JP2527007B2 - 光機能素子 - Google Patents
光機能素子Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、複合共振型半導体レーザ光増幅装置を用い
た光機能素子に関するものである。
た光機能素子に関するものである。
（従来の技術） 半導体レーザ光増幅器（LD光増幅器）は単なる光増幅
だけでなく、光機能素子としての応用が可能であり、従
来次の２つのものが考えられていた。
だけでなく、光機能素子としての応用が可能であり、従
来次の２つのものが考えられていた。
（１）制御光による共振型LD光増幅器の利得スペクトラ
ム変化を利用するもの、 （２）LD光増幅器内での四光子混合を利用するもの、 （１）は「レーザと電気光学に関する会議 （Conference on Lasers and Electro−optics:CLE
O）」、1986年テクニカル・ダイジェスト、論文番号FH
3、354−355頁に述べられている。
ム変化を利用するもの、 （２）LD光増幅器内での四光子混合を利用するもの、 （１）は「レーザと電気光学に関する会議 （Conference on Lasers and Electro−optics:CLE
O）」、1986年テクニカル・ダイジェスト、論文番号FH
3、354−355頁に述べられている。
LD光増幅器の利得スペクトラムの形状は入射光強度に
依存する。つまり、LD光増幅器に２つの光を同時に入射
させた場合、一方の光の強度を変化させることにより、
他方の光の増幅度を制御することができる。この効果
は、用いる光増幅器が共振型で入射する光の波長が、そ
の共振ピーク波長のいずれか（必ずしも同一ピークでな
くてもよい）に一致している場合、非常に顕著となる。
そのため、共振型LD光振幅器を用いたものが考えられて
いる。
依存する。つまり、LD光増幅器に２つの光を同時に入射
させた場合、一方の光の強度を変化させることにより、
他方の光の増幅度を制御することができる。この効果
は、用いる光増幅器が共振型で入射する光の波長が、そ
の共振ピーク波長のいずれか（必ずしも同一ピークでな
くてもよい）に一致している場合、非常に顕著となる。
そのため、共振型LD光振幅器を用いたものが考えられて
いる。
一方、LD光増幅器に波長の異なる複数の光を入射させ
ると、四光子混合が生じることが知られている。（雑誌
「アプライド・フィジクス・レターズ（Applied Physic
s Letters）」、第51巻、1987年、1051〜1053頁）この
効果によれば、発振光周波数f1、f2（f2＞f1）の２つの
光を同時にLD光増幅器に入射させると、f3＝2f1−f2、f
4＝2f2−f1なる光周波数の光パワーがx(3)プロセスによ
り作り出される。従ってこの結果を光制御光変長器、波
長変換器に利用することができる。このような４光子混
合プロセスは進行波型LD光増幅器の中でも生じるが、共
振型LD光増幅器を用い、入射光波長を共振ピーク波長に
一致させた場合、一層顕著となる。
ると、四光子混合が生じることが知られている。（雑誌
「アプライド・フィジクス・レターズ（Applied Physic
s Letters）」、第51巻、1987年、1051〜1053頁）この
効果によれば、発振光周波数f1、f2（f2＞f1）の２つの
光を同時にLD光増幅器に入射させると、f3＝2f1−f2、f
4＝2f2−f1なる光周波数の光パワーがx(3)プロセスによ
り作り出される。従ってこの結果を光制御光変長器、波
長変換器に利用することができる。このような４光子混
合プロセスは進行波型LD光増幅器の中でも生じるが、共
振型LD光増幅器を用い、入射光波長を共振ピーク波長に
一致させた場合、一層顕著となる。
（発明が解決しようとする課題） 前述のように、これ迄考えられているLD光増幅器を用
いた光機能素子では、共振型LD光増幅器の共振ピーク波
長に、入射光の波長を一致させて動作させるものであっ
た。LD光増幅器の共振ピーク周波数間隔Δｆはｃを光
速、ｎを媒質の屈折率、ｌを共振器長として、 と書ける。通常の1nGaAsP系材料によるLD光増幅器の典
型値としてｎ〜４、ｌ＝500μｍを用いると、Δｆは75G
