DE1963707B2 - Verfahren zum Herstellen eines ferromagnetische!! Halbleiterbauelements mit gleichrichtendem pn-übergang im Halbleiterkörper - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines ferromagnetische!! Halbleiterbauelements mit gleichrichtendem pn-übergang im Halbleiterkörper

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines ferromagnetischen Halbleiterbauelements mit gleichrichtendem pn-übergang im Halb)eiterkörper.
Die Chalcogenidverbindungen der Seltenen Erden haben auf dem Gebiete der ferromagnetischen Halbleiter, der thermoelektrischen Bauelemente, der magnetooptischen Bauelemente, der magneto-res'stiven Bauelemente und dergleichen erhöhte Bedeutung erlangt Diese Materialien sind jedoch bis jetzt noch nicht vollständig ausgewertet worden. Dies gilt insbesondere für deren Verwendung bei ferromagnetischen Halbleitern und bei Magneto-Widerstands-Systemen. Es liegt dies daran, dal' man auf diesem Gebiete bis jetzt noch keine Gleichrichterfunktionen herbeiführen konnte.
In der US-Patentschrift 29 78 661 ist bereits ein Halbleiterbauelement mit eingebauten gleichrichtenden pn-Übergängen beschrieben. Die bei den bekannten Verfahren nach der genannten US-Pa-entschrift verwendeten Halbleitermaterialien sind Chalcogene der Seltenen Erden, wobei Selenide und Telluride von Ytrium (Y), Lanthan (La), Gadolinium (Gd) und Erbium (Er) besonders hervorgehoben sind. Einige dieser Materialien sind paramagnetisch. Um in diesen Materialien gleichrichtende pn-Übergänge zu bilden, wird dabei angegeben, diese Materialien mit Kupfer zu dotieren. Die Kupferdotierung führt zur Bildung einer ρ -leitenden Zone in dem ursprünglich η-leitendem Halbleitermaterial. Ausgangsmaterial ist also hierbei Halbleitermaterial vom n-Typ.
Die nach dem bekannten Verfahren herstellbaren gleichrichtenden pn-Übergänge in den in der US-Patentschrift genannten Materialien, können für diese Materialien nützlich sein. Es wurde jedoch festgestellt, daß die bekannte Lehre unwirksam ist, wenn man sie zur Schaffung von pn-Übergängen in den bei der Erfindung in Betracht gezogenen Materialien anwendet. Diese aus der US-Patentschrift 33 71 041 bekannten Materialien sind ferromagnetisch und bestehen aus den Chalcogeniden des zweiwertigen Europiums (Eu) mit einem Zusammensetzungsverhältnis von 1:1, dem weiterhin ein dreiwertiges Element der Seltenen Erden hinzugefügt ist.
Bei der Erstellung von p-leitenden Zonen in halbleitenden Materialien wird normalerweise der Halbleiterkörper mit einem Element dotiert, dessen Valenz kleiner ist als das Metall-Ion, aus dem das Material zusammengesetzt ist. Diese Vorschrift ist auch in der obenerwähnten US-Patentschrift 29 78 661 erwähnt. Diese Standardmethoden lassen sich jedoch nicht auf die 1 :1-zweiwertigen Eu-Chalcogenide anwenden. Bei den 1 :1-zweiwertigen Eu-Chalcogeniden liegt das 4/-Energieniveau in der verbotenen Bandlücke, d. h. zwischen dem Leitfähigkeitsband und dem Valenzband, wie dies die F i g. 2 zeigt.
Wenn daher ein Element eine geringere Valenz als Eu + + hat, z.B. Na+, dann wird ein Elektron aus dem 4/-Niveau veranlaßt, das 4/-Niveau zu verlassen und in das Valenzband zu wandern, womit sich die Valenz von Eu++ in Eu++ + ändert. Da außerdem die 4/'-Niveaus lokalisiert sind, wird die Leitfähigkeitsänderung dort wahrscheinlich nicht eintreten. Wenn andererseits ein zweiwertiges Element, wie z. B. Cu++ zum Dotieren in Eu++-Chalcogeniden benutzt wird, dann kann man sich vorstellen, daß das Cu++ im Gitter für Eu+ + ausgetauscht wird. Hieraus ist zu ersehen, daß die bekannten Methoden zur Herstellung gleichrichtender pn-Übergänge bei den hier in Frage kommenden Materialien nicht anwendbar sind.
