DE19608904A1 - Siliconleiterpolymer und ein Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Siliconleiterpolymer und ein Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number
DE19608904A1
DE19608904A1 DE19608904A DE19608904A DE19608904A1 DE 19608904 A1 DE19608904 A1 DE 19608904A1 DE 19608904 A DE19608904 A DE 19608904A DE 19608904 A DE19608904 A DE 19608904A DE 19608904 A1 DE19608904 A1 DE 19608904A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
solution
general formula
lower alkyl
prepolymer
alkyl group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19608904A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeyuki Yamamoto
Hiroyuki Nishimura
Hiroshi Adachi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE19608904A1 publication Critical patent/DE19608904A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/32—Post-polymerisation treatment
    • C08G77/34—Purification
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/21—Cyclic compounds having at least one ring containing silicon, but no carbon in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/5329—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

Hintergrund der Erfindung 1. Feld der Erfindung
Die Erfindung betrifft hochgereinigte Siliconleiterpolymere mit hohem Molekulargewicht, die Wasserstoffatome in der Seitenkette haben, ein Silicohleiterpräpolymer und ein Verfahren zu deren Herstellung. Die Siliconleiterpolymere nach der Erfindung kön­ nen vorteilhafterweise als Material zur Herstellung von Schutz­ filmen, Zwischenschichtisolationsfilmen, z. B. in Halbleitern und anderen elektronischen Geräten, verwendet werden.
2. Beschreibung des Standes der Technik
Durch die einheitliche Molekülstruktur zeichnet sich ein Sili­ conleiterpolymer durch Hitzebeständigkeit, elektrische Isola­ tionseigenschaften und chemische Beständigkeit aus. Normaler­ weise werden sie z. B. als Material zur Herstellung von Schutz­ filmen und Zwischenschichtisolationsfilmen in elektrischen Teilen oder Halbleitergeräten eingesetzt.
Ein bekanntes Verfahren zur Herstellung solcher konventionellen Siliconleiterpolymeren ist z. B. beschrieben in JP (Kokai) Nr. 124943/85. Bei diesem Verfahren werden Triethoxysilane in einem organischen Lösungsmittel hydrolisiert und unter reduziertem Druck polymerisiert. Das Ende davon ist mit Dimethylchlorsilan modifiziert. Das Endprodukt wird dann mit einem organischen Lösungsmittel gereinigt, um ein Siliconleiterpolymer zu erhal­ ten.
Dieses bekannte Verfahren zur Herstellung der Siliconleiterpo­ lymere hat den Nachteil, daß die erhaltenen Siliconleiterpoly­ mere einen großen Anteil an Verunreinigungen oder Nebenproduk­ ten enthalten. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die Reini­ gung nach der Modifizierung des Endes nicht ausreichend ist und die Reaktion nach der Hydrolyse unter Bedingungen durchgeführt wird, bei denen Verunreinigungen oder Nebenprodukte nur schwer entfernt werden können, z. B. bei einer hohen Temperatur von 35°C. Ein weiteres Problem ist, daß die Bildung von dicken Filmen schwierig ist, da das Molekulargewicht der erhaltenen Siliconleiterpolymere niedrig ist wie 100000 oder weniger.
Zusammenfassung der Erfindung
Ein Ziel der Erfindung ist es, hochgereinigte Siliconleiterpo­ lymere mit einem hohen Molekulargewicht zur Verfügung zu stel­ len. Ein weiteres Ziel ist es, hochgereinigte Siliconleiter­ präpolymere zur Verwendung bei der Herstellung der Siliconlei­ terpolymere zur Verfügung zu stellen. Ein weiteres Ziel ist es, ein Verfahren zur Herstellung von hochgereinigten Siliconlei­ terpräpolymeren zur Verfügung zu stellen. Ein weiteres Ziel ist es, ein Verfahren zur Herstellung von hochgereinigten Silicon­ leiterpolymeren mit hohem Molekulargewicht zur Verfügung zu stellen.
Ein Siliconleiterpolymer nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist dadurch charakterisiert, daß es 1 ppm oder weniger an Natrium, Kalium, Eisen, Kupfer, Blei, Magnesium, Mangan und Chlor enthält und 1 ppb oder weniger an Uran und Thorium und durch die allgemeine Formel (1) repräsentiert ist,
worin R₁ ein Wasserstoffatom, eine niedere Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe, welche substituiert sein kann oder eine Aryl­ gruppe bedeutet; R₂, R₃ und R₄ ein Wasserstoffatom oder eine niedere Alkylgruppe bedeutet und n₁ eine natürliche Zahl von 600 bis 10000 ist.
Ein Siliconleiterpräpolymer in einer bevorzugten Ausführungs­ form der Erfindung ist dadurch charakterisiert, daß es 1 ppm oder weniger an Natrium, Kalium, Eisen, Kupfer, Blei, Magnesi­ um, Mangan und Chlor enthält und 1 ppb oder weniger an Uran und Thorium und durch die allgemeine Formel (2) repräsentiert ist,
worin R₁ ein Wasserstoffatom, eine niedere Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe, welche substituiert sein kann oder eine Aryl­ gruppe bedeutet; R₂, R₃, R₄ und R₅ ein Wasserstoffatom oder eine niedere Alkylgruppe bedeutet; und n₂ eine natürliche Zahl von 5 bis 600 ist.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zur Herstellung des Siliconleiterpräpolymers ist gekennzeichnet durch:
Lösen einer Trialkoxysilanverbindung der Formel (3)
HSiOR₆OR₇OR₈
worin R₆, R₇, R₈ eine niedere Alkylgruppe bedeuten oder diese Verbindung und eine Trialkoxysilanverbindung der Formel (4)
R₉SiOr₆OR₇OR₈
worin R₉ eine niedere Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe, welche substituiert sein kann, oder eine Arylgruppe bedeuten und R₆, R₇ und R₈ eine niedere Alkylgruppe bedeuten, in einem organischen Lösungsmittel, um eine Lösung herzustellen;
Hydrolisierung der Lösung mit ultrareinem Wasser, enthaltend Chlorwasserstoff unter Kühlung, um ein Hydrolysat herzustellen; und
Waschen des Hydrolysats mit ultrareinem Wasser.
