DE19628353A1 - Verfahren zur Verbesserung des Kontrastes bei der Strukturierung von 3-dimensionalen Oberflächen - Google Patents
Verfahren zur Verbesserung des Kontrastes bei der Strukturierung von 3-dimensionalen OberflächenInfo
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Description
Die erfindungsgemäße Lösung bezieht sich auf die Verbes
serung des Kontrastes von in Trockentechnologie erzeugten
3-dimensionalen Strukturen. Da seit langem Bestrebungen
dahin gehen, trocken aufzubringende strahlungsempfindliche
Schichten zu erzeugen und einzusetzen, wird auch mittels
des erfindungsgemäßen Verfahrens ein durchgängig auf
trockenen Prozeßschritten basierender Lithographieprozeß
angestrebt. Damit wäre nicht nur eine saubere Prozeßführung
gewährleistet, sondern es würden auch keine umwelt- und
gesundheitsschädlichen Substanzen im Verfahrensprozeß frei.
Bekannt sind Bestrebungen, elektronenempfindliche Polymeri
sate in der Gasentladung zu erzeugen, deren Anwendungen
noch offen stehen. Siehe
- 1. O. Joubert, T. Weidmann, A. Joshi, R. Cirelli, S. Stein, J. T. C. Lee, S. Vaidya: "Plasma polymerized all-dry resist process for 0.25 µm photolithography", J. Vac. Technol. B 12(6) (1995), 3909.
Am Techno-Centre in Moskau wurde für die Korpuskularstrahl-
und optische Lithographie eine Substanz als Trockenlack
synthetisiert, der mit einer Empfindlichkeit ähnlich der
des bekannten Elektronenlacks PMMA (Polymethylmetacrylat),
aber als Negativlack, arbeitet. Dieser Lack besitzt einen
schlechten Kontrast und auf Festkörpern für Lithographie
nur ein bedingt geeignetes Auflösungsvermögen. Er wird im
Vakuum aufgedampft und auch im Vakuum trocken entwickelt.
Siehe
- 2. P. Guttmann, G. Daney, I. Spassova, S. Babin: "Beha viour of amorphous As₂S₃-Layers after photon, electron. and X-ray exposures", SPIE 1361 (1990) 999.
Nasse Prozeßschritte werden überflüssig. Dadurch ist der
Lack sehr umweltfreundlich. Siehe
- 3. V. P. Korchkov, T. N. Martynova, V. S. Damlovich: "Thin Solid Films" 4 (1983), 3696.
Der Lack besitzt eine hohe Ätzresistenz gegen Metalle
ätzende Plasmaprozesse und findet daher bevorzugt als gute
Ätzmaske Verwendung.
Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens soll insgesamt ein
besserer Kontrast des Trockenlackes und auf Festkörpern ein
besseres Auflösungsvermögen bewirkt werden, so daß der
Trockenlack auch für die optische Lithographie eingesetzt
werden kann.
Die erfindungsgemäße Lösung basiert auf einem der thermi
schen Entwicklung des Trockenlackes nachgeordneten Trocken
ätz-Schritt, durch den insbesondere der Kontrast des Troc
kenlackes wesentlich verbessert wird. Bei der Belichtung
polymerisiert das stark Siliziumdioxidhaltige Grundmaterial
durch den Strahlenbeschuß. Da ein großer Teil der Strahlung
bei Elektronenbelichtung durch den Proximityeffekt in die
Umgebung der belichteten Stellen gestreut wird, ist in
nicht direkt belichteten Bereichen bereits ein schwach
polymerisiertes Material vorzufinden, das durch die ther
mische Entwicklung nicht mehr zu entfernen ist. Das erfin
dungsgemäße Verfahren ist vorzugsweise auf die Beseitigung
dieses schwach polymerisierten Materials, durch das der
schlechte Kontrast bewirkt wird, ausgerichtet. Dieser
Ätzangriff von reaktiven Fluor-Ionen beruht, die in der
Gasentladung im Parallelplattenreaktor aus CF₄ entstehen.
Die Entfernung des schwach polymerisierten Materials er
folgt dadurch ebenfalls in einem Trocken-Prozeß. Eine wei
tere Nachbehandlung ist nicht notwendig. Mittels des erfin
dungsgemäßen Verfahrens wird ein verbesserter Kontrast er
reicht und ein erhöhtes Auflösungsvermögen des Lackes er
zielt.
Die erfindungsgemäße Lösung soll anhand eines Ausführungs
beispiels näher erläutert werben.
Im Ausführungsbeispiel wird als Trockenlack Octavinylsil
sesquioxan eingesetzt. Dieser Trockenlack, der als Negativ
lack wirkt, besitzt eine Empfindlichkeit, die ähnlich der
Empfindlichkeit des bekannten Elektronenlackes PMMA (Poly
methylmetacrylat) ist.
