JPH0294489A - 光機能素子 - Google Patents

光機能素子

Info

Publication number
JPH0294489A
JPH0294489A JP24605088A JP24605088A JPH0294489A JP H0294489 A JPH0294489 A JP H0294489A JP 24605088 A JP24605088 A JP 24605088A JP 24605088 A JP24605088 A JP 24605088A JP H0294489 A JPH0294489 A JP H0294489A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
optical
composite
resonant
amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP24605088A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2527007B2 (ja
Inventor
Masahiko Fujiwara
雅彦 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63246050A priority Critical patent/JP2527007B2/ja
Publication of JPH0294489A publication Critical patent/JPH0294489A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2527007B2 publication Critical patent/JP2527007B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、複合共振型半導体レーサ光増幅装置および光
機能素子に関するものである。
(従来の技術) 半導体レーザ光増幅器(LD光増幅器)は単なる光増幅
だけでな(、光機能素子としての応用が司能であり、従
来次の2つのものが考えられていた。
(1)制御光による共振型LD光増幅器の利得スペクト
ラム変化を利用するもの、 (2)LD光増幅器内での四光子混合を利用するもの、 (1)は「レーザと電気光学に関する会議(Conte
rence on La5ers and Elect
ro−optics :CLEO) J 、1986年
テクニカル・ダイジェスト、論文番号FH3,354−
355頁に述べられている。
LD光増幅器の利得スペクトラムの形状は入射光強度に
依存する。つまり、LD光増幅器に2つの光を同時に入
射させた場合、一方の光の強度を変化させることにより
、他方の光の増幅度を制御することができる。この効果
は、用いる光増幅器が共振型で入射する光の波長が、そ
の共振ピーク波長のいずれか(必すしも同一ピークでな
くてもよい)に一致している場合、非常に顕著となる。
そのため、共振型LD光光幅幅器用いたものが考えられ
ている。
一方、LD光増幅器に波長の異なる複数の光を入射させ
ると、四光子混合が生じることが知られている。(雑誌
「アプライド・フィツクス・レターズ(Applied
 Physics Letters ) J 、第51
巻、1987年、1051〜1053頁)この効果によ
れば、発振光周波数f+ 、f2 (f2>f、)の2
つの光を同時にLD光増幅器に入射させると、f3=2
f、−f2、f 4= 2 f 2− f +なる光周
波数の光パワーがχ33′プロセスにより作り出される
。従ってこの結果を光制御光変長器、波長変換器に利用
することができる。このような4光子混合プロセスは進
行波型LD光増幅器の中でも生じるが、共振型LD光増
幅器を用い、入射光波長を共振ピーク波長に一致させた
場合、−更顕著となる。
(発明が解決しようとする課題) 前述のように、これ迄考えられているLD光増幅器を用
いた光機能光素子では、共振型LD光増幅器の共振ピー
ク波長に、入射光の波長を一致させて動作させるもので
あった。LD光増幅器の共振ピーク周波数間隔△fはC
を光速、nを媒質の屈折率、】を共振器長として、 △f=丁景丁 と書ける。通常のI n G a A s P糸材料に
よるLD光増幅器の典型値としてn−1,1=500μ
mを用いると、Δfは75GHz (1,55μm帯で
〜E3A)となる。現在、研究の進められている高密度
波長多重光伝達/光交換では波長チャンネル間隔を10
GHz程度以下とすることが考えられている。従って、
このような狭い波長間隔の光をLD光増幅器に入射させ
ても、LD光増幅器の共振ピーク間隔に一致させること
ができす、大きな効果を得ることができない。LD光増
幅器の共振ピーク周波数間隔Δrは共振器長を長くする