Ein Verfahren zur Herstellung des Siliconleiterpräpolymers ist charakterisiert durch:
Lösen einer Trichlorsilanverbindung der Formel (5)
HSiCl₃
oder diese Verbindung und eine Trichlorsilanverbindung der Formel (6)
R₉SiOCl₃
worin R₉ eine niedere Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe, welche substituiert sein kann oder eine Arylgruppe bedeuten, in einem organischen Lösungsmittel zur Herstellung einer Lösung;
Hydrolisierung der Lösung mit ultrareinem Wasser unter Kühlung zur Herstellung eines Hydrolysates; und
Waschen des Hydrolysates mit ultrareinem Wasser.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Siliconleiterpräpolymers nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist cha­ rakterisiert dadurch, daß die Trialkoxysilanverbindung der Formel (3), oder die Trialkoxysilanverbindung der Formel (3) und die Trialkoxysilanverbindung der Formel (4) in ein Lösungs­ mittel in einer Weise gelöst werden, daß eine Konzentration des Siliconleiterpräpolymers in der Lösung von 0,01 bis 0,3 g/ml erhalten werden kann.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Siliconleiterpräpolymers nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist cha­ rakterisiert dadurch, daß Trichlorsilanverbindungen der Formel (5), oder Trichlorsilanverbindungen der Formel (5) und die Trichlorsilanverbindung der Formel (6) in ein Lösungsmittel in einer Weise gelöst werden, daß eine Konzentration des Silicon­ leiterpräpolymers in der Lösung von 0,01 bis 0,3 g/ml erhalten werden kann.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Siliconleiterpräpolymers nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist da­ durch charakterisiert, daß eine Reaktionstemperatur bei der Hydrolyse im Bereich von -30°C bis +30°C eingehalten wird.
Ein Verfahren zur Herstellung des Siliconleiterpräpolymers nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist charakteri­ siert durch:
Hinzufügen eines nukleophilen Reagenzes zu einer organischen Lösung der Siliconleiterpräpolymerlösung, um eine dehydratitive Kondensation zu initiieren, um ein Produkt von hohem Moleku­ largewicht zu erhalten, und Reinigung des Produktes durch eine Lösungs/Ausfällungsmethode.
Herstellung des Siliconleiterpräpolymers
Zuerst sollen die Ausgangsverbindungen erklärt werden. Im ersten Verfahren zur Herstellung eines Siliconleiterpräpoly­ mers wird eine Trialkoxysilanverbindung der Formel (3), HSiOR₆- OR₇OR₈, worin R₆, R₇ und R₈ eine niedere Alkylgruppe bedeutet; und eine Trialkoxysilanverbindung der Formel (4), R₉SiOR₆OR₇OR₈, worin R₉ eine niedere Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe, welche substituiert sein kann oder eine Arylgruppe bedeutet, und R₆, R₇ und R₈ eine niedere Alkylgruppe bedeuten, als Ausgangsverbin­ dungen eingesetzt. Es ist wünschenswert, Trialkoxysilanverbin­ dungen einzusetzen, welche bereits-durch Destillation in einem Stickstoffstrom unter reduziertem Druck gereinigt sind. Diese Start-Trialkoxysilanverbindungen haben eine niedere Reaktivität mit Feuchtigkeit und verändern sich wahrscheinlich beim Stehen in der Atmosphäre nicht. Sie sind auch dadurch charakterisiert, daß sie eine geringe Wahrscheinlichkeit für Hydrolyse und Poly­ kondensation zeigen.
Beispiele für Trialkoxysilanverbindung der Formel (3), HSiO₆OR₇OR₈, worin R₆, R₇ und R₈ eine niedere Alkylgruppe bedeu­ ten, jedoch hierauf nicht beschränkt, sind Trimethoxysilane, Triethoxysilane und Tripropoxysilane.
Beispiele für Triaikylsilanverbindung der Formel (4), HSiO₆OR₇OR₈, worin R₉ eine niedere Alkylgruppe, eine Alkenyl­ gruppe, welche substituiert sein kann oder eine Arylgruppe bedeutet, und R₆, R₇ und R₈ eine niedere Alkylgruppe bedeuten, jedoch hierauf nicht beschränkt, sind Phenyltrimethoxysilane, 2-Phenylvinyltrimethoxysilane, 2-Phenylvinyltriethoxysilane, 2-Phenylvinyltripropoxysilane, 3-Phenylallyltrimethoxysilane, 3-Phenylallyltriethoxysilane, 3-Phenylallyltripropoxysilane, Vinyltrimethoxysilane, Vinyltriethoxysilane, Vinyltripropox­ ysilane, Allyltrimethoxysilane, Allyltriethoxysilane, Allyl­ tripropoxysilane, Methyltrimethoxysilane, Methyltriethoxysila­ ne, Methyltripropoxysilane, Ethyltrimethoxysilane, Ethyltri­ propoxysilane, n-Propyltrimethoxysilane, n-Propyltriethoxysila­ ne und n-Propyltripropoxysilane.
Im zweiten Verfahren zur Herstellung eines Siliconleiterpräpo­ lymers werden als Ausgangsverbindungen Trichlorsilanverbindun­ gen der Formel (5), HSiCl₃, und Trichlorsilanverbindungen der Formel (6), R₉SiCl₃, worin R₉ eine niedere Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe, welche substituiert sein kann oder eine Aryl­ gruppe bedeutet, verwendet. Es ist wünschenswert, Trichlorsi­ lanverbindungen zu verwenden, welche in einem Stickstoffstrom unter reduziertem Druck gereinigt sind. Die gereinigten Tri­ chlorsilanverbindungen hydrolisieren sofort in Gegenwart von Luftfeuchtigkeit. Dadurch bildet sich Chlorwasserstoff, um Silicium zu bilden. Folglich ist es erforderlich, die Trichlor­ silanverbindungen mit Vorsicht zu handhaben und einen Kontakt mit Feuchtigkeit enthaltender Luft zu vermeiden.
Nachfolgend sollen die Reaktionsbedingungen erläutert werden.
Beim ersten Schritt wird eine Trialkoxysilanverbindung der Formel (3), eine Trialkoxysilanverbindung der Formel (3) und eine Trialkoxysilanverbindung der Formel (4); eine Trichlorsi­ lanverbindung der Formel (5); oder eine Trichlorsilanverbindung der Formel (5) und eine Trichlorsilanverbindung der Formel (6) in einem organischen Lösungsmittel gelöst, um eine Lösung zu bilden. Die Konzentration davon in der Lösung wird bevorzugt in einer solchen Weise geregelt, daß die Konzentration des in der organischen Lösung erhaltenen Siliconleiterpräpolymers in einem Bereich von 0,01 bis 0,3 g/ml liegt. Wenn die Konzentration des Siliconleiterpräpolymers kleiner als 0,01 g/ml ist, ist die Rate der Polymerisationsreaktion sehr langsam und das Moleku­ largewicht der erhaltenen Präpolymere ist niedrig. Folglich enthält die organische Lösung nach Abschrecken der Reaktion ein Hydrolysat, das nicht sofort in eine organische Schicht und eine wäßrige Schicht separiert. Wenn die Konzentration des Präpolymers 0,3 g/ml überschreitet, wird die während der Hydro­ lyse gebildete Wärme nicht vollständig abgeführt. Folglich tritt eine partielle Änderung der Polymerisationsrate ein, wobei irreguläre Strukturen in das Präpolymer eingeführt werden können.
Als organische Lösungsmittel, in welche die Trialkoxysilanver­ bindungen oder Trichlorsilanverbindungen gelöst sind, werden nichtwäßrige organische Lösungsmittel benutzt, welche fähig sind, Hydrolysate zu lösen. Spezielle Beispiele von solchen organischen Lösungsmitteln fließen Ketone, wie Methylisobutyl­ keton und Methylethylketon, Ether, wie Diethylether und Iso­ propylether, und aromatische Hydrocarbone, wie Xylol, Toluol und Benzol, ein. Unter diesen Lösungsmitteln sind electronic­ grade (EL grade) Chemikalien von hoher Reinheit bevorzugt, die einzeln oder in Mischung benutzt werden können.
In der ersten Verfahrensstufe wird ultrareines Wasser, enthal­ tend Chlorwasserstoffe zur organischen Lösung, in welcher die Trialkoxysilanverbindungen der Formeln (3) und (4) gelöst sind, unter Kühlung tropfenweise zugegeben. Als ultrareines Wasser wird reines Wasser benutzt, welches von Verunreinigungen so gut wie möglich befreit ist und welches eine spezifische Leitfähig­ keit von 16 MΩxcm oder mehr hat. Das ultrareine Wasser, welches Chlorwasserstoffe enthält, ist ein ultrareines Wassers, welches 0,02 bis 0,23 Mol Chlorwasserstoff (EL grade) pro Mol einer Mischung der Ausgangsverbindungen, repräsentiert durch die For­ meln (3) und (4), enthält. Wenn die Konzentration der Chlorwas­ serstoffe kleiner als 0,02 Mol ist, können die Chlorwasserstof­ fe nicht in befriedigender Weise als Katalysator dienen, so daß die Reaktion zu langsam ist. Wenn die Konzentration über 0,23 Mol steigt, ist es für den Katalysator nicht nur unmöglich, einen vom Betrag gleichgroßen beabsichtigten Effekt zu errei­ chen, sondern es besteht die Tendenz, den Fortgang der Reaktion zu erschweren.
Im zweiten Verfahren wird ultrareines Wasser zu einer organi­ schen Lösung, in welcher Trichlorsilanverbindungen der Formeln (5) und (6) gelöst sind, unter Kühlung tropfenweise zugefügt. Das ultrareine Wasser kann, muß aber nicht, Chlorwasserstoff enthalten. Das ultrareine Wasser wird bevorzugt zugegeben mit einer Menge von 0,5 bis 2 Mol pro Mol der Ausgangsverbindungen.
Beim ersten und zweiten Verfahren wird die Temperatur der Lö­ sung bevorzugt im Bereich von -30°C bis +30°C, besonders bevor­ zugt zwischen -20°C und 25°C, gehalten, wenn die organische Lösung gekühlt wird. Wenn die Temperatur niedriger als -30°C ist, verfestigt das zugefügte ultrareine Wasser und verhindert den selektiven Fortschritt der Hydrolyse. Wenn die Temperatur höher als 30°C ist, ist die Verdampfung der zugeführten Chlor­ wasserstoffe beschleunigt, und die Hydrolyse geht nicht schnell genug weiter. Wenn die tropfenweise Zugabe des ultrareinen Wassers beendet ist, wird bevorzugt zusätzlich 2 bis 5 Stunden weiter gerührt, um die hydrolytische Reaktion zu Ende zu brin­ gen.
Nach dem Ende der Reaktion ist die Reaktionslösung in zwei Schichten separiert, einer organischen Lösungsmittelschicht und einer wäßrigen Schicht.
Als nächstes wird die untere wäßrige Schicht durch geeignete Vorrichtungen wie z. B. einem Scheidetrichter abgetrennt und die organische Lösungsmittelschicht, die das Siliconleiterpräpoly­ mer enthält, zurückgewonnen. Die zurückgewonnene organische Lösungsmittelschicht wird dann mit ultrareinem Wasser gewa­ schen. Die Waschung mit ultrareinem Wasser bei der Erfindung kann durch verschiedene bekannte Methoden ausgeführt werden. Beispielsweise kann so vorgegangen werden, daß die organische Lösungsmittelschicht mit einem gleichen Volumen des vorstehend beschriebenen ultrareinem Wassers gemischt wird, daß dann diese Mischung gerührt und geschüttelt wird und danach die organische Schicht zurückgewonnen wird. Wenn diese Prozedur drei- oder mehrmals wiederholt wird, können nicht nur Natrium- und Kaliu­ mionen, sondern auch Chloridionen, welche in großen Mengen vorkommen, schnell aus dem Siliconleiterpräpolymer entfernt werden. Es scheint so, daß diese Verunreinigungen entfernt werden können, solange das Präpolymer eine Leiterstruktur hat, welche als substantielle Barriere gegen eingeschlossene Ver­ unreinigungen im Molekül dienen. Weiterhin ist das Molekularge­ wicht von diesem Präpolymer niedrig, und es kann deshalb nicht durch gewöhnliche Fällungsmethoden mit einem geeigneten Lö­ sungsmittel zurückgewonnen werden. Deshalb wird das Präpolymer bevorzugt durch Destillation des Lösungsmittels bis zu einer befriedigenden Trockenheit als Puder wiedergewonnen.
Wenn in der vorstehend beschriebenen Weise vorgegangen wird, wird ein Siliconleiterpräpolymer der allgemeinen Formel (2) erhalten, welches 1 ppm oder weniger an Natrium, Kalium, Eisen, Kupfer, Blei, Magnesium, Mangan und Chlor enthält und 1 ppb oder weniger an Uran und Thorium und dessen Polymerisationsgrad (n) 5 bis 600 ist.
Herstellung von hochgereinigtem Siliconleiterpolymer mit hohem Molekulargewicht
Die organische Lösung, enthaltend das Siliconleiterpräpolymer oder in dem Fall, wenn das Siliconleiterpräpolymer als Puder gewonnen wurde, die durch Lösen erhaltene Lösung des Silicon­ leiterpräpolymers in einem organischen Lösungsmittel, wird überführt z. B. in einen Quarzglaskolben, ausgestattet mit einem Teflon-Rührstab, einem Rückflußkühler und einer Dean-Stark- Kühlfalle. Als nächstes wird ein nukleophiles Reagenz in den Kolben zugegeben, und die Mischung wird erhitzt, um die dehy­ dratitive Kondensation zu initiieren. Das erhaltene Produkt mit einem erhöhten Molekulargewicht wird gereinigt durch eine Lö­ sungs-/Fällungsmethode, um ein hochgereinigtes Siliconleiter­ polymer mit einem Polymerisationsgrad (n) von 600 bis 10000, repräsentiert durch die Formel (1), zu erhalten.
Als organische Lösungsmittel werden nichtwäßrige organische Lösungsmittel mit der Fähigkeit zur Lösung des gepuderten Prä­ polymers benutzt. Spezielle Beispiele für solche organische Lösungsmittel sind: Ketone wie Methylisobutylketon und Methy­ lethylketon, Ether wie Diethylether und Isopropylether, und aromatische Kohlenwasserstoffe wie Xylol, Toluol und Benzol. Unter diesen Lösungsmitteln sind electronic grade Chemikalien (EL grade) von hoher Reinheit bevorzugt, und es ist weiterhin bevorzugt, diese einzeln oder in Mischung zu verwenden.
Beispiele für nukleophile Reagenzien sind Hydroxide von Elemen­ ten, wie Kalium, Natrium und Cäsium. Bevorzugt werden beispiel­ haft EL grade Kaliumhydroxid und Natriumhydroxid verwendet. Das nukleophile Reagenz wird bevorzugt in einer Menge von 0,01 bis 5 Gew.%, besonders bevorzugt von 0,05 bis 3 Gew.%, zum Silicon­ leiterpräpolymer zugesetzt. Wenn weniger als 0,01 Gew.% des nukleophilen Reagenzes verwendet werden, wird die katalytische Aktivität reduziert, was zu einer verminderten Reaktionsrate einschließlich des Siliconleiterpräpolymers führt. Wenn mehr als 5 Gew.% des nukleophilen Reagenzes eingesetzt werden, schreitet die Dissoziation der Siloxanbindung, die vorzugsweise durch die Anwesenheit des nukleophilen Reagenzes ausgelöst wird, fort, so daß eine Reduktion der Polymerisation eintritt.
Dann wird das Siliconleiterpräpolymer einer dehydratitiven Kondensation unter Erhitzung in dem organischen Lösungsmittel, zu welcher das nukleophile Reagenz zugetropft wurde, unterwor­ fen. Die Erhitzungszeit beträgt bevorzugt mindestens eine Stun­ de. Wenn die Erhitzungszeit kleiner als eine Stunde ist, schreitet die Reaktion nicht fort.
Als ein Ergebnis der dehydratitiven Kondensation kann ein Sili­ conleiterpolymer mit einem Polymerisationsgrad (n) von 600 bis 10000, repräsentiert-durch die Formel (1), erhalten werden. Der Polymerisationsgrad in diesem Polymer kann durch die Auswahl der Art und der Menge des Lösungsmittels und des Katalysators und der Zeit für die Kondensationsreaktion reguliert werden.
Wenn das so hergestellte Siliconleiterpolymer einen geringen Anteil von nukleophilen Reagenzien als eine Verunreinigung enthält, kann das Polymer nachträglich durch eine Lösungs/Fäl­ lungsmethode gereinigt werden. Die Bezeichnung "Lösungs/Fällungsmethode", wie sie hier benutzt wird, bedeutet eine Methode zur Reinigung, bei welcher eine Verunreinigung enthaltende Substanz in einem geeigneten Lösungsmittel gelöst wird und die erhaltene Lösung nach und nach in Tropfen zu einem Fällungslösungsmittel zugetropft wird, um eine Wiederausfällung zu erreichen. Bei der Erfindung kann vorteilhafterweise ein Etherbase-Lösungsmittel als geeignetes Lösungsmittel eingesetzt werden. Ein typisches Beispiel für ein solches Lösungsmittel ist Tetrahydrofuran. Es ist bevorzugt, ein Lösungsmittel zu benutzen, das schon destilliert wurde, gefolgt von einer Fil­ tration durch einen Filter mit einer Porengröße von 0,5 µm. Bei der Erfindung können vorteilhafterweise als Fällungslösungs­ mittel alkoholische Lösungsmittel verwendet werden. Ein typi­ sches Beispiel für ein Fällungslösungsmittel ist Methylalkohol. Es ist wünschenswert, hochgereinigte Fällungslösungsmittel von EL-grade zu verwenden.
Das geeignete Lösungsmittel wird der Reaktionslösung, enthal­ tend die Siliconleiterpolymere, in einem Betrag zugegeben, daß die Konzentration des Polymers in einem Bereich von 2 bis 15 Gew.% ist. Wenn die Konzentration des Polymers kleiner als 2 Gew.% ist, kann das,Polymer nicht sofort wieder ausgefällt werden, und eine Reinigung wird schwierig. Oberhalb 15 Gew.% ist die Konzentration des Polymers so hoch, daß die Chance des nukleophilen Reagenzes, zwischen den Molekülen des Polymers aufgefangen zu werden, steigen, wodurch eine Reinigung des Polymers durch Wiederausfällung erschwert wird.
Die Reaktionslösung, enthaltend das Siliconleiterpolymer, zu welcher das geeignete Lösungsmittel zugefügt wird, wird in Tropfen zum Fällungslösungsmittel zugegeben. Zu dieser Zeit ist das Volumen des Fällungslösungsmittel bevorzugt das 5- bis 20fache des Volumens der Reaktionslösung. Wenn das Volumen des Fällungslösungsmittels weniger als 5× dem Volumen der Reak­ tionslösung ist, ist es schwierig, verunreinigte Ionen zu ent­ fernen. Wenn das Volumen des Lösungsmittels das 20fache des Volumens der Reaktionslösung überschreitet, ist das Lösungs­ mittel einfach ausgezehrt. Das geeignete Lösungsmittel wird nach und nach in Tropfen zugefügt, um eine effiziente Entfer­ nung der verunreinigten Ionen zu erreichen.
Das Siliconleiterpolymer, das auf diese Weise durch Zugabe des Fällungslösungsmittels als Fällungsprodukt wiedergewonnen wird, wird weiter gelöst in den geeigneten Lösungsmitteln und dann tropfenweise dem Fällungslösungsmittel, wie oben erwähnt, zuge­ tropft. Als Ergebnis hiervon wird das Polymer wieder als Nie­ derschlag zurückgewonnen. Wenn diese Vorgehensweise der Reini­ gung 3 bis 5mal wiederholt wird, ist der Gehalt an nukleophilem Reagenz auf 1 ppm oder weniger reduziert.
Wenn dann so erhaltene Siliconleiterpolymere analysiert werden durch Infrarotspektroskopie, werden Absorptionspeaks bei 1135 cm-1 und 1045 cm-1 beobachtet. Diese Peaks können der asymmetri­ schen Dehnungsschwingung der Si-O-Si-Bindung zugeordnet werden, welche zeigt, daß das Polymer eine Leiterstruktur hat. Es ist eshalb nachgewiesen, daß dieses Polymer ein Siliconleiterpoly­ mer ist.
Das durchschnittliche Molekulargewicht dieses Siliconleiterpo­ lymers ist 100000 und mehr.
Demgemäß kann ein hochgereinigtes Siliconleiterpolymer von hohem Molekulargewicht hergestellt werden, welches ein 1 ppm oder weniger an Kaliumnatrium, Eisen, Kupfer, Blei, Magnesium, Mangan und Chlor enthält, und 1 ppb oder weniger von Uran und Thorium, wobei der Polymerisationsgrad (n) 600 bis 10000 ist und welches durch die Formel (1) repräsentiert ist.
Das Siliconleiterpolymer ist geeignet für Oberflächenschutz­ filme, Inter-Levelisolierfilme und dergleichen in Halbleitern, wodurch die Zuverlässigkeit von Halbleiterelementen gesteigert wird.
Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen Beispiele 1 bis 7
Verschiedene Trialkoxysilanverbindungen des Typs (a) (Formel (3)) und Trialkoxysilanverbindungen des Typs (b) (Formel (4)), wie in Tabelle 1 angeführt, werden unter reduziertem Druck in einem Stickstoffstrom destilliert. Sie werden in einer geeigne­ ten Menge eines organischen Lösungsmittels von EL grade, wie in Tabelle 1 angeführt, gelöst, um eine Lösung herzustellen. Jede der Lösungen wird in einen 2L-Vierhalskolben ausgestattet mit einem Tropftrichter, einem Thermometer und einem Rührstab über­ führt. Die Lösung wird dann gekühlt auf eine Temperatur (Hy­ drolysetemperatur), wie in Tabelle 1 angeführt. Unter Kühlen und Rühren wird eine geeignete Menge von ultrareinem Wasser, enthaltend Chlorwasserstoff, wie in Tabelle 1 angeführt, nach und nach tropfenweise zugegeben. Zu dieser Zeit ist die Hitze­ bildung noch nicht kräftig, und die Hinzufügung wird für 1 bis 2 Stunden fortgesetzt. Nach der Zugabe wird die Reaktionsmi­ schung für weitere 3 Stunden gerührt, bis die Hydrolysereaktion beendet ist, wodurch sie ein Siliconleiterpräpolymer bildet.
Diese Präpolymerlösung wird zur Separation in einem Scheidet­ richter zur Separation in zwei Phasen überführt. Die untere wäßrige Schicht wird entfernt, und die organische Schicht, enthaltend das Siliconleiterpräpolymer, wird zurückgewonnen. Ultrareines Wasser, dessen Volumen gleich dem der organischen Schicht ist, wird der organischen Schicht zur Waschung unter Schütteln hinzugefügt. Dieser Vorgang wird 5mal wiederholt. Das gewaschene Siliconleiterpräpolymer wird zur Analyse der ver­ schiedenen enthaltenen Verunreinigungen durch einen Ionenchro­ matographieanalysator (IC-500 von Yokogawa-Hoskushin Electric Co., Ltd.) analysiert. In jedem der Beispiele 1 bis 7 ist der Gehalt an Chloridionen im Siliconleiterpräpolymer 1 ppm nach dem ersten Waschen, und 1 ppm oder weniger nach dem dritten Waschen. Die Konzentration von Kaliumionen sinkt ebenfalls mit der Anzahl der steigenden Waschungen. Er war 1 ppm oder weniger nach der dritten Waschung. Die Gehalte von verschiedenen Ver­ unreinigungen im Siliconleiterpräpolymer nach der dritten Wa­ schung sind in Tabelle 2 gezeigt. Wie in Tabelle 2 gezeigt, enthalten die Siliconleiterpräpolymere als Verunreinigungen 1 ppm oder weniger an Natrium, Kalium, Eisen, Kupfer, Blei, Magnesium, Mangan und Chlor, und 1 ppb oder weniger an Uran und Thorium.
Jede Konzentration der Natriumionen, Kaliumionen, Eisenionen, Kupferionen, Bleiionen, Magnesiumionen und Manganionen wurde mit einem Atomabsorptionsanalysator (IC-500 von Shimazu Corp.) analysiert. Die Konzentration der Chlorionen wurde durch einen Ionenchromatographieanalysator (IC-500 von Yokogawa-Hokushin Electric Co., Ltd.) analysiert. Jede Konzentration der radio­ aktiven Elemente Uran und Thorium wurde mit einem Fluoreszenz­ spektrometer (MPF-4 von Hitachi, Ltd.) analysiert. Das durch­ schnittliche Molekulargewicht der Siliconleiterpräpolymere nach den Beispielen 1 bis 7 wurde durch eine Gelpermeationschromato­ graphieapparatur (TRI-ROTAR-IV von Hitachi Bunko K.K.) gemes­ sen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
Weiterhin wurde die Struktur der Siliconleiterpräpolymere, be­ schrieben in den Beispielen 1 bis 7, mit einem Infrarotspektro­ meter (FT/IR-11 von Hitachi Bunko K.K.) analysiert. Als Ergeb­ nis davon wurde ein Doppelpeak, der eine Siloxanbindung in der Nähe von 1100 cm-1 zeigt, gefunden (Journal of Polymer Science, 1963, Vol. C-1, S. 83). Deshalb ist gezeigt, daß diese Silicon­ leiterpolymere eine Struktur haben, wie sie in der folgenden Formel 2 dargestellt ist.
worin R₁ ein Wasserstoffatom, eine niedere Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe, welche substituiert sein kann, oder eine Aryl­ gruppe bedeutet; R₂, R₃ und R₅ ein Wasserstoffatom oder eine niedere Alkylgruppe bedeuten, und n₂ eine natürliche Zahl von 5 bis 600 repräsentiert.
Vergleichsbeispiele 1 bis 4
Wie in den Beispielen 1 bis 7 unter den Reaktionsbedingungen, wie sie in Tabelle 3 aufgeführt sind, wurden Trialkoxysilanver­ bindungen des Types (a) und (b) hydrolisiert. In den Ver­ gleichsbeispielen 1 und 3 wurde das ultrareine Wasser bei der tropfenweise Zugabe bei einer Hydrolysetemperatur von weniger als -50°C fest. Deshalb konnte die Hydrolyse nicht zufrieden­ stellend fortschreiten. Das Molekulargewicht der erhaltenen Polymere war extrem niedrig. Bei den Vergleichsbeispielen 2 und 4 - bei einer Hydrolysetemperatur größer als 40°C - verdampfte das Hcl sehr schnell, wenn es zusammen mit dem ultrareinen Wasser tropfenweise zugefügt wird. Deshalb schreitet die Hydro­ lyse nicht zufriedenstellend fort. Im Ergebnis kann die Reak­ tionslösung nicht durch Waschen mit Wasser gereinigt werden.
Beispiele 8 bis 14
Bei den Beispielen 1 bis 7, unter den Reaktionsbedingungen, wie sie in Tabelle 4 angeführt sind, wurden bestimmte Mengen von Trialkoxysilanverbindungen des Types (a) und (b) hydrolisiert, um hochgereinigte Siliconleiterpräpolymere herzustellen.