Octavinylsesquisiloxan besitzt einen schlechten Kontrast,
sowie auf Festkörpern für Lithographie nur ein bedingt ge
eignetes Auflösungsvermögen.
Der Lack wird im Hochvakuum bei niedrigen Temperaturen auf
die 3-dimensionale Oberfläche aufgedampft. Die Belichtung
des Lackes erfolgt über Elektronen-Strahlung oder aber auch
durch ultraviolettes Licht bzw. Ionenstrahlen. Der Lack
polymerisiert durch die Einwirkung der Strahlung. Dadurch
wirkt er als Negativlack. Für verschieden dosierte
Elektronenenergien besitzt der Lack unterschiedliche
Empfindlichkeiten, die im Zusammenhang mit den verschieden
dosierten Elektronenenergien auch einen unterschiedlichen
Polymerisationsgrad des Lackes bewirken. Die Entwicklung
des belichteten Lackes erfolgt ebenfalls im Hochvakuum
durch Erwärmen auf Temperaturen bis 200°C. Das nicht poly
merisierte Material wird bei diesem Prozeß sublimiert. Es
entsteht eine 3-dimensionale optische Oberfläche mit Zonen,
die einen unterschiedlichen Polymerisationsgrad aufweisen.
Da ein großer Teil der Strahlung bei Elektronenbelichtung
durch den Proximityeffekt in die Umgebung der belichteten
Bereiche gestreut wird, tritt auch in nicht direkt beleuch
teten Bereichen ein schwacher Polymerisationseffekt auf, so
daß dort in geringem Maße polymerisiertes Material vorhan
den ist, welches sich bei der thermischen Entwicklung nicht
entfernen läßt. Daher ist der durch diesen Prozeß erziel
bare Kontrast sehr gering. Bis zu diesem Schritt ist das
Verfahren daher für hochauflösende Lithographie kaum ein
setzbar.
Erfindungsgemäß wird insbesondere zur Erhöhung des Kontra
stes nach der thermischen Entwicklung ein weiterer zusätz
licher Verfahrensschritt angeschlossen, der einen Trocken
ätz-Prozeß beinhaltet. Dabei wird das polymerisierte Mate
rial in einem Parallelplattenreaktor einem reaktiven Plasma
aus Tetrafluor-Kohlenstoff ausgesetzt. Da das Polymerisat
einen unterschiedlichen Polymerisationsgrad und damit eine
unterschiedliche Härte besitzt, wird das weichere nicht
vollständig polymerisierte Material zuerst abgetragen. Da
durch erhöht sich der Kontrast der charakteristischen
Kurve des Lackes beträchtlich, so daß ein sehr guter
Kontrast von < 2,9 erreichbar ist. Damit ist der Lack als
Negativlack in lithographischen Aufgaben einsetzbar. Ein
weiterer Entwicklungsprozeß oder Reinigungsprozeß ist an
schließend nicht erforderlich. Bei diesem Verfahren kommt
man bei strukturerzeugenden Prozessen ohne im "Nassen" ver
laufende Verfahrenschritte aus, so daß keine schädlichen
Lösungsmittel mehr erforderlich sind. Da auch der Lackauf
trag und die thermische Entwicklung des Lackes im Hoch
vakuum verlaufen, ist eine Gesundheitsgefährdung faktisch
ausgeschlossen.
Der erzielte Kontrast γ=[log(D/D₀)]-1 steigt durch den
erfindungsgemäßen Verfahrensschritt von 0,71 nach der
thermischen Entwicklung auf 2,9. In einigen eingeschränk
ten Bereichen steigt der Kontrast bis zu 4,6. Dies stellt
eine wesentliche Verbesserung dar und ermöglicht es, diesen
Lack nun auch lithographisch zu nutzen. Nach dem erfin
dungsgemäßen Verfahrensschritt, d. h. nach dem trockenen
Ätzentwicklungsschritt, sind keine weiteren Schritte zur
Fertigstellung mehr erforderlich.
Durch den trockenen Ätzentwicklungsschritt wird auch auf
dicken Unterlagen, bei denen die Elektronen-Rückstreuung
die Auflösung verschlechtert, eine verbesserte Auflösung
erzielt.
Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich insbesondere
auch dadurch aus, daß keine umwelt- oder gesundheitsschäd
lichen Substanzen im Prozeß freigesetzt werden. Alle Pro
zesse finden im Hochvakuum statt.
