JPWO2019111675A1 - 波長可変レーザ装置 - Google Patents
波長可変レーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019111675A1 JPWO2019111675A1 JP2019512854A JP2019512854A JPWO2019111675A1 JP WO2019111675 A1 JPWO2019111675 A1 JP WO2019111675A1 JP 2019512854 A JP2019512854 A JP 2019512854A JP 2019512854 A JP2019512854 A JP 2019512854A JP WO2019111675 A1 JPWO2019111675 A1 JP WO2019111675A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- optical
- output light
- wavelength tunable
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0239—Combinations of electrical or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
[レーザ共振器]
図1は、全体が100で表される、本発明の実施の形態1に係る波長可変レーザ装置の平面図である。図2は、図1の第1半導体チップと第2半導体チップの接合部近傍の拡大平面図(ただし光回路の一部は省略)である。図3は、図2をIII−III方向に見た場合の断面図である。図1において、実際に見えない構成は破線で示す。また、それぞれの構成については、[第1半導体チップ]および[第2半導体チップ]の中で説明する。
図4は、図1に示す第1半導体チップ1を、下側(Z方向)から見た場合の底面図(ただし電極の表示は省略)である。図5A、図5B、および図5Cは、それぞれ図4の第1半導体チップ1をVA−VA方向、VB−VB方向、およびVC−VC方向に見た場合の断面図である。
図6は、波長可変レーザ装置100の平面図であり、第1半導体チップ1を除いた状態で、第2半導体チップ2の平面図となっている。図7Aは、図6の第1半導体チップ1と第2半導体チップ2の接合部近傍の拡大平面図である。図7Bは、図6、図7AをVIIB−VIIB方向に見た場合の断面図である。
次に、図8A、図8B、および図9を参照しながら、本発明の実施の形態1に係る波長可変レーザ装置100の動作について説明する。図8Aは、本発明の実施の形態1に係る波長可変レーザ装置100の平面図で、動作を説明するために、本来見えない第1半導体チップ1のDFB−LDアレイ14等も実線で記載してある。また、図8Bは、本発明の実施の形態1に係る波長可変光モジュール80の平面図である。また、図9は、図8をIX−IX方向に見た場合の断面図である。
図10は、全体が200で表される、本発明の実施の形態2に係る波長可変レーザ装置の平面図であり、動作を説明するために、本来見えない第1半導体チップ1のDFB−LDアレイ14等も実線で記載してある。図10中、図8と同一符号は、同一または相当箇所を示す。
図11は、全体が300で表される、本発明の実施の形態3に係る波長可変レーザ装置の平面図であり、動作を説明するために、本来見えない第1半導体チップ1のDFB−LDアレイ14等も実線で記載してある。図11中、図8と同一符号は、同一または相当箇所を示す。
図12は、全体が400で表される、本発明の実施の形態4に係る波長可変レーザ装置の平面図であり、本来見えない第1半導体チップ1のDFB−LDアレイ14等も破線で記載してある。図13は、図12をX−X方向に見た場合の断面図である。図12および図13中、図1と同一符号は、同一または相当箇所を示す。
Claims (8)
- 複数の単一モードレーザが並列に配置されたレーザアレイと、前記レーザアレイの一端に接続された第1光結合器および前記レーザアレイの他端に接続された第2光結合器と、前記第1光結合器に接続された第1光増幅器および前記第2光結合器に接続された第2光増幅器とを含み、前記第1光増幅器から第1出力光が出射し、前記第2光増幅器から第2出力光が出射する第1半導体チップと、
前記第1半導体チップと光結合された光回路を有し、前記第1半導体チップから前記光回路に入射した前記第2出力光の少なくとも一部を前記第1半導体チップに戻す、第2半導体チップと、を含み、
前記レーザアレイから前記単一モードレーザを選択し、前記単一モードレーザの動作温度を制御して、前記第1出力光および第2出力光の波長を変え、前記第2出力光の少なくとも一部を前記第2半導体チップ内に反射させ、前記第2半導体チップから前記第1半導体チップに戻された前記第2出力光の少なくとも一部は、前記第2光増幅器で強度が調整され、選択された前記単一モードレーザに戻されることを特徴とする波長可変レーザ装置。 - 前記第2半導体チップの表面上に前記第1半導体チップが配置され、前記第1半導体チップに設けられたミラーにより前記第2出力光が反射されて、前記第2半導体チップの表面に設けられたグレーティングカプラに入射することを特徴とする請求項1に記載の波長可変レーザ装置。
- 前記ミラーは、前記第1半導体チップに設けられたエッチング面であることを特徴とする請求項2に記載の波長可変レーザ装置。
- 前記第1光結合器および前記第2光結合器は、多モード干渉型光カプラからなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の波長可変レーザ装置。
- 前記第1光結合器は、ファンネルカプラからなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の波長可変レーザ装置。
- 前記第1光結合器は、二出力の多モード干渉型光カプラからなり、前記第1出力光は、2つの出力光からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の波長可変レーザ装置。
- 前記光回路は方向性結合器を含み、前記光回路に入った前記第2出力光の一部を分離して取り出すことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の波長可変レーザ装置。
- 段差を有するサブマウントを備え、
前記サブマウントの前記段差以外の表面上に前記第1半導体チップが配置され、
前記サブマウント表面上の前記段差が設けられる領域に前記第2半導体チップが配置されることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の波長可変レーザ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017236394 | 2017-12-08 | ||
JP2017236394 | 2017-12-08 | ||
PCT/JP2018/042531 WO2019111675A1 (ja) | 2017-12-08 | 2018-11-16 | 波長可変レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6610834B2 JP6610834B2 (ja) | 2019-11-27 |
JPWO2019111675A1 true JPWO2019111675A1 (ja) | 2019-12-12 |
Family
