DE19624097A1 - Verfahren zum Passivieren von feinteiligem Material des Organochlorsilan-Reaktors und Wiedergewinnen von Chlorsilan daraus - Google Patents

Verfahren zum Passivieren von feinteiligem Material des Organochlorsilan-Reaktors und Wiedergewinnen von Chlorsilan daraus

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    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/12Organo silicon halides
    • C07F7/16Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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Description

Hintergrund der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfah­ ren zum gleichzeitigen passivieren von feinteiligen Materi­ alien des Organochlorsilan-Reaktors und zum Wiedergewinnen von Stoffen daraus.
Wie in der US-PS 4,500,724 gezeigt, können feinteilige Materialien des Methylchlorsilan-Reaktors (im folgenden manchmal als "siliciumhaltige feinteilige Materialien" bezeichnet) während der Synthese von Methylchlorsilanen durch die Umsetzung von pulverförmigem Silicium mit Methyl­ chlorid, üblicherweise in Gegenwart eines Kupfer-Katalysa­ tors, erzeugt werden. Einige der erzeugten, feinteiligen Materialien werden zurückgeführt, während andere verworfen werden. Wie in der US-PS 5,274,158 diskutiert, kann sich ein ernstes Problem der Handhabung der verworfenen, fein­ teiligen Materialien ergeben, da diese Materialien häufig pyrophor sind. Siliciumhaltige, feinteilige Materialien können eine mittlere Teilchengröße von etwa 0,1 bis etwa 200 µm haben, und sie weisen mindesten 2 Gew.-% Kupfer im elementaren oder chemisch gebundenen Zustand auf.
Wie in der vorgenannten US-PS 5,274,158 gezeigt, be­ steht ein Verfahren, um pyrophore, siliciumhaltige, fein­ teilige Materialien im wesentlichen nicht reaktionsfähig in Luft zu machen, darin, sie in einer inerten Atmosphäre bei einer Temperatur im Bereich von etwa 900-1500°C wärmezube­ handeln.
Frühe Untersuchungen zeigten auch, daß SiCl₄ und HSiCl₃ hergestellt werden können durch Inberührungbringen von Siliciumpulver metallurgischer Qualität und HCl in Gegenwart eines Kupfer-Katalysators bei etwa 300°C. Es ist bekannt, daß höhere Temperaturen die ausschließliche Bil­ dung von SiCl₄ begünstigen. Obwohl verschiedene Verfahren zum passivieren von verworfenen, siliciumhaltigen, feintei­ ligen Materialien bekannt sind, um diese handhabbarer zu machen, ist man auch daran interessiert, Techniken zu ent­ wickeln, um sowohl die siliciumhaltigen, feinteiligen Mate­ rialien zu passivieren als auch einen Teil des Siliciums und des Metalles aus der verworfenen, feinteiligen, Silici­ um-Kontaktmasse wiederzugewinnen.
Zusammenfassung der Erfindung
Die vorliegende Erfindung beruht auf der Feststellung, daß der Kontakt zwischen siliciumhaltigen, feinteiligen Ma­ terialien, die ansonsten weggeworfen werden würden, mit HCl oder elementarem Chlor bei einer hohen Temperatur, gleich­ zeitig die Wiedergewinnung von Metall gestattet als auch das Silicium der verworfenen, feinteiligen Reaktormateria­ lien passiviert.
Die Erfindung ist demgemäß ein Behandlungsverfahren zum Wiedergewinnen von Metallen und zum Passivieren von Si­ licium der siliciumhaltigen, feinteiligen Materialien, die aus der Umsetzung von Siliciumpulver mit Chlorwasserstoff oder einem organischen Chlorid resultieren, wobei dieses Verfahren das Inberührungbringen der feinteiligen Materia­ lien mit HCl oder elementarem Chlor bei einer Temperatur im Bereich von etwa 500-1200°C umfaßt, um eine Mischung zu bilden, die Siliciumchloride und Metallsalze umfaßt.
Detaillierte Beschreibung der Erfindung
Siliciumchloride, die erzeugt und gemäß der Ausführung der Erfindung wiedergewonnen werden können, sind in erster Linie SiCl₄ und HSiCl₃. Zu den Metallchloriden, die wieder­ gewonnen werden können, gehören Chloride von Kupfer, Zink und Zinn.
Die gemäß dem Verfahren der Erfindung zu behandelnden siliciumhaltigen, feinteiligen Materialien schließen Mate­ rialien ein, wie sie in den US-PS 4,724,122 und 5,000,934 gezeigt sind. Sie haben typischerweise eine Teilchengröße im Bereich von etwa 0,1-200 µm und eine Oberfläche bis zu etwa 25 m²/g.
Bei der Ausführung der Erfindung können feinteilige Materialien, die z. B. aus einem Organohalogensilan-Reaktor mit Fließbett gewonnen wurden, und die in einem Trichter unter Stickstoff gelagert werden können, einem Reaktor, die einem Drehofen, unter ansatzweisen, halbansatzweisen oder kontinuierlichen Bedingungen zugeführt werden. Diese fein­ teiligen Materialien können, üblicherweise für eine Dauer von 1-3 Stunden, in einer HCl- oder Chlor-Atmosphäre ge­ rührt bzw. bewegt werden. HCl kann, z. B., mit einem Druck von 0,1-3,0 bar eingesetzt und in Kombination mit einem Inertgas, wie Stickstoff oder Helium, benutzt werden, falls erwünscht. Die Behandlungstemperaturen liegen im Bereich von 500-1200°C.
