DE19548647A1 - Durchstimmbare, justierstabile Halbleiterlaserlichtquelle sowie ein Verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen Durchstimmung von Halbleiterlasern - Google Patents
Durchstimmbare, justierstabile Halbleiterlaserlichtquelle sowie ein Verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen Durchstimmung von HalbleiterlasernInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 19
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 14
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 2
- 101150049580 Esam gene Proteins 0.000 claims 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 abstract description 3
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150049168 Nisch gene Proteins 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/10—Arrangements of light sources specially adapted for spectrometry or colorimetry
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/42—Absorption spectrometry; Double beam spectrometry; Flicker spectrometry; Reflection spectrometry
- G01J3/433—Modulation spectrometry; Derivative spectrometry
- G01J3/4338—Frequency modulated spectrometry
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08018—Mode suppression
- H01S3/08022—Longitudinal modes
- H01S3/08031—Single-mode emission
- H01S3/08036—Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08018—Mode suppression
- H01S3/0804—Transverse or lateral modes
- H01S3/0805—Transverse or lateral modes by apertures, e.g. pin-holes or knife-edges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
- H01S3/08068—Holes; Stepped surface; Special cross-section
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0813—Configuration of resonator
- H01S3/0815—Configuration of resonator having 3 reflectors, e.g. V-shaped resonators
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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Description
Die Erfindung betrifft eine Laserlichtquelle mit breitbandig verstärkendem, schmalbandig
durchstimmbarem aktivem Medium, insbesondere eine Halbleiterlaserlichtquelle, die sich
durch die Möglichkeit der zumindest in breiten Bereichen der Lasergewinnkurve moden
sprungfreien Durchstimmung der Laserwellenlänge sowie zugleich durch hohe optische
Stabilität auszeichnet. Anwendungsgebiet für eine derartige Lichtquelle ist unter anderem die
optische Spektroskopie.
Durchstimmbare Lichtquellen mit einem Halbleiterlaser als aktivem Element sind in vielen
Varianten bekannt. Darunter sind auch solche, die in einem mehr oder weniger breiten
Spektralbereich eine kontinuierliche Durchstimmung ermöglichen bzw. bei Inkaufnahme von
Wellenlängensprüngen zumindest das Einstellen jeder beliebigen Wellenlänge innerhalb eines
gegebenen Intervalls gestatten.
Für die kontinuierliche Durchstimmbarkeit über einen gegebenen Wellenlängenbereich ist es
notwendig, daß während der Durchstimmung der Emissionswellenlänge des Lasers sich
gleichzeitig die optische Weglänge im Resonator passend mitändert, derart, daß bei
Einmodenbetrieb die Nummer der schwingenden Longitudinalmode in dem genannten Bereich
erhalten bleibt und Modensprünge vermieden werden. Derartige Lichtquellen sind als mono
lithische Bauelemente und als Hybridanordnungen bekannt.
Monolithische Bauelemente zeichnen sich durch Kompaktheit und dadurch aus, daß die
Abstimmung der Emissionswellenlänge und die passende Weglängenänderung im Resonator
allein mit elektronischen Mitteln in Übereinstimmung zu bringen sind. Der Bereich kontinuier
licher Durchstimmbarkeit ist jedoch um mindestens einen Faktor 2 bis 5 schmaler als die
Lasergewinnkurve. Bisher wurde ein nutzbarer kontinuierlicher Durchstimmbereich von 9 nm
bei einer Zentralwellenlänge von 1555 nm (entsprechend etwa 0,6%) erreicht /T. Wolf, S.
Illek, J. Rieger, B. Borchert, M.-C. Amann: Extended continuous tuning range (over 10 nm) of
tunable twin-guide lasers, Technical Digest Conference on Lasers and Electro-Optics
(CLEO ′94), Anaheim, May 8-13, 1994, CWB1/.
Hybridanordnungen bestehen im wesentlichen aus einer Laserdiode, die vorzugsweise ein
seitig weitestgehend entspiegelt ist, so daß diese als Resonator möglichst nicht mehr in
Erscheinung tritt, und einem externen Resonatoranteil, der eine wellenlängenselektive, durch
stimmbare Rückkopplung des emittierten Lichtes auf die entspiegelte Laserfacette gestattet.
Hierbei ist ein Durchstimmen über die gesamte Gewinnkurve des Lasers möglich. Prinzipiell
kann die Anpassung der Resonatorlänge getrennt von der Selektion des rückgekoppelten
Spektralbereiches ohne Rücksicht auf weitere Parameter erfolgen. Bisher sind jedoch nur
relativ komplizierte Anordnungen bekannt, diese Anpassung mehr oder weniger automatisiert
zu verwirklichen. Den Stand der Technik repräsentieren die folgenden drei Lösungen:
Die erste Lösung wurde von Favre et al. beschrieben /F. Favre, D. Le Guen, J. C. Simon, B.
Landousies: External-cavity semiconductor laser with 15 nm continuous tuning range,
Electronic Letters, Vol. 22, No. 15, 17-07-86, 795-796/. Das von der entspiegelten Laser
facette ausgehende Licht wird durch eine Optik kollimiert und gelangt als paralleles Bündel
unter einem bestimmten Winkel auf ein ebenes Beugungsgitter. Das wieder in die Einfalls
richtung gebeugte Licht trifft nach Durchlaufen der Optik wieder in den Laser zurück. Die
Besonderheit dieser Lösung besteht darin, daß die Drehung des Gitters (Durchstimmung des
selektierten Bereiches) mit Hilfe zweier Translationselemente und einer Koppelstange mecha
nisch mit der Resonatorlängeneinstellung verknüpft ist, so daß ein kontinuierliches Durch
stimmen der Laserwellenlänge über 1,2% der mittleren Wellenlänge gelang. Die Anordnung
des Gitters auf einem Piezotranslator erlaubt das Auskorrigieren kleiner Abweichungen.
Ein wesentlicher Nachteil dieses, wie vieler anderer Aufbauten auch, besteht darin, daß das
Laserlicht naturgemäß als kollimiertes Strahlenbündel zurückgekoppelt wird. Dies führt dazu,
daß außer den beiden Freiheitsgraden, die zur sprungfreien Wellenlängendurchstimmung
nötig sind (Verschiebung und Drehung des Gitters) noch zwei weitere Freiheitsgrade, die aber
nicht zur Verstellung irgendeines Ausgangsparameters benötigt werden, sehr empfindlich in
optimaler Stellung zu halten sind. Zum einen ist dies die Kippung des Strahlenganges senk
recht zur Dispersionsrichtung des Gitters und zum anderen die Verschiebung des Laserchips
entlang der optischen Achse gegenüber dem Kollimator, um die notwendige exakte Abbildung
der Laserfacette auf sich selbst zu erreichen. Da die optisch wirksame Facette des Laserchips
sehr klein ist, ergeben sich dadurch hohe Anforderungen an die Präzision und Stabilität der
Mechanik. Erschwerend ist dabei, daß es innerhalb dieser zweidimensionalen Justiermöglich
keit nur eine optimale Stellung und nur einen als Maßstab verwendbaren Ausgangsparameter,
nämlich die abgegebene Strahlungsleistung, gibt. Dieser Nachteil gilt entsprechend auch für
die beiden folgenden Beispiele.
In /W. Fuhrmann, W. Demtröder: A Continuously Tunable GaAs Diode Laser with an
Extemal Resonator, Appl. Phys. B 49, 29-32 (1989)/ wird ebenfalls eine Hybridanordnung
beschrieben. Der Zusammenhang zwischen selektiertem Spektralbereich und optischer Neg
länge im Resonator wird hier mit einer elektronischen Regelung hergestellt; Stellglied zum
Anpassen der wirksamen Resonatorlänge ist eine durch einen Galvanometerantrieb drehbare
Brewsterplatte. Es wird ein Gesamtdurchstimmbereich von 1,8% der mittleren Emissions
wellenlänge, davon aber nur jeweils 0,014% kontinuierlich, erreicht.
Die EP 03 35 691 A1, H 01 S 3/08 enthält eine Lösung, bei der die Resonatorlängenänderung
allein durch einen Piezotranslator erfolgt. Soll über mehr als den Bruchteil eines Moden
abstandes kontinuierlich durchgestimmt werden, ist hier ebenfalls eine elektronische Regelung
erforderlich. Wegen des begrenzten Stellweges des Piezotranslators ist der kontinuierlich
durchstimmbare Bereich auch bei diesem Konzept gering.
Der mechanische Aufbau der ersten Lösung erlaubt wegen seines langen Stellweges für die
Resonatorlänge als einziger ein kontinuierliches Stellen der Wellenlänge über einen großen
Bereich. Die Mechanik läßt naturgemäß jedoch nur ein langsames Durchstimmen zu. Die
beiden anderen Lösungen erlauben eine kontinuierliche Durchstimmung nur über schmale
Bereiche.
Zur Wellenlängenselektion in Lasern mit breitbandig stimulierbarem Medium, insbesondere
Farbstofflasern, ist ferner eine Anordnung bekannt, die in der DE-AS 20 51 328, H 01 S 3/08
und zugehörigem Zusatzpatent DE-OS 22 36 505, H 01 S 3/08 in verschiedenen Varianten
behandelt wird. Dabei wird die Selektion der Wellenlänge im wesentlichen dadurch erreicht,
daß innerhalb des Resonators das Licht in eine Lochblende fokussiert wird und hinter der
Lochblende eine Optik mit hoher Farblängsabweichung und kleinem Öffnungsfehler ange
ordnet ist, derart, daß in Verbindung mit einem der Resonatorspiegel für nur jeweils einen
schmalen Wellenlängenbereich eine Abbildung zurück in die Lochblende ohne wesentliche
Verluste erfolgt. Die Abstimmung erfolgt durch Verschiebung der Optik entlang ihrer optischen
Achse. Zur Erhöhung der Selektivität ist die optische Achse der Selektionsanordnung gegen
über der geometrischen Achse des stimulierbaren Mediums entweder verschoben oder bildet
einen Winkel mit ihr. Die Optik mit der hohen Farblängsabweichung kann mit dem zugehö
rigen Resonatorendspiegel als Fresnelzonenlinse zu einem Bauelement vereinigt sein.
Dieses Patent hat ausschließlich die Selektion der Wellenlänge zum Inhalt. Bezug auf das
Verhalten der Moden im Resonator oder auf die Stabilität der Anordnung wird nicht
genommen.
Der Stand der Technik zur Erhöhung der Justiertoleranz bei Lasern mit externen Resonatoren
wird im wesentlichen von zwei Lösungen bestimmt:
Die erste Lösung ist in /P. Zorabedian and W. R. Trutna, Jr.: Interference-filter-tuned,
alignment-stabilized, semiconductor extemal-cavity laser, OPTICS LETTERS/Vol. 13, No. 10
(1988), pp 826. . .828./ beschrieben. Zur justiertoleranten Rückkopplung der Laserstrahlung
wird ein Katzenaugen-Retroreflektor (sammelnde Optik mit Spiegel in deren Brennebene)
benutzt. Als selektives Element befindet sich im parallelen Strahlengang innerhalb des
Resonators ein Interferenzfilter. Zur Durchstimmung der Laserwellenlänge ist dieses Filter
drehbar gelagert. Die Auskopplung der nutzbaren Strahlung erfolgt aus der dem externen
Resonator abgewandten Facette des Laserchips.
Eine weitere Möglichkeit zum Aufbau eines justierstabilen Lasers mit externem Resonator
beinhaltet die EP 0 525 752 A1, H 01 S 3/1055. Hierbei wird im Prinzip ebenfalls ein
Katzenaugen-Retroreflektor angewandt, seine Wirkung jedoch auf eine Koordinate begrenzt.
Durch eine geeignete Kombination aus Prismen und einer Zylinderoptik zur Strahlformung
sowie den Einsatz eines Beugungsgitters als Reflektor ergibt sich, daß eine Abbildung der
Laserfacette auf das Gitter nur senkrecht zur Dispersionsrichtung erfolgt. In Dispersions
richtung ist das das Gitter treffende Strahlbündel jedoch weitestgehend parallel und relativ
breit. Auf diese Weise wird erreicht, daß das Gitter ohne Einschränkung zur Durchstimmung
der Laserwellenlänge benutzt werden kann, andererseits die Anordnung weitgehend tolerant
gegenüber einer Gitterkippung senkrecht zur Dispersionsrichtung ist.
Die beiden letzteren Lösungen erhöhen die Toleranz gegenüber Verkippungen des Rückkopp
lungsstrahlengangs erheblich. Es bleibt aber immer noch ein Freiheitsgrad, der nicht stabili
siert ist, nämlich die Verschiebung des Laserchips gegenüber dem Kollimator entlang der
optischen Achse zur Fokussierung des Bildes der Laserfacette auf dieselbe. Im übrigen
beinhalten diese Lösungen keine modensprungfreie Wellenlängendurchstimmung.
Über einen weiten Bereich kontinuierlich durchstimmbare Laserlichtquellen werden u. a. in der
optischen Spektroskopie benötigt. Deren Bedeutung ergibt sich u. a. daraus, daß ein Moden
abstand bei gebräuchlichen Resonatorlängen mindestens etwa einer Atomlinienbreite ent
spricht und dadurch bei diskontinuierlicher Durchstimmung entsprechend breite Wellenlängen
bereiche übersprungen werden.
Bereits verfügbare Geräte, die im wesentlichen nach dem von Favre et al. (s. oben) beschrie
benen Prinzip arbeiten, beinhalten wegen der hohen Justierempfindlichkeit der Anordnung
besondere Mittel, wie aktive Regelungen und/oder einen massiven Aufbau, wodurch diese
recht kostspielig sind.
Nun wäre eine derartige Lichtquelle wünschenswert, die demgegenüber zum einen mit
wesentlich weniger Aufwand für die Stabilisierung des Systems auskommt und zum anderen
eine schnellere Wellenlängendurchstimmung bzw. eine Wellenlängenmodulation ermöglicht.
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Schaffung einer Halbleiterlaserlichtquelle, bei der
eine hohe Stabilität durch das optische Konzept erreicht wird und die zudem die Möglichkeit
bietet, die Laserwellenlänge zumindest über weite Teilbereiche der Gewinnkurve des Halb
leitermaterials dadurch sprungfrei durchzustimmen, daß der notwendige Zusammenhang
zwischen der Selektion des rückgekoppelten Spektralbereiches und optischer Weglänge im
Resonator auf einfache und möglichst nichtmechanische Weise gegeben ist.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird eine Hybridanordnung benutzt, bestehend aus dem einseitig
weitestgehend entspiegelten Laserchip, einem weitgehend öffnungsfehlerkorrigierten opti
schen System mit hoher Farblängsabweichung zur Abbildung der Laserfacette auf einen
Reflektor und dem Reflektor selbst. Die hohe Farblängsabweichung wird dabei durch geeig
nete Konfiguration und durch die Wahl der Abbildungsmaßstäbe des optischen Systems
erreicht.
Die Erfindung soll nachfolgend an mehreren Ausführungsbeispielen erläutert werden. Es
zeigen als schematische Darstellung:
Fig. 1 die Grundausführung der Laserlichtquelle,
Fig. 2 eine hinsichtlich kontinuierlicher Durchstimmbarkeit verbesserte Variante und
Fig. 3 eine Ausführung, die eine besonders einfache und schnelle kontinuierliche
Wellenlängendurchstimmung erlaubt.
Im einfachsten Fall (Fig. 1) besteht das optische System aus einer ersten Teiloptik O11, die
als einen wesentlichen Bestandteil einen Kollimator KO enthält und einer zweiten Teiloptik
O12, die ein verkleinertes Bild der Laserfacette auf dem Reflektor SP erzeugt und diesen
enthält. Die Einkopplung der vom Laserchip LD abgegebenen Strahlung in das optische
System erfolgt zweckmäßig über einen unter 45° stehenden Trennspiegel TS, der um die
optische Achse herum mit einer Kegelbohrung versehen ist. Auf diese Weise gelangt nur
Strahlung in das optische System, die den Laserchip LD mit einem Mindestwert an nume
rischer Apertur verläßt. Die Bündel mit geringerem Öffnungswinkel, die der Selektivität der
Anordnung schaden würden, weil sich bei ihnen die Farblängsabweichung in nur eine gering
fügige Querabweichung am Ort der Laserfacette umsetzt, werden durch die Bohrung im
Spiegel TS als nutzbare Strahlung S aus dem Resonator geführt.
Am Ort des Lasers ergibt sich eine hohe Farblängsabweichung, so daß Einmodenbetrieb der
Laserlichtquelle erreicht werden kann. Durch Verschiebung der Laserdiode LD entlang der
optischen Achse (Pfeilrichtung V1) läßt sich so die Emissionswellenlänge der Anordnung
verstellen. Die Farblängsabweichung läßt sich hier aber nicht so weit erhöhen, daß sich die
Resonatorlänge im gleichen Maße wie die selektierte Wellenlänge ändert. Darum erfolgt die
Wellenlängendurchstimmung zweckmäßig zunächst durch Verschieben der zweiten Teiloptik
O12 gegenüber der ersten Teiloptik O11 entlang der optischen Achse (Pfeilrichtung V2),
während gleichzeitig mit Hilfe einer Regelung die selektierte Wellenlänge durch Verschieben
der Laserdiode LD entlang der optischen Achse (Pfeilrichtung V1) derart nachgeführt wird,
daß keine Modensprünge auftreten. Dabei sorgt die Ausführung der zweiten Teiloptik O12 als
Retroreflektor für eine vergleichsweise sehr hohe Toleranz gegen geringe Justierabweichun
gen bei diesen Bewegungen. Auf diese Weise ist eine modensprungfreie Wellenlängen
durchstimmung mit nur einer einzigen Regelung möglich, mit der zugleich auch ein Einfluß der
Dispersion im Laserchip selbst berücksichtigt wird. Sonst übliche weitere aktive und/oder
passive Stabilisierungen entfallen.
Eine zweite Variante der Laserlichtquelle (Fig. 2) bedient sich eines ganz ähnlichen optischen
Systems wie Beispiel 1, jedoch mit dem Unterschied, daß die erste Teiloptik O21 die
Laserfacette nicht nach Unendlich abbildet, sondern auf eine endliche Bildweite und dem
entsprechend die zweite Teiloptik O22 derart ausgelegt ist, daß sie unter diesen Bedingungen
ein Bild der Laserfacette auf dem Reflektor SP erzeugt. Ein Verschieben der Teiloptik O22 in
Pfeilrichtung V2 hat damit nicht nur eine Veränderung der Resonatorlänge wie in Beispiel 1
zur Folge, sondern verändert zugleich die Fokussierung auf die Laserdiodenfacette. So kann
die Durchstimmung der Laserwellenlänge auch allein durch Verschieben der zweiten Teiloptik
O22 gegenüber der ersten Teiloptik O21 entlang der optischen Achse erfolgen. Am Ort des
Laserchips LD wird im wesentlichen die gleiche Farblängsabweichung wie in Beispiel 1
erreicht, so daß die notwendige Selektivität der Anordnung gegeben ist. Durch geeignete
Wahl des Abbildungsmaßstabes der ersten Teiloptik O21 und entsprechender Anpassung der
zweiten Teiloptik O22 läßt sich hier aber erreichen, daß sich, wie angestrebt, die optische
Weglänge im Resonator im gleichen Maße wie die selektierte Wellenlänge ändert, so daß
Modensprünge zumindest weitgehend von vornherein vermieden werden. Da ein durch
Umgebungseinflüsse bzw. geringfügige Bewegungen der Mechanik verursachtes Springen der
Mode möglich ist, ist auch hier eine elektronische Regelung vorteilhaft. Das Ausregeln kleiner
Abweichungen im Zusammenhang zwischen Wellenlängenselektion und Resonatorlängen
änderung erfolgt hier durch nur ganz geringfügiges Verstellen der Laserdiode entlang der
optischen Achse (Pfeilrichtung V1), da eine Verschiebung V1 im Gegensatz zu der
Verschiebung V2 die Wellenlängenselektion stark und die Resonatorlänge weniger ändert.
Der Vorteil dieser Variante gegenüber Beispiel 1 besteht darin, daß hier bereits Wellenlängen
durchstimmung und passende Resonatorlängenänderung durch Stellen im wesentlichen nur
einer Koordinate (V2) erreicht werden, wobei beide durch Auswahl eines Abbildungs
maßstabs einander angeglichen werden können.
Eine dritte Variante der Laserlichtquelle (Fig. 3) stellt den Zusammenhang zwischen Wellen
längenselektion und passender Resonatorlängenänderung ebenfalls auf optische Weise her.
Das optische System dieses Aufbaus enthält im wesentlichen zwei vollständige, gegen
einander angeordnete Abbildungsoptiken AO1, AO2 sowie den Reflektor SP. Das Gesamt
system ist zweckmäßig in zwei Teile T1 und T2 aufgeteilt, zwischen denen ein weitgehend
parallel er Strahlengang P auftritt. Zunächst erfolgt eine verkleinerte Abbildung der Laser
facette durch die erste Abbildungsoptik AO1, die im wesentlichen dem optischen System aus
Beispiel 1 entspricht. Vom Ort des Bildes der Laserfacette wird hier jedoch nicht die Strahlung
in dieselbe Optik reflektiert, sondern sie durchläuft eine nahezu identische Abbildungsoptik
AO2 in entgegengesetzter Richtung und trifft dann erst auf den Reflektor SP. Der Unterschied
der zweiten Abbildungsoptik AO2 zur ersten Abbildungsoptik AO1 besteht im wesentlichen
nur darin, daß die Bildweite der zweiten Abbildungsoptik zum Reflektor SP mehrfach größer
ist als die Gegenstandsweite der ersten Abbildungsoptik zum Laserchip LD. Auf diese Weise
wird am Ort des Lasers die angestrebte hohe Farblängsabweichung bei zugleich möglichster
Ausnutzung des Öffnungswinkels der Laserstrahlung und damit die nötige Selektivität erreicht,
zugleich ist aber einfach durch geeignete Wahl des Abbildungsmaßstabes der zweiten
Abbildungsoptik AO2 die Farblängsabweichung am Ort des Bildes der Laserfacette auf dem
Reflektor SP derart eingestellt, daß sich allein durch Verschieben des Reflektors SP in
Richtung V3 die Emissionswellenlänge der Laserlichtquelle einschließlich der passenden
optischen Resonatorlängenänderung verstellen läßt. Am Reflektor ist hier kein großer
Öffnungswinkel nötig, da die Wellenlängenselektion nur bei der Abbildung auf die Laserfacette
erfolgt. Eine geringfügige Verstellung der Laserdiode entlang der optischen Achse ermöglicht
hier ebenfalls die Korrektur kleiner Abweichungen im Zusammenhang zwischen Wellen
längenselektion und Resonatorlängenänderung. Zwischen beiden Teilen T1, T2 des Gesamt
systems ist der Strahlengang P weitgehend parallel. Die Länge des parallel verlaufenden
Strahlenganges ist in gewissen Grenzen variierbar, so daß sich hier eine Justagemöglichkeit
für die Gesamtresonatorlänge ergibt. Der Reflektor SP ist z. B. auf einer Meßschraube SCH
befestigt.
Der Vorteil dieser Anordnung gegenüber Beispiel 1 besteht darin, daß sich die Farblängs
abweichungen am Ort des Laserchips und am Ort des Reflektors unabhängig voneinander
festlegen lassen und damit die kontinuierliche Durchstimmbarkeit durch Verstellen nur einer
Koordinate erreicht werden kann und darüber hinaus gegenüber Beispiel 2 darin, daß als
Abstimmelement nur der kleine, leichte Reflektor bewegt werden muß, was die Handhabung
erleichtert und zudem die Möglichkeit der schnellen Wellenlängenmodulation z. B. dadurch
gibt, daß der Reflektor auf einem Piezotranslator angebracht werden kann. Da die Modulation
in der Regel nur über einen relativ kleinen Teil des gesamten Durchstimmbereiches erfolgt,
reicht hierfür die Genauigkeit des Verlaufs der Farblängsabweichung der Optik aus. Die
Regelung muß daher der Modulationsfrequenz nicht folgen können. Im Gegensatz zu den
erwähnten bekannten Anordnungen, bei denen eine Modulation der Laserwellenlänge nur
durch Veränderung der Resonatorlänge allein erfolgen kann, ist hier die Verschiebung des
Lasers zwangsläufig auch mit der passenden Verschiebung des rückgekoppelten Spektral
bereiches verbunden, so daß die schwingende Lasermode problemlos über viele Moden
abstände kontinuierlich moduliert werden kann.
Bezugszeichenliste
AO1 Abbildungsoptik 1
AO2 Abbildungsoptik 2
KO Kollimator
LD Laserdiode
O11, O21 erste Telloptik
O12, O22 zweite Telloptik
P paralleler Strahlengang
S nutzbare Laserstrahlung
SCH Meßschraube
SP Reflektor
T1 erster Teil des Resonators
T2 zweiter Teil des Resonators
TS Trennspiegel
V1 Verschiebung 1
V2 Verschiebung 2
V3 Verschiebung 3
AO2 Abbildungsoptik 2
KO Kollimator
LD Laserdiode
O11, O21 erste Telloptik
O12, O22 zweite Telloptik
P paralleler Strahlengang
S nutzbare Laserstrahlung
SCH Meßschraube
SP Reflektor
T1 erster Teil des Resonators
T2 zweiter Teil des Resonators
TS Trennspiegel
V1 Verschiebung 1
V2 Verschiebung 2
V3 Verschiebung 3
Claims (9)
1. Durchstimmbare Halbleiterlaserlichtquelle, deren wirksamer Resonator im wesentlichen aus
einem Laserchip (LD) mit vorzugsweise einer stark verspiegelten und einer weitgehend
entspiegelten Facette als optischem Verstärker einschließlich einem Resonatorendspiegel,
einem weitgehend öffnungsfehlerkorrigierten optischen System sowie einem Reflektor (SP)
besteht, dadurch gekennzeichnet, daß das optische System eine hohe Farblängsabwei
chung besitzt, dabei aber zumindest über einen großen Teil der Lasergewinnkurve eine weit
gehend beugungsbegrenzte Abbildung bei entsprechender Fokussierung gestattet, so daß es
das einzige oder zumindest entscheidende selektive Element im Laserresonator darstellt und
sich zugleich der Reflektor (SP) am Ort eines Laserbildes befindet, so daß die Durchstimmung
der Laserwellenlänge durch Verschiebung des Laserchips (LD) oder des Reflektors (SP)
gegenüber dem Restresonator oder allgemein von Teilen des Gesamtresonators gegenüber
anderen Teilen des Gesamtresonators bei einer hohen Toleranz gegen Justierabweichungen
des Aufbaus erfolgt.
2. Halbleiterlaserlichtquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur
Rückkopplung nur die Strahlenbündel, die die Laserdiode (LD) mit höherer Apertur verlassen,
vorgesehen sind und die Bündel mit geringer Apertur als nutzbarer Strahlungsanteil aus dem
Resonator geführt werden.
3. Halbleiterlaserlichtquelle nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur optischen
Kopplung der Laserdiode (LD) mit dem externen Resonator sowie zur Auskopplung der
nutzbaren Strahlung ein vorzugsweise unter 45° stehender durchbohrter Spiegel (TS)
vorgesehen ist.
4. Halbleiterlaserlichtquelle nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das
optische System aus zwei Teiloptiken (O11, O12) besteht, zwischen denen der Strahlengang
weitgehend parallel verläuft und die damit durch Änderung des Abstands zwischen beiden
Teiloptiken (O11, O12) eine Veränderung der optischen Weglänge im Resonator gestattet,
ohne daß sich die wellenlängenabhängige Fokussierung wesentlich ändert und die damit die
Möglichkeit gibt, durch geeignetes gleichzeitiges Verstellen des Abstands zwischen den
beiden Teiloptiken (O11, O12) und der Fokussierung die Laserwellenlänge derart durchzu
stimmen, daß die Nummer der Mode im Gesamtresonator konstant gehalten werden kann und
so keine Modensprünge auftreten.
5. Halbleiterlaserlichtquelle nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der
für eine sprungfreie Wellenlängendurchstimmung erforderliche Zusammenhang zwischen
Wellenlängenselektion und Resonatorlängenanpassung ganz oder weitestgehend durch
Verschiebung nur eines Teiles der Gesamtanordnung entlang der optischen Achse gegenüber
dem Restresonator erreicht wird.
6. Halbleiterlaserlichtquelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste
Teiloptik (O21) den Laser nicht nach Unendlich, sondern auf eine endliche Bildweite abbildet,
derart, daß sich allein durch Verschiebung der zweiten Teiloptik (O22) einschließlich Reflektor
(SP) gegenüber der ersten Teiloptik (O21) einschließlich der Laserdiode (LD) sowohl die
Wellenlängendurchstimmung als auch die zumindest weitestgehend passende
Resonatorlängenänderung ergibt, um Modensprünge zu vermeiden.
7. Halbleiterlaserlichtquelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das optische
System eine erste (AO1) und eine zweite (AO2) Abbildungsoptik enthält, wobei beide eine
hohe Farblängsabweichung besitzen, die erste Abbildungsoptik (AO1) ein verkleinertes Bild
der Laserfacette erzeugt, danach die zweite Abbildungsoptik (AO2) von diesem Bild eine
vergrößerte Abbildung auf dem Reflektor (SP) entwirft und auf diese Weise zum einen am Ort
der Laserfacette die zur Selektion notwendige hohe Farblängsabweichung vorhanden ist, zum
anderen unhabhängig davon durch geeignete Wahl des Abbildungsmaßstabs der zweiten
Abbildungsoptik (AO2) die Farblängsabweichung am Ort des Reflektors so bemessen ist, daß
bei Verschiebung des Reflektors (SP) entlang der optischen Achse sich Wellenlängenselektion
und optische Resonatorlänge analog zueinander ändern, so daß die Durchstimmung
zumindest weitgehend ohne Modensprünge erfolgt.
8. Verfahren zur Durchstimmung von Halbleiterlasern mit vorzugsweise einer stark
verspiegelten und einer weitgehend entspiegelten Facette, dadurch gekennzeichnet, daß die
emittierende Zone des Lasers mittels der von dieser ausgehenden divergenten Strahlung im
wesentlichen beugungsbegrenzt abgebildet wird, am Ort des Bildes eine Reflexion der
Strahlung erfolgt, derart, daß diese optisch stabil und mit hoher Farblängsabweichung wieder
in die strahlende Laserzone rückgekoppelt wird und zugleich wegen der hohen Farblängsab
weichung dies nur für einen schmalen Spektralbereich wirksam zutrifft und daß durch
Verändern einer oder mehrerer optischer Entfernungen eine Verschiebung des mit den
geringsten Verlusten rückgekoppelten Spektralbereiches erfolgt, wobei die emittierende Zone
des Lasers dabei keine ebene Fläche sein muß, sondern auch mit Astigmatismus verbunden
sein kann und außerdem der Abbildung der emittierenden Zone des Lasers am Ort der
Reflexion bereits eine oder mehrere Abbildungen derselben vorausgegangen sein können.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß durch geeignete Bemessung
eines oder mehrerer Abbildungsmaßstäbe innerhalb des Gesamtverfahrens unabhängig von
der jeweiligen Wahl des mit den geringsten Verlusten rückgekoppelten
Wellenlängenbereiches die Nummer der schwingenden Zentral- oder einzigen Mode mit
höchstens geringfügigen Abweichungen immer gleich ist und dadurch bei einer Durch
stimmung des rückgekoppelten Wellenlängenbereiches zumindest über mehrere Moden
abstände keine Modensprünge auftreten bzw. eine modensprungfreie Durchstimmung über im
wesentlichen die gesamte Gewinnkurve des Lasers mit höchstens geringfügigen Korrekturen
möglich ist.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19548647A DE19548647C2 (de) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | Durchstimmbare, justierstabile Halbleiterlaserlichtquelle sowie ein Verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen Durchstimmung von Halbleiterlasern |
PCT/DE1996/002458 WO1997022166A2 (de) | 1995-12-14 | 1996-12-13 | Durchstimmbare, justierstabile halbleiterlaserlichtquelle sowie ein verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen durchstimmung von halbleiterlasern |
EP96946101A EP0867057A2 (de) | 1995-12-14 | 1996-12-13 | Durchstimmbare, justierstabile halbleiterlaserlichtquelle sowie ein verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen durchstimmung von halbleiterlasern |
US09/077,957 US6785305B1 (en) | 1995-12-14 | 1996-12-13 | Tuneable, adjustment-stable semiconductor laser light source and a method for the optically stable, largely continuous tuning of semiconductor lasers |
JP9521621A JP2000501887A (ja) | 1995-12-14 | 1996-12-13 | 同調可能かつ調整が安定な半導体レーザ光源及び半導体レーザの光学的に安定なほぼ連続的な同調のための方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19548647A DE19548647C2 (de) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | Durchstimmbare, justierstabile Halbleiterlaserlichtquelle sowie ein Verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen Durchstimmung von Halbleiterlasern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19548647A1 true DE19548647A1 (de) | 1997-06-26 |
DE19548647C2 DE19548647C2 (de) | 2003-01-23 |
Family
ID=7781351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19548647A Expired - Fee Related DE19548647C2 (de) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | Durchstimmbare, justierstabile Halbleiterlaserlichtquelle sowie ein Verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen Durchstimmung von Halbleiterlasern |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6785305B1 (de) |
EP (1) | EP0867057A2 (de) |
JP (1) | JP2000501887A (de) |
DE (1) | DE19548647C2 (de) |
WO (1) | WO1997022166A2 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004050118A1 (de) * | 2004-07-30 | 2006-03-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaserbauelement, optische Vorrichtung für ein Halbleiterlaserbauelement und Verfahren zur Herstellung einer optischen Vorrichtung |
US20070002922A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Intel Corporation | Retro-reflecting lens for external cavity optics |
JP2016134484A (ja) * | 2015-01-19 | 2016-07-25 | 国立大学法人大阪大学 | レーザー共振装置、及びそれを備えたレーザー装置、並びに、可変型バンドパスフィルタ装置 |
DE102018208147A1 (de) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messanordnung zur frequenszbasierten Positionsbestimmung einer Komponente |
CN112821191A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-18 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 半导体激光器驱动电路、多线激光器及多线激光雷达 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5050179A (en) * | 1989-04-20 | 1991-09-17 | Massachusetts Institute Of Technology | External cavity semiconductor laser |
US5172390A (en) * | 1989-04-20 | 1992-12-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Pre-aligned diode laser for external cavity operation |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH503394A (de) * | 1969-02-06 | 1971-02-15 | Inst Angewandte Physik | Verfahren zur Modulation eines Laserstrahles |
DE2051328B2 (de) | 1970-10-20 | 1973-03-29 | Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim | Vorrichtung zur wellenlaengenselektion bei breitbandig emittierenden lasern |
GB8807385D0 (en) | 1988-03-29 | 1988-05-05 | British Telecomm | Semiconductor device assembly |
JP2527007B2 (ja) * | 1988-09-29 | 1996-08-21 | 日本電気株式会社 | 光機能素子 |
US4907237A (en) * | 1988-10-18 | 1990-03-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Optical feedback locking of semiconductor lasers |
JPH03209638A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Fujitsu Ltd | 光学ヘッド |
US5177750A (en) | 1991-07-30 | 1993-01-05 | Hewlett-Packard Company | Misalignment-tolerant, grating-tuned external-cavity laser with enhanced longitudinal mode selectivity |
US5386426A (en) | 1992-09-10 | 1995-01-31 | Hughes Aircraft Company | Narrow bandwidth laser array system |
US5524012A (en) * | 1994-10-27 | 1996-06-04 | New Focus, Inc. | Tunable, multiple frequency laser diode |
-
1995
- 1995-12-14 DE DE19548647A patent/DE19548647C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-13 EP EP96946101A patent/EP0867057A2/de not_active Withdrawn
- 1996-12-13 US US09/077,957 patent/US6785305B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-13 WO PCT/DE1996/002458 patent/WO1997022166A2/de not_active Application Discontinuation
- 1996-12-13 JP JP9521621A patent/JP2000501887A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5050179A (en) * | 1989-04-20 | 1991-09-17 | Massachusetts Institute Of Technology | External cavity semiconductor laser |
US5172390A (en) * | 1989-04-20 | 1992-12-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Pre-aligned diode laser for external cavity operation |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
US-Z.: "IEEE Jouran. Quantum Electron.", Vol. 30, No. 9, Sept. 1994, S. 2087-2097 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0867057A2 (de) | 1998-09-30 |
WO1997022166A3 (de) | 1997-08-14 |
WO1997022166A2 (de) | 1997-06-19 |
DE19548647C2 (de) | 2003-01-23 |
US6785305B1 (en) | 2004-08-31 |
JP2000501887A (ja) | 2000-02-15 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8122 | Nonbinding interest in granting licences declared | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: GABBERT, MANFRED, DIPL.-PHYS., 10249 BERLIN, DE |
|
8381 | Inventor (new situation) |
Inventor name: REINECKER, WOLFGANG, DR.-ING., 13051 BERLIN, DE Inventor name: GABBERT, MANFRED, DIPL.-PHYS., 10249 BERLIN, DE |
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R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
R409 | Internal rectification of the legal status completed | ||
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