ことにより小さくすることはできるが、その場合、・L
D光増幅器の発振を抑圧するのが困難、・動作電流値が
高(なる、という課題があり実際的ではない。また共振
ピーク周波数間隔は素子の共振器長で決まるため、素子
を特定すると変更できないという課題がある。
本発明の目的は上述のような問題点を除き、低光パワー
でかつ低動作電流で安定に動作し、入射させるべき光の
周波数間隔に応じて共振ピーク周波数間隔を設定可能な
光機能素子を実現できる複合共振型LD光増幅装置およ
びこれを用いた光機能素子を提供することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明による複合共振型半導体レーザ光増幅装置は半導
体レーザ光増幅器と複合共振器を構成するための外部反
射鏡から成ることを特徴とする。
また、本発明による光機能素子は半導体レーザ光増幅器
と複合共振器を構成するための外部反射鏡から成る複合
共振型半導体レーザ光増幅装置と、前記複合共振型半導
体レーザ光増幅装置へ、前記複合共振器の共振周波数ピ
ークの1つにそれぞれ一致した光周波数の第1、第2の
光を入射する手段と、前記第1、第2の光のうち少なく
とも一方の前記複合共振型半導体レーザ光増幅装置を透
過した光を分離して取り出す手段とから成ることを特徴
とするものである。
更に本発明による光機能素子半導体レーサ光増幅器と複
合共振器を構成するための外部反射鏡から成る複合共振
型半導体レーザ光増幅装置と前記複合共振型半導体レー
ザ光増幅装置へ、前記複合共振周波数ピークの1つに一
致した互いに発振周波数の異なる2つ以上の光を入射さ
せる手段と、前記、複合共振型半導体レーザ光増幅装置
から前記2つ以上の光とは光周波数の異なりかつ、前記
複合共振器の共振周波数ピークに一致した周波数の光を
分離して取り出す手段とから成ることを特徴とするもの
である。
(作用) 本発明はLD光増幅器の本来の共振器に外部の反射鏡を
加えた複合共振器構造をとっている。第5図は複合共振
器の効果を説明するための図である。LD光増幅器11
の2つの端面11a111bのうち、11bのみに無反
射コーティングを施し、コーティングした而flbに対
向して、共振器を構成するように、外部反射鏡12を設
置した場合を考える。端面11bにおける残留端面反射
率が完全に抑圧できれば第5図の系はLD光増幅器11
の1つの端面11aと、外部反射鏡12で構成される共
振器により特性が決まる。端面11aと、外部反射鏡1
2の間の光学長を2cm程度にとれば共振ピーク周波数
間隔は7.5GHzとなる。第5図(b)に示すような
共振器長580μmのLD光増幅器単独の場合に比べ、
第5図(C)のように共振周波数間隔をl/10に小さ
くすることができる。従って高密度波長多重光伝送/光
交換で用いられる光周波数間隔と同じオーダの共振周波
数間隔が得られることになる。しかも、LD光増幅器の
長さを変えずに、受動的な外部共振器を付加した構成で
あるから動作電流の増大等を招くことはない。また、外
部鏡12の設定位置を調整することにより共振周波数間
隔は自由に選ぶことができる。端面flbの反射率の抑
圧が完全でない場合には、3枚の反射鏡による複合共振
器構成となり、多少複雑な振舞を示すが、この場合もL
D光増幅器の共振器単体の場合に比べ共振周波数間隔を
小さくすることが可能である。
このような外部反射鏡はレンズと反射鏡を用いて形成す
る他、ファイバ等の途中に反射点を設ける、片端を反射
率加工した受動導波路をモノリシックに集積する等によ
り実現できる。
(実施例1) 第1回は本発明による複合共振型半導体レーザ光増幅装
置の第1の実施例の構成を示す図である。
1.55μm帯半導体レーザ1の2つの端面1a1 l
bのうち一方の端面1bに無反射コート膜2を形成した
半導体レーザ光増幅器1の端面1b側に先球ロッド・レ
ンズ3を設置し、端面の発光パターンを半透鏡4上に結
像する。半透鏡4の位置、角度を調整することにより、
半導体レーザ光増幅器1へ光を帰還させることができる
。従って半導体レーザ光増幅器1の端面1aと、半透鏡
4の間で複合共振器が形成される。ここでは半導体レー
ザ光増幅器1の共振器長を500μm1端而16と半透
鏡4の間の距#(光学長)を2cmとした。従って先に
述べたように複合共振器としての共振ピーク周波数間隔
は7.5GHz程度となり、高密度FDM伝送のチャネ
ル間隔と同程度にすることができる。
また、半透鏡4を用いているので、端面la1半透鏡4
の両方の側から光の入出力を行うことかできる。端面1
as半透鏡4の反射率を変えることにより複合共振器の
Qは自由に制御できる。
(実施例2) 第2図は本発明による複合共振型半導体レーザ光増幅装
置を用いた光機能素子の第1の実施例の構成を示す図で
ある。
まず第2図に示す実施例の構成について説明する。本実
施例はLD光増幅器11と外部反射鏡12から成る複合
