliegenden Substrat 2 und der darüberliegenden Metal lisierung des Emitterkontakts 11 isoliert. Der Emitterkontakt kontaktiert gleichzeitig das Emittergebiet 6 und das Sourcegebiet 8. Zur kollektorseitigen Kontaktierung des IGBTs ist auf der Unterseite des Substrats 2 eine Kollektormetalli sierung 5 vorgesehen.

Die laterale Ausdehnung der Bauelementzellen kann unter schiedlichen Geometrien folgen. Zwei Beispiele von heute be kannten und eingesetzten Zellgeometrien sind in Fig. 2(a) und (b) in der Draufsicht von oben wiedergegeben. Fig. 2(a) zeigt eine Streifenstruktur mit einem länglichen Emittergebiet 6, welches auf den beiden Längsseiten von zwei streifenförmigen Sourcegebieten 8 überlagert und insgesamt von der Gateelek trode 9 umgeben ist. Fig. 2(b) zeigt eine polygonale (in die sem Fall hexagonale) Zellenstruktur, bei der ein zentrales polygonales Emittergebiet 6' randseitig von einem durchgehen den, ringförmigen Sourcegebiet 8' überdeckt und von einer Gateelektrode 9' umschlossen ist. In beiden Beispielen ist der Emitterkontakt weggelassen.

Eine Problemstellung beim IGBT ist die sog. Latch-Up-Festig keit (Einrastfestigkeit) der Bauelemente: Ist der Löcherstrom des Bipolartransistors zu hoch, kann es zum Zünden des durch das Sourcegebiet 8, das Emittergebiet 6, das Basisgebiet 3 und das Kollektorgebiet 4 gebildeten, parasitären Thyristors kommen. Weiterhin kann im Kurzschlußfall die Leistungsdichte im Bereich der MOS-Kanal-Struktur so hoch werden, daß eine thermische Zerstörung des Bauelements auftritt. Deshalb ist es grundsätzlich erstrebenswert, den Kurzschlußstrom zu be grenzen (Leistungsbegrenzung im Kurzschlußfall) und zusätz lich den Löcher-Bypass-Widerstand um das Sourcegebiet 8 herum so gering wie möglich zu halten (Reduktion der Latch-Up-Emp findlichkeit). Diese Maßnahmen sollten mit möglichst wenig zusätzlichem prozeßtechnischem Aufwand (Kosten) erreicht werden.

In einigen IGBTs werden heutzutage uniforme Sourcegebiete verwendet, was die Einsparung einer Maske bedeutet: Die Im plantation der (N⁺-)Sourcegebiete erfolgt maskenlos. Außer halb der aktiven Bauelementfläche wird die Implantation durch ein Dickoxid maskiert. Während der Kontaktlochätzung wird dann zusätzlich in die oberste Siliziumschicht geätzt und die N⁺-Schicht wieder entfernt. Es entsteht ein lateraler Kontakt zum Sourcegebiet am Rand des Kontaktlochfensters.

Eine solche maskenlose Sourcegebiet-Implantation ist in den Fig. 3 und 4 im Querschnitt durch eine Bauelementzelle eines Leistungshalbleiterbauelements 12 wiedergegeben: Bei diesem Bauelement wird in das N-dotierte Substrat 13, welches zu gleich das Basisgebiet 14 bildet, zunächst von unten ein Kol lektorgebiet (eine Kollektorschicht) 15 eingebracht. Weiter werden von oben - durch ein Fenster 21 und maskiert durch die spätere Gateelektrode 19 - ein Emittergebiet 17 und die Ka nalgebiete 18 eingebracht. Anschließend wird, maskiert durch die Gateelektrode 19, ein Sourcegebiet 22 implantiert, von dem der Mittelbereich zur Schaffung eines Kontaktloches 23 weggeätzt wird (Fig. 4). Durch das Kontaktloch 23 kontaktiert ein Emitterkontakt 24 sowohl das Emittergebiet 17 als auch die Sourcegebiete 22. Die kollektorseitige Kontaktierung er folgt durch eine Kollektormetallisierung 16.