Danach wird eine Lösung, enthaltend das Siliconleiterpräpoly­ mer, in einem 2L-Vierhalsglaskolben, ausgestattet mit einem Teflon-Rührstab, einer Dean-Stark-Kühlfalle und einem Thermome­ ter überführt. Weiter wird dann eine bestimmte Menge der in Tabelle 4 angeführten Lösung, welche erhalten wird, durch Lösen von KOH in einem EL grade Methanol mit einer Konzentration von 0,1 mg/ml in den Kolben als nukleophiles Reagenz gegeben. Die dehydratitive Kondensationsreaktion wird unter Erhitzung bei einer Temperatur angeführt in Tabelle 4 und einer Zeitdauer ebenfalls angeführt in Tabelle 4 ausgeführt. Nach der dehydra­ titiven Kondensation wird die erhaltene Lösung gekühlt. Dann wird das gereinigte Tetrahydrofuran in einer solchen Menge zugegeben, daß der Gehalt des Präpolymers eine Konzentration aufweist, wie sie in Tabelle 5 angeführt ist, und gründlich gerührt, um eine Lösung zu erhalten. Später wird die Lösung tropfenweise in einer 10fachen Menge zum Methylalkohol (EL grade) zugegeben. Der erhaltene Niederschlag wird als ein Sili­ conleiterpolymer mit einem hohen Molekulargewicht zurückgewon­ nen. Später wird der zurückgewonnene Niederschlag getrocknet, und das Tetrahydrofuran wird erneut zugegeben, um eine Lösung derselben Konzentration, wie vorstehend benutzt, zu erhalten. Durch ähnliche Ausfällung wird ein Siliconleiterpolymer zurück­ gewonnen. Diese Prozedur wird 4mal wiederholt.
Der Molekulargewichtsbereich und jede Konzentration der Natri­ umionen, Kaliumionen, Eisenionen, Kupferionen, Bleiionen, Ma­ gnesiumionen, Manganionen, Chlorionen, Uran und Thorium wird für die in den Beispielen 1 bis 7 angeführten Siliconleiterpo­ lymere mit hohem Molekulargewicht, wie vorstehend syntheti­ siert, vermessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 angeführt.
Wie sich aus Tabelle 5 zeigt, werden hochgereinigte Silicon­ leiterpolymere erhalten. Die Konzentration der Verunreinigungen sinkt mit der ansteigenden Anzahl der Wiederausfällungen.
Beispiele 15 bis 21
Wie bei den Beispielen 1 bis 7, unter den Reaktionsbedingungen, wie sie in Tabelle 6 angeführt, werden geeignete Mengen von Trichlorsilanverbindungen des Types (c) (Formel (5)) und (d) (Formel (6)) hydrolisiert, um hochgereinigte Siliconleiterprä­ polymere zu erhalten.
Danach wird eine Lösung, enthaltend das Siliconleiterpräpoly­ mer, in einem 2L-Vierhalsquarzglaskolben, ausgestattet mit einem Teflon-Rührstab, einer Dean-Stark-Kühlfalle und einem Thermometer überführt. Weiter wird eine bestimmte Menge der in Tabelle 4 angeführten Lösung, welche erhalten wird durch Lösen von KOH in einem EL grade Methanol zu einer Konzentration von 0,1 mg/ml in den Kolben als nukleophiles Reagenz gegeben. Die dehydratitive Kondensationsreaktion wird unter Erhitzung bei einer Temperatur, wie in Tabelle 6 angeführt, für eine Zeit­ dauer, ebenfalls wie in Tabelle 6 angeführt, durchgeführt.
Nach der dehydratitiven Kondensation wird die erhaltene Lösung gekühlt. Dann wird das gereinigte Tetrahydrofuran in einer solchen Menge zugegeben, daß der Gehalt der Polymerkomponente eine Konzentration aufweist, wie sie in Tabelle 7 angeführt, und kräftig gerührt, um eine Lösung zu erhalten. Später wird die Lösung tropfenweise zum Methylalkohol (EL grade) in einer 10fachen Menge zugegeben. Der erhaltene Niederschlag wird als Siliconleiterpolymer mit einem hohen Molekulargewicht zurückge­ wonnen. Weiter wird der zurückgewonnene Niederschlag getrock­ net, und das Tetrahydrofuran wird wieder zugefügt, um eine Lösung derselben Konzentration, wie vorstehend verwendet, zu erhalten. Durch ähnliche Ausfällung wird ein Siliconleiterpoly­ mer zurückgewonnen. Diese Prozedur wird 4mal wiederholt.
Der Molekulargewichtsbereich und jede Konzentration der Natri­ umionen, Kaliumionen, Eisenionen, Kupferionen, Bleiionen, Ma­ gnesiumionen, Manganionen, Chlorionen, Uran und Thorium für die Siliconleiterpolymere mit hohem Molekulargewicht, wie vorste­ hend synthetisiert, wird für die Beispiele 1 bis 7 vermessen.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 7 gezeigt. Wie aus Tabelle 7 hervorgeht, wird ein hochgereinigtes Siliconleiterpolymer er­ halten. Die Konzentration der verunreinigten sinkt mit der steigenden Anzahl der Ausfällungen.
Vergleichsbeispiele 5 bis 8
Wie in den Beispielen 1 bis 7 unter den Reaktionsbedingungen wie in Tabelle 8 angeführt, werden Trichlorsilanverbindungen des Types ( c) und (d) hydrolisiert. Jedoch in den Vergleichs­ beispielen 5 und 6 wurde ein Hydrolysat erhalten, welches ein niederes Molekulargewicht hatte, da der Betrag an organischen Lösungsmitteln relativ zu groß zu den Trichlorosilanverbindun­ gen war. Im Vergleichsbeispiel 7 wurde ein Hydrolysat erhalten, was nur ein niederes Molekulargewicht hatte, da die Hydrolyse­ temperatur zu niedrig war. Diese Hydrolysate konnten nicht durch Waschen mit Wasser gereinigt werden. Deshalb wurde KOH zu dem Hydrolysat zugefügt, das als ungereinigter Katalysator in einer Menge, wie in Tabelle 8 angeführt, verbleibt. Die dehy­ dratitive Kondensationsreaktion wird dann unter Erhitzen für eine spezifische Zeitspanne durchgeführt. Da die Hydrolysate ein wenig polymerisieren, wurden sie durch Waschen mit Wasser gereinigt. Jedoch war der Gehalt an Verunreinigungen hoch, wie in Tabelle 9 gezeigt.
Wie die Ergebnisse der Tabellen 1 bis 9 zeigen, wurde gefunden, daß verglichen mit den Vergleichsbeispielen 1 bis 8 nach den Beispielen 1 bis 21 hochgereinigte Siliconleiterpräpolymere und hochgereinigte Siliconleiterpolymere mit hohem Molekulargewicht erhalten werden können, wobei die Präpolymere und Polymere geringe Mengen an Verunreinigungen wie Natrium, Kalium, Eisen, Kupfer, Blei, Magnesium, Mangan, Chlor, Uran und Thorium ent­ halten.
Auf den Offenbarungsgehalt der japanischen Prioritätsanmeldung Nr. JP 051202/95 vom 10.03.1995 wird ausdrücklich Bezug genom­ men.

