DE19548741A1 - Verfahren zur Herstellung eines Materials für PTC-Widerstände - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Materials für PTC-WiderständeInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
Materials für PTC-Widerstände gemäß dem Oberbegriff des
Anspruchs 1. Ein derartiges Verfahren ist aus der
US-A-5 313 184 bekannt.
Es ist seit langem bekannt, die mechanische und elektrische
Stabilität von PTC-Widerständen aus einem semikristallinen
thermoplastischen Polymer wie Polyethylen, Polypropylen u. a.
als Matrixmaterial, dem ein pulverförmiger Füllstoff aus
elektrisch leitendem Material, insbesondere Ruß,
beigemischt ist, durch ionisierende Strahlung, insbesondere
durch Elektronenbestrahlung, zu verbessern.
In US-A-3 351 882 und US-A-4 534 889, in denen neben Ruß
auch Graphit, Metallpulver, Metallsalze und -oxide sowie
bor- und phosphordotiertes Silizium und Germanium als
mögliche Füllstoffe erwähnt werden, werden Bestrahlungsdosen
von 500 kGy bis 1 MGy empfohlen.
In der US -A-3 858 144 und der US-A-3 861 029 ist für
Materialen mit Ruß als Füllstoff ein Bereich von 20 kGy bis
1,5 MGy für mögliche Bestrahlungsdosen angegeben, doch wird
eine Dosis von 1,2 MGy empfohlen.
In bekannten konkreten Beispielen (s. z. B. WO-A-90/00825,
EP-B-198 598) betragen die Bestrahlungsdosen für Materialien
mit Füllstoffen auf Kohlenstoffbasis durchwegs mindestens
100 kGy, meist liegen sie beträchtlich darüber. Gemäß
EP-A-0 311 142 wurden Versuche mit einem Material auf der
Basis von Polyethylen mit Ruß als Füllstoff gemacht, die
zeigten, daß Bestrahlungsdosen von 800 kGy und 1,6 MGy zu
höherer Stabilität des Ansprechverhaltens des
PTC-Widerstands führten als eine Dosis von 200 kGy.
Materialien, die nicht auf Kohlenstoff, sondern auf Metall
basierende Füllstoffe enthalten, werden seit längerem in der
Literatur erwähnt und ihre Verwendung ist z. B. in der
bereits erwähnten US-A-5 313 184 konkret beschrieben. Wegen
der hohen Leitfähigkeit des Füllmaterials haben derartige
Materialien sehr gute Kaltleiteigenschaften, doch ist die
Kennlinienstabilität, d. h. die Stabilität der Widerstands-
Temperatur-Charakteristik, bekannter derartiger Materialien
im allgemeinen eher prekär. Versuche mit Vernetzung durch
Elektronenbestrahlung scheinen bisher nicht in größerem
Umfang durchgeführt worden zu sein.
An sich wäre zu erwarten gewesen, daß wegen der höheren
Dichte derartiger Füllstoffe die Streuung der Elektronen
größer und ihre Eindringtiefe geringer wäre als etwa bei
rußgefüllten Materialien und daß dies höhere
Bestrahlungsdosen bedingen würde. Offenbar ist letzteres
jedoch nicht der Fall.
Es hat sich im Gegenteil herausgestellt, daß bei einer
Bestrahlungsdosis in einem Bereich von ca. 10 kGy bis 60 kGy
die Zugfestigkeit günstige Werte erreicht und auch die
Kennlinienstabilität sehr hoch ist. Erstere sinkt
anschließend bis zu einer Bestrahlungsdosis von 100 kGy
etwas ab, steigt aber dann, vor allem bei höheren
Probentemperaturen, wieder an, doch die Kennlinienstabilität
erreicht ihre Höchstwerte bei Dosen von 25 kGy bis 50 kGy
und sinkt bei noch höheren Dosen ab.
Auf der Grundlage dieser Erkenntnis wurde das in den
Ansprüchen gekennzeichnete Verfahren zur Herstellung von
Materialien für gattungsgemäße PTC-Widerstände entwickelt.
Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt die Herstellung von
PTC-Widerständen, die nicht nur wegen der hohen
Leitfähigkeit des Füllstoffs sehr gute Kaltleiteigenschaften
aufweisen, sondern auch eine gute Zugfestigkeit und eine
sehr hohe Kennlinienstabilität. Außerdem haben die
verhältnismäßig tiefen Bestrahlungsdosen gegenüber den
üblichen höheren Dosen den Vorteil kurzer Durchlaufzeiten
und allgemein geringeren Herstellungsaufwands.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines
Ausführungsbeispiels im einzelnen dargestellt und anhand von
Figuren erläutert. Es zeigen
Fig. 1 die Zugfestigkeit eines nach dem
erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten
Materials bei 25°C und 100°C als Funktion der
Bestrahlungsdosis,
Fig. 2a den spezifischen Widerstand eines nach dem
erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten, mit
25 kGy bestrahlten Materials als Funktion der
Temperatur bei mehreren aufeinanderfolgenden
Schaltungen,
Fig. 2b eine Darstellung entsprechend Fig. 2a, wobei die
Bestrahlungsdosis 50 kGy beträgt und
Fig. 3 eine Darstellung entsprechend Fig. 2a, wobei die
Bestrahlungsdosis außerhalb des
erfindungsgemäßen Bereichs bei 100 kGy liegt.
Das HD-Polyethylen Lupolen 5032X der Firma BASF wurde
geschmolzen und TiB₂-Pulver mit einer Partikelgröße < 45 µm,
das vorher zum Reinigung der Partikeloberflächen von Oxiden
geätzt worden war, als Füllmaterial beigemischt. Der Anteil
des Füllmaterials an der Mischung betrug 50 Vol.-%. Nach
Durchmischung wurde das Material durch einen Schlitz
extrudiert und Platten von 160 mm Länge, 40 mm Breite und
einer Dicke von 1,3 mm-2,5 mm hergestellt und in der
Richtung der geringsten Ausdehnung mit Elektronen einer
Energie von 2 MeV bestrahlt.
Es wurden mehrere Proben hergestellt und zur Erzielung
unterschiedlicher Vernetzungsgrade des Matrixmaterials
unterschiedlichen Bestrahlungsdosen ausgesetzt, nämlich
25 kGy, 50 kGy und 100 kGy. Eine weitere Probe wurde mit
100 kGy bestrahlt, dann auf 100°C erwärmt und 5 min auf
dieser Temperatur gehalten und nach Abkühlung nochmals mit
einer Dosis von 400 kGy bestrahlt. Zwecks Erzielung eines
möglichst homogenen Vernetzungsprofils wurde jeweils die
Hälfte der Bestrahlungsdosis auf die eine und die andere
Hälfte auf die andere Seite der Platte aufgebracht. Bei
Zugbelastung der Proben sowie einer unbestrahlten
Vergleichsprobe bis zur Reißgrenze wurden die in Fig. 1
dargestellten Resultate erzielt. Die Reißfestigkeit sowohl
bei 25°C (weiße Balken, Referenzwert der unbestrahlten
Probe 11 MPa/cm²) als auch bei 100°C (schraffierte Balken,
Referenzwert 3,15 MPa/cm²) lag bei Bestrahlungsdosen von
25 kGy und 50 kGy deutlich höher als bei der unbestrahlten
und der mit 100 kGy bestrahlten Probe. Bei der mit insgesamt
500 kGy bestrahlten Probe lag sie dann wiederum höher als
bei der mit 100 kGy bestrahlten, bei 100°C Probentemperatur
sogar beträchtlich.
Noch wichtiger als dieses Resultat sind jedoch die
Ergebnisse, die bezüglich der Kennlinienstabilität ermittelt
wurden. So ergibt sich aus Fig. 2a, daß bei einer mit
25 kGy bestrahlten Probe der spezifische Widerstand als
Funktion der Temperatur bei einer Reihe hintereinander
ausgeführter Schaltungen (die Zyklen 1, 3, 5, 7 sind durch
verschiedene Stricharten kenntlich gemacht) nur geringfügig
streut und keine systematische Verschiebung nach tieferen
Schalttemperaturen hin auftritt. Das gleiche günstige
Resultat ergibt sich für eine mit 50 kGy bestrahlte Probe
aus Fig. 2b. Dagegen zeigte, wie aus Fig. 3 ersichtlich, ein
Vergleichsversuch mit einer Probe, die mit 100 kGy bestrahlt
wurde, ein verhältnismäßig ausgeprägtes systematisches
Sinken der Schalttemperatur und auch eine ausgeprägtere
Hysterese bei den einzelnen Schaltungen.
Das beschriebene Material, bestrahlt mit 10-75 kGy,
vorzugsweise 25-50 kGy, eignet sich also hervorragend zur
Herstellung von stabilen PTC-Widerständen mit guten
Kaltleiteigenschaften oder auch komplexeren Bauteilen mit
einem PTC-Anteil. Die Kontaktierung und eventuell auch der
Zusammenbau mit anderen Bestandteilen können nach der
Fertigstellung des PTC-Materials oder auch vor der
Bestrahlung desselben erfolgen.
Die Herstellung von Platten oder auch anders geformter Teile
kann statt durch Extrudieren auch durch Spritzen oder
Pressen erfolgen.
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung eines Materials für
PTC-Widerstände, bei welchem einem polymeren Matrixmaterial
in Schmelze ein pulverförmiger Füllstoff beigemischt
wird, der im wesentlichen aus mindestens einer
Metallverbindung aus einer der Gruppen Boride, Karbide,
Nitride, Oxide, Silicide besteht, die Mischung
verfestigt und das Matrixmaterial durch
Elektronenbestrahlung vernetzt wird, dadurch
gekennzeichnet, daß die Bestrahlungsdosis zwischen
10 kGy und 75 kGy liegt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Bestrahlungsdosis zwischen 25 kGy und 50 kGy liegt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Schichtdicke des Materials in
Bestrahlungsrichtung höchstens 3 mm beträgt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Schichtdicke des Materials in Bestrahlungsrichtung
zwischen 1,3 mm und 2,5 mm liegt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das Matrixmaterial mindestens ein
Polyethylen oder Ethylencopolymer enthält.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
das Matrixmaterial ein HD-Polyethylen ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß der Füllstoff im wesentlichen aus
Titanborid besteht.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß die Partikelgröße des Füllstoffs
höchstens 50 µm beträgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß der Füllstoff vor der Beimischung
geätzt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die Mischung aus der Schmelze zu
Platten extrudiert, gespritzt oder gepreßt wird.
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