DE1962221A1 - Schwinganordnung - Google Patents
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Description
8l68-69/Kö/s
Convention Dates:
December 11, 1968 and
January 18, I969
Hayakawa Denki Kögyo Kabushiki Kaisha, Osaka, Japan
Schwinganordnung
Die Erfindung betrifft eine Schwinganordnung unter Verwendung eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements mit negativer Widerstandscharakteristik,
insbesondere eine Schwinganordnung, bei welcher der Schwing- oder Schaltvorgang eines lichtemittierenden
Halbleiterbauelements mit stromgesteuerter negativer Widerstandscharakteristik für die Gewinnung eines Ausgangslichtsignals bei
Normaltemperatur verwendet wird.
In letzter Zeit haben sich in der Optoelektronik, besonders -'%
auf dem Gebiet der Nachrichtentechnik, der Datenverarbeitungstechnik und verwandten Gebieten sehr rasche Entwicklungen vollzogen.
Es sind verschiedene Arten von lichtemittierenden Halbleiterbauelementen
mit Laseremission und Feldlichtemission bekannt, während andererseits Halbleiterbauelemente wie die Tunneldiode, die zwar
kein Licht emittiert, jedoch eine negative Widerstandscharakteristik
aufweist, ebenfalls bekannt sind. Dagegen ist ein Halbleiterbauelement,
das Licht emittiert und eine negative Widerstandscharakteristik aufweist^ derzeit für praktische Zwecke noch nicht verfügbar.
Obwohl bestimmte lichtemittierende Halbleiterbauelemente unter bestimmten Voraussetzungen eine negative Widerstandscharak-
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teristik aufweisen, tritt diese negative Widerstandscharakteristik
, nur bei sehr niedrigen Temperaturen von beispielsxieise 77 K auf,
oder sie ist, wenn sie bei Zimmertemperatur auftritt, unstabil.. Ferner beträgt der Wirkungsgrad der Lichtemission nur ungefähr
0,1 % und lassen sich derartige Bauelemente kaum in reproduzierbarer
Weise herstellen, da die Herstellungsverfahren kompliziert und schwierig sind, so daß diese Bauelemente in der Praxis kaum
verwendbar sind. Solche bekannten Bauelemente kommen daher für die Verwendung in einer Schaltung, die bei Normaltemperatur betrieben
werden soll, kaum in Frage.
Es wurde jedoch gefunden, daß das lichtemittierende HaIb-
- leiterbauelement mit negativer Widerstandscharakteristik so ein-
^T gerichtet werden kann, daß es zwei stabile Zustände, nämlich einen
gesperrten oder Niederstromzustand und einen aktiven oder Hochstromzustand
sowie außerdem ein Gebiet negativen Widerstands aufweist. Es wurde ferner gefunden, daß ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement
der oben genannten Art so eingerichtet werden kann, daß es zwischen den beiden stabilen Zuständen schaltet und
schwingt, wenn die Widerstandsgerade geeignet festgelegt'wird.
Kürzlich wurde im Zusammenhang mit vorliegender Erfindung
ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement aus Galliumarsenid entwickelt, das eine stabile negative Widerstandscharakteristik
bei Zimmertemperatur aufweist, einen Lichtemissionswirkungsgrad ^ von ungefähr 3 %, der wesentlich höher ist als bei den bekannten
Bauelementen, hat und sich leicht und mit guter Reproduzierbarkeit herstellen läßt. Die Erfindung betrifft eine Schwinganordnung, die
mit diesem kürzlich entwickelten lichtemittierenden Halbleiterbauelement arbeitet, wobei dessen Schalt- und Schwingvorgang ausgenützt"
wird, um eine Oszillatorwirkung zu erzeugen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schwing- oder Oszillatoranordnung zu schaffen, die mit einem lichtemittierenden
Halbleiterbauelement mit negativer Widerstandscharakteristik arbeitet.
Die Schwinganordnung soll einfach ausgebildet sein und bei
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Zimmertemperatur ohne komplizierte Hilfsmittel stabil schwingen
können.
Sie soll ferner so ausgebildet sein, daß gleichzeitig ein
elektrisches und ein Lichtausgangssignal gewonnen werden kann, das ohne weiteres auf andere Schaltungen, die ohne weiteres ein
Ausgangssignal erzeugen können, gekoppelt werden kann.
Das verwendete lichtemittierende Halbleiterbauelement soll mit hoher Geschwindigkeit zwischen zwei stabilen Zuständen schalten
und mit hoher Frequenz schwingen können.
Zur Lösung dieser Aufgabe enthält die erfindungsgemäße
Schwinganordnung,.in welcher ein lichtemittierendes Halbleiterbau- g
element mit negativer Widerstandscharakteristik verwendet wird, eine Anordnung zum Speichern eines von außen zugeführten elektrischen
Signals , beispielsweise in Form einer Integrierschaltung
mit einer Zeit konstante, sowie ein oder mehrere lichtemittierende
Halbleiterbauelemente, deren jedes jeweils bei Empfang des von der
Speicheranordnung gespeicherten elektrischen Signals Licht emittiert
und eine negative Widerstandscharakteristik aufweist, die zwischen zwei stabilen Zuständen schaltbar ist*
Das erfindungsgemäße lichtemittierende Bauelement mit negativer
Widerstandscharakteristik besteht aus einer vierschichtigen
pnpn-Anordnui £ und hat ein einem Niederstromzustand entsprechendes
Sperrgebiet mit so hohem positiven Widerstand, daß der Strom I mit
der Spaniumg V ansteigt, ein einem Hpchstromzustand entsprechendes
aktives Gebiet mit einem niedrigen positiven Widerstand sowie ein
negatives Widerstandsgebiet mit einem solchen negativen Widerstand,
daß der Strom I mit ansteigender Spannung V absinkt, wobei seine Lichtemissionsstärke dem Stromfluß proportional ist. Das lichtemittierende
Halbleiterbauelement wird nach einem epitaktischen ■Aufwachsverfahren aus der Flüssigphase in der Weise hergestellt,
daß die p- und n—Schichten abwechselnd unter genauer Temperaturkontrolle
auf ein Galliumarsenidsubstrat unter Verwendung VQn lediglich
Silicium als Dotierstoff aufgewachsen, werden. Das Bauelement
ist dadurch gekennzeichnet, daß es Licht bei Normaltempera-
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tür emittiert, eine negative Widerstandscharakteristik aufweist
und hauptsächlich Feldlichtemission erzeugt^". Der Lichtemissionswirkungsgrad beträgt ungefähr 3 %, d.h. um mehrere Zehnfache mehr
als bei bekannten Bauelementen, und es läßt sich leicht mit guter Reproduzierbarkeit herstellen.
Wenn erfindungsgemäß die Widerstandsgerade des lichtemittieren
den Bauelements so festgelegt wird, daß sie die Strom/Spannungskennlinie
im negativen Widerstandsbereich schneidet, steigt bei Speicherung des von außen zugeführten elektrischen Signals in der
Speicherschaltung die Klemmenspannung des lichtemittierenden Bauelements
allmählich an, bis sie den Schwellwert V,, innerhalb des
' tn
Sperrbereichs der Strom/Spannungskennlinie ,erreicht. Während dieser
Zeit ist der Stromfluß im lichtemittierenden Bauelement sehr gering, und es wird .kaum Licht" emittiert. Wenn dagegen dem Bauelement
von der Speicherschaltung eine die Schwellenspannung übersteigende
Spannung zugeführt wird, schaltet das Bauelement sehr
rasch in den aktiven Bereich, so daß ein starker Strom fließt und
kräftig Licht emittiert wird. Unter diesen Bedingungen fällt der
Innenwiderstand des Bauelements stark ab, so daß das Bauelement weitgehend leitend wird und die in der Speicherschaltung gespeicherte
Ladung sehr rasch durch das Bauelement entladen wird. Als Folge davon fällt die Klemmenspannung des Bauelements unter
den Haltespannungswert V, ab, so daß das Bauelement in den Sperr—
bereich geschaltet wird und die Lichtemission aufhört, Anschliessend steigt bei Zuführung des elektrischen Signals von außen die
Klemmenspannung des Bauelements wieder an, und der Vorgang wiederholt sich. Es wird daher bei dieser Schwinganordnung die Zeit-,
während welcher die Klemmenspannung des lichtemittierenden Bauelements den Schwellwert V., erreicht, durch die Spannung des von
außen gelieferten elektrischen Signals sowie durch die Zeitkonstante der Speicherschaltung bestimmt, während die Schwingungsperiode durch diese Zeit bestimmt wird. Andererseits kann man die
Schwinganordnung auch so ausbilden, daß die Widerstandsgerade des
lichtemittierenden Bauelements die Strom/Spannungskennlinie im aktiven oder im Sperrbereich schneidet und die Schaltcharakteristik des Bauelements ausgenützt wird. In diesem Fall wird das von
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— j
.außen zugeführte elektrische Signal entweder positiv oder negativ
gemacht und kann das Bauelement vom einen in den anderen stabilen Zustand geschaltet werden. Um Dauerschwingungen zu erzeugen, kann
man die Polarität des Eingangssignals steuern oder das Schalten des stabilen Zustande mittels des Lichtausgangssignals oder des
elektrischen Ausgangssignals vom lichtemittierenden Bauelement wahrnehmen und damit den Arbeitsbereich des Bauelements in den ursprünglichen
Arbeitsbereich umkehren.
Nachstehend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
Figur 1 die schematische Darstellung eines in der erfindungsgemäßen
Anordnung verwendbaren lichtemittierenden Halbleiterbauelements
j ™
Figur 2 die Strom/Spannungscharakteristik des Bauelements nach Figur 1;
Figur 3 ein Diagramm der Spektralverteilung der Lichtemission
des Bauelementsj
Figur 4 ein Diagramm, das die Lichtemissionsstärke P als
Funktion des Stromes für das Bauelement wiedergibt}
Figur 5 das Schaltschema der erfindungsgemäßen Anordnung in
ihrer Grundausführung;
Figur 7 und 9 Schaltschemata von Ausführungsbeispielen der erfindungsgemäßen Anordnung; j
Figur 6 und 8 Spannungsverlaufsdiagramme, welche die Arbeitsweise
der Anordnungen nach Figur 7 und 9 erläutern;
Figur 10, 12a und 12b Schaltschemata anderer Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Anordnung;
Figur 11a, lib, 13a, 1.3b und 13c Spannungsverlaufsdiagramme,
welche die Arbeitsweise der Ausführungsformen nach Figur 10, 12a und 12b erläutern;
Figur 14 das Schaltschema einer anderen Ausführungsform der
erfindungsgemäßen Anordnung;
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Figur 15 ein Diagramm, das die Arbeitsweise der Anordnung
nach Figur 14 erläutertj
Figur 16 das Schaltschema einer weiteren Ausführungsform der
erfindungsgemäßen Anordnungj
Figur 19 das Schaltschema einer abgewandelten Ausführungsform
der Anordnung nach Figur 16;
Figur 17, 18a, 18b und 18c Diagramme, welche die Arbeitsweise
der Anordnungen nach Figur 16 und 19 erläuternj
Figur 20 das Schaltschema einer weiteren Ausführungsform der
erfindungsgemäßen Anordnung; und
Figur 21 ein Diagramm, das die Arbeitsweise der Anordnung
nach Figur 20 erläutert.
Es soll zunächst kurz ein Verfahren zur Herstellung des in
der erfindüngsgemäßen Anordnung verwendeten lichtemittierenden
Halbleiterbauelements beschrieben werden.
Es werden ein Einkristallsubstrat 1 aus Galliumarsenid und
ein siliciumdotierter η-Einkristall mit einer Konzentration an
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freien Elektronen von 6 χ 10 /cm verwendet. Als Dotierstoff wird lediglich Silicium verwendet, und ein lichtemittierendes Galliumarsenidbaüelement in vierschichtiger Ausbildung, wie in Figur 1 gezeigt, wird durch epitaktisches Aufwachsen aus der Flüssigphase hergestellt. Im vorliegenden Fall wird das η-Substrat I aus Galliumarsenid auf 960 C. erhitzt, die Temperatur mit einer Geschwindigkeit von 0,2 C./min. zur Bildung einer p-Schicht 2 von ungefähr 5 Mikron auf dem Substrat 1 erniedrigt, anschließend die Temperatur von 958 C. mit einer Geschwindigkeit von 10 C./min. zur Bildung einer n-Schicht 3 von ungefähr 5 Mikron Dicke auf der p-Schicht 2 erniedrigt und sodann die Temperatur von 954 C. weiter mit einer Geschwindigkeit von 0,2 C./min. erniedrigt und dadurch eine p-Schicht 4 von ungefähr I5O-I8O Mikron auf der n-Schicht 3 gebildet. Bei Anlegen einer Spannung V zwischen die beiden" Klemmen 5 und 6 des so hergestellten lichtemittierenden Halbleiterbauelements ergibt sich für dieses eine Strom/Spannungscharakteristik mit einem Sperrbereich 7> einem negativen Widerstandsbe-
freien Elektronen von 6 χ 10 /cm verwendet. Als Dotierstoff wird lediglich Silicium verwendet, und ein lichtemittierendes Galliumarsenidbaüelement in vierschichtiger Ausbildung, wie in Figur 1 gezeigt, wird durch epitaktisches Aufwachsen aus der Flüssigphase hergestellt. Im vorliegenden Fall wird das η-Substrat I aus Galliumarsenid auf 960 C. erhitzt, die Temperatur mit einer Geschwindigkeit von 0,2 C./min. zur Bildung einer p-Schicht 2 von ungefähr 5 Mikron auf dem Substrat 1 erniedrigt, anschließend die Temperatur von 958 C. mit einer Geschwindigkeit von 10 C./min. zur Bildung einer n-Schicht 3 von ungefähr 5 Mikron Dicke auf der p-Schicht 2 erniedrigt und sodann die Temperatur von 954 C. weiter mit einer Geschwindigkeit von 0,2 C./min. erniedrigt und dadurch eine p-Schicht 4 von ungefähr I5O-I8O Mikron auf der n-Schicht 3 gebildet. Bei Anlegen einer Spannung V zwischen die beiden" Klemmen 5 und 6 des so hergestellten lichtemittierenden Halbleiterbauelements ergibt sich für dieses eine Strom/Spannungscharakteristik mit einem Sperrbereich 7> einem negativen Widerstandsbe-
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BAD ORIGINAL
reich 8 und einem aktiven Bereich 9, wie in Figur 2 gezeigt, wobei
je nach der Struktur des Bauelements die Schwellenspannung
V..- und der Strom I., 2-2 5 Volt bzw. 0,1-20 mA und die Haltespannung
V. und der Strom I, 1,3-1,4 Volt bzw. 1-70 mA betragen. Die
Lichtemission erfolgt an den Übergängen zwischen der η-Schicht I
und der p-Schicht 2 sowie zwischen der n-Schicht 3 und der p-Schicht 4· Die Spektralverteilung der Intensität oder Stärke des
emittierten Lichtes ist in Figur 3 gezeigt, und die Lichtemissions
stärke P is^t dem Stromfluß I im Bauelement proportional, wie in
Figur 4 gezeigt. Die dargestellten Werte für das erfindungsgemäße
Bauelement sind lediglich beispielhaft und nicht im einschränkenden Sinne aufzufassen.
Figur 5 zeigt die Grundschaltung der erfindungsgemäßen Anordnung,
bei welcher eine Integrierschaltung, bestehend aus einem Widerstand 11 und einem Kondensator 12, an eine Energiequelle,
die eine Spannung E liefert, angeschlossen sowie ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement 13 mit negativer Widerstandscharakteristik
über den Kondensator 12 geschaltet ist. Wenn der ohmsche Wert des Arbeitswiderstands 11 und die Speisespannung E der Energiequelle
10 so bemessen sind, daß der Vprspannpunkt des Halbleiterbauelements 13 geeignet eingestellt wird und die Widerstands
gerade 14 die Strom/Spannungscharakteristik des Bauelements 13 lediglich im negativen Widerstandsbereich 8 schneidet, wie in Figur 2 gezeigt. erzeugt die Schaltung Kipp- oder Sägezahnschwingungen
in nachstehend zu beschreibender Weise,
Als erstes wird der Kondensator 12 mit der Speisespannung E
aufgeladen und steigt seine Klemmenspannung allmählich an, bis sie die Schwellenspannung V.. des Halbleiterbauelements 13 erreicht.
Während dieser Zeit ist der Stromfluß im Bauelement 13 sehr gering und emittiert das Bauelement 13 kaum Licht. Wenn die
Klemmenspannung des Kondensators 12 den Wert der Schwellenspannung
V, erreicht, wird der Arbeitspunkt des lichtemittierenden Halbleiterbauelements
13 plötzlich vom Sperrbereich 7 auf den aktiven
Bereich 9 geschaltet, so daß ein kräftiger Strom durch das Bauelement
13 fließt und sich eine starke, dem Stromfluß proportionale
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Lichtemission ergibt, und die im Kondensator 12 gespeicherte Ladung
wird innerhalb kurzer Zeit über das Baμelement 13 entladen.
Wenn die Entladung vorüber ist, fällt die Klemmenspannung des Bauelements
13 unter den Wert der Haltespannung V, ab, und der Arbeit spunkt des Bauelements 13 schaltet vom aktiven Bereich 9 in
den Sperrbereich 7 mit hohem Widerstand. Anschließend beginnt wiederum die Aufladung des Kondensators 12 durch die Energiequelle
10, und der oben beschriebene Vorgang wiederholt sich. Figur 6 zeigt den Verlauf der Klemmenspannung des Kondensators 12 für diese Schaltung.
Figur 7 zeigt ein Ausführungsbeispiel der.erfindungsgemäßen
Anordnung, bei welchem die Energiequelle 10a eine Wechselspannung von der in Figur 8 gezeigten Form an eine integrierende Schaltung
mit dem Widerstand 11 und dem Kondensator 12 (Figur 7) liefert. Zwei lichtemittierende Halbleiterbauelemente 13a und 13b mit der
in Figur 2 gezeigten Charakteristik sind antiparallel zwischen die
beiden Klemmen des Kondensators 12 geschaltet und arbeiten pro Halbwelle der speisenden Wechselspannung abwechselnd im positiven
und im negativen Bereich der Wechselspannung. Die Arbeitsweise der Bauelemente 13a und 13b wird am besten aus dem Schaltschema nach
Figur 5 ersichtlich. Wie erwähnt, arbeiten in Figur 7 die Halbleiterbauelemente
sowohl im positiven als auch im negativen Bereich der Wechselspannung, wobei jedoch bei- Arbeiten in nur einem
dieser Bereiche eines der beiden Halbleiterbauelemente 13a und 13b
entfernt werden kann.
Die erwähnten Schwingvorgänge treten nur dann auf, wenn die
Schaltung so konstruiert ist, daß die Widerstandsgerade 14 die
Strom/Spannungscharakteristik des lichtemittierenden Halbleiterbauelements 13 nur im negativen Widerstandsbereich 8 schneidet,
wie in Figur 2 gezeigt. Schneidet die Widerstandsgerade in einem
anderen Bereich, so wird der Schnittpunkt in diesem Bereich ein stabiler Arbeit spunkt, so daß folgfich die Anordnung nicht schwingt.
Der Arbeitswiderstand 11 muß daher in seinem Wert R. größer bemessen
werden als der Absolutwert R„ des negativen Widerstands des
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Bauelements 13, und der Wert E/R. muß so bemessen werden, daß er
größer ist als der Schwellenstrom I,, , jedoch kleiner als der
Haltestrom I, « Die Schaltung ist daher hinsichtlich ihrer Bemessung
erheblichen Einschränkungen unterworfen.
Figur 9 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei welchem
die Widerstandsgerade 15 des lichtemittierenden Halbleiter-
bauelemente 13 die Strom/Spannungskurve im aktiven Bereich 9 nach
Figur 2 schneidet, um die Anordnung schwingfähig zu machen. Gleiche Elemente in Figur 5 und 9 sind jeweils mit gleichen Be- ■
zugszeichen bezeichnet. \
In Figur 9 ist ein Lichtempfangselement 16 über den Konden- (J
sator 12 geschaltet. Das Lichtempfangselement 16 ist so angeordnet,
daß es vom lichtemittierenden Halbleiterbauelement 13 emittiertes Licht empfängt, wobei es, wenn das Bauelement 13 Licht
emittiert, den leitenden Zustand, und wenn das Bauelement 13 kein
Licht emittiert, den gesperrten oder nichtleitenden Zustand annimmt. Als Lichtempfangselement 16 kann eine Photodiode, beispielsweise
von der Art einer Sonnenbatterie, aber auch beispielsweise ein Photoleiterelement wie CdS oder ein Phototransistor
oder ein sonstiges lichtempfindliches Element, das unter dem Einfluß
des Lichtes ein-aus-gesteuert wird, verwendet werden.
Die Arbeitsweise der Anordnung nach Figur 9 ist wie folgt.
Der Kondensator 12 wird von der Energiequelle 10 über den Arbeitswiderstand 11 mit der Zeitkonstante von RTC (wobei R. der
ohmsche Wert des Arbeitswiderstands 11 und C die Kapazität des Kondensators 12 sind) aufgeladen, wobei seine Klemmenspannung allmählich
ansteigt. Wenn die Klemmenspannung des Kondensators 12 die Schwellenspannung V,. des liehtemittierenden Halbleiterbauelements
13 erreicht, wird dieses in den aktiven Bereich 9 geschaltet, wobei
es im stabilen Arbeitspunkt 18 kräftig Licht emittiert. Das
Lichtempfangselement 16 nimmt dieses Licht wahr, wobei sein Innenwiderstand
stark abfällt und es den leitenden Zustand annimmt. Sodann fällt die Klemmenspannung des Halbleiterbauelements 13 ab,
und bei Absinken unter die Haltespannung V, wird der Arbeitspunkt
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- ίο -
des Bauelements 13 auf den Sperrbereich 7 geschaltet, so daß die
Lichtemission aufhört. Im Sperrbereich ist der Innenwiderstand
des Bauelements 13 sehr groß, und der Innenwiderstand des Lichtempfangselements
16 wird, da es kein Licht mehr empfängt, ebenfalls sehr groß. Die Aufladung des Kondensators 12 durch die Energiequelle
10 setzt erneut ein, und der beschriebene Vorgang wiederholt sich. Der Verlauf der Klemmenspannung des lichtemittierenden
Bauelements 13 bei dieser Ausführungsform ist in Figur 6 gezeigt.
Da die Anordnung nach Figur 9 so eingerichtet ist, daß die Lichtemissionscharakteristik im leitenden Zustand des lichtemittierenden
Halbleiterbauelements 13 ausgenützt wird, um den Ar-™ beitspunkt de^s Bauelements 13 auf den Sperrbereich 7 zu schalten,
ist es nicht erforderlich, den Arbeitswiderstand 11 und die
Speisespannung E der Energiequelle so zu bemessen, daß die Widerstandsgerade die Strom/Spannungskurve nur im negativen Widerstandsbereich
8 schneidet, wie es bei den Ausführungsformen nach Figur 5 und 7 der Fall ist, so daß man hinsichtlich der Bemessung
des Arbeitswiderstands 11 ziemlich viel Freiheit hat, die Schaltung sich leichter konstruieren läßt, der Schwingfrequenzbereich
größer ist und die Anordnung stabil arbeitet.
Figur 10.zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei welchem synchron
mit der Wechselstromsignalfrequenz ein Trigger- oder Steuerlicht ^ erzeugt wird. Die Anordnung nach Figur 10 enthält eine Gleichrich-™
torschaltung 20 bekannter Art zur Vollweggleichrichtung des Wechselstromsignals 21, eine über die Gleichrichterschaltung 20 geschaltete
Integrierschaltung, bestehend aus der Reihenschaltung eines Widerstands 22, eines Regelwiderstands 23 und eines Kondensators
24, ein über, den Kondensator 24 geschaltetes lichtemittierendes
Halbleiterbauelement 13 mit einer Strom/Spannungscharakteristik
von der in Figur 2 gezeigten Art, und eine zwischen einerseits den Verbindungspunkt des Widerstands 22 und des Regelwiderstands
23 und andererseits den negativen Punkt der Gleichrichterschaltung 20 geschaltete Zenerdiode 2 5 mit einer Zenerspannung E„,
die höher ist als die Schwellenspannung V, , des lichtemittierenden
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Bauelements 13. An Stelle der Zenerdiode 2 5 kann gewünschtenf aus
auch eine Konstantspannungs-Entladeröhre oder dergl. verwendet
werden. Der'Regelwiderstand 23 ist entsprechend bemessen, und die
Widerstandsgerade 14 des lichtemittierenden Bauelements 13 ist so eingestellt, daß sie die Strom/Spannungskurve des Bauelements 13
im negativen Widerstandsbereich 8 schneidet.
Das Wechselstromsignal 21 wird in der Gleichrichterschaltung
20 vollweggleichgerichtetj ein pulsierender Strom 26 von der in
Figur 11a gezeigten Form wird dem Widerstand 22 zugeleitetj dieser
pulsierende Strom 2 6 wird durch die Zenerdiode 25 bei der Zenerspannung
E„ abgekapptj und ein resultierendes Signal 27 von der
ebenfalls in Figur 11a gezeigten Form, gelangt daraufhin zur Integrierschaltung mit dem Regelwiderstand 23 und dem Kondensator
24· Als Folge davon steige die Klemmenspannung des Kondensators
entsprechend dem ohmschen Wert des Widerstands 22 und der Zeitkonstante
des Kondensators 24 allmählich an. Wenn sie die Schwellenspannung V,, des lichtemittierenden Bauelements 13 erreicht,
wird dessen Arbeitspunkt auf den aktiven Bereich 9 geschaltet, so daß ein kräftiger Stromfluß im Bauelement 13 erfolgt und die
Lichtemission einsetzt. Da die Widerstandsgerade 14 des Bauelements
13 dessen Strom/Spannungskurve im negativen Widerstandsbereich 8 schneidet, ist kein stabiler Arbeitspunkt im aktiven Bereich
9 vorhanden. Es fällt daher im Zuge der Entladung des Kondensators
24 die Klemmenspannung des Bauelements 13 injkurzer Zeit unter die Haltespannung V, ab, so daß der Arbeitspunkt des Bauelements
13 auf den Sperrbereich 7 geschaltet wird und dadurch die Lichtemission aufhört, woraufhin der Kondensator 24 durch das
Signal 27 erneut aufgeladen wird. Der gleiche Vorgang wiederholt sich, so daß die Anordnung schwingt.
Wenn der pulsierende Strom 26 aufgrund des Wechselstromsignals 21 unter die Zenerspannung E„ abfällt, fällt auch das der
Integrierschaltung mit dem Kondensator 24 und dem Widerstand 23 angelieferte Signal 27 ab, und der Schwingvorgang in einer Halbwelle
des Wechselstromsignals 21 hört auf. Der beschriebene Schwingvorgang wiederholt sich jeweils pro Halbwelle des Wechsel-
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stromsignals 21, wobei die Klemmenspannungen des Kondensators 24
und des lichtemittierenden Bauelements 13 ,die in Figur 11b wiedergegebene
Form haben und jedesmal, wenn die Klemmenspannung die Schwellenspannung V. erreicht, das lichtemittierende Bauelement
13 kräftig lichtemittiert. Die Periode der Lichtemission pro Halbwelle
des Wechselstromsignals 21 kann durch entsprechende Wahl der Zenerspannung E_, des Widerstandswertes des RegelWiderstands 23
Zr
und der Kapazität des Kondensators 24 beliebig verändert werden.
Die in Figur 12a und 12b gezeigten Ausführungsformen arbeiten
mit der Schwinganordnung nach Figur iö, wobei die Anordnung so getroffen
ist, daß in jeder Halbwelle des Wechselstromsignals 21 eia Trigger- oder Steuerlicht erzeugt wird, und wobei der Figur 10 entsprechende
Elemente mit den gleichen Bezugszeichen wie dort bezeichnet sind. Die Schaltung nach Figur 12a ist auf der Grundlage
der Schaltung nach Figur 10 so eingerichtet, daß ein Widerstand in Reihe mit dem lichtemittierenden Halbleiterbauelement 13 liegt,
eine Jategrierschaltung, bestehend aus der Reihenschaltung eines
Widerstands 29 und eines Kondensators 3O3 ühsr den ?/i der stand 28
geschaltet ist und der Yerbindungspunkt des Kondensators 30 und
des Widerstands 29 an die Steuerelektrode oder das Gitter eines parallel zum Kondensator 24 geschalteten steuerbaren Siliciumgleichrichter
s (SCR) angeschlossen ist. Die Schaltung nach Figur 12b stellt eine Abwandlung der Schaltung nach Figur 12a dar. Und
zwar ist in diesem Fall ein Transformator 32 an Stelle des Widerstands
28 zum Wahrnehmen des Stromflusses durch das lichtemittierende Halbleiterbauelement 13 vorgesehen.
Die Arbeitsweise der Schaltungen nach Figur 12a und 12b ist
insofern die gleiche wie die der Schaltung nach Figur 10, als bei Anliegen des Signals 27 am Kondensator 24 die Klemmenspannung des
lichtemittierenden Bauelements 13 allmählich ansteigt, wie in Figur 13b gezeigt, bis sie schließlich die Schwellenspannung V4. er-
tn
reicht, woraufhin Licht emittiert wird. Wenn das Bauelement 13 Licht emittiert, wird in der Sekundärwicklung des Transformators
32 eine Spannung erzeugt, die dann über den Widerstand 29 in den Kondensator 30 gespeichert wird und den steuerbaren Siliciumgleich-
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richter 31 bis zum Ende einer Periode das pulsierenden Sti'oraes 26
im leitenden Zustand hält. Sobald, wenn das Halbleiterbauelement 13 Licht emittiert, die Aufladung des Kondensators 24 innerhalb
der gleichen Periode das pulsierenden Stromes 26 blockiert wird,
wird das Bauelement 13 im Sperrbereich 7 gehalten, so daß kein
Licht emittiert wird. Wenn das Potential des pulsierenden Stromes 26 aufgrund des Wechselstromsignals 21 auf im wesentlichen null
abfällt, nimmt der steuerbare Siliciumgleichrichter 31 wieder den
offenen Zustand an, und der beschriebene Vorgang wiederholt sich in der nächsten Periode des pulsierenden Stromes 26. Aus Figur 13c
ist zu ersehen, daß das lichtemittierende Halbleiterbauelement; 13
jeweils einmal in jeder Periode des pulsierenden Stromes 26 Licht emittiert. |
Die Anordnungen »ach Figur 10, 12a und i2b sind so eingerichtet,
daß sich der gleiche Vorgang in jeder Halbwelle des Wechselstromsignals 21 wiederholt. Bildet man dagegen die Gleichrichterschaltung
20 als Einweggleichrichter aus, so wird der gleiche Vorgang jeweils in jeder Periode des Wechselstromsignals 21 wiederholt.
Figur 14 zeigt eine Schaltung, in welcher der Vorspannpunkt des lichtemittierend·!! Halbleiterbauelements 13 wahlweise zwischen
dem negativen Widerstandsbereich 8 und dem aktiven Bereich 9 zum Zeitpunkt der Abschirmung und Nichtabschirmung des Lichts vom Bauelement
13 schaltbar ist, um das Abgeschirmtsein des Lichtes wahr- j zunehmen. Die Schaltung nach Figur 14 enthält eine Energiequelle
10, die eine Gleichspannung E liefert. Die Reihenschaltung eines Widerstands 33, eines Kondensators 34 und einer Tcm/iedergabeeinrichtung
35 sowie die Reihenschaltung eines Widerstands 36, eines Transistors 37 und eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements
13 mit einer Strom/Spannungscharakteristikmch Art der Figur 2
sind an die Energiequelle 10 angekoppelt. Der Verbindungspunkt des Widerstands 33 und des Kondensators 34 ist mit dem Verbindungspunkt
des Transistors 37 und des Halbleiterbauelements 13 verbunden. Ein
Phototraneistor 38 ist zwischen die Basis und den Kollektor des
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-H-
Transistors 37 geschaltet und so angeordnet, daß er einen Teil
des Ausgangslichtes des lichtemittierenden Bauelements 13 empfängt.
Ein wahrzunehmender Körper 39 wird durch den koppelnden optischen Strahlengang zwischen dem lichtemittierenden Bauelement 13 und dem
Phototransistor 38 bewegt. Bei Auftreffen von Licht auf den Phototransistor 38 wird der Transistor 37 leitend, so daß die Widerstände
33 und 36 parallelliegen, während, wenn der Phototransistor
38 kein Licht empfängt, der Transistor 37 gesperrt und dadurch der Widerstand 36 abgeschaltet wird, ßer Wert R^« des Widerstands 33
ist so bemessen, daß, wenn kein Licht auf den Phototransistor 38
auftrifft und der Transistor 37 gesperrt ist, die Widerstandsgerade 14 die Strom/Spannungskurve des Bauelements 13 im negativen
Widerstandsbereich 8 schneidet, wie in Figur 15 gezeigt, während der Wert R„^ des Widerstands 36 so bemessen ist, daß, wenn der
Transistor 37 sich im leitenden Zustand befindet, die durch die Parallelschaltung der Widerstände 33 und 36 gebildete Widerstandsger-ade
15 die Strom/Spannungskurve im aktiven Bereich 9 schneidet0
daher die Energiequelle 10 ihre Gleichspannung E ist zunächst der Widerstand 36 wegen der Sperrung des Transistors
37 abgeschaltet, so daß der Kondensator- 34 über den Widerstand 33
aufgeladen wird und dadurch die Klemmenspannung des lichteiaittie=-
renden Halbleiterbauelements 13 allmählich ansteigt. Wenn diese Klemmenspannung die Schwellenspannung V,. erreicht, wird die im
Kondensator 34 gespeicherte Ladung über das lichtemittierende Bauelement 13 entladen, das daraufhin Licht zu emittieren beginnt.
Daraufhin wird der Phototransistor 38 erregt, so daß der Transistor 37 leitend wird und dadurch die Widerstände 33 und 36 parallelgeschaltet
werden, so daß der Arbeitspunkt 40 des lichtemittierenden
Bauelements 13 auf den stabilen aktiven Bereich eingestellt wird und das Bauelement 13 eine kontinuierliche Lichtemission liefert·
Der Stromfluß im Bauelement 13 behält einen konstanten Wert, und da keine Schwingung erfolgt, liefert die Tonwiedergabeeinrichtung 35
kein Ausgangssignal.
das vom lichtemittierenden Bauelement 13 auf den Phototransistor
38 gerichtete Licht 17 durch den Körper 39 abgeschirmt
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oder abgedunkelt wird, wird der Transistor 37 gesperrt. Als Folge davon wird der Arbeitswiderstand des Bauelements 13 nur mehr
durch den Widerstand 33 gebildet, so daß die Widerstandsgerade die Strom/Spannungskurve des Bauelements 13 im negativen Widerstandsbereich
schneidet. Daraufhin schvfingt die Anordnung in der gleichen Weise wie die Anordnung nach Figur 5· In diesem Fall
liefert das Bauelement 13 eine intermittierende Lichtemission, so daß ein Impulsstrom durch die Tonwiedergabeeinrichtung 35 fließt
und diese eine Tonschwingung konstanter Frequenz erzeugt. Wenn die Abschirmung oder Afadunkelung des Lichtes in bezug auf den Phototransistor
38 aufhört, wird der Transistor 37 leitend und der Widerstand 36 wieder eingeschaltet, so daß der Arbeitspunkt 40 des
lichtemittierenden Bauelements 13 auf den aktiven Bereich 9
schaltet und sich eine kontinuierliche Lichtemission ergibt, so daß die Anordnung aufhört zu schwingen.
Es kann also mit Hilfe dieser Schaltung die Anwesenheit des
Körpers 39 erkannt werden, indem wahrgenommen wird, ob das vom Bauelement 13 emittierte Licht kontinuierlich oder laipulslicht
ist, oder indem die Anwesenheit einer von der Tonwiedergabeeinrichtung 35 erzeugten Tonschwingung wahrgenommen wird.
Statt durch das Licht 17 von lichtemittierenden Bauelement
kann der Phototransistor auch durch Licht von einer anderen Quelle
oder durch Umgebungslicht erregt werden. Die Tonwiedergabeeinrichtung
35 braucht nur in solchen Fällen vorgesehen zu sein, wo sie benötigt wird, und sie kann in Reihe mit dem lichtemittierenden
Bauelement 13 geschaltet sein. Die aus dem Phototransistor 38 und dem Transistor 37 bestehende Schalteranordnung kann natürlich auch
mit anderweitigen photoempfindlichen Bauelementen aufgebaut sein.
Figur 16 zeigt als weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung eine monostabile Multivibratoi'schaltung, welche bei Empfang eines
Trigger- oder Steuereingangssignals ein/Ausgangslichtimpuls mit
einer durch die Zeitkonstante der Anordnung gegebenen Dauer erzeugt. Die Schaltung enthält eine Energiequelle 10, die eine
Gleichspannung E liefert. Die Reihenschaltung eines Widerstands
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und eines Kondensators 42 ist an die Energiequelle 10 angeschaltet.
Ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement 13 sowie die Reihenschaltung eines Kondensators 43 und einer Signalerzeugeranordnung
44 znva. Erzeugen eines elektrischen Steuerimpulssignals
sind parallel zum Kondensator 42 geschaltet. Der Wert R^1 des Widerstands
41 uad die Gleichspannung E der Energiequelle 10 sind
so bemessen, daß die Widerstandsgerade 15 oder 45 des lichtemittie^enden
Bauelements 13 dessen Strom/Spannungskurve im aktiven Bereich 9 bzw. im Sperrbereich 7 schneidet, wie aus Figur 17 ersichtlich.
Wenn die Bemessung so getroffen ist, daß die Widerstandsgerade 15 die Kennlinie im aktiven Bereich 9 schneidet, arbeitet
das Bauelement 13 bei Zufuhr der Gleichspannung E von der Energiequelle 10 mit dem stabilen Arbeitspunkt 46 im aktiven Bereich
9> so daß das Bauelement 13 von einem Strom I1 entsprechend
dem Arbeitspuxikt 46 durchflossen wird und eine kontinuierliche
oder Dauerlichtemission erfolgt. Wenn dann zum Zeitpunkt t1 von
der Signalerzeugeranordnung 44 ein negatives Steuersignal (dargestellt
in Figur 18a) geliefert wird, fällt die Klemmenspannung
des Bauelements 13 unter die Haltespannung V. ab und wird der Arbeitspunkt des Bauelements 13 auf den Sperrbereich 7 geschaltet,
so daß praktisch kein Strom mehr durch das Bauelement 13 fließt und die Lichtemission aufhört. Wenn danach der Kondensator 42
durch die Gleichspannung E mit der Zeitkonstante R.-.C.» (wobei
41 4z
R.j der Wert des Widerstands 41 und C-2 die Kapazität des Kondensators
42 sind) aufgeladen wird, steigt die Klemmenspannung des
Bauelements 13 allmählich an, bis sie zum Zeitpunkt T- die Schwellenspannung V . erreicht. Es schaltet daher zum Zeitpunkt t_ der
Arbeitspunkt des Bauelements 13 *uf den aktiven Bereich 9>
womit das Bauelement 13 wieder seinen ursprünglichen Zustand annimmt. In Figur. 18a, 18b und 18c sind dieentsprechenden Signalformen gezeigt,
wobei Figur l8a das von der Signalerzeugeranordnung 44 gelieferte negative SteuerSpannungssignal, Figur 18b die Klemmenspannung
des lichtemittieremden Bauelements 13 und Figur 18c den
Stromverlauf im Bauelement 13 wiedergeben.
Ist dagegen die oben erwähnte Bemessung so getroffen, daß die Widerstandsgerade 45 die Strom/Spannungskennlinie des B»u-
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elements 13 im Sperrbereich 7 schneidet, so wird die Schaltung
so eingerichtet, daß die Signalerzeugeranordnung 44 ©in positives
SteuerSpannungssignal liefert. Das Bauelement 13* das anfangs bei
stabilem Arbeitspunkt 47 im Sperrbereich 7 praktisch kein Licht
emittiert, wird dann durch den zum Zeitpunkt t. zugeführten positiven
Steuerspannungsimpuls mit seinem Arbeitspunkt auf den aktiven
Bereich 9 geschaltet. Danach wird nach einem vorbestimmten Zeitintervall der Arbeitspunkt auf den Sperrbereich 7 zurückgeschaltet,
so daß ein Strom von der in Figur l8d gezeigten Form dem Bauelement 13 geliefert wird.
Bei der Schaltung nach Figur.16 wird also jedesmal bei Auftreten
eines Steuersignals ein Ausgangslichtsignal mit einer vor- | bestimmten Verzögerungsdauer entsprechend der Zeitkonstante erzeugt.
Die Schaltung nach Figur 19 stellt eine Abwandlung der Schaltung nach Figur 16 dar. An Stelle der Signalerzeugeranordnung 44
ist ein Lichtempfangselement 49 vorgesehen, das durch Eingangslicht
48 erregt wird und daraufhin ein elektrisches Trigger- oder Steuersignal erzeugt. Der Widerstand 50 ist ein Vorspannwiderstand. Die
Arbeitsweise dieser Schaltung ergibt sich ohne weiteres aus der vorstehenden Erläuterung der Arbeitsweise der Schaltung nach Figur
16.
Figur 20 zeigt eine Anordnung, bei welcher der Vorspannpunkt j
des lichteaittierenden Bauelements 13 durch den Pegel oder das Niveau einer Flüssigkeitsoberfläche verändert und ein Alarmsignal
erzeugt wird, wenn* der Flüssigkeitspegel unter einen vorbestimmten Wert abfällt. Eine Energiequelle 10 liefert eine Gleichspannung E.
Die Reihenschaltung eines Widerstands 51 » einer Tonwiedergabeeinrichtung
52 und eines Kondensators 53 ist zwischen die beiden Pole
der Energiequelle 10 geschaltet. Die Reihenschaltung des lichtemittierenden Bauelements 13 und eines strombegrenzenden Widerstands
54 ist Über den Kondensator 53 geschaltet. Ein leitender
Behälter 56, der die zu Überwachende Flüssigkeit 55 aufnimmt, ist
an die eine Belegung de« Kondensators 53 angeschlossen. Auf der
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Oberfläche der Flüssigkeit 55 ist ein Detektor 57 angeordnet, der
mit der anderen Belegung des Kondensators 53 verbunden ist. Wenn sich die Flüssigkeit 55 in Kontakt mit dem Detektor 57 befindet,
besteht zwischen dem Detektor 57 und dem Behälter 56 ein Widerstand.
Der Widerstand 51 ist so bemessen, daß aufgrund des erstgenannten
Widerstands (der Flüssigkeit) am lichtemittierenden Bauelement 13 eine Spannung unterhalb der Schwellenspannung V ,
liegt. Ferner ist die Widerstandsgerade 45 des Bauelements 13 so eingestellt, daß sie die Strom/Spannungskennlinie des Bauelements
13 im Sperrbereich 7 schneidet, wie in Figur 21 gezeigt. Wenn dagegen der Detektor 57 nicht in Kontakt mit der Flüssigkeit 55 ist,
schneidet die durch den Widerstand 51 und die Tonwiedergabeeinrich
tung 52 gegebene Widerstandsgerade I5 die Strom/Spannungskurve im
negativen Widerstandsbereich 8, wie in Figur 21 gezeigt.
Solange also der Detektor 57 in Kontakt mit der Flüssigkeit
55 ist, arbeitet das lichtemittierende Bauelement 13 im stabilen Arbeitspunkt 58 innerhalb des Sperrbereichs 7>
so daß ein vorbestimmter konstanter Strom durch das Bauelement 13 fließt und dieses
praktisch kein Licht emittiert. Wenn die Oberfläche der Flüssigkeit 55 durch Absinken unterhalb eines vorbestimmten Pegels
außer Kontakt mit dem Detektor 57 gerät, wird ein Schwingkreis gc·-
bildet, da die Widerstandsgerade 15 des lichtemittierenden Bauelements 13 die Strom/Spannungskennlinie im negativen Widerstandsbereich
8 schneidet, so daß das Bauelement 13 intermittierend Licht emittiert, während zugleich die Tonwiedergabeeinrichtung 52
von einem impulsförmigen Strom durchflossen wird und daraufhin eine Tonschwingung konstanter Frequenz erzeugt·
Wenn also Impulslicht vom Bauelement 13 auftritt oder die Tonwiedergabeeinrichtung 52 die Tonschwingung erzeugt, zeigt dies
an, daß die Flüssigkeitsoberfläche unter den vorbestimmten Pegel abgesunken ist. Die Tonwiedergabeeinrichtung 52 kann übrigens in
manchen Fällen entbehrlich sein.
Während bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen der Lichtausstoß des lichtemittierenden Kalbleiterbauelements
13 als Ausgangssignal verwendet wird, können «Ή« Schaltungen
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natürlich auch so eingerichtet sein, daß gleichzeitig elektrische Ausgangssignale aus der Klemmenspannung des lichtemittierenden
Bauelements 13, der Klemmenspannung des Kondensators der Integrierschaltung oder der Klemmenspannung des Arbeitswiderstands
gewonnen werden. Während ferner das lichtemittierende Halbleiterbauelement 13 Infrarotlicht emittiert, wie in Figur 3 gezeigt,
kann gewünschtenfalls durch Umwandlung des Infrarotlichtes in
sichtbares Licht mit" Hilfe bekannter Einrichtungen auch das Ausgangslicht
des Bauelements 13 direkt erfaßt und wahrgenommen werden.
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Claims (9)
- PatentansprücheIi Schwinganordnung, gekennzeichnet dur ch eine elektrische Signalspeicheranordnung in Form einer Integrierschaltung; eine Anordnung, welche die Signalspeicheranordnung mit einem elektrischen Signal beliefert; und ein sait der Signalspeiche£ anordnung gekoppeltes lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit negativer Widerstandscharakteristik, welches Licht mit einer einem zugeführten Strom entsprechenden Stärke emittiert.
- 2. Schwinganordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtemittierende Halbleiterbauelement auf einen Arbeitspunkt in einem aktiven Bereich eingestellt istJ und daß mit der Signalspeicheranordnung oder dem lichtemittierenden Halbleiterbauelement eine Schalteranordnung parallelgeschaltet ist, die durch das Licht vom lichtemittierenden Halbleiterbauelement leitend gemacht wird.
- 3. Schwinganordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das der Speicheranordnung zugeführ te elektrische Signal sich in seinem Spannungswert in bezug auf Nullpotential ändertj und daß das lichtemittierende Halbleiterbauelement auf einen Arbeitspunkt in seinem negativen Widerstandsbereich eingestellt ist.
- 4. Schwinganordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrische Signal von einer Gleichrichteranordnung geliefert wird; und daß in der Vorstufe zur Signalspeicheranordnung eine Konstantspannungsanordnung vorgesehen ist.
- 5« Schwinganordnung nach Anspruch 4> gekennzeic hnet durch eine Stromfühleranordnung zum Wahrnehmen des dem lichtemittierten Halbleiterbauelement zugeführten Stromes; eine zweite Speicheranordnung zum Speichern einer diesem Strom009834/1689entsprechenden elektrischen Großes und eine Schalteranordnung zum selektiven steuerbaren Kurzschließen der ersten Speicheranordnung bei Empfang der in der zweiten Speicheranordnung gespeicherten elektrischen Größe und des von der Gleichrichteranordnung gelieferten elektrischen Signals.
- 6. Schwinganordnung nach Anspruch 1, dadurch g e kennzeichnet, daß die Integrierschaltung durch zwei parallelgeschaltete Impedanzelemente gebildet wirdjund daß durch eine Schalteranordnung das zweite Impedanzelement mit Ausgangslicht vom lichtemittierenden Halbleiterbauelement erregt und dadurch selektiv abgeschaltet wird und das lichtemittierende Halbleiterbauelement selektiv auf einen Arbeitspunkt im negativen Widerstandsbereich oder im aktiven Bereich eingestellt wird.
- 7. Schwinganordnung nach Anspruch 6, gekennzeich net durch eine elektrische Tonwiedergabeeinrichtung, die bei Empfang eines Stromes während des Schwingvorganges erregbar ist.
- 8. Schwinganordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtemittierende Halbleiterbauelement auf einen Arbeitspunkt im aktiven Bereich oder im Sperr bereich seiner Strom/Spannungskennlinie einstellbar ist; und daß eine Steuersignalanordnung das lichtemittierende Halbleiterbauelement mit einem negativen oder einem positiven elektrischen Steuersignal beliefert.
- 9. Schwinganordnung nach Anspruch 1, gekennzei chnet durch eine in vorbestimmter Lage zur Oberfläche einer Flüssigkeit angeordnete Elektrode; und durch eine Anordnung, welche das lichtemittierende Halbleiterbauelement über die Elektrode und die Flüssigkeit kurzschließt, wenn die Flüssigkeitsoberfläche einen vorbestimmten Pegel erreicht, derart, daß der Arbeitspunkt des lichtemittierenden Halbleiterbauelements dadurch von Sperrbereich in den negativen Widerstandsbereich seiner Strom/ Spannungskennlinie geschaltet wird.009834/1689Leerseite
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