Claims (8)

1. Siliconleiterpolymer, enthaltend 1 ppm oder weniger an Na­ trium, Kalium, Eisen, Kupfer, Blei, Magnesium, Mangan und Chlor, und 1 ppb oder weniger an Uran und Thorium, das charakterisiert ist durch die allgemeine Formel (1) worin R₁ ein Wasserstoffatom, eine niedere Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe, welche substituiert sein kann, oder eine Arylgruppe bedeutet, R₂, R₃, R₄ und R₅ ein Wasserstoffatom oder eine niedere Alkylgruppe bedeuten, und n₁ eine natür­ liche Zahl zwischen 600 und 10000 repräsentiert.
2. Siliconleiterpräpolymer, enthaltend 1 ppm oder weniger an Natrium, Kalium, Eisen, Kupfer, Blei, Magnesium, Mangan und Chlor, und 1 ppb oder weniger an Uran und Thorium, das charakterisiert ist durch die allgemeine Formel (2) worin R₁ ein Wasserstoffatom, eine niedere Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe, welche substituiert sein kann, oder eine Arylgruppe bedeutet, R₂, R₃, R₄ und R₅ein Wasserstoff­ atom oder eine niedere Alkylgruppe bedeuten, und n₂ eine na­ türliche Zahl von 5 bis 600 repräsentiert.
3. Verfahren zur Herstellung des Siliconleiterpräpolymers nach Anspruch 2 durch Lösen einer Trialkoxysilanverbindung der allgemeinen Formel (3) HSiO₆OR₇OR₈worin R₆, R₇ und R₈ eine niedere Alkylgruppe bedeuten, oder Trialkoxysilanverbindungen der Formel (3) und eine Trialkoxysilanverbindung der allgemeinen Formel (4)R₉SiOR₆OR₇OR₈worin R₉ eine niedere Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe, die substituiert sein kann, oder eine Arylgruppe bedeutet, und R₆, R₇ und R₈ eine niedere Alkylgruppe bedeuten, in einem organischen Lösungsmittel zur Herstellung einer Lösung,
Hydrolisierung der Lösung mit ultrareinem Wasser, enthal­ tend Chlorwasserstoff unter Kühlung zur Herstellung des Hydrolysates und Waschen des Hydrolysates mit ultrareinem Wasser.
4. Verfahren zur Herstellung des Siliconleiterpräpolymer nach Anspruch 2 durch Lösen einer Trichlorsilanverbindung der allgemeinen Formel (5) HSiCl₃oder der Trichlorsilanverbindung der Formel (5) und einer Trichlorsilanverbindung der allgemeinen Formel (6)
R₉SiOCl₃
worin R₉ eine niedere Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe, wel­ che substituiert sein kann, oder eine Arylgruppe bedeutet, in einem organischen Lösungsmittel zur Herstellung einer Lösung,
Hydrolisierung der Lösung mit ultrareinem Wasser unter Küh­ lung zur Herstellung des Hydrolysates und Waschen des Hy­ drolysates mit ultrareinem Wasser.
5. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Trialkoxysilanverbin­ dung der allgemeinen Formel (3), oder die Trialkoxysilan­ verbindung der allgemeinen Formel (3) und die Trialkoxysi­ lanverbindung der allgemeinen Formel (4) in einer Lösung in so einer Weise gelöst werden, daß eine Konzentration des Siliconleiterpräpolymers in der Lösung erhalten wird, die zwischen 0,01 und 0,3 g/ml liegt.
6. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Trichlorsilanverbin­ dung der allgemeinen Formel (5) oder die Trichlorsilanver­ bindung der allgemeinen Formel (5) und die Trichlorsilan­ verbindung der allgemeinen Formel (6) in der Lösung in so einer Weise gelöst werden, daß eine Konzentration des Sili­ conleiterpräpolymers in der Lösung erhalten wird, die zwi­ schen 0,01 und 0,3 g/ml liegt.
7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 3 bis 6, wo­ bei die Reaktionstemperatur für die Hydrolyse im Bereich von bis +30°C liegt.
8. Verfahren zur Herstellung des Siliconleiterpolymers nach Anspruch 1 durch Hinzufügen eines nukleophilen Reagenzes zu einer organi­ schen Lösung des Siliconleiterpräpolymers nach Anspruch 2, um die dehydratitive Kondensation zu initiieren, so daß ein Produkt von hohem Molekulargewicht erhalten wird, und Rei­ nigung des Produktes durch eine Lösungs/Ausfällungsmethode.
DE19608904A 1995-03-10 1996-03-07 Siliconleiterpolymer und ein Verfahren zu deren Herstellung Withdrawn DE19608904A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7051202A JPH08245792A (ja) 1995-03-10 1995-03-10 シリコーンラダーポリマー、シリコーンラダープレポリマーおよびそれらの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19608904A1 true DE19608904A1 (de) 1996-09-12

Family

ID=12880318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19608904A Withdrawn DE19608904A1 (de) 1995-03-10 1996-03-07 Siliconleiterpolymer und ein Verfahren zu deren Herstellung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5859162A (de)
JP (1) JPH08245792A (de)
KR (1) KR100219770B1 (de)
DE (1) DE19608904A1 (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998047944A1 (en) * 1997-04-21 1998-10-29 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
US6015457A (en) 1997-04-21 2000-01-18 Alliedsignal Inc. Stable inorganic polymers
US6218020B1 (en) 1999-01-07 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content
US6218497B1 (en) 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
US6358559B1 (en) 1999-01-07 2002-03-19 Honeywell International Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
US6440550B1 (en) 1999-10-18 2002-08-27 Honeywell International Inc. Deposition of fluorosilsesquioxane films
US6472076B1 (en) 1999-10-18 2002-10-29 Honeywell International Inc. Deposition of organosilsesquioxane films
US6743856B1 (en) 1997-04-21 2004-06-01 Honeywell International Inc. Synthesis of siloxane resins
EP1826231A2 (de) * 1997-04-21 2007-08-29 AlliedSignal Inc. Organohydridosiloxanharze mit hohem organischen Anteil

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3977896B2 (ja) * 1997-05-28 2007-09-19 新日本製鐵株式会社 低誘電率材料
US5962067A (en) * 1997-09-09 1999-10-05 Lucent Technologies Inc. Method for coating an article with a ladder siloxane polymer and coated article
JP3679972B2 (ja) 2000-04-04 2005-08-03 三菱電機株式会社 高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法
GB0108274D0 (en) * 2001-04-03 2001-05-23 Dow Corning preparation of silicone resins
WO2002088221A1 (en) * 2001-04-27 2002-11-07 The University Of Sydney Materials for optical applications
