DE19648729A1

DE19648729A1 - Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix und Herstellverfahren dafür

Info

Publication number: DE19648729A1
Application number: DE19648729A
Authority: DE
Inventors: Young-Jin Oh; Kyoung-Nam Lim
Original assignee: LG Electronics Inc
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 1995-11-25
Filing date: 1996-11-25
Publication date: 1997-05-28
Anticipated expiration: 2016-11-26
Also published as: DE19648729B4; DE19655412B4; FR2741740A1; FR2741740B1; GB9625097D0; GB2307768B; GB2307768A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix (AMLCD, Active Matrix Liquid Crystal Display), bei der das Öffnungsverhältnis durch Optimierung der Gestaltung einer Bus-Leitung und der Strukturen eines Dünnschichttransistors (TFT, Thin Film Transistor) verbessert ist, um den Stromverbrauch zu verringern, die Bildleuchtdichte zu vergrößern und Reflexionen zu verringern, um dadurch das Kontrastverhältnis zu verbessern.

Eine herkömmliche Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix weist eine große Anzahl von Pixeln und zugehörigen Schalteinrichtungen, wie in einer Matrix angeordnete Dünnschichttransistoren, auf. Die Pixel sind miteinander mittels einer Mehrzahl von Gate-Leitungen, Datenbus-Leitungen und an jedem Ende der Gate-Leitungen und der Datenbus-Leitungen ausgebildeten Wulsten verbunden. Jedes Pixel weist eine Pixel- Elektrode auf, die mit den Schaltvorrichtungen zum Anlegen von Spannungen verbunden ist, die abhängig davon sind, ob vom Pixel Licht durchgelassen oder gesperrt werden soll. Die Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix weist auch einen Speicherkondensator auf, um die elektrischen Eigenschaften des Pixels zu verbessern.

Wie aus Fig. 1 ersichtlich, weist in der Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix jedes Pixel eine Gate-Leitung 1 und eine Daten-Leitung 2, die sich gegenseitig überkreuzen, eine von der Gate-Leitung 1 abzweigende Gate-Elektrode 11, eine die Gate-Elektrode 11 überdeckende Insel 14 aus amorphem Silizium, eine von der Daten-Leitung 2 abzweigende Source-Elektrode 16 und einen eine entsprechend der Source-Elektrode 16 ausgebildete Drain- Elektrode 17 aufweisenden Dünnschichttransistor 3 auf. Wie weiterhin aus Fig. 1 ersichtlich, ist eine Pixel-Elektrode 19 mit der Drain-Elektrode 17 verbunden. Ferner weist das Pixel einen Speicher-Kondensator 4 auf, der zwischen einer ersten mittels einer Verlängerung einer angrenzenden Gate-Leitung 1 gebildeten Kondensator-Elektrode und einer zweiten mittels eines Teil der die erste Elektrode überdeckende Pixel-Elektrode 19 gebildeten Speicherkondensator-Elektrode eingeschlossen ist.

Wie aus Fig. 2 ersichtlich, dient in der herkömmlichen Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix ein vorstehender Teil der Gate-Leitung als Gate-Elektrode 11 des Dünnschichttransistors. Die Gate-Elektrode 11 ist auf einem isolierendem Substrat 10 ausgebildet, und auf der nichtbedeckten Fläche des isolierenden Substrats 10 und der Gate-Elektrode 11 ist eine erste isolierende Schicht 13 ausgebildet. Wie ferner aus Fig. 2 ersichtlich, sind eine undotierte amorphe Siliziumschicht 14 und eine ohmsche Kontaktschicht 15 übereinander auf der isolierenden Schicht 13 ausgebildet. Die ohmsche Kontaktschicht 15 stellt keinen Teil des Kanals dar.

Dann ist eine Source-Elektrode 16 auf der dotierten amorphen Siliziumschicht 15 so ausgebildet, daß sie die Gate-Elektrode 11 teilweise überdeckt. Zusätzlich ist eine Drain-Elektrode 17 so ausgebildet, daß sie die Gate-Elektrode 11 teilweise überdeckt und symmetrisch zur Source-Elektrode 16 angeordnet ist. Als nächstes ist eine Passivierungsschicht 18 auf der Source-Elektrode 16 und auf der Drain-Elektrode 17 zum Schutz des isolierenden Substrats 10 ausgebildet, und eine Pixel- Elektrode 19 ist so ausgebildet, daß sie mit der Drain- Elekrode 17 durch ein in der Passivierungsschicht 18 ausgebildeten Kontaktloch hindurch verbunden ist. Die Gate- Elektrode 11 kann aus einem leitendem Material ausgebildet sein, das anodenoxidiert werden kann, so daß eine isolierende Oxidschicht 12 auf der Oberfläche der Gate-Elektrode 11 gebildet werden kann.

Um eine hochqualitative Bildschirmanzeige zu erreichen, benötigt die herkömmliche oben beschriebene Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix ein großes Öffnungsverhältnis, welches das Verhältnis der Öffnungsfläche, durch welche tatsächlich Licht auf die Pixelfläche fällt, zur Gesamtpixelfläche ist. Jedoch ist im Allgemeinen jede Elektrode der Gate-Leitung, der Daten-Leitung, des Dünnschichttransisors und des Speicherkondensators aus einem undurchsichtigen leitenden Material ausgebildet.

Da die Größen (Breiten) der Gate-Leitung, der Daten-Leitung und des Dünnschichttransistors das Stromleitungsvermögen bestimmen, und die Größe des Speicherkondensators das Vermögen Strom an das Pixel anzulegen und Flackern zu verringern bestimmt, gibt es eine Grenze, bis zu der die undurchsichtige Fläche in jedem Pixel verringert werden kann. Somit ist es schwierig, das Öffnungsverhältnis zu verbessern.

Dementsprechend wurde vorgeschlagen, den Dünnschichttransistor auf einer herkömmlichen Gate-Leitung auszubilden, um das Öffnungsverhältnis zu verbessern. Solch ein Dünnschichttransistor weist auf: eine aus einer Teilfläche der linearen Gate-Leitung bestehende Gate-Elektrode, eine darauf ausgebildete erste Isolierschicht, eine auf der ersten Isolierschicht ausgebildete Halbleiterinsel-Schicht und auf der Halbleiter-Schicht ausgebildete Source-Elektroden sowie Drain- Elektroden, die so angeordnet sind, daß sie einander gegenüberstehen. Ein vorstehender Teil der Daten-Leitung dient als Source-Elektrode und überdeckt teilweise die Gate- Elektrode, und die Drain-Elektrode ist mit der Pixel-Elektrode verbunden und überdeckt die Gate-Elektrode ebenfalls teilweise. Dementsprechend kann das Öffnungsverhältnis unter Verwendung einer Teilfläche der Gate-Leitung ohne zusätzliche Ausbildung einer undurchsichtigen Gate-Elektrode verbessert werden.

Jedoch wird in der Dünnschichttransistor-Struktur der herkömmlichen Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix, in der der Dünnschichttransistor auf einer Gate-Leitung ausgebildet ist, aufgrund einer Metall-Isolator-Metall-Struktur (MIM), die die Gate-Leitung, die Isolatorleitung, die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode aufweist, ein störender Kondensator gebildet. Die Größe der Kapazität des störenden, zwischen der Drain-Leitung und der Gate-Leitung entstandenen und mit der Pixel-Elektrode verbundenen Kondensators Cgs ist:

Cgs = ε Ags/Dgs. (1).

Wie oben angegeben, ist Cgs ein Parameter, der die Höhenverschiebung ΔVp der Pixel-Spannung bestimmt, die aufgrund der Anisotropie der Dielektrizitätskonstanten des Flüssigkristalls gebildet wird. Im Ausdruck (1) bezeichnet ε, die Dielektrizitätskonstante der zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode, d. h. zwischen der ersten Isolierschicht und der Oxidisolierschicht ausgebildeten Dielektrikum-Schicht; Ags bezeichnet die Fläche, innerhalb derer sich die Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode gegenseitig überdecken; und Dgs bezeichnet den Abstand zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode.

Die Beziehung zwischen dem störenden Kondensator Cgs und ΔVp ist:
ΔVp = Vsc - Vpc = Vg (Cgs/Ct). (2).

In Ausdruck (2) bezeichnet die Spannung Vsc eine mittlere Spannung einer Signalspannung; die Spannung Vpc bezeichnet die mittlere Spannung der Pixel-Elektrode; die Spannung Vg bezeichnet die Spannung der Gate-Elektrode; und für die Gesamtkapazität gilt Ct = Cgs + Cs (Speicherkondensator) + Clc (Flüssigkristallkondensator).

Wenn im Ausdruck (2) Cgs viel kleiner als Cs oder Clc ist, ist der Nenner Ct = Cs + Clc und wird somit als konstant angenommen. Dementsprechend ist die Größe von ΔVp, der Höhenverschiebungswerte der Pixelspannung, proportional zur Größe von Cgs. ΔVp trägt zu minderwertigen Anzeigebildern durch Verursachen von beispielsweise Nachbildern, Bildinkonsistenzen zwischen den Pixeln und geringer Verläßlichkeit der Flüssigkristallanzeige bei. Deshalb sollte die Größe von ΔVp verringert werden, um eine bessere Anzeigequalität zu erhalten. Entsprechend Ausdruck (2) muß zum Erniedrigen des ΔVp-Wertes auch Cgs erniedrigt werden, was durch Verringern von ε der ersten Isolierschicht oder Erhöhen von Dgs erreicht werden kann. Ein Verändern dieser Parameter kann jedoch auch andere elektrische Eigenschaften der Vorrichtung zerstörerisch verändern.

Um die oben angegebenen Probleme zu lösen, ist es ein Ziel der Erfindung, eine Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix bereitzustellen, die auf der Gate-Leitung ausgebildete Dünnschichttransistoren aufweist, um ein großes Öffnungsverhältnis zu ermöglichen und dadurch die mit dem störenden Kondensator Cgs verbundenen Probleme zu lösen.

Um das oben angegebene Ziel zu erreichen, ist dementsprechend eine Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix vorgesehen, die aufweist: ein Isoliersubstrat, eine Gate-Leitung auf dem Isoliersubstrat mit einer Mehrzahl erster Bereiche, den Gate-Elektroden, und einer Mehrzahl zu den ersten Bereichen benachbarte und mit diesen verbundene zweite Bereiche, eine erste auf der Gate-Leitung ausgebildete Isolierschicht, eine nichtbedeckte Fläche auf dem Isoliersubstrat, eine inselförmige, auf der ersten Isolierschicht ausgebildete und den erste Bereich der Gate- Leitung überdeckende Halbleiterschicht, eine Daten-Leitung auf der Halbleiterschicht, die einen vorstehenden Teil aufweist, der oberhalb des ersten Bereichs der Gate-Leitung in der gleichen Richtung wie die Gate-Leitung verläuft und den ersten Bereich der Gate-Leitung überdeckt, eine Source-Elektrode, die von dem vorstehenden Teil der Daten-Leitung gebildet ist und somit auf einer ihrer Seiten Teil der Daten-Leitung ist, eine Mehrzahl von Dünnschichttransistoren, darunter eine auf der Halbleiterschicht entsprechend der Source-Elektrode ausgebildete Drain-Elektrode, eine mit der Drain-Elektrode verbundene Pixel-Elektrode und eine Mehrzahl von Speicherkondensatoren, die einen Teil des zweiten Bereichs der Gate-Leitung als erste Speicherkondensator-Elektrode verwenden.

Um das oben angegebene Ziel zu erreichen, wird ferner ein Herstellverfahren für eine Matrix-Anordnung mit einer einen Dünnschichttransistor aufweisenden Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix angegeben, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Ausbilden einer Gate-Leitung auf einem Isoliersubstrat, Ausbilden einer ersten Isolierschicht auf der nichtbedeckten Fläche des Isoliersubstrats und der Gate- Leitung, Aufbringen einer amorphen Siliziumschicht und einer dotierten amorphen Siliziumschicht auf die erste Isolierschicht, Entfernen der aufgebrachten Schichten abgesehen von einem einen Kanal ausbildenden Teil auf der Gate-Leitung und einen einen Speicherkondensator ausbildenden Teil, Aufbringen von Metall zum Ausbilden von Source-Elektroden und Drain-Elektroden auf der dotierten amorphen Siliziumschicht und einer nichtbedeckten Fläche der ersten Isolierschicht, und Ausbilden einer zweiten Speicherkondensator-Elektrode auf der Daten-Leitung, die einen vorstehenden Teil, der parallel zur Gate-Leitung verläuft und diese teilweise überdeckt, einer Drain-Elektrode, die den vorstehenden Teil der Daten-Leitung und die Gate-Leitung teilweise überdeckt und einen gleichbleibenden Abstand von einer Seite des vorstehenden Teils aufweist, und einer dotierten amorphen Siliziumschicht des Speicherkondensators, Entfernen der dotierten amorphen Siliziumschicht und Verwenden der Drain-Elektrode, der Daten- Leitung und des vorstehenden Teils der Daten-Leitung als Maske.

Die oben genannten Ziele und Vorteile der Erfindung werden aufgrund einer ausführlichen Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen noch offensichtlicher, in denen:

Fig. 1 eine Draufsicht auf eine herkömmliche Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix ist,

Fig. 2 eine Schnittansicht entlang der Linie I-I aus Fig. 1 ist,

Fig. 3 eine Draufsicht auf eine erste erfindungsgemäße Ausführungsform einer Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix ist,

Fig. 4A bis 4G und 5A bis 5G Schnittansichten entlang der Linien II-II und III-III aus Fig. 3 sind, aus denen das erfindungsgemäße Herstellverfahren ersichtlich ist,

Fig. 6 eine Draufsicht auf eine zweite erfindungsgemäße Ausführungsform einer Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix ist,

Fig. 7 eine Draufsicht auf eine dritte erfindungsgemäße Ausführungsform einer Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix ist,

Fig. 8 eine Schnittansicht entlang der Linie IV-IV aus Fig. 7 ist,

Fig. 9A bis 9G Schnittansichten entlang der Linie IV-IV aus Fig. 7 sind, aus denen das erfindungsgemäße Herstellverfahren ersichtlich ist,

Fig. 10A und 10B Schnittansichten entlang der Linie IV-IV aus Fig. 7 sind, aus denen ein alternatives erfindungsgemäßes Herstellverfahren ersichtlich ist.

Aus Fig. 3 ist ein einzelnes Pixel einer Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix gemäß einer ersten erfindungsgemäßen Ausführungsform ersichtlich. Eine lineare Gate-Leitung 50 ist auf einem Isoliersubstrat ausgebildet und eine Daten-Leitung 60 ist so ausgebildet, daß sie die Gate-Leitung 50 überkreuzt. Die Daten-Leitung 60 weist einen vorstehenden, in die gleiche Richtung wie die Gate- Leitung 50 verlaufenden Teil 60-1 auf.

Eine gegenüber der Source-Elektrode 38 ausgebildete Drain- Elektrode 39 weist auf einer Seite der Daten-Leitung 60 einen vorstehenden Teil 60-1 auf. Die Drain-Elektrode 39 ist mit einem oberen Teil der Pixel-Elektrode 45 mittels eines Kontaktlochs 43 verbunden. Hier überdeckt die Drain-Elektrode 39 einen Teil der Gate-Leitung 50 und ist so ausgebildet, daß der jeweilige Abstand zum vorstehenden Teil 60-1 und zur Daten- Leitung 60 gleich ist. Angrenzend an die Daten-Leitung 60, den vorstehende Teil 60-1 und den untere Teil der Drain-Elektrode 39 wird eine amorphe inselförmige Siliziumschicht 36 so ausgebildet, daß ein Kanalbereich 46 des Dünnschichttransistors 70 in einem Winkel zur Drain-Elektrode nichtlinear oder L-förmig ausgebildet wird. Im Einzelnen fließt Strom von einem Teil der dem vorstehenden Teil 60-1 benachbarten Daten-Leitung 60 sowie von dem vorstehenden Teil 60-1 selbst. Da die Kanallänge vergrößert werden kann, ist es somit unter Aufrechterhaltung der gleichen Höhe des Stromflusses wie in dem herkömmlichen Dünnschichttransistor möglich, die physikalische Größe der Source-Elektrode zu verringern. Da die Source-Elektrode gemäß der Erfindung physikalisch kleiner gemacht werden kann, können deshalb ebenfalls der Betrag der Source-Elektroden/Gate-Elektroden- Überdeckung und damit die resultierende Kapazität Cgs verringert werden.

Wie aus Fig. 3 ersichtlich, ist der Kondensator 75 auf der nächsten Gate-Leitung 50 ausgebildet. In einem unteren Bereich des Pixels ist die eine erste Speicherkondensator-Elektrode und eine zweite Speicherkondensator-Elektrode 40 aufweisende Gate- Leitung 50 zwischen der ersten Isolierschicht, der amorphen Siliziumschicht 36 und der dotierten amorphen Siliziumschicht ausgebildet. Die zweite Speicherkondensator-Elektrode 40 ist mit einer Passivierungsschicht bedeckt und mit der Pixel- Elektrode mittels eines auf der Passivierungsschicht ausgebildeten Kontaktlochs 44 verbunden.

Die aus Fig. 3 ersichtliche Ausführungsform weist auch eine im Wesentlichen undurchsichtige Schicht auf, z. B. eine schwarze Matrix-Schicht 41, die auf dem unteren Substrat vorgesehen ist. Wie ferner aus Fig. 3 ersichtlich, überdecken die Daten- Leitung 60, ein Teil der Gate-Leitung 50 und ein Teil der Pixel-Elektrode 45 sich jeweils gegenseitig.

Aus den Fig. 4A bis 4G und 5A bis 5G sind die Schritte des Herstellverfahrens einer Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform ersichtlich; die Fig. 4A bis 4G sind aufeinanderfolgende Schnittansichten entlang der Linie II-II aus Fig. 3, und die Fig. 5A bis 5G sind aufeinanderfolgende Schnittansichten entlang der Linie III-III aus Fig. 3.

Wie aus den Fig. 4A und 5A ersichtlich, wird zuerst eine Schicht aus einem leitenden Material auf einem durchsichtigen Substrat 30 unter Verwendung einer Sputter-Vorrichtung (Kathodenzerstäubungs-Vorrichtung) aufgebracht. Das leitende Material wird dann als Gate-Elektrode ausbildet, die einen Teil der Gate-Leitung und einen Teil einer ersten Speicherkondensator-Elektrode 32 bildet. Das erste metallische Material kann aus einer Gruppe ausgewählt werden, die Aluminium (Al), eine Aluminiumlegierung, Molybdän (Mo), eine Molybdänlegierung oder jedes andere anodenoxidierbare Metall aufweist.

Wie aus den Fig. 4B und 5B ersichtlich, werden als nächstes die Gate-Elektrode 31 und die erste Speicherkondensator- Elektrode 32 sowie die Oxidisolierschichten 33 und 34 mittels Anodenoxidieren gebildet. Dann wird eine einfache oder doppelte Isolierschicht 35 gebildet, indem eine Siliziumoxidschicht oder eine Siliziumnitritschicht auf der nichtbedeckten Oberfläche der Oxidisolierschichten 33 bzw. 34 und dem Isoliersubstrat 30 gebildet wird.

Wie aus den Fig. 4C und 5C ersichtlich, werden dann nacheinander amorphes Silizium und dotiertes amorphes Silizium auf die erste Isolierschicht aufgebracht. Diese amorphen Siliziumschichten werden dann mittels eines Ätzverfahrens zur amorphen Siliziumschicht 36 und zur dotierten amorphen Siliziumschicht 37 ausgebildet, die die oberen Bereiche der Gate-Elektrode 31 des Dünnschichttransistors und der Speicherkondensator-Elektrode 32 überdecken.

Wie aus den Fig. 4D und 5D ersichtlich, wird als nächstes ein zweites leitendes Material über der amorphen Siliziumschicht 36, der dotierten amorphen Siliziumschicht 37 und der ersten Isolierschicht 35 aufgebracht und dann als Daten-Leitung 60 ausgebildet, die einen vorstehenden Teil, eine Drain-Elektrode 39, eine zweite Speicherkondensator-Elektrode 40 und eine Source-Elektrode 38 aufweist. Bestimmte Bereiche der Source-Elektrode 38, der Drain-Elektrode 39 und der dotierten amorphen Siliziumschicht 37 werden dann mit Hilfe einer Maske entfernt. Nach diesem Schritt ist in einem mittels des vorstehenden Teils 60-1 (Fig. 3) der Daten-Leitung 60 bestimmten Bereichs eine Source-Elektrode 38 ausgebildet, die vorzugsweise gewinkelt, insbesondere vorzugsweise L-förmig ist, so daß die über der amorphen Siliziumschicht 36 und der dotierten amorphen Siliziumschicht 37 ausgebildete Drain- Elektrode 39 entsprechend in nichtlinearer Form gewinkelt, vorzugsweise rechtwinklig ist. Dementsprechend kann ein gewinkelter Kanalbereich 46 erhalten werden.

Wie aus den Fig. 4E und 5E ersichtlich, wird dann ein schwarzes Harz aus einem vorzugsweise im Wesentlichen undurchsichtigen Material, auf der ganzen Isolierfläche aufgebracht und dann so ausgebildet, daß eine schwarze Matrix 41 über den Flächen, wie der Source-Elektrode 38, einem Teil der Drain-Elektrode und dem unteren Teil der Gate-Elektrode gebildet wird, um diese vor Licht zu schützen. Die schwarze Matrix 41 wird auch gebildet, um einen Teil der zweiten Speicherkondensator-Elektrode 40 des Speicherkondensators abzudecken. Dementsprechend bedeckt die schwarze Matrix 41 beim Betrachten der ganzen Anordnung die Gate-Leitung und die Daten- Leitung, ausgenommen eines Teils des Speicherkondensators.

Wie aus den Fig. 4F und 5F ersichtlich, wird als nächstes eine Passivierungsschicht 42, die vorzugsweise Siliziumoxid- oder Siliziumnitritschichten aufweist, auf den nichtbedeckten Flächen der schwarzen Matrix 41 und der ersten Isolierschicht 35 mittels Sputterns oder eines CVD-Verfahrens (Chemical Vapor Deposition) ausgebildet. Dann werden Kontaktlöcher 43 und 44 in der Passivierungsschicht 42 mittels Trockenätzens gebildet, um die Drain-Elektrode 39 des Dünnschichttransistors 70 und einen Teil der zweiten Speicherkondensator-Elektrode 40 des Speicherkondensators freizulegen.

Wie aus den Fig. 4G und 5G ersichtlich, wird dann die Passivierungsschicht 42, einschließlich des oberen Teils der schwarzen Matrix 41 und des Speicherkondensators, gebildet. Teile der Passivierungsschicht 42 werden dann entfernt, um einen Teil der zweiten Speicherkondensator-Elektrode 40 und der Isolierschicht 35 freizulegen. Dann wird ein durchsichtiges leitfähiges Material, vorzugsweise Indiumzinnoxid, aufgebracht, und danach wird daraus, wie aus den Fig. 4G und 5G ersichtlich, die Pixel-Elektrode 35 gebildet, die mittels des Kontaktlochs 43 in Kontakt mit der Source-Elektrode 39 steht. Wie ferner aus Fig. 5G ersichtlich, steht die Pixel-Elektrode 45 mittels des Kontaktlochs 44 auch mit der zweiten Speicherkondensator-Elektrode 40 des Speicherkondensators in Kontakt.

Aus Fig. 6 ist eine zweite Ausführungsform der Erfindung ersichtlich, bei der sich ein vorstehender Teil 50-1 von der Gate-Leitung 50 aus erstreckt und die an den vorstehenden Teil 60-1 angrenzende Daten-Leitung 60 teilweise überdeckt. Da der grundlegende Aufbau der aus Fig. 6 ersichtlichen Ausführungsform ähnlich der aus Fig. 3 ersichtlichen Ausführungsform ist, wird eine weitere Beschreibung des in der ersten Ausführungsform und in der zweiten Ausführungsform gleichen Aufbaus unterlassen.

Beim Herstellen der aus Fig. 6 ersichtlichen Vorrichtung kann der vorstehende Teil 50-1 so ausgebildet werden, daß er entlang der Gate-Elektrode 31 und entlang der ersten Speicherkondensator-Elektrode 32 verläuft, d. h. entlang der Gate-Leitung 50. Das Herstellverfahren für die aus Fig. 6 ersichtliche Vorrichtung läuft gemäß der aus den Fig. 4B bis 4G und 5B und 5G ersichtlichen Schritte ab.

Wie oben beschrieben, ist das Öffnungsverhältnis in der erfindungsgemäßen Matrix-Anordnung der Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix durch Ausbilden des Dünnschichttransistors oberhalb der Gate-Leitung und Vorsehen eines nichtlinearen Kanalbereichs vergrößert. Somit kann der zwischen der Gate- Leitung und der Source-Elektrode vorhandene, störende Kondensator verkleinert werden, weil der Dünnschichttransistor eine größere Kanallänge aufweist. Deshalb kann ΔVp, der Höhenverschiebungswert der Pixelspannung, verringert werden, so daß das Flimmern ebenfalls verringert und die Anzeigequalität verbessert ist.

Fig. 7 ist eine Draufsicht, aus der eine dritte Ausführungsform ersichtlich ist, bei der zusätzlich ein Ätz- Stopper ausgebildet ist. Der grundlegende Aufbau dieser Ausführungsform ist der gleiche wie der der ersten Ausführungsform bzw. der der zweiten Ausführungsform. Die unterschiedlichen Merkmale werden jedoch im Folgenden beschrieben. Innerhalb der Gate-Leitung 82 ist ein Kontaktloch T der richtigen Größe ausgebildet. Durch Verwenden dieser Gate- Leitung 82 als Maske wird ein Ätz-Stopper ausgebildet.

Es ist eine Gate-Leitung 82 ausgebildet, die ein Kontaktloch T und einen vorstehenden Teil auf einem Isoliersubstrat aufweist. Der Teil der Gate-Leitung 82, in dem sich das Kontaktloch befindet, ist aufgrund des Kontaktlochs in einen Gate-Bereich und einem Nicht-Gate-Bereich aufgeteilt. Eine Daten-Leitung 81 ist so ausgebildet, daß sie die Gate-Leitung 82 überkreuzt. Die Daten-Leitung 81 weist einen vorstehenden Teil, die Source- Elektrode 83, auf, die einen Teil des Kontaktlochs T der Gate- Leitung 82 überdeckt, und die in der gleichen Richtung wie die Gate-Leitung 82 an einem diese teilweise überdeckenden Teil angebracht ist. In dieser Ausführungsform bedeckt die Source- Elektrode 83 die unbedeckte amorphe Siliziumschicht 86 mittels des Kontaktlochs des Ätz-Stoppers.

Ferner ist eine aus dem gleichen Material wie die Source- Elektrode 83 zusammengesetzte Drain-Elektrode 84 symmetrisch zur Source-Elektrode 83 angeordnet. Ferner ist eine Pixel- Elektrode 89 mit der Drain-Elektrode 84 verbunden.

Bei der dritten Ausführungsform der Erfindung zweigt der vorstehende Teil von der Gate-Leitung ab und überdeckt teilweise die dem vorstehenden Teil benachbarte Daten-Leitung 81. Hier kann die Gate-Leitung in einer gerade verlaufenden Form ausgebildet sein, gleichermaßen wie die aus Fig. 3 ersichtliche Gate-Leitung, bis darauf, daß diese keinen vorstehenden Teil aufweist.

Fig. 8 ist eine Schnittansicht entlang der Linie IV-IV aus Fig. 7.

Die Source-Elektrode 83 und die Drain-Elektrode sind auf der undotierten amorphen Siliziumschicht 90 angeordnet, die mit der amorphen Siliziumschicht 86 verbunden ist und einen Teil des Ätz-Stoppers 87 bedeckt. Die amorphe Siliziumschicht 86 bedeckt den Gate-Bereich 82-1 der Gate-Leitung 82. Deshalb bildet der Gate-Bereich 82-1, der aus einem Teil der Gate-Leitung unterhalb der Source-Elektrode 83, der Drain-Elektrode 84 und der amorphen Siliziumschicht 86 besteht, einen Dünnschichttransistor aus, der zum Durchführen einer Schaltfunktion dient. Inzwischen ist ein nichtgeradliniger Kanalbereich in der amorphen Siliziumschicht 86 ausgebildet. Die Drain-Elektrode 84 ist mittels eines Kontaktlochs in der Schutzschicht 85-2 mit der Pixel-Elektrode 89 verbunden.

Das Bezugszeichen 82-2 bezeichnet einen Teil der Gate-Leitung, auf dem die amorphe Siliziumschicht 86 nicht in den über dem Kontaktlochliegenden Bereichen der Gate-Leitung ausgebildet ist, 85-1 bezeichnet eine Gate-Isolierschicht; 88 bezeichnet eine auf der Oberfläche der Gate-Leitung ausgebildete Anodenoxidschicht; und 40 bezeichnet einen ohmschen Kontakt.

Aus den Fig. 9A bis 9E sind die Schritte eines Herstellverfahrens einer Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung ersichtlich; die Fig. 9A bis 9E sind aufeinanderfolgende Schnittansichten entlang der Linie IV-IV.

Zuerst wird, wie aus Fig. 9A ersichtlich, eine erste Schicht aus einem leitenden Material auf dem durchsichtigen Substrat 30 unter Verwendung einer Sputter-Vorrichtung gebildet. Das leitfähige Material wird dann zu einer Gate-Leitung 82 ausgebildet, in der ein Kontaktloch T ausgebildet ist. Der Bereich der Gate-Leitung ist aufgrund des Kontaktlochs T in zwei Bereiche 82-1 bzw. 82-2 aufgeteilt. Von den beiden Bereichen ist der Bereich der Gate-Bereich 82-1, während der andere Bereich der Nicht-Gate-Bereich 82-2 ist. Das erste leitfähige Material kann aus einer Gruppe ausgewählt werden, die Aluminium (Al), eine Aluminiumlegierung, Molybdän (Mo), eine Molybdänlegierung oder jedes andere anodenoxidierbare Metall aufweist.

Dann wird auf der Fläche der Gate-Leitung 82 ein Anodenoxidationsprozeß ausgeführt, um eine Anodenoxidationsschicht 88 auszubilden.

Wie aus Fig. 9B ersichtlich, wird als nächstes eine erste Isolierschicht 85-1 ausgebildet. Die erste Isolierschicht 85-1 wird durch Bilden einer Siliziumoxidschicht oder einer Siliziumnitritschicht auf der unbedeckten Fläche der Oxidisolierschicht gebildet.

Dann wird amorphes Silizium nach und nach auf die erste Isolierschicht aufgebracht. Diese amorphe Siliziumschicht wird dann mittels Ätzens als den unteren Teil des Gate-Bereichs 82-1 der Gate-Leitung überdeckende amorphe Silizium-Schicht 86 ausgebildet.

Wie aus Fig. 9C ersichtlich, wird dann eine Isolierschicht für den Ätz-Stopper auf der amorphen Schicht 86 und auf dem unbeckten Teil der ersten Isolierschicht 85-1 ausgebildet. Dann wird ein rückwärtiges Belichten durchgeführt, um den Ätz- Stopper 87 auf der amorphen Siliziumschicht 86 und auf dem unbedeckten Teil der ersten Isolierschicht 85-1 auszubilden. Deshalb weist der Ätz-Stopper 87 an der gleichen Stelle wie die Gate-Leitung 82 ein Kontaktloch auf.

Das Ausbilden des Ätz-Stoppers mittels des rückwärtigen Belichtens wird durch ein normales Verfahren erreicht. Die Isolierschicht für den Ätz-Stopper und eine positiv lichtempfindliche Fotolackschicht werden nacheinander auf der amorphen Siliziumschicht 86 und der unbedeckten ersten Isolierschicht ausgebildet. Dann werden zuerst ein rückwärtiges Belichten von der Rückseite des Substrats aus und dann ein Entwicklungsverfahren durchgeführt. Somit kann ein Fotolackmuster ausgebildet werden, daß die Formen der Gate- Leitung 82 aufweist. Dann wird unter Verwendung des so erhaltenen Fotolackmusters die Isolierschicht für den Ätz- Stopper geätzt, um einen Ätz-Stopper auszubilden, der die gleiche Form wie die Gate-Leitung 82 aufweist. Dementsprechend bedarf es bei dieser Ausführungsform der Erfindung keiner Maske zum Ausbilden des Ätz-Stoppers.

Wie aus Fig. 9D ersichtlich, werden als nächstes eine dotierte amorphe Siliziumschicht und eine zweite Schicht aus einem zweiten leitfähigen Material nacheinander auf dem Ätz-Stopper 87, der unbedeckten amorphen Siliziumschicht und der unbedeckten ersten Isolierschicht gebildet. Dann werden die dotierte amorphe Siliziumschicht und die zweite Schicht aus einem leitfähigen Material so mit einem Muster versehen, daß eine Daten-Leitung 83 ausgebildet wird, die einen vorstehenden Teil, die Drain-Elektrode 39, aufweist. Hier wird die ausgebildete dotierte amorphe Siliziumschicht zur ohmschen Kontaktschicht 87, die zur amorphen Siliziumschicht 86 einen verminderten Kontaktwiderstand aufweist. Nach diesem Schritt wird die Source-Elektrode 83 auf einen aufgrund des vorstehenden Teils (Fig. 7) der Daten-Leitung 81 bestimmten Teil aufgebracht, wobei sie vorzugsweise gewinkelt, insbesondere vorzugsweise L-förmig ist, so daß die über der amorphen Siliziumschicht 86 und der dotierten amorphen Siliziumschicht 87 angeordnete Drain-Elektrode 84 dementsprechend in einer nichtlinearen Form gewinkelt, vorzugsweise rechtwinklig ist. Somit kann ein gewinkelter Kanalbereich erhalten werden.

Wie aus Fig. 9E ersichtlich, wird dann eine Passivierungsschicht 85-2, die vorzugsweise Siliziumoxid- oder Siliziumnitritschichten aufweist, auf der gesamten unbedeckten Fläche mittels Sputtern oder mittels eines CVD-Verfahrens ausgebildet. Dann werden mittels Trockenätzens der Passivierungsschicht 85-2 Kontaktlöcher ausgebildet, um einen Teil der Drain-Elektrode 39 freizulegen.

Dann wird ein durchsichtiges leitfähiges Material, vorzugsweise Indiumzinnoxid, aufgebracht und nachfolgend als Pixel-Elektrode 89 ausgebildet, die mittels des Kontaktlochs in Kontakt mit der Drain-Elektrode 39 steht.

Im Vergleich mit der ersten Ausführungsform und mit der zweiten Ausführungsform wird bei der dritten Ausführungsform das Öffnungsverhältnis nicht verringert, jedoch wird der Ätz- Stopper aufgrund des Verfahrens des rückwärtigen Belichtens einfach ausgebildet.

Aus den Fig. 10A bis 10B sind alternative Schritte eines Herstellverfahrens für eine Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix gemäß der dritten erfindungsgemäßen Ausführungsform ersichtlich; Fig. 10A bis 10B sind aufeinanderfolgende Schnittzeichnungen entlang der Linie IV-IV aus Fig. 7.

Der Ätz-Stopper, der wie aus den Fig. 9A bis 9E ersichtlich ausgebildet ist, weist die Form der Gate-Leitung auf. Jedoch kann der Ätz-Stopper lediglich auf einer amorphen Siliziumschicht ausgebildet werden, da der Ätz-Stopper die Funktion hat, das zum Ätzen der dotierten amorphen Siliziumschicht vorgesehene Ätzmittel am Ätzen der amorphen Siliziumschicht zu hindern.

Wie aus Fig. 9A ersichtlich, werden zuerst die Gate-Leitung mit dem Gate-Bereich 82-1 und dem Nicht-Gate-Bereich 82-2 und die Anodenoxidschicht 88 auf dem Isoliersubstrat, wie beschrieben, ausgebildet.

Wie aus Fig. 10A ersichtlich, werden als nächstes nacheinander eine erste Isolierschicht 85-1, eine amorphe Siliziumschicht 86a und eine Isolierschicht für einen Ätz-Stopper, wie eine Siliziumnitritschicht, ausgebildet. Dann wird mittels eines normalen Verfahrens eines rückwärtigen Belichtens die Isolierschicht für einen Ätz-Stopper geätzt, so daß der Ätz- Stopper 87 ausgebildet wird. Eine positiv lichtempfindliche Fotolackschicht wird nach und nach auf die Isolierschicht für den Ätz-Stopper aufgebracht. Dann werden ein rückwärtiges Belichten von der Rückseite des Substrats aus und ein Entwicklungsverfahren durchgeführt. Dadurch kann ein Fotolackmuster ausgebildet werden, das die Form der Gate- Leitung 82 aufweist. Dann wird unter Verwendung des so erhaltenen Fotolackmusters die Isolierschicht für den Ätz- Stopper geätzt, um den Ätz-Stopper 87 auszubilden, der die Form der Gate-Leitung 82 aufweist.

Wie aus Fig. 10B ersichtlich, wird der Ätz-Stopper, der die Form der Gate-Leitung 82 aufweist, geätzt, damit er lediglich die Form des Gate-Bereichs 82-1 der Gate-Leitung 82 aufweist. Dieser Ätz-Stopper wird mittels einer das gleiche Muster wie der Gate-Bereich der Gate-Leitung aufweisenden Maske erhalten. Dann wird auf die amorphe Siliziumschicht 86 durch Ätzen eines bestimmten Anteils von ihr ein Muster aufgebracht. Wie aus den Fig. 9D bis 9E ersichtlich, werden dann mittels allgemeiner Verfahren die ohmsche Kontaktschicht, die Daten-Leitung mit der Source-Elektrode, die Drain-Elektrode, die Passivierungs- Schicht und die Pixel-Elektrode ausgebildet.

Wie oben beschrieben, vergrößert sich das Öffnungsverhältnis in der Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix gemäß der Erfindung durch Ausbilden des Dünnschichttransistors oberhalb der Gate-Leitung und Ausbilden eines nichtlinearen Kanalbereichs. Somit kann der störende, sich zwischen der Gate-Leitung und der Source-Elektrode befindende Kondensator verkleinert werden, weil der Dünnschichttransistor eine längere Kanallänge aufweist. Oder der Kanalbereich wird, anders als nach herkömmlichen Verfahren, nicht geradlinig ausgebildet, wie durch eine einfache Skizze bestätigt werden kann, und deshalb wird die Länge des Kanals verlängert. Dementsprechend kann der störende, zwischen-der Gate-Leitung und der Drain-Elektrode entstehende Kondensator im Vergleich mit einem Dünnschichttransistor mit gleicher Kanallänge bis zu einem maximalen Maß verringert werden. Dementspechend kann ΔVp, der Höhenverschiebungswert der Pixel- Spannung, verringert werden, und deshalb können der Kopplungseffekt und die Bildqualität verbessert werden. Deshalb kann ΔVp, der Höhenverschiebungswert der Pixel-Spannung, verringert werden, so daß das Flackern ebenfalls verringert wird, und die Anzeigequalität verbessert ist.

Ferner kann, falls in der Gate-Leitung ein Kontaktloch ausgebildet ist, ein Ätz-Stopper unter Verwendung der schon ausgebildeten Gate-Leitung ohne Verwendung einer Maske ausgebildet werden, und aus diesem Grund ist das Verfahren vorteilhaft.

Claims

1. Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix mit
einem Isoliersubstrat (30),
einer sich auf dem Substrat (30) in eine erste Richtung erstreckende und einen ersten, einer Gate-Elektrode (31) entsprechenden Bereich und einen zweiten, mit dem ersten Bereich verbundenen und an diesen angrenzenden Bereich, aufweisende Gate-Leitung (50), wobei die Gate-Leitung (50) ein Teil des Substrats (30) nicht bedeckt,
einer ersten auf der Gate-Leitung (50) und auf dem Teil des unbedeckten Teils des Substrats (30) ausgebildeten Isolierschicht ( 35),
einer inselförmigen, über dem ersten Bereich der Gate- Leitung ausgebildeten und diese überdeckenden Halbleiterschicht (36),
einer Daten-Leitung (60), die auf dem Substrat (30) so angeordnet ist, daß sie den Bereich der Gate-Leitung (50) auf der Halbleiterschicht (36) überdeckt und einen ersten vorstehenden Bereich aufweist, der sich in die erste Richtung oberhalb der Gate-Leitung (50) erstreckt und einen sich an den ersten Bereich anschließenden zweiten Bereich aufweist, wobei der erste Bereich und der zweite Bereich der Daten-Leitung (60) über der Gate-Leitung (50) liegen,
einer den vorstehenden Teil der Daten-Leitung (60) aufweisenden Source-Elektrode (38),
einem auf dem Substrat (30) vorgesehenen Dünnschichttransistor (70), der eine gegenüber der Source- Elektrode (38) ausgebildete Drain-Elektrode (39) aufweist,
einer mit der Drain-Elektrode (39) gekoppelten Pixel- Elektrode (45), die über dem zweiten Bereich der Gate-Leitung (50) liegt,
einem Speicherkondensator, der einen Teil des zweiten Bereichs der Gate-Leitung (50) als erste Speicherkondensator- Elektrode (32) aufweist.

2. Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix nach Anspruch 1, mit einer die Pixel-Elektrode (45) teilweise überdeckenden und über der Gate-Leitung (50), der Daten-Leitung (60) und der Source-Elektrode (38) angeordneten, im Wesentlichen undurchsichtige Schicht, wobei ein erster Teil der Halbleiterschicht (36) von der im Wesentlichen undurchsichtigen Schicht überdeckt ist.

3. Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix nach Anspruch 1, mit einer einen Teil der ersten Speicherkondensator-Elektrode (32) überdeckenden, im Wesentlichen undurchsichtigen Schicht.

4. Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix nach Anspruch 3, wobei der Speicherkondensator aufweist:
eine auf dem unbedeckten Teil des Isoliersubstrats (30) und der ersten Speicherkondensator-Elektrode (32) ausgebildete Elektroden-Isolierschicht (35),
eine auf der Elektroden-Isolierschicht (35) ausgebildete Halbleiterschicht (36),
eine auf der Halbleiterschicht (36) ausgebildete zweite Speicherkondensator-Elektrode (40),
eine auf der Elektroden-Isolierschicht (35) und auf der zweiten Speicherkondensator-Elektrode (40) ausgebildete Passivierungsschicht (42),
wobei die im Wesentlichen undurchsichtige Schicht unterhalb der Passivierungs-Schicht (42) eine unbedeckte Schicht aufweist und in der Passivierungs-Schicht (42) ein Kontaktloch (44) vorgesehen ist, um einen Kontakt zwischen der Pixel-Elektrode (45) und der zweiten Speicherkondensator- Elektrode (40) herzustellen.

5. Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix nach Anspruch 1, wobei der Source-Bereich und der Drain- Bereich über der Drain-Elektrode (39) und über der Gate-Leitung (50) einen gewinkelten Kanalbereich (46) bilden.

6. Flüssigkristallanzeigevorrichtung die aufweist:
eine in eine erste Richtung verlaufende Gate-Leitung (50),
eine in eine von der ersten Richtung verschiedene zweite Richtung verlaufende Daten-Leitung (60), wobei die Daten- Leitung (60) einen sich in die erste Richtung erstreckenden, ersten vorstehenden Teil, und einen dem ersten Teil benachbarten zweiten Teil aufweist, wobei der erste Teil und der zweite Teil die Gate-Leitung (50) überdecken,
eine von dem ersten Teil und von dem zweiten Teil der Daten-Leitung (60) räumlich getrennte Drain-Elektrode (39), wobei beim Anlegen einer Spannung an die Gate-Leitung (50) zwischen dem ersten Teil der Daten-Leitung (60) und dem zweiten Teil der Daten-Leitung (60) ein Strom zur Source-Elektrode (38) fließt.

7. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 6, die eine im Wesentlichen undurchsichtige Schicht aufweist, die den ersten Teil der Daten-Leitung (60) und den zweiten Teil der Daten-Leitung (60) überdeckt.

8. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 6, die aufweist:
eine im Wesentlichen undurchsichtige Schicht, die den ersten Bereich der Gate-Leitung (50), eingeschlossen einen Bereich unterhalb des ersten Bereichs der Daten-Leitung (60) und des zweiten Bereichs der Daten-Leitung (60), überdeckt, wobei die im Wesentlichen undurchsichtige Schicht einen zweiten Bereich der Gate-Leitung (50) nicht überdeckt, und
einen Speicherkondensator, wobei der zweite Bereich der Gate-Leitung (50) als eine Elektrode des Speicherkondensators dient.

9. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 7, die aufweist:
eine mit der Drain-Elektrode (39) gekoppelte Pixel- Elektrode (45), wobei ein Teil der Pixel-Elektrode (45) auf der im Wesentlichen undurchsichtigen Schicht ausgebildet ist.

10. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 8, die eine Pixel-Elektrode (45) aufweist, die den zweiten Bereich der Gate-Leitung (50) teilweise überdeckt und als zweite Elektrode (40) des Speicherkondensators dient.

11. Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die aufweist:
eine Gate-Leitung (50), die einen in eine erste Richtung verlaufenden ersten Teil und einen in eine von der ersten Richtung verschiedene, zweite Richtung verlaufenden Teil aufweist,
eine in die zweite Richtung verlaufende Daten-Leitung (60), wobei die Daten-Leitung (60) einen ersten in die erste Richtung verlaufenden vorstehenden Teil und einen dem ersten Teil benachbarten zweiten, in die zweite Richtung verlaufenden Teil aufweist, wobei der erste Teil der Daten-Leitung (60) den ersten Teil der Gate-Leitung (50) und der zweite Teil der Daten-Leitung (60) den zweiten Teil der Gate-Leitung (50) überdeckt, und
eine vom ersten Teil der Daten-Leitung (60) und vom zweiten Teil der Daten-Leitung (60) räumlich abgetrennte Source-Elektrode (38), wobei beim Anlegen einer Spannung an die Gate-Leitung (50) ein Strom von dem ersten Teil der Daten- Leitung (60) und dem zweiten Teil der Daten-Leitung (60) zur Source-Elektrode (38) fließt.

12. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 6 oder 11, wobei die erste Richtung im Wesentlichen senkrecht zur zweiten Richtung verläuft.

13. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 6 oder 11, wobei sich der zweite Teil der Daten-Leitung (60) direkt an den ersten Teil der Daten-Leitung (60) anschließt.

14. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 6 oder 11, die ein Substrat (30) aufweist, auf dem die Gate-Leitung (50) und die Daten-Leitung (60) ausgebildet sind, wobei der erste Teil der Daten-Leitung (60) und der zweite Teil der Daten- Leitung (60) auf dem Substrat (30) einen von der Source- Elektrode (38) überdeckten Bereich bestimmen.

15. Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix mit
einem Isoliersubstrat (30),
einer sich auf dem Substrat (30) in eine erste Richtung erstreckenden Gate-Leitung (82), die einen ersten Bereich entsprechend einem Gate-Bereich (82-1) und einen zweiten Bereich entsprechend einem Nicht-Gate-Bereich (82-2) und ein an den ersten Bereich und an den zweiten Bereich angrenzendes Kontaktloch (T) aufweist, wobei die Gate-Leitung (82) einen Teil des Substrates (30) nicht bedeckt,
einer auf der Gate-Leitung (82) und auf dem nicht bedeckten Teil des Substrates (30) ausgebildeten ersten Isolierschicht (85-1),
einer inselförmigen Halbleiterschicht, die über dem ersten Bereich und einem Teil des Kontaktlochs (T) der Gate-Leitung (82) ausgebildet ist und diese überdeckt,
einem Ätz-Stopper (87), damit ein Teil der Halbleiterschicht (86) nicht bedeckt wird,
einer auf dem Substrat (30) ausgebildeten Daten-Leitung (81), die den Bereich der Gate-Leitung überdeckt und einen ersten vorstehenden Teil, der in der ersten Richtung oberhalb des ersten Bereichs der Gate-Leitung (82) verläuft und mit dem unbedeckten Teil der Halbleiterschicht (86) in Verbindung steht, und einen sich an den ersten Teil direkt anschließenden zweiten Teil aufweist, wobei der erste Teil der Daten-Leitung (81) und der zweite Teil der Daten-Leitung (81) die Gate- Leitung (82) überdecken, und der vorstehende Teil der Daten- Leitung (81), einschließlich des inneren Seitenteils der Daten- Leitung (81), eine Source-Elektrode (83) und eine in Übereistimmung mit der Source-Elektrode (83) ausgebildete Drain-Elektrode (84) bildet.

16. Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix nach Anspruch 15, wobei der Ätz-Stopper (87) die gleiche Form wie die den ersten Bereich und den zweiten Bereich aufweisende Gate-Leitung (82) aufweist.

17. Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix nach Anspruch 15, wobei der Ätz-Stopper (87) die gleiche Form wie der erste Bereich der Gate-Leitung (82) aufweist.

18. Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix nach Anspruch 1 oder 15, wobei die Gate-Leitung (82) linear ausgebildet ist und eine im Wesentlichen gleichbleibende Breite aufweist.

19. Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix nach Anspruch 1 oder 15, wobei die Gate-Leitung (82) einen vorstehenden Teil aufweist, der die Drain-Elektrode (84) und eine Seite der Source-Elektrode (83) teilweise überdeckt.

20. Matrix-Anordnung einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix nach Anspruch 1 oder 15, wobei die Source-Elektrode (38; 83) und die Drain-Elektrode (39; 84) einen gewinkelten Kanalbereich (46) des Dünnschichttransistors (70) bilden.

21. Herstellverfahren für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung das folgende Schritte aufweist:
Aufbringen einer ersten leitfähigen Schicht auf die Oberfläche eines Substrats (30),
Ausbilden der ersten leitfähigen Schicht auf der Oberfläche des Substrats (30), so daß sie einen Teil der Oberfläche des Substrats (30) nicht bedeckt und in eine erste Richtung auf der Oberfläche des Substrats (30) verläuft,
Aufbringen einer Isolierschicht (35) auf die ersten leitfähigen Schicht und dem nicht bedeckten Teil der Oberfläche des Substrats (30),
Aufbringen einer ersten Halbleiterschicht (36) auf die Isolierschicht (35),
Ausbilden der ersten Halbleiterschicht (36), so daß sie den nicht bedeckten Teil der Oberfläche des Substrats (30) und die ersten leitfähigen Schicht überdeckt,
Aufbringen einer zweiten leitfähigen Schicht auf das Substrat (30),
Ausbilden der zweiten leitfähigen Schicht, so daß sie eine Daten-Leitung (60) über einem Teil der Halbleiterschicht (36) bildet, die die erste leitfähige Schicht überdeckt und in eine von der ersten Richtung verschiedene zweite Richtung verläuft, wobei die Daten-Leitung (60) einen vorstehenden Teil über dem Teil der Halbleiterschicht (36) aufweist, die die erste leitfähige Schicht überdeckt und in der ersten Richtung verläuft, und
Ausbilden einer Source-Elektrode (38), die über dem nichtbedeckten Teil der Oberfläche des Substrats (30) liegt, wobei die Source-Elektrode (38) vom vorstehenden Teil und einem Teil der Daten-Leitung (60), die sich direkt an den hervorstehenden Teil anschließt, räumlich getrennt ist, so daß bei Anlegen einer Spannung an die erste leitfähige Schicht ein Strom von dem Teil der Daten-Leitung (60), der sich direkt an den vorstehenden Teil anschließt, und von dem vorstehenden Teil zur Source-Elektrode (38) fließt.

22. Herstellverfahren für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 21, das folgende Schritte aufweist:
Aufbringen einer durchsichtigen leitfähigen Schicht, die einen Teil des unbedeckten Teils der Oberfläche des Substrats (30) überdeckt, und
Ausbilden der durchsichtigen leitfähigen Schicht so, daß eine Pixel-Elektrode (45) gebildet wird, die in Kontakt mit der Source-Elektrode (38) steht.

23. Herstellverfahren für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 21, das den folgenden Schritt aufweist:
Aufbringen einer im Wesentlichen undurchsichtigen, die Halbleiterschicht (36) überdeckende Schicht.

24. Herstellverfahren für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 21, wobei die erste Richtung im Wesentlichen senkrecht zur zweiten Richtung verläuft.

25. Herstellverfahren für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit folgenden Schritten:
Aufbringen einer ersten leitfähigen Schicht auf die Oberfläche eines Substrats (30),
Ausbilden der ersten leitfähigen Schicht so, daß eine Gate-Leitung (82) auf der Oberfläche des Substrats (30) gebildet wird, wobei die Gate-Leitung (82) einen dem Gate- Bereich (82-1) entsprechenden, ersten Bereich und einen dem Nicht-Gate-Bereich (82-2) entsprechenden, zweiten Bereich und ein zum ersten Bereich und zum zweiten Bereich benachbartes Kontaktloch (T) aufweist, das mit dem ersten Bereich in Kontakt steht, wobei die Gate-Leitung (82) einen Teil des Substrats (30) nicht bedeckt,
Aufbringen einer Isolierschicht (85-1) auf die erste leitfähige Schicht und den nichtbedeckten Teil der Oberfläche des Substrats (30),
Aufbringen einer amorphen Siliziumschicht (86) auf die Isolierschicht,
Ausbilden der amorphen Siliziumschicht (86) so, daß sie den ersten Bereich und einen Teil des Kontaktlochs (T) der Gate-Leitung (82) überdeckt,
Ausbilden einer Isolierschicht als Ätz-Stopper (87) auf einer nicht bedeckten Fläche der ersten Isolierschicht (85-1) auf der halbleiteraktiven Schicht,
Ausbilden der Isolierschicht als Ätz-Stopper (87), der die gleiche Form wie die Gate-Leitung (82) aufweist, damit ein Teil der ausgebildeten amorphen Siliziumschicht (86) nicht bedeckt ist,
Aufbringen einer zweiten leitfähigen Schicht auf das Substrat (30), und
Ausbilden der zweiten leitfähigen Schicht, um eine auf dem Substrat (30) ausgebildete Daten-Leitung (81) zu bilden, die den Bereich der Gate-Leitung (82) überdeckt und einen ersten vorstehenden, in die erste Richtung verlaufenden Teil oberhalb des ersten Bereichs der Gate-Leitung (82) aufweist, der in Kontakt mit dem unbedeckten Teil der Halbleiterschicht (86) steht, und einen zweiten, sich direkt an den ersten Teil anschließenden Teil aufweist, wobei der erste Teil und der zweite Teil der Daten-Leitung (81) die Gate-Leitung (82) überdecken, und der vorstehende Teil der Daten-Leitung (81), einschließlich des inneren Seitenteils der Daten-Leitung (81), eine Source-Elektrode (83) bildet.

26. Herstellverfahren für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei die Isolierschicht für den Ätz-Stopper (87) eine Siliziumnitritschicht ist.

27. Herstellverfahren für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 25, wobei das Verfahren zum Ausbilden der Isolierschicht für den Ätz-Stopper (87) die folgenden Schritte aufweist:
Aufbringen einer positiv lichtempfindlichen Fotolackschicht auf der Isolierschicht für den Ätz-Stopper (87),
Durchführen eines rückseitigen Belichtens mittels Einstrahlen von Licht auf die Rückseite des Substrats (30),
Entwickeln der rückwärtig belichteten Fotolackschicht des Substrats (30) zum Ausbilden eines Fotolackmusters auf der Isolierschicht, und
Ätzen der Isolierschicht für den Ätz-Stopper (87) unter Verwendung des Fotolackmusters als Maske.

28. Herstellverfahren für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit folgenden Schritten:
Aufbringen einer ersten leitfähigen Schicht auf die Oberfläche eines Substrats (30),
Ausbilden der ersten leitfähigen Schicht so, daß eine Gate-Leitung (82) auf der Oberfläche des Substrats (30) gebildet wird, wobei die Gate-Leitung (82) einen einem Gate- Bereich (82-1) entsprechenden ersten Bereich und einen einem Nicht-Gate-Bereich (82-2) entsprechenden zweiten Bereich und ein dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich benachbartes Kontaktloch (T) aufweist, wobei die Gate-Leitung (82) einen Teil des Substrats (39) nicht bedeckt,
nacheinanderfolgendes Ausbilden einer Isolierschicht (85- 1), einer amorphen Siliziumschicht (86) und einer Isolierschicht für einen Ätz-Stopper (87) auf der Gate-Leitung (82),
Ausbilden der Isolierschicht für den Ätz-Stopper (87) mittels rückseitigen Belichtens unter Verwendung der Gate- Leitung (82) als Maske, um den Ätz-Stopper (87) so auszubilden, daß er die gleiche Form wie die Gate-Leitung (82) aufweist,
Ausbilden des Ätz-Stoppers (87) so, daß ein Teil des Ätz- Stoppers (87) übrigbleibt, der dem ersten Bereich der Gate- Leitung (82) entspricht, und
Ausbilden der amorphen Siliziumschicht (86) auf der Isolierschicht (85-1) so, daß ein Teil der amorphen Siliziumschicht (86) nicht bedeckt ist.

29. Zelle für eine Flüssigkristallanzeige, mit einer Gate- Leitung (50) und einer Daten-Leitung (60) zum Ansteuern der Anzeige, wobei die Source-Elektrode (38) und/oder die Drain- Elektrode (39) der Zelle so angeordnet sind, daß sie die Gate- Leitung (50) wenigstens teilweise überlappen, und so ausgebildet sind, daß die Länge eines Kanalbereichs (46) zwischen Source und Drain der Zelle für einen bestimmten Bereich der Überlappung der Source-Elektrode (38) und/oder der Drain-Elektrode (39) mit der Gate-Leitung (50) optimiert ist.

30. Zelle nach Anspruch 29, bei der die Source-Elektrode (38) und die Drain-Elektrode (39) so angeordnet sind, daß im Betrieb ein nicht-linearer Kanalbereich (46) gebildet ist.

31. Zelle nach Anspruch 29 oder 30, bei der die Source- Elektrode (38) und die Drain-Elektrode (39) so angeordnet sind, daß im Betrieb ein im Wesentlichen L-förmiger Kanalbereich (46) gebildet ist.

32. Zelle nach Anspruch 29, 30 oder 31, mit einer mit der Drain-Elektrode (39) gekuppelten und einen Teil der Gate- Leitung (50) überlappenden Pixel-Elektrode (45), und einem Speicher-Kondensator, der einen Teil des überlappten Teils der Gate-Leitung (50) als Elektrode aufweist.

33. Zelle nach Anspruch 29, 30, 31 oder 32, bei der die Gate- Leitung (50) so angeordnet ist, daß die Länge des Kanalbereichs (46) optimiert ist.

34. Zelle nach Anspruch 33, bei der die Gate-Leitung (50) einen vorstehenden Teil aufweist.

35. Zelle nach Anspruch 29, 30, 31, 32, 33 oder 34, bei der die Gate-Leitung ein Kontaktloch (44) aufweist.

36. Herstellverfahren für eine Flüssigkristallanzeige, mit folgende Schritten: Bilden einer Gate-Leitung (50) und einer Daten-Leitung (60) auf einem Substrat (30), Bilden eines Kontaktlochs (44) in mindestens einer der Leitungen (50; 60) und Verwenden mindestens einer der Leitungen (50; 60) als Maske zum Bilden einer im Bereich des Kontaktlochs (44) im Wesentlichen die gleiche Form wie mindestens eine der Leitungen (50; 60) aufweisenden Ätz-Stopper-Schicht.

37. Zelle für eine Flüssigkristallanzeige mit einer Gate- Leitung (50) und einer Anzeige-Leitung zum Ansteuern der Anzeige, wobei mindestens eine der Leitungen ein Kontaktloch aufweist, derart daß mindestens eine der Leitungen als Maske zum Bilden einer im Bereich des Kontaktlochs (44) im Wesentlichen die gleiche Form wie mindestens eine der Leitungen aufweisenden Ätz-Stopper-Schicht verwendbar ist.

38. Zelle für eine Flüssigkristallanzeige, mit einer Gate- Leitung (50) und einer Drain-Leitung (60) zum Ansteuern der Anzeige, wobei mindestens eine der Leitungen ein Kontaktloch aufweist, derart daß mindestens eine der Leitungen als Maske zum Bilden einer im Bereich des Kontaktlochs (44) im Wesentlichen die gleiche Form wie mindestens eine der Leitungen aufweisenden Ätz-Stopper-Schicht verwendbar ist.