DE1953800A1 - Verfahren zur Herstellung von gesinterten Diamantpresslingen und Diamant-Verbund-Produkten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von gesinterten Diamantpresslingen und Diamant-Verbund-ProduktenInfo
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Description
Werfanwa« Dipl. - ing. Joadvm S^as«
UNITED STATES ATOMIC ENERGY COMMISSION 2k. Oktober I969
Germantown, Maryland, USA Zo/Nie - Io 379
Verfahren zur Herstellung von gesinterten Diamantpreßlingen und Diatnant-Verbund-Produkten
Die Erfindung betrifft allgemein ein Verfahren zur Herstellung von Diamantverhundmaterial und insbesondere von einem im wesentlichen selbstbindenden Diamantparükel-Verbundmaterial sowie einem
nach diesem Verfahren hergestellten Diamantpreßling·
Naturdiamanten in der Form von Einzelkristallen (Steine) und polykristallinen Zusammenschlüssen finden bei Schneide- und Bohrwerkzeugen, Draht-Schneideisen, Prüfapitzen, Werkzeugen zum Fräsen und zum Nachbearbeiten herkömmlicher Schleifscheiben, zur
Bearbeitung von Hartmaterialien und für viele andere Zwecke Anwendung. Wegen ihrer Seltenheit und der daraus resultierenden
hohen Kosten von natürlichen größeren Diamantsteinen oder Aggregaten wurden beträchtliche Anstrengungen gemacht, die billigeren
und reichlich vorhandenen kleineren Diamantpartikel zu festen Körpern oder Verbundaaterialien zusammen zu verbinden, die annähernd die Eigenschaften von großen Einzeldiamanten oder polykristallinen Diamant-Aggregaten aufweisen.
009824/1757
Der bisher bekannte Zusammenschluß von Diamantpartikeln erfolgt
im wesentlichen durch zwei Verfahrensuethoden oder deren Kombination; entweder durch die Sicherstellung einer direkten Krhäsion
von Diamant zu Diamant oder durch Anwendung eines diamantfreien Bindemittels zur Herstellung einer Verbindung zwischen benachbarten Diamantpartikeln. Nach einem bekannten Verfahren werden in
einem Hochdruck-Hochtemperatur Verbund-Formverfahren bestimmte Metalle zur Unterstützung der Diamant-Diamant-Verbindung verwendet« Die zuerst erwähnte Methode, das direkte Diamant—Diamant-Verbundverfahren, hat den Nachteil, daß es zu schädlichen Zersplittern der Diamantpartikel führt. Durch die Verwendung von
Bindemittel bei der Herstellung von Diamantpartikel-Verbundmaterialien weisen die Verbundmaterialien stark veränderte Eigenschaften im Vergleich zu den Partikeln auf, was durch die Anwesenheit von diamantfreien Materialien in der Verbundmatrix erklärbar ist. Die nach den bekannten Verfahren hergestellten Diamant-Verbundmaterialien finden in vielen Industriezweigen Anwendung. Es besteht jedoch seit langem ein Bedarf an einem Verfahren
zur Herstellung von Diamant-Verbundmaterialien, bei dem die Verbindung von Diamant zu Diamant optimal ist und das Brechen der
Diamantpartikel möglichst nicht auftritt. Die Verbindung soll mit einem Minimum, vorzugsweise aber unter Abwesenheit von
fremdartigen Bindemitteln hergestellt werden, damit die Eigenschaften möglichst nah· denen von Diatoant-Einzelkristallen oder
polykristallinen Dianantaggregaten körnen.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, «in Verfahren zu» Zusammenschluß von Diaeant-Staubpartikeln asu schaffen, bei dem ein Diamant-Preßling bzw. ein selbstbindendes festes Diaeantpartikel-Aggregat entsteht..
Sine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Formen und Verbinden von feinverteilten Diasaantpartikeln oder -staub
zum Herstellen eines Preßlings zu schaffen, bei den eine direkte Dianant-Diamant-Verbindung besteht und der nahezu die Harte eines
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Bei jaem Verfahren gemäß der Erfindung werden feinverteilte Dia-Eremtpartilcel,
d. Ti. Pulver oder Staub bestimmter Partikel größe
einer vorangehenden Reinigung unter Verwendung von Lösungsmitteln
zum Entfernen starker Verunreinigungen unterzogen. Der gereinigt·
Diamantstaub wird dann wärmeniäßig im Hochvakuum vorbehandelt und
auf eine höhere Temperatur gebracht, die unterhalb der Diamant-Graphiti-Urawandlungsteraperatur
liegt. Um eine neuerliche Verschmutzung
oder eine Dekonditionierung zu verhindern, wird der Diamantstaub weiterhin in einer Edelgas-Atmosphäre gelagert und
bearbeitet. Der vorbehandelte Diamantstaub wird anschließend unter
hohen Drücken und hohen Temperaturen, die im allgemeinem im stabilen Bereich für Diamanten im Graphit-Diamant-Phaseneyetem
liegen, gepreßt. Ee hat sich gezeigt, daß die vorkonditionierende Behandlung für das Entstehen einer Adhäsionsbindung zwischen den
Diamanten bei dem darauffolgenden Preßvorgang wesentlich ist.
Desweiteren steigt durch die Beimischung kleiner Mengen von Bor-, Silizium- oder Beryllium-Pulver zum vorkonditionierten Diamantstaub
die Ausbeute an brauchbaren Preßlingen. Das Produkt ist ein dicht zusammenhängender selbstbindender Diamantpartikel-Preßling,
dessen Dichte und Härte annähernd der Dichte und Härte eines Diamantkristalls entspricht. Der Diamantpreßling weist infolge
der regellosen Orientierung der Diauiantpartikel eine wesentlich
größere Zähigkeit und Widerstandsfähigkeit gegen eine Spaltung auf als ein Diacia η tkr is tall. Zusätzlich wird das Brechen der
Diiunaiitpartilicl durch die Verwendung von Diamantstaub geringer
PartikelgröCe eliminiert. Die physikalischen Eigenschaften sind ii.i Vergleich π it den ausgeprägt anisotropischen Eigenschaften
des Dlauantkristalls als isotrop zu bezeichnen.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden nnhand eines Phasendiagramms und der zeichnerisch dargestellten
Teilappartur des erfindungsgemäßen Verfahrens beschrieben.
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Es zeigen:
Fig. 1 ein Diamant-Graphit-Phasendiagramm, bei dem die
durchgezogenen und durchbrochenen Linienteile die Diatnant-Graphit-Gleichgewichtslinie darstellen und
die Wellenlinien experimentell gefundene Werte angeben, und
Fig. 2 die Ansicht eines Querschnittes durch einen Teil einer
Vorrichtung für die Anwendung im erfindungsgeiaäßen Verfahren.
In dem Verfahren gemäß der Erfindung können fein unterteilte Diamantpartikel
oder Diamantstaub sowohl natürlicher als auch synthetischer Herkunft verwendet werden. Natürlicher Diamantstaub
wird im Minenbetrieb gefördert und fällt in großen Mengen bei Diamantbrech-, Diamantschneid— und Diamantpolier-Arbeitsvorgängen.
wie sie bei der Herstellung von Diamantschleifmitteln und Schmuckgegenständen durchgeführt werden, an. Das beim Polieren
anfallende Produkt ist im Handel als Schleifstaub ("Swarf") bekannt.
Es ist unvermeidlich, daß bei solchen Vorgängen Diamantstaub mit Partikelgrößen unter 5o Mikron in Mengen entsteht, die
weit über die Nachfrage hinausgehen oder welche sonst nicht genutzt werden können. Desweiteren fallen bei der bekannten Diamant-Synthese,
beispielsweise bei der katalytischen Umwandlung aus Graphit und ähnlichen Verfahren, bei hohen Temperaturen und
Drücken oder durch Explosionsverfahren beträchtlich· Mengen von Diamantetaub mit Partikelgrößen von wenigen Mikron oder weniger
als ein Mikron an.
Diamantataub mit Partikelgrößen von mindestens etwa o,3 Mikron bis höchstens etwa 6o Mikron Durchmesser können in Verfahren
gemäß der Erfindung verwendet werden· Partikelgrößen von o,5 -
Io Mikron werden bevorzugt und Partikelgrößen im Dereich von
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19538Q0
ο,5 bis ungefähr 5 Mikron sind besonders geeignet, da es sich
herausgestellt hat, daß Diamantstaub mit Partikelgrößen im Dereich von ein paar Mikron bis unterhalb einem Mikron einen homogeneren Preßling und homogenere Verbundmaterialien als größere
Partikel ergeben und die größte erreichbare Festigkeit und die größte meßbare Härte aufweisen, die die von Diatnantkristallen
erreichen oder ihnen ziemlich nahe kommen. Bei Partikelgrößen
von beispielsweise 2o - 4o Mikron oder 4o - 6o Mikron wird im allgemeinen ein weniger homogener Preßling erhalten. Obwohl
Regionen festzustellen sind, in denen eine direkt wirksame Dia—
mant-Diamant-Verbindung und Sinterung auftritt, weisen die Verbundmaterialien eine geringere Meßhärte auf, was eine geringere
Verbundfestigkeit anzeigt.
Mischungen von Partikeln geringer Größe in ausreichenden Mengen,
beispielsweise o,3 Mikron bis Io Mikron mit größeren Partikeln,
beispielsweise 3o - 6o Mikron, zum Ausfüllen der Zwischenräume, ergeben ebenfalls Verbundmaterialien hoher Festigkeit und großer
Härte. Die Mischungen müssen mindestens 2o Gewichtsteile an Partikeln geringer Größe enthalten. Bei Verwendung von Diamantstaub
mit einer Partikelgröße von wenigen Mikron, beispielsweise o,5 - Io Mikron, verhält sich der Staub ähnlich wie eine plastische Masse, wodurch Drücke ausgeglichen, der Bruch von Partikeln
verhindert und ein maximaler Anfangskontakt zwischen den Partikeloberflächen erzielt werden. Ein ähnlicher Effekt zur Verhinderung dee Bruches größerer Partikel wird erreicht, wenn zwischen
größeren Staubpartikeln oder gar großkörnigeren Diamanten genügend kleinere Partikel vorhanden sind, um die Zwischenräume zu
füllen. Ks hat sich gezeigt, daß das Ausgangsmaterial wesentlich billiger ist als der als Endprodukt hervorgehende große feste
Diamantkörper, wodurch die sehr günstigen wirtschaftlichen Aspekte des vorliegenden Verfahrens aufgezeigt werden. Mit jeder der
angeführten Mischungen ist eine direkte Diamant-Diaraant-Verbindung und Sinterung erzielbar· Die Wirksamkeit der Verbindung ergibt sich daraus, daß bei der Prüfung der Verbindung mit einem
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BAD ORIGINAL
härteren Material, wie sie beispielsweise bei einem Vickers-Härteprüf-Apparat durchgeführt wird, die Diamantprüfspitze nach
nur ein paar Härteprüfversuchen bricht. Die Materialhärte, die
mit dem zuvor erwähnten Vickers-Gerät gemessen wird, liegt im Bereich von 8000 - 9ooo HV (Vickers-Härte), während ein Einzeldiamant bestimmter Orientierung etwa Io 000 IIV aufweist.
Diamantpartikel oder -staub, der gemäß dem vorliegenden Verfahren
gepreßt wird, wird mehrfach mit Lösungsmitteln gewaschen, um grobe Verunreinigungen wie Öle oder Kohlenwasserstoffe von vorangegangenen Bearbeitungs- und Rückgewinnungsvorgängen und ähnlichen Prozessen zu entfernen. Das Waschen erfolgt durch Mischen
mit einem Lösungsmittel wie beispielsweise Ketonen mit niedrigem Siedepunkt, z. B. Azeton, chloriertem Kohlenwasserstoff oder
einem Entfettungsmittel, wie Trichloräthylen oder Dichloräthan. Anschließend wird das Lösungsmittel durch einmaliges oder mehrmaliges Dekantieren oder Filtrieren entfernt. Bevorzugt wird der
Waschvorgang durch die Anwendung eines hochreinen leichtflüchtigen Lösungsmittels, wie beispielsweise Methyl- oder Äthylalkohol,
abgeschlossen, so daß beim Trocknen kein Rückstand auf der Oberfläche der Diamantpartikel verbleibt.
Die gereinigten Diamantpartikel oder der gereinigte Diamantstaub
erfahren dann eine Vorkonditionierung durch Erhitzen auf eine
erhöhte Temperatur bis unterhalb der Diamant-Graphit-Umwandlungstemperatur. Dazu wird der gereinigte Diamantstaub in eine geschlossene Kammer, die erhitzt und evakuiert werden kann, gebracht. Das Material wird in der Kammer auf eine Temperatur im
Bereich von 3oo ° - looo ° C erhitzt bei einem Vakuuadruck
unterhalb von etwa Io Torr bis io" Torrj bevorzugt wird ein
Vakuumdruck von mindestens lo~' Torr während des Evakuieren«
angestrebt· Für die meisten Vorgänge erweist sich ein Erhitzen auf eine Temperatur im Bereich von 4oo - 600 ° C als günstig,
während eine Temperatur in der Größenordnung von 5oo ° C bevorzugt wird. Die erforderliche Zeit beträgt etwa eine halbe Stunde
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BAD
und darüber. Diese vorkonditionierende Behandlund des feinverteil·
ten Diamantstaubes ist unerläßlich und wesentlich dafür, daß im
nachfolgenden Preßvorgang eine Diaraant-Diamant-Kohäsion und
-Sinterung erreicht wird. Bei der Vorkonditionierung werden alle adsorbierten schädlichen Gase entfernt, wie beispielsweise Luftbestandteile ebenso wie feste, adsorbierte Materialien wie beispielsweise Kohlenwasserstoffe, Wachse, Fette, Schneideinittel
und andere Materialien, mit denen der Diamantstaub in Berührung gekommen ist und welche normalerweise die Herstellung einer direkten Diamant—Diamant—Verbindung verhindern.
Nach Eintritt einer merklichen Verlangsanrung oder nach dem Aufhören der Entwicklung von gasförmigen Materialien, was durch
Erreichen der oben angeführten Druckwerte für das angegebene Hochvakuum angezeigt wird, erfolgt das Einleiten eines neutralen
Gases, beispielsweise eines reinen Edelgases wie Helium, Neon
oder Argon, in die Kammer und die Abkühlung der Kammer auf Raumtemperatur. Das vorkonditionierte Material wird anschließend aus
der Kammer entfernt und vorzugsweise in einer reinen trockenen Atmosphäre aus neutralem Gas gelagert, um eine erneute Verunreinigung zu vermeiden. Es kann mit großer Wahrscheinlichkeit angenommen werden, daß eine Vorkonditionierung der Diamantpartikeloberflächen eine Verbindung der Diamantpartikel nach anderen Verfahren, bei denen beispielsweise hitzebs tändige Metalle, Karbide
und ähnliche Materialien als Bindemittel verwendet werden, erleichtert.
Für die Herstellung eines Diamantpreßlings aus vorkonditionierten
Diamantpartikeln oder aus -staub gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Charge von Partikeln geeigneter gleicher Größe oder
eine Mischung von Diamantpartikeln unterschiedlicher Partikelgrößen in einen geeigneten Formbehälter gebracht und diese Charge
unter entsprechenden Drücken und Temperaturen gepreßt, wie in folgenden dargelegt wird·
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BAD ORJGlNAt
Das Füllen der Form wird vorzugsweise in einer trockenen reinen
Atmosphäre aus neutralem Gas durchgeführt, um eine Verunreinigung der Diamantoberflachen zu verhindern. Während der nachfolgenden Kompression und Erhitzung ist es wichtig, daß sich zumindest Teile der Oberflächen miteinander in Kontakt befinden.