JP4972834B2 (ja) * 2001-08-28 2012-07-11 日立化成工業株式会社 シロキサン樹脂
TW200307709A (en) * 2002-02-19 2003-12-16 Honeywell Int Inc Organosiloxanes
SG102047A1 (en) * 2002-05-02 2004-02-27 Dso Nat Lab Ladder-like silicone polymers
CN100430432C (zh) * 2003-07-29 2008-11-05 东亚合成株式会社 含硅高分子化合物及其制造方法、耐热性树脂组合物及耐热性薄膜
KR100910542B1 (ko) * 2007-05-04 2009-08-05 제일모직주식회사 반도체 미세 갭 필용 화합물 및 이를 이용한 반도체 미세갭 필용 조성물
JP5263171B2 (ja) * 2007-11-19 2013-08-14 東亞合成株式会社 ポリシロキサンおよびその製造方法ならびに硬化物の製造方法
JP2011208109A (ja) * 2010-03-08 2011-10-20 Asahi Kasei Chemicals Corp ポリオルガノシロキサンの製造方法
KR20110112641A (ko) * 2010-04-07 2011-10-13 한국과학기술연구원 광활성 그룹을 측쇄로 가지는 사다리 구조의 폴리실세스퀴옥산 및 이의 제조방법
US8859709B2 (en) 2010-12-22 2014-10-14 Dow Corning Corporation Method of forming polyhedral oligomeric silsesquioxane compounds
DE102012008639A1 (de) * 2012-05-02 2013-11-07 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls mit einer Silikonoptik
JP6073213B2 (ja) * 2013-01-29 2017-02-01 信越化学工業株式会社 ポリオルガノシロキサンの製造方法及び新規オルガノポリシロキサン
JP2022551983A (ja) 2019-10-18 2022-12-14 モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド 反応性ポリ（フルオロアルキル官能性シロキサン）オリゴマー、それを形成するための方法、およびそれを使用する組成物

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3278567D1 (en) * 1981-10-03 1988-07-07 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same
JPS60124943A (ja) * 1983-12-12 1985-07-04 Fujitsu Ltd 酸化珪素膜の形成方法
JPS6120803A (ja) * 1984-07-10 1986-01-29 Toppan Printing Co Ltd 膜厚測定方法
JP2718231B2 (ja) * 1990-01-10 1998-02-25 三菱電機株式会社 高純度末端ヒドロキシフェニルラダーシロキサンプレポリマーの製造方法および高純度末端ヒドロキシフェニルラダーポリシロキサンの製造方法
JP2928341B2 (ja) * 1990-07-03 1999-08-03 三菱電機株式会社 シリコーンラダー系樹脂塗布液組成物
US5063267A (en) * 1990-11-28 1991-11-05 Dow Corning Corporation Hydrogen silsesquioxane resin fractions and their use as coating materials
JP3153367B2 (ja) * 1992-11-24 2001-04-09 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法
JP2923408B2 (ja) * 1992-12-21 1999-07-26 三菱電機株式会社 高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"The Analytical Chemistry of Silicones", Ed.: Lee Smith, John Wiley & Sons, Inc., New York, 1991, S.328-329 *
Chemical Reviews, 1995, Bd.95, S.1409-1430 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6512071B1 (en) 1997-04-21 2003-01-28 Honeywell International Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
US6359099B1 (en) 1997-04-21 2002-03-19 Honeywell International Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
US6143855A (en) * 1997-04-21 2000-11-07 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
EP1826231A3 (de) * 1997-04-21 2007-09-12 AlliedSignal Inc. Organohydridosiloxanharze mit hohem organischen Anteil
US6218497B1 (en) 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
EP1826231A2 (de) * 1997-04-21 2007-08-29 AlliedSignal Inc. Organohydridosiloxanharze mit hohem organischen Anteil
US6015457A (en) 1997-04-21 2000-01-18 Alliedsignal Inc. Stable inorganic polymers
WO1998047944A1 (en) * 1997-04-21 1998-10-29 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
US6743856B1 (en) 1997-04-21 2004-06-01 Honeywell International Inc. Synthesis of siloxane resins
US6358559B1 (en) 1999-01-07 2002-03-19 Honeywell International Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
US6218020B1 (en) 1999-01-07 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content
US6440550B1 (en) 1999-10-18 2002-08-27 Honeywell International Inc. Deposition of fluorosilsesquioxane films
US6472076B1 (en) 1999-10-18 2002-10-29 Honeywell International Inc. Deposition of organosilsesquioxane films
US6838124B2 (en) 1999-10-18 2005-01-04 Honeywell International Inc. Deposition of fluorosilsesquioxane films

Also Published As

Publication number Publication date
KR100219770B1 (ko) 1999-09-01
KR960035883A (ko) 1996-10-28
JPH08245792A (ja) 1996-09-24
US5859162A (en) 1999-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19608904A1 (de) Siliconleiterpolymer und ein Verfahren zu deren Herstellung
DE60031134T2 (de) Verfahren zur herstellung polyhedrischer oligomerer silsesquioxane
DE3813678C2 (de)
DE102008025261B4 (de) Halogeniertes Polysilan und plasmachemisches Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009056438B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan
WO2009143824A1 (de) Halogeniertes polysilan und thermisches verfahren zu dessen herstellung
Sridevi et al. Synthesis and characterization of polyaniline/gold nanocomposites
DE4330466B4 (de) Hochreines Siliconpolymer und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1801020C3 (de) Alkalimetallhaltige Polyphenylenäther und Verfahren zu deren Hestellung
CH683264A5 (de) Härtbare Mischung auf Basis von Siliconharz.
DE102010025948A1 (de) Polysilane mittlerer Kettenlänge und Verfahren zu deren Herstellung
DE3151902A1 (de) "verkapselte elektronische bauelemente und verkapselungsmaterialzusammensetzungen"
KR960004685B1 (ko) 캡슐화 조성물
DE2618418B2 (de) Siloxancopolymer
DE2828604A1 (de) Verfahren zur reduktion von phosphinoxiden
DE2234703A1 (de) Blockcopolymere mit siloxanbloecken und organischen bloecken
DE19708226A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Silicium-Bor-Oxynitriden, dabei erhaltene Oxynitride und als Zwischenprodukte erhaltene Polyborosiloxane
DE2643469B2 (de) Silacyclopentenyl-bis-epsilon-caprolactam
WO2004106403A1 (de) Hochreine, ionenfreie halbleitende polythiopene, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung zur herstellung elektronischer bauelemente
DE1770837B2 (de)
DE2542425A1 (de) Siloxane und verfahren zu ihrer herstellung
JPH06251624A (ja) 絶縁組成物及び電力ケーブル
DE4114218A1 (de) Organische silazanpolymere, verfahren zu ihrer herstellung, sowie ein verfahren zur herstellung von keramikmaterialien daraus
JPH06251625A (ja) 絶縁組成物及び電力ケーブル
DE10338731B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer (RO)(R'O)(R''O)M=O-Verbindung, dünnschichtbildendes Material, Dünnschicht und Halbleiterelement

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee