DE1957731A1 - Schaltungsanordnung fuer eine Regelstufe zur Verstaerkungsregelung eines Verstaerkers - Google Patents

Description

SIEI ENS AKTIENGESELLSCHAFT
Berlin und München

17.N(W 1969

München 2, Witteisbacherplatz

60/3079

Schaltungsanordnung für eine Regelstufe zur Verstärkungsregelung. eines_

Die Aussteuerbarkeit einer Verstärkerstufe ist begrenzt. Y/erden insbesondere bei einer transistorierten Verstärkerstufe größere Signale angelegt, als sie dem normalen Aussteuerbereich entsprechen, dann treten in Empfängerschaltungen Störungen auf wie z. B. Kreuzmodulation, Intermodulation, lineare und nichtlineare Modulationsverzerrungen, Nebenwellenempfang. Besondere Schwierigkeiten bereitet diese Tatsache bei geregelten transistorierten Verstärkerstufen, die in Empfängerschaltungen die angebotenen Eingangssignale unabhängig von ihrer Größe verarbeiten und den Signal-Ausgangspegel konstant halten sollen.

Die Regelung von Verstärkerstufen kann durch Arbeitspunktrege^-¹ lung in Form einer Abwärts- oder Aufwärtsregelung, durch Gegenkopplungsregelung oder durch eine sogenannte Potentialregelung mit Hilfe eines dynamischen Spannungsteilers am Eingang der Verstärkerstufe erfolgen.

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für eine Hegelstufe zur Verstärkungsregelung eines Verstärkers, die mit Hilfe eines aus steuerbaren Impedanzen gebildeten Spannungs teilers eine dynamische Spannungsteilung für das Eingangs signal des Verstärkers durchführt» wobei die Steuerung mit' einer aus dem Verstärker gewonnenen Regelspannung erfolgt.

PA 9^493/991
RH/Au

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Bine solche Schaltungsanordnung anzugeben, mit deren Hilfe in einer Verstärkerstufe, insbesondere in einer transistorierten Verstärkerstufe möglichst große Eingangssignale unverzerrt verarbeitet v/erden können, wobei die Durchlaßdämpfung der Regelstufe in ungeregeltem Zustand möglichst lull sein soll, ist die Aufgabe, die der_;vorliegenden Erfindung zugrundeliegt.

Zur Lösung dieser Aufgabe wird)bei einer Schaltungsanordnung der er\?ähnten Art erfindungsgeijiäß vorgeschlagen, daß der Spannungsteiler ein Vierpol mit einer steuerbaren Längsimpedanz und mit einer steuerbaren Querimpedanz ist, die durch zv/ei gegenphasig gesteuerte Transistoren (Längstransistor und Quertransistor) gebildet sind, daß im einzelnen der Kollektor des Längstransif;tors am Eingang des Spannungsteilers und über einen ohmsehfenf Widerstand auf Bezugspotential liegt, die Basis des Längsfbransistors mit dem Emitter des Quertransistors und mit demf Ausgang des Spannungsteilers verbunden ist und über einen oliaischen Widerstand auf Versorgungspotential liegt, daß der Kollektor des Quertransistors Bezugspotential führt und die Bfasis des Quer transistors am Eingang für die Regelspannung Ijiegt, mit dem außerdem der Emitter des Längstransistors übier einen ohmschen Widerstand verbunden ist. ι " ^v> ■

Eine solche erfindungsgemäße Schaltungsanordnung stellt einen gleichstromgekoppelten, integrierbaren Spannungsteiler dar, der zweifach gesteuert ist. Be^de Teile, die Längsimpedanz und die Querimpedanz werden mi|b Hilfe der gleichen Regelspannung, aber gegenphasig gesteuert. Dadurch ergibt sich gegenüber einer einfachen Steuerung eine erhebliche Erhöhung des Regelumfangs. Ein besonderer Vorteil einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung besteht darin, daß die verwendeten Transistoren - ob integriert qder diskret - nicht im aktiven Bereich betrieben werden, so aaB sie nicht als Rauschquelle wirken.

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ORIGINAL

Anhand der Zeichnung, in der eine erfindungsgeniäße Schaltungsanordnung dargestellt ist, soll die Erfindung näher ex\Läutert v/erden. Im Prinzip handelt es sich um einen Spannungsteiler mit einer längsimpedanz und einer Querimpedana, die beide mit Hilfe eines Transistors verwiX¹IcIient sind. Der Kollektor eines Transistors 1 liegt am Eingang der Schaltungsanordnung resp. der Regelstufe und über einen ohmechen Widerstand 3 auf Bezugspotential. Die Basis des Transistors 1 ist mit dein !Emitter eines Transistors 2 und mit dem Ausgang der Regelstufe verbunden und liegt über einen ohmschen Widerstand auf dem mit Ug bezeichneten Versorgungspotential. Der Kollektor des Transistors 2 führt Befugspotential. Seine Basis liegt an einem Eingang für eine Regelspannung U-n, an dem auch der Emitter des Transistors 1 über einen ohmschen Widerstand 5 verbunden ist.

Eine solche Regelstufe kann als passives Regelglied betrachtet v/erden, das vor eine Y er stärkerstufe geschaltet wird. Das Eingangssignal liegt zwischen dem Eingang und Bezugspotential, das Ausgangssignal zwischen dem Ausgang und Besugspotential. Im ungeregelten Zustand ist der Tranistor leitend und der Transistor 2 nichtleitend. Das Eingangssignal gelangt direkt an den Ausgang. Bei Regelung wird zunächst der Transistor 1 hochohmig und dann der Transistor 2 niederohmig. Dadurch ergibt sich eine von der Regelspannung abhängige Spamiungsteilung zwischen dem Eingang und Ausgang der Regelstu^vie. Die bei einer solchen Regelstufe mit üblichen Transistoren zulässigen Eingangssignale können sehr große Werte annehmen, ohne daß die genannten Störungen auftreten. Sie liegen teilweise höher als bei YerstärkGEstufen mit Elektronenröhren. Eine mit einer eriSi^dungs gemäß en Schaltungsanordnung füx* eine Regel stufe durchgeführte Potentialregelung ist hinsichtlich der damit erreichten Aussteuerbarkeit der Verstärkerstufe jeder anderen Transistorregelung üb er 1 (igen.

1 Patentanspruch 109821/1121

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Claims (1)

1. Schaltungsanordnung für eine Regelstufe zur Verstärkungsregelung eines Verstäi'kers, die mit Hilfe eines aus steuerbaren Impedanzen gebildeten Spannungsteilers eine dynamische Spannungsteilung für das Eingangssignal des Verstärkers durchführt, v/ob ei die Steuerung mit einer aus dem Verstärker gewonnenen Regelspannung erfolgt, dadurch gekennzeichnet , daß der Spannungsteiler ein Vierpol mit einer steuerbaren Längsimpedanz und mit einer steuerbaren Querimpedanz ist, die durch zwei gegeiiphasig gesteuerte Transistoren (längstransistor (1) und Quertransistor -(2·) ) gebildet sind, daß im einzelnen der Kollektor des längstransistors (1) am Eingang des Spannungsteilers und über einen ohmschen Widerstand (3) auf Bezugspotential liegt, die Basis des Längstransistors (1) mit dem Emitter des Quertransistors (2) und mit dem Ausgang des Spannungsteilers verbunden ist und. über einen ohmschen Widerstand (4) auf Versorgungspotential liegt, daß der Kollektor des Quertransi'stors (2) Bezugspotential führt und die Basis des Quertransistors (2) am Eingang für die Regelspannung liegt, mit dem außerdem der 'Emitter des Längstransistors (1) über einen ohmschen Widerstand (5) verbunden ist.

   ΡΛ 9/495/991

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