Die Auswahl der Partikelgröße und/oder das Mischen können entweder vor oder nach der vorkonditionierenden Behandlung vorgenommen werden. Bei der Verwendung von vorkonditxoniertetn Material
allein werden brauchbare und zufriedenstellende Verbindungen erreicht. Es hat sich gezeigt, daß die Beimischung und die Beifügung von pulverisiertem natürlichem Bor, Silizium oder Beryllium
in Mengen von weniger als etwa 2 - 3 % Gewichtsprozent bis zu
den normalerweise verwendeten Mengen von etwa 1 Gewichtsprozent zu dem vorkonditionierten Diamantstaub die Herstellung von Preßlingen hoher Festigkeit wesentlich fördert. Wie zuvor erwähnt,
ist der direkte Partikelkontakt für das Erzielen einer Verbindung notwendig, die Mengen des hierbei zugefügten Bors wirken sich
nicht aus. Mengen von weniger als etwa einen Gewichtsprozent bis etwa o,2 Gewichtsprozent der beigefügten Materialien genügen für
eine wirksame unterstützung der Verbindung· Die reinen metallischen Beifügungen werden in feinverteiltem Zustand Mit dem Diamantstaub gut vermischt und weisen vorzugsweise eine Partikelgröße von ein paar Mikron bis weniger als ein Mikron auf, beispielsweise o,5 - 1 Mikron. In welcher Art Bor, Siliziuui oder
Beryllium auf das Verbinden oder Sintern günstig einwirkt, ist noch nicht offenkundig. Es sind verschiedene Einflüsse denkbar,
so unter anderem daß Bor, Silizium oder Beryllium die Diamantoberfläche aktivieren durch Entfernen oder Verhindern der Verschmutzung durch Sauerstoff, Stickstoff oder anderen Verunreinigungen odert daß durch die Reaktion geringerer Mengen gebildeten
Graphite Karbide mit außerordentlicher Festigkeit entstehen. Eine weitere Möglichkeit ist durch da« Eindiffundieren von Bor
oder der anderen Mittel in die Diatnantoberflache und Bildung
einer Grenzschicht, die eine Bindung erleichtert, gegeben· Ein
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weiterer Einfluß könnte dadurch gegeben sein, daß sich die angeführten
Materialien mit jenen geringen Mengen von Graphit verbinden, die während des Preßvorgangs entstehen. Dadurch wird die
Bildung der direkten Diauiant-Diauant-Bindung beeinflußt, da der
schädliche Einfluß von Graphit, der zwischen den Diamantpartikeln
verbleibt oder während des Preßvorgaugs neu gebildet wird,
unterbunden wird.
In Abhangigkeix von den gewünschten Eigenschaften uad der ge·
auLeren j'oru dux- Preßlinge wer do η Diauantstaub be-Partikel
grolle, wie beispielsweise von o,5 - 5 Mikron,
i - Io Mikron, 3« - ^o Mikron oder anderer Größe iia Bereich von
weniger als 1 liikron bis ungefähr 5<> Mikron oder auegewählte
Mischungen von Partikelgroßen oder geschichtete Anordnungen mit
oder ohne Bor, Beryllium oder Siliziua-BindungsZusatzmittel, in
den Foriabehälter eingebracht. Vorzugsweise wird der Behälter
vox- douj Preßvorgaug evakuiert und abgedichtet. Cine weitere Möglichkeit
besteht darin, daß der Behälter während des Preßvorgangs evakuiert wird.
Für das Verdichten des vorkonditionierten Diauiantiuaterials kann
ein Hochdruck-, Hochtemperatur-Kocipressions- oder Verdichtungsapparat herkömmlicher Konstruktion wie beispielsweise der sogenannte
"Band"- oder "Gürtel"-Apparat verwandt werden und ähnliche Apparate, die bei der Herstellung von synthetischen
Üiauanten Verwendung finden.
Fig. 1 zexgt eine Querschnittsansicht der wesentlichen Bauelemente
eines solchen Apparates, wobei eine vorkonditioniorte
Dianiantstaubmenge 13, die wie zuvor boschrieben mit pulverisiertem
Bor vermischt sein kann, in einen Formbehälter 14 eingefüllt
wird. Der Behalter l't weist die Form einer Büchse aus Tantal oder
aus anderem neutralen hitzebeständigem Metall in der gewünschten
Konfiguration auf. Die Diatitants taubiuis chung kann auch vor der
Vorkonditionierung in den Behälter 14 eingebracht werden. Der·
- Io -
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- Io -
Behälter Ik wird gefüllt und in einer neutralen Gasatmosphäre,