Gemäß der Erfindung ist es häufig möglich, im wesent­ lichen das gesamte, in den feinteiligen Materialien vorhan­ dene Silicium als wertvolle Siliciumchloride, vorwiegend Siliciumtetrachlorid, wiederzugewinnen. Darüber hinaus wer­ den Kupfer und andere vorhandene Metalle typischerweise in hochreine Chloride umgewandelt, die ebenfalls wieder einge­ setzt werden können.
In bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung wird der Kontakt mit HCl in einer ersten Reaktionszone bewirkt, und das Produkt davon wird in ein oder mehrere Zonen über­ führt, in denen spätere Stufen ausgeführt werden. Diese können eine erste Wärmeaustausch- und Trennzone einschlie­ ßen, die ein Gefäß mit Einrichtungen zur Wärmerückgewinnung unter Dampferzeugung benutzt, wobei in diesem Gefäß die Rückgewinnung von Metallsalzen, Siliciumchloriden und pas­ siviertem Rest der Kontaktmasse, der Siliciumoxid, Silici­ umcarbide und Kupfersilicate einschließen kann, möglich ist. Eine zweite Wärmeaustausch- und Dampferzeugungs-Zone in einem zweiten ähnlichen Gefäß kann, falls erforderlich, ebenfalls benutzt werden, um eine abschließende Strippope­ ration an dem Produkt der ersten Wärmeaustausch- und Trenn­ zone zur Rückgewinnung von Siliciumchloriden und passivier­ ter Silicium-Kontaktmasse auszuführen. Die passivierte Si­ licium-Kontaktmasse ist typischerweise im wesentlichen nicht reaktionsfähig in Luft bei Temperaturen bis 350°C.
Die folgenden Beispiele veranschaulichen die Praxis der Erfindung.
Beispiel 1
Eine Mischung von 0,1 bar HCl und von 0,9 bar Helium wurde über 30 mg siliciumhaltige, feinteilige Materialien geleitet, die aus einem Methylchlorsilan-Reaktor gewonnen waren. Die feinteiligen Materialien befanden sich in einer Platin-Pfanne bei 900°C. Der Gewichtsverlust der feinteili­ gen Materialien wurde über eine fünfstündige Dauer gemes­ sen. Das Behandeln der feinteiligen Materialien in der HCl-Atmosphäre führte zu einem schnellen und beträchtlichen Ge­ wichtsverlust innerhalb von etwa 1,5 Stunden. Dies war der Umwandlung in Metallchloride und Chlorsilane zuzuschreiben. Etwa 1% des ursprünglichen Gewichtes wurde aufgrund von ab­ sorbiertem Wasser verloren.
Das obige Verfahren wurde mit der Ausnahme wiederholt, daß die feinteiligen Materialien in einer Helium-Atmosphäre behandelt wurden. Es wurde festgestellt, daß die feinteili­ gen Materialien keinen merklichen Gewichtsverlust, ausge­ nommen aufgrund absorbierten Wassers, erfuhren.
Behandelte und unbehandelte, feinteilige Materialien wurden dann auf Reaktionsfähigkeit mit Sauerstoff unter­ sucht, indem man eine verdünnte Luftmischung bei 300°C über die Proben leitete. Die bei 900°C behandelten, feinteiligen Materialien zeigten keine Gewichtszunahme, während bei den unbehandelten, feinteiligen Materialien, aufgrund der Bil­ dung von Metalloxiden, eine Gewichtszunahme beobachtet wurde.
Beispiel 2
30 g siliciumhaltiger, feinteiliger Materialien, die aus einem Methylchlorsilan-Reaktor gewonnen worden waren, wurden in einem Reaktionsrohr aus Quarz, unter strömendem Helium, auf 300°C erhitzt, um absorbiertes Wasser zu ent­ fernen. Nachdem die siliciumhaltigen, feinteiligen Materi­ alien trocken waren, wurde ein Kondensator-System ange­ bracht. HCl wurde in den Reaktor eingeführt und die Tempe­ ratur auf 900°C erhitzt. Die feinteiligen Materialien wur­ den 5 Stunden behandelt, gefolgt vom Abkühlen des Ofens un­ ter einer Heliumspülung.
Obwohl weniger als 1 g Flüssigkeit gesammelt wurde, wurden größere Mengen gebildet, wie durch den Aufbau eines weißen Siloxanrestes in einem Wasser-Wäscher gezeigt. Wie durch Gaschromatographie gezeigt, war das flüssige Konden­ sat zu 99 Gew.-% SiCl₄, Rest HSiCl₃. Eine mögliche Erklä­ rung dafür, daß der Rest der erzeugten, flüssigen Silane nicht gewonnen wurde, war ein unwirksames Kondensationssy­ stem und eine dürftige Gas-Festkörper-Wechselwirkung.
Das obige Verfahren wurde für 6½ Stunden bei 300°C wiederholt. Es wurde kein flüssiges Kondensat gesammelt, und es ergab sich ein Verlust von 0,18 g an feinteiligen Materialien.
Das nachfolgende Testen der bei 300°C und 900°C behan­ delten, feinteiligen Materialien zeigte auch eine merkliche Passivierung hinsichtlich des entwickelten Wasserstoffgases nach dem Vermischen mit einer Mischung aus Wasser und ober­ flächenaktivem Mittel. Die unbehandelten, feinteiligen Ma­ terialien erzeugten 700 ml entwickelten Wasserstoffes pro 10 g der Probe, verglichen mit der Behandlung bei 300°C bzw. 900°C, wobei 181 bzw. 130 ml erzeugt wurden.