Die beim Bekannten fehlenden Möglichkeiten zu realisieren, ist die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe.
Für ein Verfahren zum Herstellen eines ferromagnetischen Halbleiterbauelements mit gleichrichtendem pn-Übergang im Halbleiterkörper besteht danach die Erfindung darin, daß in einem n-leitonden Halbleiterkörper von der Zusammensetzung EUi-JlExA, wobei RE ein dreiwertiges Element der Seltenen Erden ist,
ίο welches aus der Gruppe mit La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Pm, Tm, Lu, Y und Sc ausgewählt ist, und wobei A ein Chalcogen ist, welches aus O, S, Se und Te ausgewählt ist und wobei ferner 0>x<\ ist, als Ausgangssubstanz zur Bildung eines p-leitenden Bereichs ein Metall mit einer Schmelztemperatur zwischen etwa 250° bis etwa 450° C eindif fundiert wird.
Ferromagnetische Halbleiterbauelemente mit gleichrichtenden pn-Übergängen werden so geschaffen. Metalle mit einer Schmelztemperatur etwa 250° C bis etwa 45O0C sind z. B. Pb und Sn. Auf der Oberflächenseite gegenüber dem diffundierten Metall wird ein Ohmscher Kontakt angebracht und ferner erhalten beide Oberflächenseiten elektrische Zuleitungen, die durch Anschweißen angebracht sind.
Solche Halbleiterbauelemente sind magnetosensitiv, d. h. ihre Strom-Spannungscharakteristiken lassen sich wirksam modulieren durch ein außen angelegtes magnetisches Feld. Derartige Halbleiterbauelemente nach der Erfindung können deshalb überall dort benutzt werden, wo es darauf ankommt, magnetische Felder zu steuern oder abzufühlen, wie z. B. in Kernresonanzgeräten. Zusätzlich lassen sich Halbleiterbauelemente nach der Erfindung bei der magnetischen Aufzeichnung und für Schreibköpfe oder als Halbleiterdioden in der üblichen Halbleiter-Schallkreistechnik vorteilhaft verwenden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung sei nachstehend an Hand der Zeichnungen und an Hand von Diagrammen näher erläutert. In den Zeichnungen ist:
4(i F i g. 1 eine Querschnittsansicht für das Ausführungsbeispiel eines ferromagnetischen, nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Halbleiterbauelements,
F i g. 2 ein Bändermodell, in welchem die Positionen des 4/"-Energieniveaus der bei der Erfindung verwendeten Verbindungen eingetragen sind,
F i g. 3 zeigt eine Kurve der Strom-Spannungs-f/- V-)-Charakteristik bei Raumtemperatur für ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement,
Fig.4 zeigt die /-V-Charakteristik für dasselbe Bauelement bei 4,2° K,
F i g. 5 zeigt eine Serie von /- V-Charakteristiken eines nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten
Halbleiterbauelements unter der Einwirkung verschieden starker magnetischer Felder.
Der η-leitende Halbleiterkörper von der Zusammensetzung Eui-iRE»A hat, wobei RE ein dreiwertiges Element der Seltenen Erden ist, welches aus den
ho Elementen La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Lu, Y und Se ausgewählt ist und wobei A ein Chalcogen ist, welches aus den Elementen O, S, Se und Tc ausgewählt ist und wobei ferner 0> X< 1 ist, kann z. B. nach der in der US-Patentschrift 33 71 041 beschriebenen Methode hergestellt werden. Die dort beschriebene Methode schreibt vor, daß eine Mischung eines zweiwertigen Chalcogenids der Seltenen Erden von 1 :1 und ein dreiwertiges Chalcogenid der Seltenen Erden von 1 :1
erhitzt werden und eine ausreichend lange Zeit erhitzt bleiben in der sie miteinander reagieren. Die so gebildeten Materialien haben dann eine Leitfähigkeit vom n-Typ.
Es ist hier gefunden worden, daß in diesen ■> Halbleitermaterialien durch Diffusion von Blei (Pb) oder von Zinn (Sn) ein gleichrichtender pn-übergang im Halbleiterkörper herstellbar ist. Es ist anzunehmen, daß in der Diffusionszone das Blei oder das Zinn mit dem Chalcogen reagiert, um Chalcogenide von Blei oder ι ο Zinn zu bilden. Es ist ferner anzunehmen, daß diese Verbindung einen Gleichrichtereffekt der Diffusionszone liefert.
Durch Anlöten oder Anschweißen von elektrisch leitenden Drähten an die Diffusionszone erhält man die ι s erforderlichen Zuleitungsdrähte zu dieser Zone unter Zuhilfenahme eines Lotes mit niedrigem Schmelzpunkt. Ferner werden Ohmsche Kontakte auf der der Diffusionszone gegenüberliegenden Seite durch geeignete Kontaktierungsverfahren angebracht. Diese Ohmsehen Kontakte werden an den ferromagnetischen Halbleiterkörper vorteilhaft durch Diffusion eines Materials gebildet, welches beispielsweise ein 1:1 zweiwertiges Chalcogenid der Seltenen Erden oder eine Legierung aus dreiwertigen Metallen der Seltenen Erden besteht. An dieser Diffusionszone wird ein Metall angebracht. Wegen der metallischen Natur des diffundierten Materials lassen sich elektrisch leitende Leiter direkt mit der Diffusionszone verbinden.
Das in F i g. 1 dargestellte Ausführungsbeispiel jo besteht aus einem ferromagnetischen Halbleiterkörper 1, der aus einem Material von der Zusammensetzung Eui -,RE1A besteht. In dieser Formel ist RE ein dreiwertiges Element aus der Gruppe La, Ce, Pr, Nd, Grt, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Lu, Y und Sc. A ist ein Chalcogen aus der Elementengruppe O, S, Se und Te, wobei die Vorschrift besteht, daß 0>X<\ ist. Dieses Material kommt auf einen konventionellen Streifenheizer. Eine Pille aus einem Elektrodenmaterial mit der Zusammensetzung eines 1 :1-Chalcogenides Seltener Erden dreiwertiger Form, z. B. Sulfide, Selenide oder Telluride eines Metalles aus der Gruppe La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Lu, Y und Sc wird verdampft und das Material aus dem Dampf auf den Halbleiterkörper 1 niedergeschlagen.
Alternativ wird eine Legierung eines Metalles der Seltenen Erden, z. B. La, Ce, Pr, Nd, La, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Y und Lu mit einem Metall aus der Reihe Au, Ag, Cu, Zn, Ni, Co, Pd und Pt auf die nach oben weisende Oberfläche niedergeschlagen. Der Körper 1 wird erhitzt, damit eine der obigen Verbindungen in den genannten Halbleiterkörper eindiffundieren kann. Das Heizen erfolgt bei einer Temperatur von etwa 300° C bis etwa 1000° C und für die Dauer von etwa 15 Minuten bis etwa 60 Minuten, was von dem ausgewählten Material abhängig ist Auf diese Weise wird der Ohmsche Kontakt 4 hergestellt
Der Halbleiterkörper 1 wird dann gewendet, so daß die entgegengesetzte Oberfläche mit dem Ohmschen Kontakt aufwärts liegt Dann wird eine Pille aus Blei oder Zinn auf die obere Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 aufgesetzt Diese Pille kann z. B. ein Gewicht von etwa 2 mg haben und auf einen Halbleiterkörper aufgebracht werden, dessen Abmessungen 2 mm χ 2 mm χ 1 mm sind.