beispielsweise aus Argon, zur Verhinderung von Verunreinigungen gelagert. Vor dem Ausformen wird der Behälter auf etwa unter
Io Torr und vorzugsweise unter Io Torr evakuiert. Anschließend wird er verschlossen und durch Elektronenstrahlschweißen
in Vakuum, um jegliches Gas vom Behälter fernzuhalten, abgedichtet. Zur Erhitzung mit elektrischen Strom umgibt eine rohrförmige Ofen-Umkleidung 15 aus Graphitkohle den Behälter lA und ist
durch eine Bor-Nitrit-Hülse 16 und eine Umkleidung aus Pyrophyllit 17 von ihm isoliert. Ein sich nach innen verjüngendes
ringförmiges Druckstück Io aus Wolfram-Karbid umgibt ringförmig die Umkleidung I5. Dazwischen sind ringförmige Abdichtungen löc
und ldd aus Pyrophyllit angeordnet, die die seitlichen Drücke auf die Umkleidung übertragen. Das Druckstück Io ist von kreisförmigen hochfesten Stahlringen Il umgeben, die die während der
Verdichtung erzeugten seitlichen Kräfte aufnehmen. Sich verjüngen de Wolframkarbidkolben oder -stempel 12 und 12', welche ebenfalls
von Bandagen aus hochfestem Stahl uageben sind, ragen von gegenüberliegenden Seiten in die zentrale Öffnung des ringförmigen
Druckstückes Io hinein. Sie sind von den sich verjüngenden Teilen des Druckstückes Io durch Abdichtungen 18a und 18b aus
Pyrophyllit, die die Form stumpfer Kegel aufweisen, abgedichtet und isoliert. Durch diese Anordnung wird auf das Diamantpulver
•in wirksamer Verdichtungsdruck übertragen und aufgebracht. Die
ringförmigen pyrophyllitischen Abdichtungen Ida, l3b, 18c und
ldd isolieren sowohl die sich verjüngenden Kolben 12 und 12* elektrisch als auch die Kohleofenhülse I5 vom Druckstück Io. Die
Enden der Hülse I5 befinden sich in Kontakt alt den Kolben 12 und
12', wodurch elektrischer Heizstrom durch diese von einer nicht dargestellten Quelle durchgeschickt wird. Di· Temperatur des Behälters 14 wird durch Regulierung der der Ofenhüls· 15 zugeführten Leistung kontrolliert. Für die Evakuierung sind nachgiebige
(nicht dargestellte) Abdichtungen zwischen kühleren Teilen der Stempel 12 und 12* und dem Druckstück Io unterhalb der pyrophyllitischen Glieder l8a, ldb vorgesehen, sowie Leitungen 21, 21',
die «lit (nicht dargestellten) Vakuujspuapen in Verbindung stehen··
- 11 -
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JAVV.OiRO 8AD OBiGINAL
Vorteilhafterweise wird der gesamte Apparat in einem Vakuum unterhalb von etwa lo~* Torr aufbewahrt, um den Zutritt von
Luft in den Behälter 14 durch mangelhafte Schweißungen, Risse
ähnliches zu verhindern·
β Erdichtung wird dadurch bewerkstelligt, daß der Apparat in
geeignete Presse gebracht wird. Die von der Presse ausgeübte Kraft wird durch bekannte Verfahren geeicht, bei denen Materialien
mit sprunghaft veränderlicher elektrischer Leitfähigkeit bei verschiedenen Drücken verwendet werden. Beispielsweise weist
Wisuiuth bei Raumtemperatur ausgeprägte Leitfähigkeitsänderungen
bei 25,5 und 00 kb (Kilobar) auf; Ytterbium bei 39 kb und Barium
bei 56 kb. Die Änderungen dieser Materialien werden im Behälter
zusammen mit dem zwischen den Stempeln auftretenden elektrischen Widerstand dazu benutzt, ein Diagramm zwischen dem in der Druckkammer
herrschenden wirksamen Druck und dem von der Presse ausgeübten Druck zu erhalten.
Bei der Verwendung des bekannten "Gürtel"-Apparates tritt das Problem auf, da£ die auf die Diamantpartikel im Behälter 14 aufgebrachten
Druckgradienten nicht völlig gleichmäßig sind, wodurch es zuu Brechen der Partikel kommen kann. Dies kann durch
allmählich ansteigenden Druck auf den Behälter 14 vermieden werden.
Vorzugsweise wird die Temperatur über I600 ° C bis mindestens 2ooo ° C gesteigert, wobei Temperaturen von löoo ° bis
I900 C eine schnelle und wirksame Verdichtung und Verbindung
innerhalb von Zeitperioden von 15 Minuten ergeben. Bei höheren
Temperaturen uiuß der Druck im Verhältnis dazu gesteigert werden,
uiu einen für Diamanten stabilen Zustand im Behälter aufrechtzuerhalten.
Angewandte Drücke liegen im Bereich von 55 - 80 Kilobar, bei Temperaturen von über I600 ° C und Zeitspannen von etwa
einer Stunde. Längere Zeitspannen, bis zu acht Stunden, zeigen keine deutliche Verbesserung in den Ergebnissen. Vorteilhafterweiso
wird im stabilen Bereich für Diamant gearbeitet. Überraschenderweise
hat es sich t-aeigt, daß eine wirkungsvolle Verdichtung
und Verbindung der Diamant partikel, ohne ausgeprägte
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Umwandlung von Diamant in Graishit, auch im Zustandsbereich an
der Grenzlinie oder sogar etwas innerhalb des stabilen Bereichs von Graphit erreicht werden kann, vorausgesetzt, daß die Verdichtungszeit
auf weniger als zwei Stunden begrenzt wird. Nach dem Verdichten und Sintern oder Verbinden wird zuerst die Temperatur
auf einen Wert unterhalb der Diamant-Graphit—Uniwandlungs·
temperatur abgesenkt (vgl. Fig. 2) „und anschließend der Verdichtungsdruck
langsam abgesenkt. Nach Erreichen der Urigebungstemperatur
und des -druckes wird der gesinterte Diamantpreßling der Apparatur entnommen« Die Form des Preßlings ist selbstverständlich
primär durch die Form des Behälters 14 gegeben, in
den das Diamantpulver eingebracht wurde. Es kann deshalb die
Formgebung von Werkzeugen und Einsätzen direkt in der Preßform
erfolgen. . :-f-
In den folgenden praktisch erprobten Beispielen werden weitere Einzelheiten des Verfahrens gemäß der Erfindung angegeben:
Diamantstaub, dessen Partikelgrößen in der nachfolgenden Tabelle
angegeben sind, wird mehrfach mit Aceton gewaschen, zuletzt mit Alkohol und getrocknet. Der reine Diamantstaub wird dann durch
Erhitzen auf 3oo C in einer Vakuumkammer vorkonditionxert bis
zum Aufhören der Entgasung und Erreichen eines Vakuumdruckes von io Torr. In die Kaminer wird reines trocknes Argon eingeleitet
und der Diamantstaub in der Argonatmosphäre abgekühlt und gelagert.
Der vorkonditionierte Diamantstaub wird dann allein oder unter Zumischung von den in der Tabelle angegebenen Gewichtsprozenten
Bor-, Silizium- oder Berylliumstaub von etwa einem Mikron Partikelgröße in einen Behälter mit den Abmessungen von 4,0 inta
(3/16 inch) Länge, 4,3 mm (3/16 inch) Durchmesser, einer Wanddicke von o,254 mm (o,ol inch), eingefüllt, der aus einem am Boden
verschlossene,. Tantalrohr besteht. Der Behälter wird dann auf unterhalb etwa lo"'' I
platte daraufgeschweißt·
platte daraufgeschweißt·
auf unterhalb etwa lo~^ bis lo~ Torr evakuiert und eine Abdeck-
- 13 -
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Der abgedichtete Behälter wird anschließend in dem zuvor beschriebenen
"Gürtel"-Apparat für nahezu isostatische Hochdruckünd
Hochtemperatur-Verdichtung eingebracht und ein Vakuum von
unterhalb etwa Io Torr erzeugt. Die Temperatur wird zunächst auf ungefähr 2oo C gesteigert und daran anschließend der Verdi
chtungsdruck auf 65 Kilobar angehoben. Danach wird der Behälter
eine Stunde lang auf die in der Tabelle angegebene Temperatur erhitzt und darauffolgend auf eine Temperatur unterhalb
der Diamant-Graphit-Umwandlungatetnperatur abgekühlt, d. h. nahezu
auf Raumtemperatur} der Druck auf dem Behälter wird langsam verringert, da eine abrupte Druckänderung ein Brechen des Preßlings
zur Folge haben kann. Nach Entfernung des im Behälter eingeschlossenen Preßlings aus dem Verdichtungsapparat wird
ein Ende des Behälters durch Abschleifen entfernt.
Die Preßlinge wurden visuell geprüft und mit einem Vickers-Härtie·
prüfgerät getestet. Die Ergebnisse dieser Prüfung sind in der Tabelle angeführt.
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Anspruch«ι
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Claims (1)
- - 15 -Ansprüche1. Verfahren für die Herstellung eines dichten, kohärenten einzelnen Diamantenpreßlings aus Diamantpartikeln oder Diamantstaub, dadurch gekennzeichnet, daß zur Vorkonditionierung der Oberfläche der Partikel reiner fein verteilter Diamantstaub auf eine erhöhte Temperatur unterhalb der Diamant—Graphit-Umwandlungstemperatur unter hohem Vakuum erhitzt wird, anschließend eine Charge der vorbereiteten Partikel, deren vorkonditionierte Oberflächen sich zum Großteil direkt berühren, unter Druck gesetzt wird, der zumindest oberhalb des Graphit-Diamant-Umwandlungsdruckes liegt und durch gleichzeitiges Erhitzen der zusammengepreßten Charge von vorkonditionierten Diamantpartikeln auf eine Temperatur oberhalb der Graphit-Diamant-Umwandlungstemperatur und im wesentlichen im stabilen Bereich von Diamant, zwischen den Partikeln der Charge eine Sinterung und eine direkte Diamantpartikel-Diamantpartikelbindung hergestellt wird.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß fein unterteilte Diamantpartikel durch Erhitzen auf eine Temperatur im Bereich von etwa 3oo C bis looo C bei einem Vakuumdruck unter etwa Io Torr vorkonditioniert werden·3· Verfahren geniijß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß fein unterteilte Diamantpartikel durch Erhitzen auf eine Temperatur von 4oo ° bis 6oo ° C bei einem Vakuumdruck unter etwa lo"" Torr vorkonditioniert werden.k. Verfahren gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die fein unterteilten Diamantpartikel eine Partikelgröße im Dereich von etwa o,3 bis etwa 6o Mikron aufweisen.- 16 -009824/17575· Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Pax-tikelgröße der Diamantpartikel in einem Bereich von etwa o,5 bis Io Mikron liogt.6. Verfahren gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die fein unterteilten Diamantpartikel zumindest 2o Gewichtsteile Diamantstaub mit einer Partikelgröße im Bereich von o,3 his Io Mikron aufweisen.7« Verfahren gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Charge der Diamantpartikel mit einem Druck von mindestens etwa 35 Kilobar und bei einer Temperatur von oberhalb 13oo C zusammengepreßt wird.8. Verfahren gemäß Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet , daß der Charge von fein unterteilten Diamantpartikeln natürliches Material aus Bor-, Silizium- oder Berylliumstaub zugesetzt und in einer Menge von unterhalb etwa 3 Gewichtsprozent zugemischt ist.9. Verfahren gemäß Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet , daß reine fein unterteilte Diamantpartikel durch mehrfaches Waschen mit einem organischen Lösungsmittel und abschließend mit einem Alkohol niedrigen Molekulargewichtes erhalten werden.Io. Verfahren gemäß Anspruch 7i dadurch ge kenn-, zeichnet, daß die Charge von vorkonditxoiiierten Diamantpartikeln Silizium- und Berylliumstaub in Beträgen von unterhalb etwa 1 Gewichtsprozent aufweist und mit einem Druck im Bereich von etwa 55 bis 8o Kilobar und bei einer Temperatur im Bereich von etwa l6oo C bis 2ooo ° C zu sammengepreßt wird·fll«) Diamantpreßling, hergestellt gemäß dem Verfahren nach denAnsprüchen 1 bis Io, dadurch gekennzeich-00982^/1757 -17-BAD ORIGINAL195380Qnet, daß der Preßling im wesentlichen aus einer Anzahl von Diamantpartikeln mit Partikelgrößen im Bereich von etwa o,3 *»is 60 Mikron besteht, wobei die Partikel an benachbarte Partikel anstoßen und mit ihnen versintert sind, wodurch eine direkte Diainant-Biamant-Verbindung hergestellt ist, so daß ein Preßling mit einer effektiven Härte von mindestens 7000, entsprechend der Vickers-Härteskala, entsteht.12. Diamantpreßlxng gemäß dem Verfahren nach Anspruch 3 hergestellt, dadurch gekennzeichnet, daß ein Material, ausgewählt aus der Gruppe natürliches Bor , Silizium und Beryllium in Beträgen im Bereich von o,2 bis etwa 3 Gewichtsprozent in dem gesinterten Diamantpartikelpreßling enthalten ist.00 9824/1757BAD ORtGfNAlLe^rseite
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Publications (1)
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Family
ID=25100756
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Country | Link |
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US (1) | US3574580A (de) |
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CH (1) | CH545749A (de) |
DE (1) | DE1953800A1 (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHW | Rejection | ||
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 19549472 |