DE1964556A1 - Freilegung von Fenstern in einer auf einer Halbleiterscheibe aufgebrachten Schicht - Google Patents
Freilegung von Fenstern in einer auf einer Halbleiterscheibe aufgebrachten SchichtInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 7
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR180130 | 1968-12-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1964556A1 true DE1964556A1 (de) | 1970-09-03 |
Family
ID=8658890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19691964556 Pending DE1964556A1 (de) | 1968-12-23 | 1969-12-23 | Freilegung von Fenstern in einer auf einer Halbleiterscheibe aufgebrachten Schicht |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE743114A (enrdf_load_stackoverflow) |
| DE (1) | DE1964556A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
| FR (1) | FR1597073A (enrdf_load_stackoverflow) |
| NL (1) | NL6919172A (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3884698A (en) * | 1972-08-23 | 1975-05-20 | Hewlett Packard Co | Method for achieving uniform exposure in a photosensitive material on a semiconductor wafer |
-
1968
- 1968-12-23 FR FR1597073D patent/FR1597073A/fr not_active Expired
-
1969
- 1969-12-15 BE BE743114D patent/BE743114A/xx unknown
- 1969-12-22 NL NL6919172A patent/NL6919172A/xx unknown
- 1969-12-23 DE DE19691964556 patent/DE1964556A1/de active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE743114A (enrdf_load_stackoverflow) | 1970-06-15 |
| NL6919172A (enrdf_load_stackoverflow) | 1970-06-25 |
| FR1597073A (enrdf_load_stackoverflow) | 1970-06-22 |
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