Der Halbleiterkörper 1 mit seiner Metallpille wird wieder in dem konventionellen Streifenheizer in einer inerten Atmosphäre, z. B. Helium oder Argon, erhitzt, bis die Metallpille schmilzt und bis die Schmelze die Oberfläche des Halbleiterkörpers benetzt. Das Heizer erfolgt bei einer Temperatur im Bereiche von etwa 2000C bis 4500C. Die untere Temperatur wird im Einklang mit dem Schmelzpunkt des verwendeter Metalles ausgewählt.
Ist z. B. das ausgewählte Metall Blei, dann liegt die untere Heiztemperatur bei etwa 327° C, wobei der Schmelzpunkt von Blei in dieser Größe liegt. Wird andererseits Zinn gewählt, dann liegt die untere Heiztemperatur bei etwa 230° C. Die Heizzeit beträgt etwa 1 Minute bis etwa 15 Minuten.
Beim Abkühlen wird zwischen einer Zone 2 und dem Halbleiterkörper 1 ein gleichrichtender pn-übergang 3 erzeugt. Die Zuführungsleiter 5 und 6 werden dann an die p-leitende Diffusionszone 2 angeschweißt und an dem Ohmschen Kontakt 4 unter Verwendung eines Lotes mit niedrigem Schmelzpunkt angebracht. Man kann beispielsweise als Lot Indium oder Legierungen mit Indium vorteilhaft verwenden. Die Erfindung sei weiterhin für zwei besondere Ausführungsbeispiele erläutert.
Im ersten Ausführungsbeispiel besteht der Halbleiterkörper aus einer Verbindung, welche durch die Formel Euo.95Gdu.5S dargestellt ist. Dieser Halbleiterkörper wird auf einen Streifenheizer gebracht, der wiederum in ein Gefäß eingebracht wird. Eine kleine Menge von etwa 0,01 g einer Legierung aus 76 Gewichtsprozenten La und 24 Gewichtsprozenten Ag wird auf die nach ober weisende Oberfläche des genannten Halbleiterkörpers aus Euo.95Gdo.5S aufgebracht. Der Körper wird dann mindestens auf 5180C aufgeheizt und zwar in einer Argonatmosphäre, um die La-Ag-Legierung zum Schmelzen zu bringen. Der Heizprozeß wird etwa 15 Minuten lang fortgesetzt damit die Legierung teilweise in den Halbleiterkörper eindiffundieren kann, um dori einen Ohmschen Kontakt zu bilden. Der Halbleiterkörper wird dann auf seine entgegengesetzte Seite gedreht so daß der Ohmsche Kontakt nach abwärts liegt. Dann wird eine Pille aus 2 mg Sn auf die aufwärts gekehrte Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht. Der Halbleiterkörper wird dann wieder erwärmt, und zwar diesmal auf eine Temperatur, die mindestens gleich der Schmelztemperatur von Sn, d.h. 232°C, ist Der Heizprozeß wird in einer Heliumatmosphäre etwa 5 Minuten lang fortgesetzt damit das Zinn in die obere Oberfläche des Halbleiterkörpers eindiffundieren kann. Beim Abkühlen entsteht an der Übergangsstelle des eindiffundierten Zinns und des restlichen Halbleiterkörpers ein gleichrichtender pn-übergang. Dann werden am Ohmschen Kontakt und an der Zinn-Diffusionszone elektrisch leitende Drähte angebracht Konventionelle Lote, z.B. aus Indium und Indiumlegierungen, diener zum Festmachen der Zuleitungen.
Im zweiten Ausführungsbeispiel besteht der ferromagnetische Halbleiterkörper aus EuossGdasSe und wird auf ein Substrat aufgebracht und dann maskiert Substrat und Halbleiterkörper werden dann etwa 343 mm über dem zu verdampfenden Material aus GdSe angeordnet und in der an sich bekannten Weise einem Kathodenstrahl-AufdampfprozeB unterworfen.