共振器型LD光増幅装置13と、それに被変調光14を
入射させるための光ファイバ15、複合共振器型LD光
増幅器13に制御光16を入射させ、かつ被制御光14
をとり出すためのファイバ・カプラ17から成っている
LDD増幅器11に直流電源(図では省略)により直流
の電流を注入し、発振しきい値以下にバイアスしてお(
。この状態で複合共振器型LD光増幅装置13の共振ピ
ークの1つに一致した発振波長の被変調光14を光ファ
イバ15を介して注入する。一方、複合共振型LD光増
幅装置13の一方の入射端からはファイバ・カブラ1つ
を介して制御光16を注入する。
制御光16の光周波数は複合共振型LDD増幅装置共振
ピークのうち被変調光14のとなりのピークに一致させ
である。ここで制御光16の強度を増加させていくとL
D光増幅器11内部で利得飽和が生じ、利得の減少、屈
折率変化に伴う共振ピーク周波数のシフトが起き、被変
調光14に対する増幅度が低下する。したがって、ファ
イバ・カプラの出力端17aからは制御光信号16の反
転された光信号14aが得られる。しかもこの時、制御
光信号16と得られる出力光信号14aの光周波数は複
合共振型LD光増幅装置13の共振周波数間隔分だけ異
なっているので、この過程により光制御光変調かつ、波
長変換作用が得られる。
次に本実施例に用いた複合共振型LD光増幅装置につい
て説明する。ここで用いたLD光増幅器は1.55μm
帯D C−P B H(Doble ChannelP
laner Berled−Hetero 5truc
ture) L Dの片端面にARコートを施したもの
であり、素子長は500μm5ARコート前の発振しき
い値は20mAである。DC−PBH、LDについては
雑誌「エレクトロニクスレターズ(Electroni
cs Letters)」第18巻、1982年、95
3〜954頁に詳 しい。
第3図は本発明に用いた複合共振型LD光増幅装置の構
成を説明するための図である。この構成はLD光光増幅
モモジュール利用したものである。LDD増幅器11の
2つの端面11a、11bのうちllbのみにARコー
トが施されている。LD光増幅姦11の2つの端面11
a、11bからの出力はそれぞれ先球ロソドレンド21
により光ファイバ2/a、2/bに結合されている。通
常光ファイバの端面は反射光抑圧のため22aのように
先端を斜めに研磨している。しかし、ここではARコー
トを施した端11bに対向する例の光ファイバ21bの
端面22は垂直なままにしてあり、この端面22が外部
反射鏡として働く。各部品はパッケージ上にはんだ付、
溶接により固定されており、機械的に安定な複合共振型
LD光増幅装置が得られている。この複合共振器の共振
周波数間隔は約8GHzであった。
以上の構成で1.553μm近傍で8GHz発振周波数
の異なる被変調光、制御光を用いて実験を行ったところ
、10μWの制御光パワーにより被変調光の変調度に1
0dBが得られた。
(実施例3) 第4図は本発明による複合共振型半導体レーザ光増幅装
置を用いた光機能素子の第2の実施例の構成を示す図で
ある。本実施例はLD光増幅内の四光子混合過程を利用
している。
本実施例は第1の実施例で説明したものと同様の複合共
振型LD光増幅装置13と、その入出力端に設置された
光波長多重・分離回路31.32から成っている。波長
多重分離回路31.32は、複合共振型LD光増幅装置
13の共振周波数ピーク間隔と等しい波長間隔のN数の
光を多重分離するもので、マツハ・ツエンダ干渉型多重
分離素子を多段接続して構成している。マツハ・ツエン
ダ干渉型多重針1lilI素子については雑誌「エレク
トロニクス・レターズ(Electronics Le
tters )」第23巻、1987年、788〜78
9頁に詳しい。
波長多重回路31のn個の入力端のうち、ここでは相隣
あった2つのボート2.3から周波数f2、f3の光3
3a、33bを入力する場合を例に説明する。2つの光
33a、33bは波長多重回路31の光周波数間隔およ
び複合共振型LD光増幅装置13の共振ピーク周波数間
隔だけ互いの光周波数が異なっている。このような2の
光が同時にLDD増幅器11に入射すると4光子混合プ
ロセスにより周波数f+  f4の光が構成される。し
かも、複合共振型LD光増幅装置13の共振ピークにf
3、f4は一致しているため、四光子混合プロセスが促
進される。例えば入射光33aの強度を1増加させると
それに応じ、波長分離回路32の第1、第4のボート(
それぞれ光周波数fI% f4に対応)に出力光33c
、33dが得られる。従って光制御部光変調動作、波長
変換動作が得られることになる。3つ以上の互いに周波
数の異なる光を入射した場合にはそれらの和、差の周波
数成分が発生する。ここでは2つの光周波数差を8GH
z程度としたが、これを更に小さ(すると、LD光増幅
器内のキャリア密度変動を伴うため一層四光子混合プロ
セスがエンハンスされる。
(発明の効果) 以上、詳細に説明したように本発明によれば低光パワー
でかつ低動作電流で安定に動作し、入射させるべき光の
周波数間隔に応じて共振ビーク周波数間隔を設定可能な
光機能素子およびこれに用いる複合共振型半導体レーザ
光増幅装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図、第4図は本発明による光制御
光素子の第1、第2、第3の実施例を説明するための図
、第5図は複合共振器の効果を説明するための図である
。 図に於いて、1.11はLD光増幅器、4.12は外部
反射鏡、13は複合共振LD光増幅器、15.21a、
21bは光ファイバ、14.14a116.33a13
3b、33c、33dは光、fat  lbx  fl
al fibs 22は端面、17aは出力端、3.2
1は先球ロンドレンズ、2は無反射コート膜、4は半透
鏡である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体レーザ光増幅器と複合共振器を構成するた
    めの外部反射鏡とから成る複合共振型半導体レーザ光増
    幅装置。
  2. (2)半導体レーザ光増幅器と複合共振器を構成するた
    めの外部反射鏡とから成る複合共振型半導体レーザ光増
    幅装置と、前記複合共振型半導体レーザ光増幅装置へ、
    前記複合共振器の共振周波数ピークの1つにそれぞれ一
    致した光周波数の第1、第2の光を入射する手段と、前
    記第1、第2の光のうち少なくとも一方の前記複合共振
    型半導体レーザ光増幅装置を透過した光を分離して取り
    出す手段とから成ることを特徴とする光機能素子。
  3. (3)半導体レーザ光増幅器と複合共振器を構成するた
    めの外部反射鏡とから成る複合共振型半導体レーザ光増
    幅装置と前記複合共振型半導体レーザ光増幅装置へ、前
    記複合共振周波数ピークの1つに一致した互いに発振周
    波数の異なる2つ以上の光を入射させる手段と、前記、
    複合共振型半導体レーザ光増幅装置から前記2つ以上の
    光とは光周波数の異なりかつ、前記複合共振器の共振周
    波数ピークに一致した周波数の光を分離して取り出す手
    段とから成ることを特徴とする光機能素子。
JP63246050A 1988-09-29 1988-09-29 光機能素子 Expired - Lifetime JP2527007B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63246050A JP2527007B2 (ja) 1988-09-29 1988-09-29 光機能素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63246050A JP2527007B2 (ja) 1988-09-29 1988-09-29 光機能素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0294489A true JPH0294489A (ja) 1990-04-05
JP2527007B2 JP2527007B2 (ja) 1996-08-21

Family

ID=17142719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63246050A Expired - Lifetime JP2527007B2 (ja) 1988-09-29 1988-09-29 光機能素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2527007B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0595167A (ja) * 1991-10-01 1993-04-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 微小隙間測定装置
WO1997022166A3 (de) * 1995-12-14 1997-08-14 Manfred Gabbert Durchstimmbare, justierstabile halbleiterlaserlichtquelle sowie ein verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen durchstimmung von halbleiterlasern

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5998579A (ja) * 1982-11-05 1984-06-06 ブリティシュ・テレコミュニケーションズ・パブリック・リミテッド・カンパニ レ−ザ装置およびその制御方法