Claims (8)

1. Verfahren zum Wiedergewinnen von Metall und zum Pas­ sivieren von Silicium von siliciumhaltigen, feinteiligen Materialien, die aus der Reaktion von Siliciumpulver mit Chlorwasserstoff oder einem organischen Chlorid resultie­ ren, wobei das Verfahren das Inberührungbringen der fein­ teiligen Materialien mit HCl oder elementarem Chlor bei ei­ ner Temperatur im Bereich von etwa 500-1200°C umfaßt, um eine Siliciumchloride und Metallsalze umfassende Mischung zu bilden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, worin die wiedergewonnenen Siliciumchloride eine Mischung von SiCl₄ und HSiCl₃ sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1, worin die siliciumhalti­ gen, feinteiligen Materialien aus einer Umsetzung zwischen Methylchlorid und Siliciumpulver in Gegenwart eines Kupfer- Katalysators resultieren.
4. Verfahren nach Anspruch 1, worin die siliciumhalti­ gen, feinteiligen Materialien mit einer Mischung von HCl und einem Inertgas behandelt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Mischung in ei­ ner ersten Reaktionszone hergestellt und das Produkt davon in eine erste Wärmeaustausch- und Trennzone übertragen wird, um die Gewinnung von Wärme und die Abtrennung von Metallsalzen zu bewirken.
6. Verfahren nach Anspruch 5, worin das Produkt der er­ sten Wärmeaustausch- und Trennzone zu einer zweiten Wärme­ austauschzone übertragen wird, um flüchtige Siliciumchlori­ de abzutrennen und eine passivierte, siliciumhaltige Kon­ taktmasse zu gewinnen, die bei Temperaturen bis 350°C in Luft im wesentlichen nicht reaktionsfähig ist.
7. Kontinuierliches Verfahren gemäß Anspruch 1.
8. Ansatzweises Verfahren gemäß Anspruch 1.
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GB (1) GB2302684B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012065892A1 (de) * 2010-11-18 2012-05-24 Evonik Degussa Gmbh Herstellung von chlorsilanen aus kleinstteiligem reinstsilicium
WO2012080067A1 (de) 2010-12-17 2012-06-21 Wacker Chemie Ag Direktsynthese von alkylchlorsilanen in einem flüssigen reaktionsmedium
DE102011003116A1 (de) 2011-01-25 2012-07-26 Wacker Chemie Ag Reinigung von trockenen Rückständen der Direktsynthese von Alkylchlorsilanen

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19847786A1 (de) * 1998-10-16 2000-04-20 Degussa Vorrichtung und Verfahren zum Befüllen und Entleeren eines mit brennbarem sowie aggressivem Gas beaufschlagten Behälters
DE10017153C1 (de) * 2000-04-06 2001-05-03 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Direktsynthese von Organochlorsilanen unter Einsatz von zurückgewonnenem CuCI Katalysator
GB0212324D0 (en) * 2002-05-29 2002-07-10 Dow Corning Silicon composition
JP4160930B2 (ja) * 2004-05-19 2008-10-08 シャープ株式会社 ハロシランの製造方法、固形分の精製方法
JP4589779B2 (ja) * 2005-03-29 2010-12-01 譲 金子 水素ガスの発生方法
DE102011005643A1 (de) * 2011-03-16 2012-09-20 Evonik Degussa Gmbh Reaktorkonzept zur Umsetzung von Organochlorsilanen und Siliciumtetrachlorid zu wasserstoffhaltigen Chlorsilanen
JP5900224B2 (ja) * 2011-11-30 2016-04-06 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシラン製造装置及び製造方法
WO2020182299A1 (de) * 2019-03-12 2020-09-17 Wacker Chemie Ag Verfahren zur herstellung von organochlorsilanen

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4390510A (en) * 1982-02-16 1983-06-28 General Electric Company Process for treating spent silicon-containing reaction masses to produce halosilanes
DE3303903A1 (de) * 1982-02-16 1983-08-25 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Verfahren zum herstellen von trichlorsilan aus silizium
US4500724A (en) * 1983-07-28 1985-02-19 General Electric Company Method for making alkylhalosilanes
JPS61236607A (ja) * 1985-04-09 1986-10-21 Toray Silicone Co Ltd 活性ケイ素粉の処理方法
JPS61245831A (ja) * 1985-04-24 1986-11-01 Toray Silicone Co Ltd 活性ケイ素粉の処理方法
US5274158A (en) * 1992-04-13 1993-12-28 General Electric Company Process for stabilizing spent silicon contact mass
US5321149A (en) * 1992-12-09 1994-06-14 General Electric Company Process for stabilizing spent silicon contact mass

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012065892A1 (de) * 2010-11-18 2012-05-24 Evonik Degussa Gmbh Herstellung von chlorsilanen aus kleinstteiligem reinstsilicium
CN103201219A (zh) * 2010-11-18 2013-07-10 赢创德固赛有限公司 由超细超纯硅制备氯硅烷
WO2012080067A1 (de) 2010-12-17 2012-06-21 Wacker Chemie Ag Direktsynthese von alkylchlorsilanen in einem flüssigen reaktionsmedium
DE102010063446A1 (de) 2010-12-17 2012-06-21 Wacker Chemie Ag Direktsynthese von Alkylchlorsilanen in einem flüssigen Reaktionsmedium
DE102011003116A1 (de) 2011-01-25 2012-07-26 Wacker Chemie Ag Reinigung von trockenen Rückständen der Direktsynthese von Alkylchlorsilanen
WO2012101052A1 (de) 2011-01-25 2012-08-02 Wacker Chemie Ag Reinigung von trockenen rückständen der direktsynthese von alkylchlorsilanen

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US5530151A (en) 1996-06-25
FR2735706B1 (fr) 1998-10-23
GB2302684B (en) 1999-06-02
GB2302684A (en) 1997-01-29

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