Claims (4)
1. Verfahren zur Verbesserung des Kontrastes bei der
Strukturierung von 3-dimensionalen Oberflächen, die
durch Trockenlacktechnik mit stark siliziumoxidhal
tigen, als Negativlack wirkenden polymerisierbareren
Trockenlacken erzeugt, mit unterschiedlicher Intensität
belichtet und thermisch entwickelt wurden, da
durch gekennzeichnet, daß die mit
unterschiedlichem Polymerisationsgrad polymerisierten
Lack-Zonen einem zeitlich begrenzten Trockenprozeß in
fluorhaltigem Plasma ausgesetzt werden, bei welchem ein
Abtragvorgang einsetzt, der in Abhängigkeit von einer
zeitlich definierbaren Funktion vom nicht vollständig
polymerisierten Material zum vollständig polymerisier
ten Material abläuft.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Trockenätzprozeß zeitlich so bemessen wird, daß er
auf die Zonen des polymerisierten Materials beschränkt
bleibt, welche durch den Proximityeffekt belichtet und
dadurch nur in geringem Maße polymerisiert wurden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
als Trockenlack Octavinylsilsesquioxan eingesetzt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Trockenätzprozeß in einem Parallelplattenreaktor
mit einer Prozeßkammer aus Aluminium erfolgt, bei dem
die unterschiedlich polymerisierten Lack-Zonen der
3-dimensionalen Oberfläche zeitlich begrenzt einem
reaktiven Plasma aus Tetrafluor-Kohlenstoff ausgesetzt
werden.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19628353A DE19628353A1 (de) | 1995-08-30 | 1996-07-13 | Verfahren zur Verbesserung des Kontrastes bei der Strukturierung von 3-dimensionalen Oberflächen |
PCT/DE1996/001580 WO1997010088A2 (de) | 1995-08-30 | 1996-08-24 | Verfahren zur verbesserung des kontrastes bei der strukturierung von 3-dimensionalen oberflächen |
EP96944547A EP0847545B1 (de) | 1995-08-30 | 1996-08-24 | Verfahren zur verbesserung des kontrastes bei der strukturierung von 3-dimensionalen oberflächen |
JP51154397A JP2001519040A (ja) | 1995-08-30 | 1996-08-24 | 三次元表面の構造化におけるコントラストを向上させる方法 |
US09/029,700 US6232046B1 (en) | 1995-08-30 | 1996-08-24 | Process for improving the contrast in the structure of 3-dimensional surfaces |
DE59604463T DE59604463D1 (de) | 1995-08-30 | 1996-08-24 | Verfahren zur verbesserung des kontrastes bei der strukturierung von 3-dimensionalen oberflächen |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19531859 | 1995-08-30 | ||
DE19628353A DE19628353A1 (de) | 1995-08-30 | 1996-07-13 | Verfahren zur Verbesserung des Kontrastes bei der Strukturierung von 3-dimensionalen Oberflächen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19628353A1 true DE19628353A1 (de) | 1997-03-06 |
Family
ID=7770732
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19628353A Withdrawn DE19628353A1 (de) | 1995-08-30 | 1996-07-13 | Verfahren zur Verbesserung des Kontrastes bei der Strukturierung von 3-dimensionalen Oberflächen |
DE59604463T Expired - Lifetime DE59604463D1 (de) | 1995-08-30 | 1996-08-24 | Verfahren zur verbesserung des kontrastes bei der strukturierung von 3-dimensionalen oberflächen |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59604463T Expired - Lifetime DE59604463D1 (de) | 1995-08-30 | 1996-08-24 | Verfahren zur verbesserung des kontrastes bei der strukturierung von 3-dimensionalen oberflächen |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (2) | DE19628353A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6232046B1 (en) | 1995-08-30 | 2001-05-15 | Deutsche Telekom Ag | Process for improving the contrast in the structure of 3-dimensional surfaces |
US6291139B1 (en) | 1995-08-30 | 2001-09-18 | Deutsche Telekom Ag | Process for fabricating three-dimensional polymer layer structures |
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DE4202651A1 (de) * | 1992-01-30 | 1993-08-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur trockenentwicklung einer siliziumhaltigen ultraviolett- und/oder elektronenstrahlempfindlichen lackschicht |
-
1996
- 1996-07-13 DE DE19628353A patent/DE19628353A1/de not_active Withdrawn
- 1996-08-24 DE DE59604463T patent/DE59604463D1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE4202651A1 (de) * | 1992-01-30 | 1993-08-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur trockenentwicklung einer siliziumhaltigen ultraviolett- und/oder elektronenstrahlempfindlichen lackschicht |
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US6291139B1 (en) | 1995-08-30 | 2001-09-18 | Deutsche Telekom Ag | Process for fabricating three-dimensional polymer layer structures |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE59604463D1 (de) | 2000-03-23 |
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