Das zu verdampfende Material wird auf eine Temperatur gebracht, die im Bereiche von etwa 20000C bis etwa 26000C liegt Der Heizprozeß dauert etwa 1 Minute, um eine Verdampfung des GdSe und ein Niederschlagen auf die exponierte Fläche des Halbleiterkörpern herbeizuführen. Nach dem Niederschlagen des GdSe auf den Halbleiterkörper, wird dei
Halbleiterkörper vom Verdampfer entfernt und in einen versiegelbaren Schmelztiegel zusammen mit etwa 0,1 g Eu-Metall eingebracht.
Der Tiegel samt Inhalt wird dann in einem Ofen auf eine Temperatur von etwa 10000C erhitzt. Der Erhitzungsprozeß dauert etwa 1 Stunde lang. Danach wird der Halbleiterkörper entfernt und auf einen Streifenheizer gebracht, so daß seine mit einer Elektrode versehene Oberfläche nach abwärts zeigt. Eine Pille von etwa 0,1 g Blei wird auf die aufwärts zeigende Oberfläche des Halbleiterkörpers gelegt. Der Halbleiterkörper wird sodann bei einer Temperatur von etwa 330°C in einer Argonatmosphäre für die Dauer von etwa 5 Minuten erhitzt. Der Körper wird gekühlt und mit leitenden Zuführungen aus Kupfer an den Pb- und GdSe-Diffusionszonen versehen, um ein gleichrichtendes ferromagnetisches Halbleiterbauelement zu bekommen.
Weitere vorteilhafte Beispiele der Erfindung sind in der Tabelle zusammengestellt.
Bei den folgenden Beispielen 3 bis 16, werden die Methoden der Beispiele 1 und 2 wiederholt, je nachdem, ob eine leitende Metallegierung der Seltenen Erden oder eine 1 :1 Chalcogenid-Verbindung dreiwertiger Seltener Erden als Ohmsche Kontaktverbindung benutzt wird.
Die Strom-Spannungs-^-V-^Charakteristiken der Halbleiterbauelemente werden durch konventionelle Mittel bestimmt. Es sind Messungen bei Raumtemperatur und bei 4.2° K durchgeführt worden. Aus den F i g. 3 und 4 ist zu ersehen, daß die /-V-Charakteristiken eines typischen gemessenen Bauelements bei den obengenannten Temperaturen ähnliches Gleichrichterverhalten zeigen. F i g. 5 stellt die Abhängigkeit des magnetischen Feldes bei den /-V-Charakteristiken in der Nähe der ferromagneiischen Ordnungs-Temperatur des Kristalles dar. Dieser Kristall besteht in diesem Falle aus einer Verbindung mit der Formel Euo.95Gdo.5S, welche besonders stark in der Diffusionszone mit Pb dotiert ist. Oberhalb des ferromagnetischen Curie-Punktes der Verbindung wurde eine wesentliche Abhängigkeit vom magnetischen Feld nicht beobachtet.