ID=66750913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019512854A Active JP6610834B2 (ja) | 2017-12-08 | 2018-11-16 | 波長可変レーザ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6610834B2 (ja) |
WO (1) | WO2019111675A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230251417A1 (en) * | 2020-07-03 | 2023-08-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor optical integrated element |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012033807A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Nec Corp | 半導体レーザ |
JP2014110257A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Japan Oclaro Inc | 光学装置 |
JP2015122352A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 波長可変光源、波長可変光源モジュール、および光集積素子 |
JP2016178283A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 古河電気工業株式会社 | 波長可変レーザ素子およびレーザモジュール |
JP2017037971A (ja) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | 日本電信電話株式会社 | 狭線幅波長可変半導体レーザ |
US20170207600A1 (en) * | 2014-07-14 | 2017-07-20 | Biond Photonics Inc. | 3d photonic integration with light coupling elements |
-
2018
- 2018-11-16 WO PCT/JP2018/042531 patent/WO2019111675A1/ja active Application Filing
- 2018-11-16 JP JP2019512854A patent/JP6610834B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012033807A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Nec Corp | 半導体レーザ |
JP2014110257A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Japan Oclaro Inc | 光学装置 |
JP2015122352A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 波長可変光源、波長可変光源モジュール、および光集積素子 |
US20170207600A1 (en) * | 2014-07-14 | 2017-07-20 | Biond Photonics Inc. | 3d photonic integration with light coupling elements |
JP2016178283A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | 古河電気工業株式会社 | 波長可変レーザ素子およびレーザモジュール |
JP2017037971A (ja) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | 日本電信電話株式会社 | 狭線幅波長可変半導体レーザ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019111675A1 (ja) | 2019-06-13 |
JP6610834B2 (ja) | 2019-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6723451B2 (ja) | 波長可変レーザ装置および波長可変レーザ装置の製造方法 | |
JP2017098362A (ja) | 光集積素子及び光通信装置 | |
JP2016178283A (ja) | 波長可変レーザ素子およびレーザモジュール | |
JP2017219668A (ja) | 波長可変光源 | |
US9088132B2 (en) | Semiconductor optical element, integrated semiconductor optical element, and semiconductor optical element module | |
US20100142885A1 (en) | Optical module | |
JP6425631B2 (ja) | 半導体レーザおよびこれを備える光集積光源 | |
US8548024B2 (en) | Semiconductor laser module | |
US8149889B2 (en) | Semiconductor laser device | |
EP3358684B1 (en) | Semiconductor laser device | |
JP6320192B2 (ja) | 波長可変光源および波長可変光源モジュール | |
JP3647656B2 (ja) | 光機能素子及び光通信装置 | |
JP2013118315A (ja) | 半導体レーザ装置および半導体レーザモジュール | |
JP6610834B2 (ja) | 波長可変レーザ装置 | |
US20090268762A1 (en) | Optical intergrated device | |
JP6245656B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP4022792B2 (ja) | 半導体光増幅装置 | |
JP2016149529A (ja) | 波長可変光源および波長可変光源モジュール | |
JP2017187709A (ja) | 光送信機 | |
JP6381507B2 (ja) | 光結合器、波長可変光源及び波長可変光源モジュール | |
JP2013251424A (ja) | 光集積素子 | |
JP2014075387A (ja) | 光集積素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190305 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190305 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190305 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191014 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6610834 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |