DE2029012A1 - Optische Maske fur die Belichtung bei der Herstellung von Halbleiterbau elementen - Google Patents

Description

International Business Machines Corporation, Armonk, R.Y. 10504 Optische Maske für die Belichtung bei der Herstellung von Halb-

1alterbaue!ementen

Sie Erfindung betrifft eine optiaohe Maske für die Belichtung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen aufweisend einen durchscheinenden oesiehungswetse einen durchsichtigen Träger, der mit einem undurchsichtigen Muster beschichtet ist, sowie ein Verfahren ssur Herstellung solcher Masken und ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscha!teleaenten unter Verwendung solcher Masken.

Legt man eine Maske der eingangs genannten Art zur Belichtung mit dem Muster auf die zu belichtenden Oberfläche des Halbleiterelement tee, dann gerät das Muster nur stellenweise in Flächenberührung mit der Oberfläche des Halbleiterbauelementes bedingt durch unvermeidbare Unregelmäßigkeiten in der Oberflächenstruktur eovohl der Maske als auch des Halbleiterbauelementes. Dies wiederum bedingt Unscharfen bei der Belichtung von unterschiedlich starkem Ausmaß, das davon abhängt, wie groß der durch die erwähnten Unregelmäßigkeiten bedingte Abstand in den eineeinen Bereichen ist. Es hat sich

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auch gezeigt, daß durch den an diskreten Stellen erfolgenden Berührungskontakt, der zwischen Halbleiterelement und Muster stattfindet, das Muster leicht beschädigt wird.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine optische Maske der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß die durch die Zufälligkeiten der Oberflächemmregelmäßigkeiten bedingten BerUhrungskontakte zwischen Muster und zu belichtendem Halbleiterbauelement vermeidbar sind« Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß Abstandshalter vorgesehen sind, die Durohbrüohe des Musters ausfüllen und in der Querschnittekontur des jeweils zugeordneten Durchbruchs über die Oberfläche des Musters hinausragen· Nach der Erfindung erfolgt iie Berührung nicht mehr an zufälligen Stellen, sondern an den dm ..,ά die Abstandshalter bedingten Stellen. Wenn ^;'9ie Abstandshalter aus undurchsichtigem Material sind, dann findet durch iie betreffenden Durchbrüche des Musters keine Belichtung statt· Man muß dann also für die Abstandshalter besondere Durchbrüche im Muster vorsehen, die nicht zur Belichtung dienen, sondern nur für die Abstandshalter.

Der durch die Abstandshalter bedingte Abstand zwischen Muster und Halbleiterbauelement, kann zwar weitgehend konstai t gehalten werden, so daß die dadurch bedingte Unscharfe weitgehend überall die gleiche ist und mithin bei der Ausgestaltung des Musters berücksichtigt werden kann, aber eine solche Unscharfe ist auch unter diesen Umständen nicht von Vorteil. Aufgabe einer Weiterbildung der Erfindung ist es deshalb eine Maske de? eingangs genannten Art so auszugestalten, daß die Abbildung konturenscharf erfolgen kann. Diese Weiterbildung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Abstandshalter aus durchscheinendem beziehungsweise durchsichtigem Material bestehen. Die Belichtung erfolgt dann durch die Abstandshalter und überall da, wo man einen Durchbruch mit einem solchen Abstandshalter versieht, wird das Licht in dem Abstandshalter geführt und trifft bedingt durch die Tatsache, daß die Querschnittekontur des Abstandshalter auf der ganzen Länge die gleiche ist, wie die ies zugehörigen Durchbruchs eine Belichtung am freien End® des Afeatasaiefealters, die"

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ganz genau der Kontur des zugehörigen Durchbruchs entspricht. Geführt wird das belichtende Licht in dem Abstandshalter bis zur Endfläche desselben, vo es dann austritt und zwar insbesondere aufgrund von Totalreflexion an den Seitenvänden des Abstandshalters. Lichtverluste an den Seitenvänden nur durchscheinender Abstandshalter werden zerstreut und können deshalb keine wesentliche Unscharfe in der Belichtung verursachen. In einem solchen Fall sind also Durchbruche ftlr die Abstandshalter Durchbrüche, mit denen Belichtung erfolgen soll und es empfiehlt sich im Interesse einer scharfen Abbildung aller Durebbrüche, auch für alle Durchbrüche solche Abstandshalter vorzusehen. Selbst mehrere Abstandshalter finden mit ihren Endflächen wesentlichjbesser als die großen Muster- ( flächen saubere Anlagen an der Oberfläche des Halbleiterbauelementes, auch wenn diese, Unregelm&ßigkeiten aufweist, weil sie sich leichter den Oberflächenunebenheiten anpassen können, wie die durchgehende Musterfläche. Dies kann man noch begünstigen durch ein zweckmäßige Weiterbildung, die dadurch gekennzeichnet ist, daß die freien Endflächen der Abstandshalter in einer gemeinsamen Ebene liegen, die sich parallel zu der BerUhrungsebene zwischen des Muster und dem Träger erstreckt.

Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt*

Fig. 1 eine Maeke ohne Abetandehalter im Querschnitt,

Fig. 2 die mit einer zur Herstellung der Abstandshalter aufgetragenen fotoempfindlichen Schicht beschichtete Maeke autf Fig. 1,

Fig. 3 die Maske aus Flg. 1 mit angeformten Abstandshaltern,

Fig. 4 unter a die Belichtung mit einer Maske nach Fig. 3 und unter b die Belichtung mit einer Maske nach Fig. 1,

Fig. 5-7 drei verschiedene Stadien bei der Herstellung eines Halblei terelementeB, bei der dit Belichtung in Verbindung mit Masken nach der Erfindung erfolgt,

Fig. 8 entsprechend wie in Fig· 2 eine mit einer fotoempfindlichen Schicht beschichtete Maske und

Fig. 9 die Maske aus Flg. 8 mit den angefonnten Abstandshaltern.

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Fig. 1 zeigt eine Maske bestehend aus einem durchsichtigen Träger und einem daran befestigten undurchsichtigen Muster 12» Eine solche Maske, wie sie in Fig. 1 dargestellt ist, ist bekannt und kann mit bekannten Methoden hergestellt «erden. Man kann zum Beispiel den ganzen durchsichtigen Träger 10 aus Glas herstellen und dann mit einer undurchsichtigen Schicht aus Chrom oder Silber beschichten. Das Muster 12 erzielt man dann, indem man aus dieser undurchsichtigen Schicht der Musterkonfiguratlon entsprechende Teile entfernt.

Nach der Erfindung wird eine Maske nach Fig. 1 mit einer Schicht aus fotoempfindlichem Material belegt. Die Schicht 14 hat gleichmäßige Stärke in der Größenordnung von 5000 bis 10 000 Angström. Die gleichmäßige Stärke kann durch Abschleifen der Schicht 14 erzielt werden. Die Schicht 14 kann durch Aufwirbeln bei sehr hoher Geschwindigkeit aufgetragen werden« In einem solchen Fall kann man die Stärke der Schicht durch entsprechende Verdünnung des fotoempfindlichen Auegangamat®rials oder durch Einstellen der Drehgeschwindigkeit beim Aufwirbeln beeinflussen. Ua verbliebene Lösungsmittel zu entfernen, wird die beschichtete Maske fünf Minuten lang auf 120 Grad Oeißiue erhitzt. Nun wird al® Maske mit der fotoempfindlichen Schicht 14 zuunterst auf eine liehtabsehirmende Unterlage gelegt und von oben belichtet. Di© fotoempfindliche Schicht wird ' auf diese Weise an den Durchbrüchen des Musters 12 von dem den durchsichtigen Träger durchsetzenden Licht belichtet. Nun wird · das foto empfindliche Material der Schicht 14 entwickelt. Das foto-? empfindliche Material der Schicht 14 1st Negativmaterial, so daß die unbelichteten Teile der Schicht 14 ausgewaschen beziehungsweise mit chemischen Lösungsmitteln entfernt werden können. Dies geschieht beispielsweise mit Lösungsmitteln, die unter der Bezeichnung XyIen oder Toluen bekannt sind und bei einem Beispiel drei Minuten zur Einwirkung gebracht wurden. Anschließend wird die Maske auf 150 Grad Celsius während dreißig Minuten erhitzt. Das Ergebnis ist in Fig. 3 dargestellt, die stehengebliebenen Teile der Schicht 14 sind die Abstandshalter 16» deren Endflächen in einer Ebene planparallel zu der Berührungsfläche zwischen Muster 12 und Träger 10 liegen. ■

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Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist das fotoempfindliche Material der Schicht 14 Negativmaterial, so daß die Abstandshalter 16 durchsichtig beziehungsweise durchscheinend sind. Diese Abstandshalter 16 grenzen an den Durchbrüchen des Musters 12 an den Träger 10 an, durchsetzen die Durchbrüche und ragen über diese hinaus. Die Abstandshalter können auch aus positivem fotoempfindlichen Material hergestellt sein. Die Abstandshalter brauchen auch nicht unbedingt aus fotoempfindlichen Material hergestellt sein, sie können auch aus anderen Substanzen, wie beispielsweise Siliziumdioxyd bestehen und mit bekannten Ätzverfahren oder dergleichen geformt werden. Vorzugsweise sind jedoch die Abstandshalter aus " negativem fotoempfindlichen Material hergestellt und durchsichtig wie bei den Ausführungsbeispielen, die anhand der Zeichnung beschrieben werden, weil dies für viele Anwendungsfälle sehr vorteilhaft ist.

Einer der Vorzüge durchsichtiger Abstandshalter 16 wird nun anhand der Figuren 4A und 4B erläutert. Fig. 4 zeigt die Maske nach der Erfindung bei der Belichtung eines Festkörperbauteils 20, der auf der der Maske zugekehrten Seite mit einer im einzelnen nicht dargestellten fotoempfindlichen Schicht belegt ist. Bei der Mikrominiaturisierung von elektrischen Schaltelementen hat es sich gezeigt, daß die Oberfläche eines solchen Bauteils 20 und die bei Belichtung davor gelegte Maske nicht flach aufeinander liegen, weil die anein- " ander grenzenden Oberflächen unregelmäßig sind und nicht ganz flach ■ sind. Die Abstandshalter 16, die bei Masken nach der Erfindung vorgesehen sind und im vorliegenden Fall durchsichtig sind, definieren, wie Fig. 4A zeigt, weitgehend unabhängig von Unregelmäßigkeiten der Oberflächen einen bestimmten Abstand zwischen dem Muster 12 und dem Bauteil 20. Die Abstandshalter 16 wirken bei der Belichtung, wie durch die in Fig. 4A eingezeichneten Pfeile angedeutet, in Folge Totalreflexion im Inneren der Abstandshalter als Lichtschächte, so daß die Belichtung der Oberfläche des Bauteils exakt nur in den Bereichen der Durchbrüche des Muslers 12 erfolgt, wie dies bei idealer Anlage von Muster 12 und Bauteil 20 der Fall wäre. Fig. 4B zeigt die Maske mit dem Bauteil 20 im Ab-

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stand zueinander, jedoch ohne die Abstandshalter 16, wie aus den in Fig. 4B eingezeichneten Pfeilen ersichtlich, wird das:belichtende Licht in dem Spalt zertatreut und die Belichtung erfolgt mit einer Unscharfe, die nach Fig· 4A vermeidbar ist. Bemerkenswert ist auch, daß das gegen Beschädigung empfindliche Muster 12 durch die Abstandshalter 16 allgemein und insbesondere beim Ansetzen zur Belichtung geschützt wird. Vorzugsweise hat bei Anwendungen nach Fig. 4-A das Material der Abstandshalter 16 den gleichen optischen Brechungsindex, wie das fotoempfindliche Material auf der Oberfläche des Bauteils 20.

Anhand der Figuren 5₉ β uni 7 wird nun eine andere bevorzugte Anwendung der Erfindung erläutert© Biese drei Figuren zeigen drei verschiedene Masken, die in drei aufeinander folgenden Arbeitsschritten zur Bearbeitung des Bauteils 20 eingesetzt werden.

Nach Fig. 5 soll ein Kollektorbereich 22 in einen kristallinen Halbleiter 24- aus Silizium eindiffundiert werden«, Zu diesem Zv?eck wird zunächst auf der Oberfläche des Halbleiters 24 eine Schicht aus Siliziumdioxyd (SiOg) 26 aufgebaut, was mit bekannten Methoden geschehen kann· Biese Siliziumdioxydsehicht 26 wird dann mit einer fotoempfindlichen Schicht 28 belegt, Nun wird die Maske nach der Erfindung auf die Schicht 28 gelegt« Dabei kommen mir die- nach der Erfindung vorgesehenen Abstandshalter 16 mit der foto empfindlichen Schicht 28 in unmittelbaren Bertthrangskontakt· Nun wird die fotoempfindliche Schicht 28 belichtet und entwickelt und daraufhin ein entpsrechendes Fenster in die Siliziumdio^jdsehicht 26 eingeätzt· Nun wird der Kollektorbereich 22 dureh dieses Fenster eindiffundiert. Wie üblich wird die Silieiumelioxydsefaiefat 26 nit Ausnahme des Fen» stera 26 stehen gelassen» Die Folge i@t₉ daß bei einer weiteren Beschichtung mit Siliziumdioxyd sieh dlo Schiohtstärke außerhalb dieses Fensters verstärkt«

Fig. 6 zeigt die weitere Behandlung üee Halbleitern mm Undiffundieren eines Baeisbereiche 30 in den Kollektorbereieh 22«' Zu diesem

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Zweck wird zunächst eine weitere Siliziumdioxydschicht 26 auf die Reste der ersten aufgetragen, die auch das Fenster in der ersten Siliziumdioxydechicht 26 überdeckt. Nun wird eine neue Schicht 28 aus fotoempfindlichen Material darauf gelegt und mit einer Maske nach der Erfindung belichtet, die eich jedoch von der in Verbindung mit Fig. 5 verwendeten unter anderem dadurch unterscheidet, daß der Abstandshalter 16 entsprechend der geringeren Ausdehnung des Basisbereichs schmäler ist. Bemerkenswert ist, daß auf der Oberfläche der Siliziumdioxydschicht 26 und mithin auch der fotoempfindlichen Schicht 28 ein Tal entsteht, bedingt durch das Fenster in der ersten Siliziumdioxydschicht 26· Id Bereich dieses Tales würde das Muster, wenn die Abstandshalter nicht vorhanden wären, keinen Berlihrungskontakt mit der fotoempfindlichen Schicht 28 erlangen und es würden sich bei der Belichtung die anhand der Figur 4B verdeutlichten Zerstreuungen und dergleichen einsteilen· Der Abstandshalter 16 kann aber auf den Boden dee Tals durchgreifen und dort einen einwandfreien Kontakt mit der fotoempfindliehen Schicht 28 finden und damit eine einwandfreie konturenacharfe Belichtung gewährleisten. Die fotoempfindliche Schioht 28 wird nun entwickelt und es wird ein neues Fenster in die SiIiciumdioxydschioht 26 eingeätzt, durch das der Basisbereich 30 in den Halbleiter 20 eindiffundiert wird.

Nach Fig. 7. soll der Baitterbereich 32 eindiffunidert werden. Zu diesem Zweck wird eine neue Siliziumdioxydschicht 26 aufgetragen, die im Bereich des Fensters der zweiten SiIiziumdioxydschicht ein beträchtlich tieferes Tal aufweist. Es wird dann eine neue fotoempfindliche Schicht 28 aufgezogen und die Belichtung erfolgt wie zuvor jedoch mit einem Muster, dessen Abstandshalter 16 entsprechend der geringeren Ausdehnung des Emitterbereiches 32 noch schmäler ist als der in Verbindung mit Fig. 6 verwendete. Dieser schmale Abstandshalter 16 kann bis auf den Boden des Tals gelangen und dort einwandfreien Kontakt finden, wie dies für eine konturenscharfe Belichtung erforderlich ist. Nun wird wieder die fotoempfindliche Schicht 28 entwickelt und daraufhin im belichteten Bereich ein Fenster in die Siliziumdioxydschicht 26 eingeätzt, durch die der Bereich 32 eindiffundiert wird.

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Sie in Verbindung mit den Figuren 5, 6 und 7 verwendeten Abstandshalter 16 bestehen aus durchsichtigem beziehungsweise durchscheinendem Material· In Verbindung mit den.Herstellungsverfahren nach Pig. 5 bis 7 geetattet es die Erfindung, die bei voraufgehenden Verfahrensa.bechnitten stehengebliebenen Teile der Siliziumdioxydschicht 26 zu belassen, ohne daß durch die dadurch bedingten Haler in der fotoempfindlichen Schicht bei nachfolgenden Bearbeitungsvorgängen die Konturenschärfe beeinträchtigt wird.

Anhand der Figuren 8 und 9 wird nun ein anderes Aueführungsbeispiel nach der Erfindung erläutert· Die Maske nach Fig. 8 und 9 1st im wesentlichen auf die gleiche Weise hergestellt, wie im Text zu Fig. 1 bis 3 beschrieben, sie unterscheidet sich aber von der dort beschriebenen durch den umstand, daß die Linienstruktur des Musters 12 unterschiedlich breite Linien aufweist« Das fotoempfindliche Material 14 hat eine Liohtdurchläesigkeit von ungefähr 70 i» auf ein Mikron Stärke» solange der Sensibilisierer noch in dem Material ist, also bevor die Entwicklung erfolgt ist. Wenn im Anschluß an die Entwicklung der Sensibilisierer entfernt 1st, ist die Licht durchlässigkeit ungefähr 90 $> auf ein. Mikron Stärke· Diese Zahlenangaben wurden bei dem hler angegebenen Beispiel mit ultraviolettem Licht im Aktiniumbereich, das ist der Bereich von 5500 bis 4500 Angstrom, gefunden.

Die Halbdurchlässigkeit oder Halbtransparenz der belicheteten Fotoschicht ist durch noch vorhandenen ungelösten Sensibilisierer bedingt.

Die Breite der Linien im Muster 12 beeinflußt die Intensität mit der der Sensibilisierer ausgelöst wird. Dies hat zur Folge, daß bei breiten Linien im Muster entsprechend dem Abstandshalter 17 mehr Licht zurückgehalten wird beziehungsweise ein breiter Abstandshalter 17 weniger durchscheinend 1st als ein schmaler Abstandshalter 16 gemäß Fig· 9. Der feste Sensibilisierer wird in den belicheteten Teilen durch den Entwickler ausgelöst und das Maß in de» das geschieht hängt von diesbezüglicher Wirkung des

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Entwicklers der Lösungefähigkeit des Sensibilisierers und davon ab, wie der gelöste Seneibilisierer in den Entwicklervorrat gelangen kann· Ba der Entwickler von oben und von den Seiten Zugang findet, hängt die Intensität, mit der der Sensibilisierer ausgelöst werden kann, von der geometriechen Konfiguration des Musters ab. In engen Musterbereichen ist die Breite eines Abstandshalter, wie beispielsweise beim Abstandshalter 16 gemäß Fig. 9 der Fall, kleiner als die Höhe· Per Entwickler kann unter diesen Umständen von der Seite her auch leicht in die tiefer gelegenen Bereiche des Abstandshalterβ 16 gelangen, was bei breiteren Abstandshaltern entsprechend den Abstandshalter 17, Fig· 9 nicht der Fall ist« I Die Zeit, die benötigt wird, um restlos den ganzen Entwickler auszulösen, ist also bei breiten Abstandshaltern 17 größer als bei schmalen. Diesen Umstand kann man ausnutzen, um bei einem Muster mit schmalen und breiten Abstandshaltern eine Maske herzustellen, bei der die breiten Abstandshalter weniger durchscheinend sind als die schmalen, indem man die Entwicklungszeit entsprechend verkürzt. Die dafür in Frage kommenden Entwicklungszeiten ermittelt man am besten empirisch· 180 Sekunden Einwirkung des Entwicklers reichen aus bei einer 0,8 /U starken fotoempfindlichen Schicht, den Sensibilisierer volletändig aus allen Abstandshaltern den schmalen und den breiten heraus zu lösen. Je mehr man dem gegenüber die Einwirkungszeit des Entwicklers verkürzt, um so mehr Sensibllislerer bleibt zunächst in den breiten Abstandshaltern zurück, die dadurch weniger durchscheinend sind gegenüber den schmalen. Je nach dem, was für Verhältniese hinsichtlich der Transparenz der Abstandshalter man wünscht, wird man also bei der Herstellung der Abstandshalter gemäß Fig« 9 übe»· oder unterentwickeln· Bei dem Ausführungsbeispiel nach Hg» 8 und 9 ist der Abstandshalter 16 2 Mikron breit oder sogar noch schmäler, während der Abstandshalter 17 wesentlich breiter ist.

Die praktische Erprobung hat gezeigt, dafl man alt einer Maske nach der Erfindung eine genau so konturen«oharfe Belichtung erzielen kann,

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wie mittels einer Maske, die idealen Kontakt mit der belichteten Fläche hat« EuLn solcher idealer Kontakt let aber in der Praxis 3edenfalle mit dem bei der Massenproduktion vertretbaren Aufwand nicht zu erwarten« Man muß vielmehr in Verbindung mit bekannten Masken mit einer unsauberen Berührung rechnen, well die beteiligten Oberflächen keine idealen Ebenen sein können»

Wie bereits bemerkt« schützen die Abstandshalter nach der Erfindung das empfindliche Muster 12. Sollten die Abstandshalter jedoch bei mehrfacher Anwendung beschädigt werden, dann 1st ee einfach, sie || zu entfernen und neue i&tetanishalter anzubringen, so daß man den ursprünglichen Träger 10 und das Muster 12 weiter verwenden kann.

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Claims (7)

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   ANSPRÜCHE

   U Optische Maske für die Belichtung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen aufweisend einen durchscheinenden beziehungsweise einen durchsichtigen Träger, der mit einem undurchsichtigen Muster beschichtet 1st, da durch gekennzeichnet, daß Abstandshalter (16,17) vorgesehen sind, die Durchbrüche des Musters (12) ausfüllen und in der Querschnittskontur des jeweils zugeordneten Durchbruche über die Oberfläche des Musters (12) hinausragen.
2. 2. Optische Maske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ä Abstandshalter (16,17) aus durchscheinendem beziehungsweise durchsichtigem Material bestehen.
3. 3. Optieehe Maske nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Material, aus dem die Abstandshalter (16,17) bestehen, den gleichen optischen Brechungsindex hat, wie das zu belichtende fotoempfindliche Material»

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4. 4. Maske nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die freien Endflächen der Abstandshalter (16,17) in einer gemeinsamen Ebene liegen, die sich parallel zu der BerUhrungsebene zwischen dem Muster (12) und dem Träger (10) erstreckt,
5. 5. Maske nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 4» dadurch gekennzeichnet, daß bei unterschiedlich breitem auf fotografischem Wege hergestellten Abstandshalter (16,17) die breiteren Abstandshalter (17) durch einendurch Unterentwicklung belassenen Gehalt an Potosensibilieierungsraaterial weniger durchscheinend beziehungsweise durchsichtig als die schmäleren Abstandshalter (16) sind.
6. 6. Verfahren zum Anbringen der Abstandshalter bei einer Maske nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das auf den Träger geschichtete Muster mit einer Schicht aus fotoempfindlichen Material belegt wird, die dann durch das Muster hindurch belichtet wird und daß dann unter Entwicklung die unbelichteten Teile der fotoempfindlichen Schicht entfernt werden.
7. 7. Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersehaltelementee, bei dem ein Halbleiterkörper mit einer Sperrschicht aus Siliziumdioxyd oder dergleichen Material beschichtet wird, in die unter Verwendung einer darüber geschichteten fotoempfindlichen Schicht auf foto chemischen Wege ein Fenster geätzt wird, durch das ein Bereich erster Art in den Halbleiterkörper diffundiert wird und dann eine zweite solche Sperrschicht aufgetragen wird, in die unter Verwendung einer zweiten aufgetragenen fotoempfindlichen Schicht ein zweites Fenster auf fotochemischen Wege geätzt wird, das vollständig in das erste Fenster einbezogen ist und durch das ein Bereich zweiter Art in den Bereich erster Art diffundiert wird und gegebenenfalls so/fort, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Sperrschicht auf die stehengebliebenen Reste der ersten

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   Sperrschicht und so fort aufgetragen wird und daß die Belichtung, zum fotochemischen Ausätzen mindestens des zweiten und der folgenden Fenster über durchscheinende beziehungsweise durchsichtige Abstandshalter von Masken nach einem oder mehreren der vorhergehenden Vorrichtungsansprüche erfolgt, wobei der Abstandshalter jeweils mit seiner freien Endfläche während der Belichtung auf die Sohle der durch das oder die Fenster der voraufgegangenen Ätzvorgänge bedingten Tals in der Übergezogenen zu belichtenden fotoempfindlichen Schicht gesetzt wird. (Fig. 5 - 7 )

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