Hz（1.55μｍ帯で〜６Å）となる。現在、研究の進めら
れている高密度波長多重光伝達／光交換では波長チャン
ネル間隔を10GHz程度以下とすることが考えられてい
る。従って、このような狭い波長間隔の光をLD光増幅器
に入射させても、LD光増幅器の共振ピーク間隔に一致さ
せることができず、大きな効果を得ることができない。
LD光増幅器の共振ピーク周波数間隔Δｆは共振器長を長
くすることにより小さくすることはできるが、その場
合、・LD光増幅器の発振を抑圧するのが困難、・動作電
流値が高くなる、という課題があり実際的ではない。ま
た共振ピーク周波数間隔は素子の共振器長で決まるた
め、素子を特定すると変更できないという課題がある。
いた光機能素子では、共振型LD光増幅器の共振ピーク波
長に、入射光の波長を一致させて動作させるものであっ
た。LD光増幅器の共振ピーク周波数間隔Δｆはｃを光
速、ｎを媒質の屈折率、ｌを共振器長として、 と書ける。通常の1nGaAsP系材料によるLD光増幅器の典
型値としてｎ〜４、ｌ＝500μｍを用いると、Δｆは75G
Hz（1.55μｍ帯で〜６Å）となる。現在、研究の進めら
れている高密度波長多重光伝達／光交換では波長チャン
ネル間隔を10GHz程度以下とすることが考えられてい
る。従って、このような狭い波長間隔の光をLD光増幅器
に入射させても、LD光増幅器の共振ピーク間隔に一致さ
せることができず、大きな効果を得ることができない。
LD光増幅器の共振ピーク周波数間隔Δｆは共振器長を長
くすることにより小さくすることはできるが、その場
合、・LD光増幅器の発振を抑圧するのが困難、・動作電
流値が高くなる、という課題があり実際的ではない。ま
た共振ピーク周波数間隔は素子の共振器長で決まるた
め、素子を特定すると変更できないという課題がある。
本発明の目的は上述のような問題点を除き、低光パワ
ーでかつ低動作電流で安定に動作し、入射させるべき光
の周波数間隔に応じて共振ピーク周波数間隔を設定可能
な光機能素子を実現できる複合共振型LD光増幅装置を用
いた光機能素子を提供することにある。
ーでかつ低動作電流で安定に動作し、入射させるべき光
の周波数間隔に応じて共振ピーク周波数間隔を設定可能
な光機能素子を実現できる複合共振型LD光増幅装置を用
いた光機能素子を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明の光機能素子は、半導体レーザ光増幅器と複合
共振器を構成するための外部反射鏡とからなる複合共振
型半導体レーザ光増幅装置と、前記複合共振型半導体レ
ーザ光増幅装置へ前記複合共振器の共振周波数ピークの
１つにそれぞれ一致した光周波数の第１、第２の光を入
射する手段と、前記第１、第２の光のうち少なくとも一
方の前記複合共振型半導体レーザ光増幅装置を透過した
光を分離して取り出す手段とからなることを特徴とす
る。
共振器を構成するための外部反射鏡とからなる複合共振
型半導体レーザ光増幅装置と、前記複合共振型半導体レ
ーザ光増幅装置へ前記複合共振器の共振周波数ピークの
１つにそれぞれ一致した光周波数の第１、第２の光を入
射する手段と、前記第１、第２の光のうち少なくとも一
方の前記複合共振型半導体レーザ光増幅装置を透過した
光を分離して取り出す手段とからなることを特徴とす
る。
または、半導体レーザ光増幅器と複合共振器を構成す
るための外部反射鏡とからなる複合共振型半導体レーザ
光増幅装置と、前記複合共振型半導体レーザ光増幅装置
へ前記複合共振器の共振周波数ピークの１つに一致した
互いに発振周波数の異なる２つ以上の光を入射する手段
と、前記複合共振型半導体レーザ光増幅装置から前記２
つ以上の光とは光周波数が異なりかつ前記複合共振器の
共振周波数ピークに一致した周波数の光を分離して取り
出す手段とからなることを特徴とする。
るための外部反射鏡とからなる複合共振型半導体レーザ
光増幅装置と、前記複合共振型半導体レーザ光増幅装置
へ前記複合共振器の共振周波数ピークの１つに一致した
互いに発振周波数の異なる２つ以上の光を入射する手段
と、前記複合共振型半導体レーザ光増幅装置から前記２
つ以上の光とは光周波数が異なりかつ前記複合共振器の
共振周波数ピークに一致した周波数の光を分離して取り
出す手段とからなることを特徴とする。
（作用） 本発明はLD光増幅器の本来の共振器に外部の反射鏡を
加えた複合共振器構造をとっている。第５図は複合共振
器の効果を説明するための図である。LD光増幅器11の２
つの端面11a、11bのうち、11bのみに無反射コーティン
グを施し、コーティングした面11bに対向して、共振器
を構成するように、外部反射鏡12を設置した場合を考え
る。端面11bにおける残留端面反射率が完全に抑圧でき
れば第５図の系はLD光増幅器11の１つの端面11aと、外
部反射鏡12で構成される共振器により特性が決まる。端
面11aと、外部反射鏡12の間の光学長を2cm程度にとれば
共振ピーク周波数間隔は7.5GHzとなる。第５図（ｂ）に
示すような共振器長580μｍのLD光増幅器単独の場合に
比べ、第５図（ｃ）のように共振周波数間隔を1/10に小
さくすることができる。従って高密度波長多重光伝送／
光交換で用いられる光周波数間隔と同じオーダの共振周
波数間隔が得られることになる。しかも、LD光増幅器の
長さを変えずに、受動的な外部共振器を付加した構成で
あるから動作電流の増大等を招くことはない。また、外
部鏡12の設定位置を調整することにより共振周波数間隔
は自由に選ぶことができる。端面11bの反射率の抑圧が
完全でない場合には、３枚の反射鏡による複合共振器構
成となり、多少複雑な振舞を示すが、この場合もLD光増
幅器の共振器単体の場合に比べ共振周波数間隔を小さく
することが可能である。
加えた複合共振器構造をとっている。第５図は複合共振
器の効果を説明するための図である。LD光増幅器11の２
つの端面11a、11bのうち、11bのみに無反射コーティン
グを施し、コーティングした面11bに対向して、共振器
を構成するように、外部反射鏡12を設置した場合を考え
る。端面11bにおける残留端面反射率が完全に抑圧でき
れば第５図の系はLD光増幅器11の１つの端面11aと、外
部反射鏡12で構成される共振器により特性が決まる。端
面11aと、外部反射鏡12の間の光学長を2cm程度にとれば
共振ピーク周波数間隔は7.5GHzとなる。第５図（ｂ）に
示すような共振器長580μｍのLD光増幅器単独の場合に
比べ、第５図（ｃ）のように共振周波数間隔を1/10に小
さくすることができる。従って高密度波長多重光伝送／
光交換で用いられる光周波数間隔と同じオーダの共振周
波数間隔が得られることになる。しかも、LD光増幅器の
長さを変えずに、受動的な外部共振器を付加した構成で
あるから動作電流の増大等を招くことはない。また、外
部鏡12の設定位置を調整することにより共振周波数間隔
は自由に選ぶことができる。端面11bの反射率の抑圧が
完全でない場合には、３枚の反射鏡による複合共振器構
成となり、多少複雑な振舞を示すが、この場合もLD光増
幅器の共振器単体の場合に比べ共振周波数間隔を小さく
することが可能である。
このような外部反射鏡はレンズと反射鏡を用いて形成
する他、ファイバ等の途中に反射点を設ける、片端を反
射率加工した受動導波路をモノリシックに集積する等に
より実現できる。
する他、ファイバ等の途中に反射点を設ける、片端を反
射率加工した受動導波路をモノリシックに集積する等に
より実現できる。
（実施例１） 第１図は本発明に用いる複合共振型半導体レーザ光増
幅装置の構成を示す図である。
幅装置の構成を示す図である。
1.55μｍ帯半導体レーザ１の２つの端面1a、1bのうち
一方の端面1bに無反射コート膜２を形成した半導体レー
ザ光増幅器１の端面1b側に先球ロッド・レンズ３を設置
し、端面の発光パターンを半透鏡４上に結像する。半透
鏡４の位置、角度を調整することにより、半導体レーザ
光増幅器１へ光を帰還させることができる。従って半導
体レーザ光増幅器１の端面1aと、半透鏡４の間で複合共
振器が形成される。ここでは半導体レーザ光増幅器１の
共振器長を500μｍ、端面16と半透鏡４の間の距離（光
学長）を2cmとした。従って先に述べたように複合共振
器としての共振ピーク周波数間隔は7.5GHz程度となり、
高密度FDM伝送のチャネル間隔と同程度にすることがで
きる。
一方の端面1bに無反射コート膜２を形成した半導体レー
ザ光増幅器１の端面1b側に先球ロッド・レンズ３を設置
し、端面の発光パターンを半透鏡４上に結像する。半透
鏡４の位置、角度を調整することにより、半導体レーザ
光増幅器１へ光を帰還させることができる。従って半導
体レーザ光増幅器１の端面1aと、半透鏡４の間で複合共
振器が形成される。ここでは半導体レーザ光増幅器１の
共振器長を500μｍ、端面16と半透鏡４の間の距離（光
学長）を2cmとした。従って先に述べたように複合共振
器としての共振ピーク周波数間隔は7.5GHz程度となり、
高密度FDM伝送のチャネル間隔と同程度にすることがで
きる。
また、半透鏡４を用いているので、端面1a、半透鏡４
の両方の側から光の入出力を行うことができる。端面1
a、半透鏡４の反射率を変えることにより複合共振器の
Ｑは自由に制御できる。
の両方の側から光の入出力を行うことができる。端面1
a、半透鏡４の反射率を変えることにより複合共振器の
Ｑは自由に制御できる。
第２図は本発明による複合共振型半導体レーザ光増幅
装置を用いた光機能素子の第１の実施例の構成を示す図
である。
装置を用いた光機能素子の第１の実施例の構成を示す図
である。
まず第２図に示す実施例の構成について説明する。本
実施例はLD光増幅器11と外部反射鏡12から成る複合共振
器型LD光増幅装置13と、それに被変調光14を入射させる
ための光ファイバ15、複合共振器型LD光増幅装置13に制
御光16を入射させ、かつ被制御光14をとり出すためのフ
ァイバ・カプラ17から成っている。
実施例はLD光増幅器11と外部反射鏡12から成る複合共振
器型LD光増幅装置13と、それに被変調光14を入射させる
ための光ファイバ15、複合共振器型LD光増幅装置13に制
御光16を入射させ、かつ被制御光14をとり出すためのフ
ァイバ・カプラ17から成っている。
LD光増幅器11に直流電源（図では省略）により直流の
電流を注入し、発振しきい値以下にバイアスしておく。
この状態で複合共振器型LD光増幅装置13の共振ピークの
１つに一致した発振波長の被変調光14を光ファイバ15を
介して注入する。一方、複合共振型LD光増幅装置13の一
方の入射端からはファイバ・カプラ１つを介して制御光
16を注入する。
電流を注入し、発振しきい値以下にバイアスしておく。
この状態で複合共振器型LD光増幅装置13の共振ピークの
１つに一致した発振波長の被変調光14を光ファイバ15を
介して注入する。一方、複合共振型LD光増幅装置13の一
方の入射端からはファイバ・カプラ１つを介して制御光
16を注入する。
制御光16の光周波数は複合共振型LD光増幅装置共振ピ
ークのうち被変調光14のとなりのピークに一致させてあ
る。ここで制御光16の強度を増加させていくとLD光増幅
器11内部で利得飽和が生じ、利得の減少、屈折率変化に
伴う共振ピーク周波数のシフトが起き、被変調光14に対
する増幅度が低下する。したがって、ファイバ・カプラ
の出力端17aからは制御光信号16の反転された光信号14a
が得られる。しかもこの時、制御光信号16と得られる出
力光信号14aの光周波数は複合共振型LD光増幅装置13の
共振周波数間隔分だけ異なっているので、この過程によ
り光制御光変調かつ、波長変換作用が得られる。
ークのうち被変調光14のとなりのピークに一致させてあ
る。ここで制御光16の強度を増加させていくとLD光増幅
器11内部で利得飽和が生じ、利得の減少、屈折率変化に
伴う共振ピーク周波数のシフトが起き、被変調光14に対
する増幅度が低下する。したがって、ファイバ・カプラ
の出力端17aからは制御光信号16の反転された光信号14a
が得られる。しかもこの時、制御光信号16と得られる出
力光信号14aの光周波数は複合共振型LD光増幅装置13の
共振周波数間隔分だけ異なっているので、この過程によ
り光制御光変調かつ、波長変換作用が得られる。
次に本実施例に用いた複合共振型LD光増幅装置につい
て説明する。ここで用いたLD光増幅器は1.55μｍ帯DC−
PBH（Double Channel Planer Beried−Hetero structur
e）LDの片端面にARコートを施したものであり、素子長
は500μｍ、ARコート前の発振しきい値は20mAである。D
C−PBH LDについては雑誌「エレクトロニクスレターズ
（Electronics Letters）」第18巻、1982年、953〜954
頁に詳しい。
て説明する。ここで用いたLD光増幅器は1.55μｍ帯DC−
PBH（Double Channel Planer Beried−Hetero structur
e）LDの片端面にARコートを施したものであり、素子長
は500μｍ、ARコート前の発振しきい値は20mAである。D
C−PBH LDについては雑誌「エレクトロニクスレターズ
（Electronics Letters）」第18巻、1982年、953〜954
頁に詳しい。
第３図は本発明に用いた複合共振型LD光増幅装置の構
成を説明するための図である。この構成はLD光増幅器モ
ジュールを利用したものである。LD光増幅器11の２つの
端面11a、11bのうち11bのみにARコートが施されてい
る。LD光増幅器11の２つの端面11a、11bからの出力はそ
れぞれ先球ロッドレンズ21により光ファイバ21a,21bに
結合されている。通常光ファイバの端面は反射光抑圧の
ため22aのように先端を斜めに研磨している。しかし、
ここではARコートを施した端11bに対向する例の光ファ
イバ21bの端面22は垂直なままにしてあり、この端面22
が外部反射鏡として働く。各部品はパッケージ上にはん
だ付、溶接により固定されており、機械的に安定な複合
共振型LD光増幅装置が得られている。この複合共振器の
共振周波数間隔は約8GHzであった。
成を説明するための図である。この構成はLD光増幅器モ
ジュールを利用したものである。LD光増幅器11の２つの
端面11a、11bのうち11bのみにARコートが施されてい
る。LD光増幅器11の２つの端面11a、11bからの出力はそ
れぞれ先球ロッドレンズ21により光ファイバ21a,21bに
結合されている。通常光ファイバの端面は反射光抑圧の
ため22aのように先端を斜めに研磨している。しかし、
ここではARコートを施した端11bに対向する例の光ファ
イバ21bの端面22は垂直なままにしてあり、この端面22
が外部反射鏡として働く。各部品はパッケージ上にはん
だ付、溶接により固定されており、機械的に安定な複合
共振型LD光増幅装置が得られている。この複合共振器の
共振周波数間隔は約8GHzであった。
以上の構成で1.553μｍ近傍で8GHz発振周波数の異な
る被変調光、制御光を用いて実験を行ったところ、10μ
ｗの制御光パワーにより被変調光の変調度に10dBが得ら
れた。
る被変調光、制御光を用いて実験を行ったところ、10μ
ｗの制御光パワーにより被変調光の変調度に10dBが得ら
れた。
（実施例２） 第４図は本発明による複合共振型半導体レーザ光増幅
装置を用いた光機能素子の第２の実施例の構成を示す図
である。本実施例はLD光増幅器内の四光子混合過程を利
用している。
装置を用いた光機能素子の第２の実施例の構成を示す図
である。本実施例はLD光増幅器内の四光子混合過程を利
用している。
本実施例は第１の実施例で説明したものと同様の複合
共振型LD光増幅装置13と、その入出力端に設置された光
波長多重・分離回路31、32から成っている。波長多重分
離回路31、32は、複合共振型LD光増幅装置13の共振周波
数ピーク間隔と等しい波長間隔の複数の光を多重分離す
るもので、マッハ・ツェンダ干渉型多重分離素子を多段
接続して構成している。マッハ・ツェンダ干渉型多重分
離素子については雑誌「エレクトロニクス・レターズ
（Electronics Letters）」第23巻、1987年、788〜789
頁に詳しい。
共振型LD光増幅装置13と、その入出力端に設置された光
波長多重・分離回路31、32から成っている。波長多重分
離回路31、32は、複合共振型LD光増幅装置13の共振周波
数ピーク間隔と等しい波長間隔の複数の光を多重分離す
るもので、マッハ・ツェンダ干渉型多重分離素子を多段
接続して構成している。マッハ・ツェンダ干渉型多重分
離素子については雑誌「エレクトロニクス・レターズ
（Electronics Letters）」第23巻、1987年、788〜789
頁に詳しい。
波長多重回路31のｎ個の入力端のうち、ここでは相隣
あった２つのポート２、３から周波数f2、f3の光33a、3
3bを入力する場合を例に説明する。２つの光33a、33bは
波長多重回路31の光周波数間隔および複合共振型LD光増
幅装置13の共振ピーク周波数間隔だけ互いの光周波数が
異なっている。このような２の光が同時にLD光増幅器11
に入射すると４光子混合プロセスにより周波数f1、f4の
光が生成される。しかも、複合共振型LD光増幅装置13の
共振ピークにf3、f4は一致しているため、四光子混合プ
ロセスが促進される。例えば入射光33aの強度を増加さ
せるとそれに応じ、波長分離回路32の第１、第４のポー
ト（それぞれ光周波数f1、f4に対応）に出力光33c、33d
が得られる。従って光制御部光変調動作、波長変換動作
が得られることになる。３つ以上の互いに周波数の異な
る光を入射した場合にはそれらの和、差の周波数成分が
発生する。ここでは２つの光周波数差を8GHz程度とした
が、これを更に小さくすると、LD光増幅器内のキャリア
密度変動を伴うため一層四光子混合プロセスがエンハン
スされる。
あった２つのポート２、３から周波数f2、f3の光33a、3
3bを入力する場合を例に説明する。２つの光33a、33bは
波長多重回路31の光周波数間隔および複合共振型LD光増
幅装置13の共振ピーク周波数間隔だけ互いの光周波数が
異なっている。このような２の光が同時にLD光増幅器11
に入射すると４光子混合プロセスにより周波数f1、f4の
光が生成される。しかも、複合共振型LD光増幅装置13の
共振ピークにf3、f4は一致しているため、四光子混合プ
ロセスが促進される。例えば入射光33aの強度を増加さ
せるとそれに応じ、波長分離回路32の第１、第４のポー
ト（それぞれ光周波数f1、f4に対応）に出力光33c、33d
が得られる。従って光制御部光変調動作、波長変換動作
が得られることになる。３つ以上の互いに周波数の異な
る光を入射した場合にはそれらの和、差の周波数成分が
発生する。ここでは２つの光周波数差を8GHz程度とした
が、これを更に小さくすると、LD光増幅器内のキャリア
密度変動を伴うため一層四光子混合プロセスがエンハン
スされる。
（発明の効果） 以上、詳細に説明したように本発明によれば低光パワ
ーでかつ低動作電流で安定に動作し、入射させるべき光
の周波数間隔に応じて共振ピーク周波数間隔を設定可能
な複合共振型半導体レーザ光増幅装置を用いる光機能素
子が得られる。
ーでかつ低動作電流で安定に動作し、入射させるべき光
の周波数間隔に応じて共振ピーク周波数間隔を設定可能
な複合共振型半導体レーザ光増幅装置を用いる光機能素
子が得られる。
第１図、第２図、第３図、第４図は本発明による光機能
素子の実施例を説明するための図、第５図は複合共振器
の効果を説明するための図である。 図に於いて、１、11はLD光増幅器、４、12は外部反射
鏡、13は複合共振LD光増幅装置、15、21a、21bは光ファ
イバ、14、14a、16、33a、33b,33c、33dは光、1a、1b、
11a、11b、22は端面、17aは出力端、３、21は先球ロッ
ドレンズ、２は無反射コート膜、４は半透鏡である。
素子の実施例を説明するための図、第５図は複合共振器
の効果を説明するための図である。 図に於いて、１、11はLD光増幅器、４、12は外部反射
鏡、13は複合共振LD光増幅装置、15、21a、21bは光ファ
イバ、14、14a、16、33a、33b,33c、33dは光、1a、1b、
11a、11b、22は端面、17aは出力端、３、21は先球ロッ
ドレンズ、２は無反射コート膜、４は半透鏡である。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体レーザ光増幅器と複合共振器を構成
するための外部反射鏡とからなる複合共振型半導体レー
ザ光増幅装置と、前記複合共振型半導体レーザ光増幅装
置へ前記複合共振器の共振周波数ピークの１つにそれぞ
れ一致した光周波数の第１、第２の光を入射する手段
と、前記第１、第２の光のうち少なくとも一方の前記複
合共振型半導体レーザ光増幅装置を透過した光を分離し
て取り出す手段とからなることを特徴とする光機能素
子。 - 【請求項２】半導体レーザ光増幅器と複合共振器を構成
するための外部反射鏡とからなる複合共振型半導体レー
ザ光増幅装置と、前記複合共振型半導体レーザ光増幅装
置へ前記複合共振器の共振周波数ピークの１つに一致し
た互いに発振周波数の異なる２つの以上の光を入射する
手段と、前記複合共振型半導体レーザ光増幅装置から前
記２つ以上の光とは光周波数が異なりかつ前記複合共振
器の共振周波数ピークに一致した周波数の光を分離して
取り出す手段とからなることを特徴とする光機能素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63246050A JP2527007B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 光機能素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63246050A JP2527007B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 光機能素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294489A JPH0294489A (ja) | 1990-04-05 |
| JP2527007B2 true JP2527007B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=17142719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63246050A Expired - Lifetime JP2527007B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 光機能素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2527007B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0595167A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微小隙間測定装置 |
| DE19548647C2 (de) * | 1995-12-14 | 2003-01-23 | Manfred Gabbert | Durchstimmbare, justierstabile Halbleiterlaserlichtquelle sowie ein Verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen Durchstimmung von Halbleiterlasern |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0108562A1 (en) * | 1982-11-05 | 1984-05-16 | British Telecommunications | Controlling lasers |
| JPS60154589A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-14 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS60207389A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザ装置 |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP63246050A patent/JP2527007B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0294489A (ja) | 1990-04-05 |
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