JPS60154589A (ja) * 1984-01-24 1985-08-14 Nec Corp 半導体レ−ザ装置
JPS60207389A (ja) * 1984-03-31 1985-10-18 Agency Of Ind Science & Technol 半導体レ−ザ装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5998579A (ja) * 1982-11-05 1984-06-06 ブリティシュ・テレコミュニケーションズ・パブリック・リミテッド・カンパニ レ−ザ装置およびその制御方法
JPS60154589A (ja) * 1984-01-24 1985-08-14 Nec Corp 半導体レ−ザ装置
JPS60207389A (ja) * 1984-03-31 1985-10-18 Agency Of Ind Science & Technol 半導体レ−ザ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0595167A (ja) * 1991-10-01 1993-04-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 微小隙間測定装置
WO1997022166A3 (de) * 1995-12-14 1997-08-14 Manfred Gabbert Durchstimmbare, justierstabile halbleiterlaserlichtquelle sowie ein verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen durchstimmung von halbleiterlasern

Also Published As

Publication number Publication date
JP2527007B2 (ja) 1996-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5859945A (en) Array type light emitting element module and manufacturing method therefor
KR100244821B1 (ko) 발광소자와 외부변조기의 집적소자
CN111434058B (zh) 窄线宽多波长光源
US7149381B2 (en) Optical filtering device and method
JP2008544530A (ja) 外部共振器型チューナブルレーザの統合された監視設計及びフィードバック設計
US6822980B2 (en) Tunable semiconductor laser with integrated wideband reflector
US6728019B2 (en) Optical gate and optical phase modulator
JP4436451B2 (ja) 光信号増幅3端子装置
US5384799A (en) Frequency stabilized laser with electronic tunable external cavity
US6697392B2 (en) Single wavelength laser module
US8548024B2 (en) Semiconductor laser module
JPH06103778B2 (ja) 半導体分布帰還形レーザを含む光学装置およびその駆動方法
US6327401B1 (en) Multifrequency laser system
US9601906B2 (en) Wavelength-tunable light source and wavelength-tunable light source module
JP6320192B2 (ja) 波長可変光源および波長可変光源モジュール
JP6173206B2 (ja) 光集積素子
US20090268762A1 (en) Optical intergrated device
JP6245656B2 (ja) 半導体レーザ素子
CN103370112A (zh) 一种激光光源输出装置及激光输出系统
JP2016149529A (ja) 波長可変光源および波長可変光源モジュール
JPH0294489A (ja) 光機能素子
JPWO2019111675A1 (ja) 波長可変レーザ装置
JPS6362917B2 (ja)
JP4242864B2 (ja) 波長可変レーザ光源を自体で生成する波長変換器
JP6381507B2 (ja) 光結合器、波長可変光源及び波長可変光源モジュール