Tabelle
Zahl Halbleiter- Ohmische Konlakl- Zn DilTusions-
Verbindung Verbindung Ni Metall
3 Eu11OLa1, jSe LaSe Sn
4 Eu0H5GD05Te GdTe Cu Pb
5 E U0.,Tb0.1 Se TbSe Sn
6 Eu09Dy01Se 88,5% La& 11,5% Pb
7 Eu09Lu0JSe 84,0% La& 16,0% Sn
8 Eu0,9HO(USe HoSe Pb
9 Eu08Tm0-2Se 82,5% Pr & 17,5% Cu Sn
10 Eu0.dTm0.2Se TmSe Pb
11 Eu01J5La01I5O LaS Sn
12 EU(I95La005O 84%La& 16% Co
13 Eu08Ce02O CeSe Sn
14 Eu0,gNd(,.|O 82,5% Pr & 17,5% Pb
15 Eu085Y0 J5O YS Sn
16 Eu09SCo. ι Ο ScTe Pb
Hierzu 1 Blalt Zeichnungen

Claims (37)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen eines ferromagnetischen Halbleiterbauelements mit gleichrichtendem pn-Übergang im Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß in einem η-leitenden Halbleiterkörper von der Zusammensetzung Eui- J-RExA, wobei RE ein dreiwertiges Element der Seltenen Erden ist, welches aus der Gruppe mit La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Pm, Tm, Lu, Y und Sc ausgewählt ist, und wobei A ein Chalcogen ist, welches aus O, S, Se und Te ausgewählt ist und wobei ferner 0>*< 1 ist, als Ausgangssubstanz zur Bildung eines p-leitenden Bereichs (2) ein Metall mit einer Schmelztemperatur zwischen etwa 250° bis etwa 450°C eindiffundlert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Blei eindiffundiert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Zinn eindiffundiert wird.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ohmscher Kontakt (4) auf der der Eindiffusionsstelle gegenüberliegenden Oberflächenseite des Halbleiterkörpers (1) angebracht wird und daß Zuführungsleitungen (5, 6) auf beiden Oberflächenseiten des Halbleiterkörpers vorgesehen werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) am ferromagnetischen Halbleiterkörper (1) durch Diffusion eines Materials hergestellt wird, welches aus einem dreiwertigen Chalcogenid Seltener Erden im Verhältnis 1 :1 besteht.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) am ferromagnetischen Halbleiterkörper (1) durch Diffusion eines Materials hergestellt wird, welches aus einer metallischen Legierung dreiwertiger Seltener Erden besteht.
7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubstanz die Zusammensetzung EuossGdojS hat.
8. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubstanz die Zusammensetzung Euo.95Gdo.5Se hat.
9. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubstanz die Zusammensetzung Euo.9Lao.1Se hat.
10. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubütanz die Zusammensetzung Euo.e5Gdo.5Te hat.
11. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubstanz die Zusammensetzung EuosTboj Se hat. λ
12. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubütanz die Zusammensetzung Euo.9Dyo.1Se hat.
13. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubütanz die Zusammensetzung Euo.9Luo.1Se hat.
14. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubütanz die Zusammensetzung Euo.9Hoo.1Se hat.
15. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubstanz die Zusammensetzung Eu0STm02Se hat.
16. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubstanz die Zusammensetzung Euo.95Lao.05O hat
17. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubstanz die Zusammensetzung EutsCeo^O hat
18. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubstanz die Zusammensetzung Euo.9Ndo.1O hat
19. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubstanz die Zusammensetzung EuossYaisO hat
20. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangssubstanz die Zusammensetzung EuosScojO hat.
21. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Ühmsche Kontakt (4) aus LaSe besteht
22. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus GdTe besteht
23. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekecnzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus TbSe besteht
24. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus 88,5% La und 11,5% Zn besteht.
25. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus 84,0% und 16,0% Ni besteht
26. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus HoSe besteht.
27. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus 82,5% Pr und 17,5% Cu besteht.
28. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus TmSe besteht.
29. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus LaS besteht.
30. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus 84% La und 16% Co besteht.
31. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus CeSe besteht.
32. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus 82,5% Pr und 17,5% Cu besteht.
33. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus YS besteht.
34. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Ohmsche Kontakt (4) aus ScTe besteht.
35. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 34, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzungsdauer etwa 1 Minute bis etwa 5 Minuten beträgt.
36. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß bei Anwendung der Niederschlagsmethode mit GdSe die Verdampfungstemperatur etwa 20000C bis 2600° C beträgt.
37. Verfahren nach den Ansprüchen 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine starke Dotierung mit den Elementen Blei bzw. Zinn durchgeführt wird.
DE1963707A 1968-12-20 1969-12-19 Verfahren zum Herstellen eines ferromagnetischen Halbleiterbauelements mit gleichrichtendem pn-übergang im Halbleiterkörper Expired DE1963707C3 (de)

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