Nachteil dieser Technik ist, daß die N⁺- Schicht bzw. das Sourcegebiet 22 entlang der Kante der Poly-Si-Gateelektrode, d. h., entlang der Kante des Kontaktloches 23, nicht struktu riert wird. Damit ergibt sich für die MOS-Kanal-Struktur eine große Kanalweite (Bereich, über welche der Kanal wirksam ist), wodurch die Leistungsdichte pro IGBT-Zelle im Kurz schlußfall sehr groß wird.

Bei anderen bekannten IGBT-Typen wird eine separate Photo lackmaske für die Implantation des Sourcegebietes 22 verwen det. Eine solche Maske 25, wie sie für eine Zellengeometrie gemäß Fig. 2(a) geeignet ist, ist ausschnittweise in Fig. 5(a) in der Draufsicht wiedergegeben. In dieser Maske 25 sind in zwei Reihen kleine Maskenöffnungen 26 vorgesehen, durch welche die N⁺-Implantation erfolgt. Die resultierende Zellen struktur hat - im Vergleich zu Fig. 2(a) - die in Fig. 5(b) gezeigte Anordnung von Gatebereich 27, Emittergebiet 28 und inselförmigen Sourcegebieten 29. Damit kann, allerdings auf Kosten steigender Prozeßkomplexität, die Kanalweite und da mit die Leistungsdichte im Kurzschlußfall per Design (vor allem der Sourcegebiete) eingestellt werden. Ein weiterer Vorteil dieser Methode ist, daß durch die laterale Begren zung des N⁺-Sourcegebietes ein Löcher-Bypass geschaffen wird, der die Latch-Up-Empfindlichkeit des Bauelements verringert. Wie bereits erwähnt, ist für diese Lösung jedoch wenigstens ein zusätzlicher Maskenschritt erforderlich, der den Herstel lungsprozeß in unerwünschter Weise verkompliziert.

DARSTELLUNG DER ERFINDUNG

Es ist nun Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstel lung eines Leistungs-IGBT-Bauelements anzugeben, welches es mit geringem zusätzlichem Prozeßaufwand erlaubt, einen IGBT mit Leistungsbegrenzung im Kurzschlußfall und einem redu zierten Löcher-Bypass-Widerstand erzeugen.

Die Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß die MOS-Kanal-Struktur in der Kanal weite strukturiert ist, und daß die Strukturierung der Ka nalweite der MOS-Kanal-Struktur indirekt durch einen der an deren im Herstellungsprozeß des Bauelements verwendeten Mas kenschritte erfolgt. Durch die Strukturierung der Kanalweite der MOS-Kanal-Struktur läßt sich die Kanalweite und damit die Leistung im Kurzschlußfall und der Löcher-Bypass-Wider stand auf die gewünschten Werte einstellen. Durch Verwendung eines im Prozeß bereits vorhandenen Maskenschrittes entfällt der Einsatz einer speziellen zusätzlichen Maske für diese Strukturierung.

Eine erste bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, daß zur Strukturie rung der Kanalweite der MOS-Kanal-Struktur derjenige Masken schritt verwendet wird, mit welchem das Emittergebiet in das Substrat eingebracht wird, daß für den Maskenschritt, mit welchem das Emittergebiet in das Substrat eingebracht wird, eine Maske verwendet wird, welche randseitig um eine Masken öffnung herum angeordnete, seitlich nach außen sich er streckende Aussparungen aufweist, derart, daß das einge brachte Emittergebiet im Gebiet der Aussparungen seitlich nach außen sich erstreckende Finger aufweist, und daß die Länge der Finger so gewählt wird, daß sie zumindest über das später eingebrachte Sourcegebiet seitlich hinausragen. Durch die Finger wird auf einfache Weise gezielt und lokal die Aus bildung eines Steuerungskanals unter Betriebsbedingungen ver hindert. Durch Breite, Tiefe und Anzahl der Finger können so wohl die Höhe des Sättigungsstromes (Leistungsdichte im Kurz schlußfall) als auch der Löcher-Bypass-Widerstand einfach und sicher eingestellt werden.

Eine zweite bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zeichnet sich dadurch aus, daß auf der Oberseite des Substrats zwischen den Bauelementzellen eine Feldoxid schicht angeordnet ist, daß zur Strukturierung der Kanal weite der MOS-Kanal-Struktur derjenige Maskenschritt verwen det wird, mit welchem die Feldoxidschicht auf dem Substrat strukturiert wird, daß für den Maskenschritt, mit welchem die Feldoxidschicht auf dem Substrat strukturiert wird, eine Maske verwendet wird, welche vom Rand des die Bauelementzelle abdeckenden Maskengebiets ausgehende und nach innen sich er streckende erste Finger aufweist, derart, daß die aufge brachte Feldoxidschicht, welche die Bauelementzellen umgibt, im Gebiet der Aussparungen nach innen sich erstreckende zweite Finger aufweist, welche bei dem nachfolgenden Ein bringen des Sourcegebietes eine Ausbildung des Sourcegebietes in ihrem Bereich verhindern bzw. maskieren. Auch in diesem Fall können durch Breite, Tiefe und Anzahl der zweiten Finger sowohl die Höhe des Sättigungsstromes als auch der Löcher- Bypass-Widerstand einfach und sicher eingestellt werden.

Eine weitere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, daß zur Struktu rierung der Kanalweite der MOS-Kanal-Struktur derjenige Mas kenschritt verwendet wird, mit welchem die Gateelektrode auf dem Substrat strukturiert wird, daß für den Maskenschritt, mit welchem die Gateelektrode auf dem Substrat strukturiert wird, eine Maske verwendet wird, welche vom Rand des die Bau elementzelle umgebenden Maskengebiets ausgehende und nach in nen sich erstreckende erste Finger aufweist, derart, daß die aufgebrachte Gateelektrode im Gebiet der Aussparungen nach innen sich erstreckende zweite Finger aufweist, welche bei dem nachfolgenden Einbringen des Sourcegebietes die Ausbil dung einer Kanalstruktur in ihrem Bereich verhindern bzw. maskieren. Auch in diesem Fall wird über die Geometrie der zweiten Finger die Einstellung der gewünschten Parameter vor genommen.

Weitere Ausführungsformen ergeben sich aus den abhängigen An sprüchen.

KURZE ERLÄUTERUNG DER FIGUREN

Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispie len im Zusammenhang mit der Zeichnung näher erläutert werden. Es zeigen

Fig. 1 im Querschnitt die Bauelementzelle eines bekann ten Leistungs-IGBT;

Fig. 2 in der Draufsicht zwei bekannte Geometrien einer Bauelementzelle nach Fig. 1;

Fig. 3 die selbstjustierende Implantation von Emitterge biet und Kanalgebiet bei einer bekannten IGBT- Zelle;

Fig. 4 die Implantation und Kontaktierung der Sourcege biete bei der Zelle nach Fig. 3;

Fig. 5 eine Maske (a) für die bekannte Strukturierung des Sourcegebietes und die resultierende Geome trie der IGBT-Zelle (b);

Fig. 6 verschiedene Schritte bei der Herstellung eines IGBT gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungs beispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei welchem zur Strukturierung der MOS-Kanal-Struktur das Emittergebiet strukturiert wird;

Fig. 7 verschiedene Schritte bei der Herstellung eines IGBT gemäß einem zweiten bevorzugten Ausfüh rungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei welchem zur Strukturierung der MOS-Kanal- Struktur die Feldoxidschicht strukturiert wird; und

Fig. 8 in der Draufsicht die Geometrie einer IGBT-Zelle, welche gemäß einem dritten bevorzugten Ausfüh rungsbeispiel des Verfahren nach der Erfindung hergestellt worden ist, wobei zur Strukturierung der MOS-Kanal-Struktur die Poly-Si-Gateelektrode strukturiert wird.

WEGE ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG

Ein erstes bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsge mäßen Verfahrens ist in verschiedenen Prozeßschritten in Fig. 6 wiedergegeben, wobei eine einzelne (herzustellende) IGBT-Zelle in perspektivischer, geschnittener Darstellung ge zeigt ist. Der Prozeß für die Herstellung des MOS-gesteuer ten Leistungshalbleiterbauelements 30 geht aus von einem (Si)- Substrat 31, welches beispielsweise N-dotiert ist. In das Substrat 31 ist von unten her ein P⁺-dotierte Schicht einge bracht, welche in der IGBT-Zelle das Kollektorgebiet 33 des IGBT-Transistors bildet. Das übrige Substrat bildet das Ba sisgebiet 32 (Fig. 6(a)).

Auf die Oberseite des Substrats 31 wird dann eine Maske 34 für die Implantation eines Emittergebietes 37 aufgebracht und ein P⁺-dotiertes Emittergebiet 37 durch eine Maskenöffnung 35 in der Maske 34 implantiert (Fig. 6(b)). Die Besonderheit der Maske 34 besteht im Zusammenhang mit der Erfindung darin, daß sie randseitig um die Maskenöffnung 35 herum angeord nete, seitlich nach außen sich erstreckende Aussparungen 36 aufweist. Hierdurch wird bewirkt, daß das eingebrachte Emit tergebiet 37 im Gebiet der Aussparungen 36 seitlich nach außen sich erstreckende Finger 38 aufweist (Fig. 6(c)). Die Länge der Finger 38 wird dabei so gewählt, daß sie - wie nachfolgend noch erläutert wird - nach Prozeßende zumindest über das später eingebrachte Sourcegebiet seitlich hinausra gen.

Nachdem die Implantation des streifenförmigen Emittergebietes 37 abgeschlossen und die Maske 34 entfernt ist, wird auf die Oberseite des Substrats 31 die von einem Oxid 40 umgebende Gateelektrode 39 aus Poly-Silizium aufgebracht und struktu riert. Dabei wird ein über dem Emittergebiet 37 zentral an geordnetes Fenster 41 geöffnet (Fig. 6(d). Durch das Fenster 41 hindurch werden nacheinander in das Substrat 31 ein P-do tiertes Kanalgebiet 42 (Fig. 6(e)) und eine N⁺-dotiertes flaches Sourcegebiet 43 (Fig. 6(f)) implantiert. Schließlich wird im Bereich des Fensters 41 noch die obere Schicht des Substrats 31 mit dem implantierten Sourcegebiet 43 weggeätzt (Fig. 6(g)), so daß sowohl das Emittergebiet 37 als auch die Sourcegebiete 43 von einer darüber aufgebrachten Metallisie rung kontaktiert werden können.

Das Kanalgebiet 42 wird soweit eindiffundiert, daß es in den Bereichen des Emittergebietes 37, in denen keine Finger 38 vorhanden sind, seitlich über das Emittergebiet hinausragt und bis unter die Kante der Gateelektrode 39 reicht (Fig. 6(h)). Auf diese Weise steht das Sourcegebiet 43 über die Ka nalgebiete 42 mit dem Basisgebiet 32 in Verbindung und bildet zusammen mit der darüberliegenden Gateelektrode die MOS-Kanal- Struktur zur Steuerung des IGBT-Transistors. In den Bereichen dagegen, in denen das Emittergebiet 37 durch die Finger 38 seitlich weiter ausgedehnt ist, werden die Sourcegebiete 43 ganz von dem Emittergebiet 37 umgeben. Die Schwellenspannung dieser Bereiche liegt dann über der verwendeten Gate-Emitter- Spannung, so daß diese Bereiche für die Steuerung des IGBT- Transistors ausfallen. Als Resultat ergibt sich eine MOS-Ka nal-Struktur, bei der sich aktiv steuerbare Bereiche (außerhalb der Finger 38) mit passiven Bereichen (innerhalb der Finger 38) abwechseln. Durch Breite, Tiefe und Anzahl (Wiederholrate) der Finger 38 können dann sowohl die Höhe des Sättigungsstromes (Leistungsdichte im Kurzschlußfall) als auch der Löcher-Bypass-Widerstand eingestellt werden. Die Finger 38 ragen dabei zumindest über die Sourcegebiete 43 seitlich hinaus. Sie können aber auch über die an die Source gebiete 43 seitlich angrenzenden Kanalgebiete 42 seitlich hinausragen.

Fig. 7 zeigt eine zu Fig. 6 vergleichbare Prozeßfolge für ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel des Verfahrens nach der Erfindung. Das Verfahren für die Herstellung eines MOS-gesteuerten Leistungshalbleiterbauelements 45 geht aus von einem Substrat 46 mit Basisgebiet (N-dotiert) Kollektor gebiet 48 (P⁺-dotiert) und einem bereits implantierten, streifenförmigen P-Emittergebiet 49 (Fig. 7(a).

Im vorliegenden Fall von Hochleistungs-IGBTs ist der Abstand zwischen zwei Bauelementzellen, von denen eine in Fig. 7 be trachtet wird, so groß, daß (dicke) Feldoxide verwendet werden können, um die gesamte Dünnoxidfläche so klein wie möglich zu halten (Eingangskapazität, Ausbeute). Zum Struktu rieren einer vorher ganz flächig aufgebrachten Feldoxidschicht 52 auf dem Substrat 46 zwischen den IGBT-Zellen wird eine Maske benötigt, die grundsätzlich den Bereich der Zellen freiläßt, den Bereich zwischen den Zellen jedoch abdeckt. Eine solche Maske 50 wird in modifizierter Form auf die Ober seite des Substrats 46 aufgebracht (Fig. 7(b)). Die Modifi zierung besteht darin, daß die Maske 50 vom Rand des die Bauelementzelle umgebenden Maskengebiets ausgehende und nach innen sich erstreckende erste Finger 51 aufweist. Wird an schließend die Feldoxidschicht 52 geätzt, hat diese Feld oxidschicht 52 im Gebiet der ersten Finger 51 nach innen sich erstreckende zweite Finger 53 (Fig. 7(c)). Diese zweiten Fin ger 53 reichen über den Rand des Emittergebietes 49 hinaus nach innen (rechte Schnitthälfte in Fig. 7(c)), während außerhalb der zweiten Finger 53 die Feldoxidschicht 52 bereits weit vor dem Emittergebiet 49 endet (linke Schnitthälfte von Fig. 7(c)).

Bei dem nachfolgenden Einbringen des Sourcegebietes in das Substrat wird durch die zweiten Finger 53 eine Ausbildung des Sourcegebietes in ihrem Bereich verhindert bzw. maskiert: Zum Implantieren des Kanalgebietes und des Sourcegebietes wird wiederum - wie in Fig. 6(d-f) - auf das Substrat 46 und über der Feldoxidschicht 52 eine von einem Oxid 55 umgebene struk turierte Gateelektrode 54 (aus Poly-Si) aufgebracht, die im Bereich der Bauelement-Zelle ein streifenförmiges Fenster 65 aufweist (Fig. 7(d)). Aufgrund ihrer Länge ragen die zweiten Finger 53 der Feldoxidschicht 52 teilweise in die Öffnung des Fensters 65 hinein.

Durch das Fenster 65 hindurch werden nacheinander das P-do tierte Kanalgebiet 56 (Fig. 7(e)) und das N⁺-dotierte Source gebiet 57 (Fig. 7(f)) implantiert. Die in das Fenster 65 hin einragenden Finger 53 verhindern dabei die Ausbildung einer MOS-Kanal-Struktur im Fingerbereich. Schließlich wird wie derum der zentrale Bereich des Sourcegebietes 57 ausgeätzt, um durch das entstehende Kontaktloch 58 eine Kontaktierung des Emittergebietes 49 zu ermöglichen (Fig. 7(g)). Bei der fertigen Zelle wechseln sich auch hier wieder aktiv steuer bare Bereiche (außerhalb der zweiten Finger 53, linke Quer schnittshälfte in Fig. 7(g)) mit passiven Bereichen (unterhalb der zweiten Finger 53; rechte Querschnittshälfte in Fig. 7(g)) ab. Durch Breite und Anzahl (Wiederholrate) der zweiten Finger 53 kann dann die Kanalweite und damit die Kurzschlußstromdichte eingestellt werden.

Ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel des Verfahrens nach der Erfindung kann an der in Fig. 8 dargestellten Geome trie der fertigen Bauelementzelle 59 erläutert werden: Bei dieser Bauelementzelle 59 hat die Maske 62 für das Emitterge biet eine einfache rechteckige Öffnung, so daß das Emitter gebiet (wie in Fig. 7(a)) einfach streifenförmig ist. Die Maske 63 für die Gateelektrode und damit die Gateelektrode 60 selbst hat nicht - wie in den Fällen der Fig. 6 und 7 - gerade durchgehende Längskanten, sondern die Maske 63 weist Finger 64 auf. Diesen Fingern 64 entsprechen Finger an der Gateelektrode 60, die über den Rand des Emittergebiets (Maske 62) nach innen reichen. Diese Strukturierung der Gate elektrode 60 resultiert beim Implantieren von Kanalgebiet und Sourcegebiet (siehe Fig. 6(e, f) oder Fig. 7(e, f) in der ge wünschten strukturierten MOS-Kanal-Struktur: Im Gebiet A (außerhalb der Finger 64) entsteht eine normale MOS-Steuer struktur, im Gebiet B (innerhalb der Finger 64) wird die Bil dung eines Kanals dadurch verhindert, daß das implantierte N⁺-Sourcegebiet vollständig innerhalb des P⁺-Emittergebietes (Maske 62) liegt. Auch hier kann wieder durch Anzahl (Wiederholrate) und Breite der Finger 64 die wirksame Kanal weite auf einfache Weise eingestellt werden. Die Maske 61 für das Emitterkontaktgebiet kann vorzugsweise - wie in Fig. 8 angedeutet - in der Kontur der Maske 63 folgen, so daß kein zusätzlicher Emitter-Ballast-Widerstand entsteht.

Insgesamt läßt sich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ein MOS-gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement herstellen, welches hinsichtlich der Leistungsdichte im Kurzschlußfall und des Löcher-Bypass-Widerstandes optimiert ist, ohne bei der Herstellung zusätzliche Maskenschritte zu erfordern.

Bezugszeichenliste

1,

12

Leistungshalbleiterbauelement (MOS-gesteuert)

2,

13

Substrat

3,

14

Basisgebiet

4,

15

Kollektorgebiet (Anode)

5,

16

Kollektormetallisierung

6,

6

',

17

Emittergebiet

7,

18

Kanalgebiet

8,

8

',

22

Sourcegebiet

9,

9

',

19

Gateelektrode

10,

20

Oxid

11,

24

Emitterkontakt

21

Fenster

23

Kontaktloch

25

Maske

26

Maskenöffnung

27

Gatebereich

28

Emittergebiet

29

Sourcegebiet (strukturiert)

30,

45

Leistungshalbleiterbauelement (MOS-gesteuert)

31,

46

Substrat

32,

47

Basisgebiet

33,

48

Kollektorgebiet (Anode)

34

Maske (Emittergebiet)

35

Maskenöffnung

36

Aussparung

37,

49

Emittergebiet

38

Finger (Emittergebiet)

39,

54

Gateelektrode

40,

55

Oxid

41,

65

Fenster

42,

56

Kanalgebiet

43,

57

Sourcegebiet

44

Kontaktloch

50

Maske (Feldoxid)

51,

53

Finger

52

Feldoxidschicht

58

Kontaktloch

59

Bauelementzelle

60

Gateelektrode

61

Maske (Emitterkontaktgebiet)

62

Maske (Emittergebiet)

63

Maske (Gateelektrode)

64

Finger (Gateelektroden-Maske)

Claims

1. Verfahren zum Herstellen eines MOS-gesteuerten Lei stungshalbleiterbauelements (30, 45), welches Leistungshalb leiterbauelement (30, 45) in einem gemeinsamen Substrat (31, 46) eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten, parallelge schalteten Bauelementzellen (59) umfaßt, wobei in jeder Bau elementzelle (59) ein aus einem Kollektorgebiet (33, 48) ei nes ersten Leitfähigkeitstyps, einem darüberliegenden Basis gebiet (32, 47) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, und einem von oben in das Basisgebiet (32, 47) eingelassenen Emitterge biet (37, 49) vom ersten Leitfähigkeitstyp gebildeter Bipo lartransistor vorhanden ist, und wobei auf der Emitterseite eine MOS-Kanal-Struktur (39, 42, 43 bzw. 54, 56, 57) zur Steuerung des Bipolartransistors vorgesehen ist, welche MOS- Kanal-Struktur (39, 42, 43 bzw. 54, 56, 57) ein oberhalb des Emittergebietes (37, 49) liegendes Sourcegebiet (43, 57) vom zweiten Leitfähigkeitstyp, ein randseitig am Emittergebiet (37, 49) zwischen Sourcegebiet (43, 57) und Basisgebiet (32, 47) angeordnetes Kanalgebiet (42, 56) vom ersten Leitfähig keitstyp und eine über dem Kanalgebiet (42, 56) isoliert an geordnete Gateelektrode (39, 54) umfaßt, dadurch gekenn zeichnet, daß die MOS-Kanal-Struktur (39, 42, 43 bzw. 54, 56, 57) in der Kanalweite strukturiert ist, und daß die Strukturierung der Kanalweite der MOS-Kanal-Struktur (39, 42, 43 bzw. 54, 56, 57) indirekt durch einen der anderen im Her stellungsprozeß des Bauelements verwendeten Maskenschritte erfolgt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Strukturierung der Kanalweite der MOS-Kanal-Struktur (39, 42, 43) derjenige Maskenschritt verwendet wird, mit wel chem das Emittergebiet (37) in das Substrat (31) eingebracht wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß für den Maskenschritt, mit welchem das Emittergebiet (37) in das Substrat (31) eingebracht wird, eine Maske (34) verwendet wird, welche randseitig um eine Maskenöffnung (35) herum angeordnete, seitlich nach außen sich erstreckende Aussparungen (36) aufweist, derart, daß das eingebrachte Emittergebiet (37) im Gebiet der Aussparungen (36) seitlich nach außen sich erstreckende Finger (38) aufweist, und daß die Länge der Finger (38) so gewählt wird, daß sie zumindest über das später eingebrachte Sourcegebiet (43) seitlich hin ausragen.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge der Finger (38) so gewählt wird, daß sie über das später eingebrachte, an das Sourcegebiet (43) seitlich angrenzende Kanalgebiet (42) seitlich hinausragen.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanalweite der MOS-Kanal-Struktur (39, 42, 43) durch Anzahl und Breite der Finger (38) einge stellt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Oberseite des Substrats (46 zwischen den Bau elementzellen eine Feldoxidschicht (52) angeordnet ist, und daß zur Strukturierung der Kanalweite der MOS-Kanal-Struktur (54, 56, 57) derjenige Maskenschritt verwendet wird, mit wel chem die Feldoxidschicht (52) auf dem Substrat (46) struktu riert wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß für den Maskenschritt, mit welchem die Feldoxidschicht (52) auf dem Substrat (46) strukturiert wird, eine Maske (50) verwendet wird, welche vom Rand des die Bauelementzelle umge benden Maskengebiets ausgehende und nach innen sich er streckende erste Finger (51) aufweist, derart, daß die auf gebrachte Feldoxidschicht (52), welche die Bauelementzellen umgibt, im Gebiet der ersten Finger (51) nach innen sich er streckende zweite Finger (53) aufweist, welche bei dem nach folgenden Einbringen des Sourcegebietes (57) eine Ausbildung des Sourcegebietes in ihrem Bereich verhindern bzw. maskie ren.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanalweite der MOS-Kanal-Struktur (54, 56, 57) durch Anzahl und Breite der zweiten Finger (53) eingestellt wird.

9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Strukturierung der Kanalweite der MOS-Kanal-Struktur derjenige Maskenschritt verwendet wird, mit welchem die Gate elektrode (60) auf dem Substrat strukturiert wird.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß für den Maskenschritt, mit welchem die Gateelektrode (60) auf dem Substrat strukturiert wird, eine Maske (63) ver wendet wird, welche vom Rand des die Bauelementzelle umgeben den Maskengebiets ausgehende und nach innen sich erstreckende erste Finger (64) aufweist, derart, daß die aufgebrachte Gateelektrode (60) im Gebiet der Aussparungen (64) nach innen sich erstreckende zweite Finger aufweist, welche bei dem nachfolgenden Einbringen des Sourcegebietes die Ausbildung einer Kanalstruktur in ihrem Bereich verhindern bzw. maskie ren.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanalweite der MOS-Kanal-Struktur durch Anzahl und Breite der zweiten Finger eingestellt wird.