DE19511236A1

DE19511236A1 - Reinigungsflüssigkeit für Silizium-Wafer und Verfahren zur Reinigung von Silizium-Wafern unter Verwendung dieser Reinigungsflüssigkeit

Info

Publication number: DE19511236A1
Application number: DE19511236A
Authority: DE
Inventors: Hisashi Muraoka
Original assignee: Toshiba Corp; Purex Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Purex Co Ltd
Priority date: 1993-11-18
Filing date: 1995-03-27
Publication date: 1996-10-02
Also published as: JP3265333B2; JPH07142436A

Description

Die Erfindung betrifft eine Reinigungsflüssigkeit für Silizium-Wafer, die z. B. geeignet ist für die Herstellung von Halbleiter-Si-Wafern und für die Herstellung von Halbleiter vorrichtungen, sowie ein Verfahren zur Reinigung von Silizium-Wafern unter Verwendung dieser Reinigungsflüssigkeit.

Als Reinigungsflüssigkeiten, die bei der Reinigung der mit Schwermetallen stark verunreinigten Oberfläche von Halbleiter-Silizium-Wafern breite Anwendung finden, sind z. B. eine Flüssigkeit, die aus Salzsäure, Wasserstoffperoxid und Wasser besteht und als SC-2 bezeichnet wird, wie sie für das RCA-Verfahren verwendet wird, und oxidierende Reinigungsflüssigkeiten wie Salpetersäure und Aqua regia bekannt. Die Reinigung von Silizium-Wafern unter Verwendung dieser Reinigungsflüssigkeiten wird im allgemeinen so durchgeführt, daß die Silizium-Wafer auf Fluorharzträger aufgebracht und dann in diese Reinigungsflüssigkeiten während einer vorgeschriebenen Zeitdauer eingetaucht werden. Nach dem Eintauchen der Silizium-Wafer in die Reinigungsflüssigkeiten werden die Schwermetalle auf ihrer Oberfläche gelöst und entfernt. Was die Wirkung der Entfernung von Schwermetallen mit Hilfe dieser Reinigungsflüssigkeiten betrifft, so hat die Prüfung der Verunreinigung mit Gold, das unter allen Schwermetallen am schwersten zu entfernen ist, ergeben, daß Aqua regia und SC-2 bei starker Verunreinigung mit Gold (ca. 10¹⁵ Atome/cm² oder darüber) wirksam reinigen, die Reinigungswirkung jedoch nicht ausreichend ist, wenn die Verunreinigung unterhalb des genannten Niveaus liegt. Überhaupt keine Reini gungswirkung stellt sich ein, wenn die Verunreinigung in der Größenordnung von 10¹³ Atome/cm² oder darunter liegt. Dies hängt damit zusammen, daß bei einer Verun reinigung mit 10¹⁴ Atome/cm² oder darunter zum Zeitpunkt der Reinigung sich auf der Waferoberfläche ein Oxidfilm spontan bilden kann und die Au-Atome von diesem überzogen werden.

Es ist daher wünschenswert, daß während der Entfernung des Oxidfilms eine Behandlung mit einem Oxidationsmittel erfolgt. Der Anmelder hatte in der JP-PS 613 521 bereits eine Reinigungsflüssigkeit aus 1 Volumenteil Aqua regia und 0,3 Volumenteilen oder weniger an HF als Mittel zur Entfernung des Oxidfilms vorge schlagen. Entsprechend diesem Verfahren kann eine Verunreinigung mit Gold in der Größenordnung von 10¹⁵ Atome/cm² durch eine Reinigungsbehandlung auf 10¹⁰ Ato me/cm² vermindert werden. Die durch HNO₃ und HF verursachte Ätzwirkung auf die Si-Waferoberfläche ist jedoch stark, da sie durch Chlor und Nitrosylchlorid, die sich aus der Aqua regia bilden, begünstigt wird. Bei einer bestimmten HF-Konzentration ätzt diese Reinigungsflüssigkeit den Si-Wafer bis zu einer Tiefe von 1 µm oder darüber und die auf der Waferoberfläche erzeugten feinen Einkerbungen (Trübung) schädigen den Spiegelzustand der Oberfläche. Verwendet man andererseits eine Reinigungs flüssigkeit mit einer HF-Konzentration, die so weit herabgesetzt ist, daß es zu keiner Trübung kommt, lassen sich, da ein geringer Unterschied in der Erzeugung von Nitro sylchlorid und Chlor zu einer beträchtlichen Streuung des Ätzgrades führt, die Reini gungsbedingungen nur mehr schwer steuern. Eine derartige Reinigungsflüssigkeit ist daher nicht geeignet für die Herstellung von IC-, LSI-Schaltkreisen usw.

Wenn daher eine besonders starke Verunreinigung mit Schwermetallen entfernt werden muß, müssen ihre Auflösung mit SC-2 oder Aqua regia und eine Ätzbehandlung zur Entfernung des spontan gebildeten Oxidfilms mit verdünnter Fluorwasserstoffsäure alternierend wiederholt werden. Obwohl man mit diesem Reinigungsverfahren Metalle, die leicht oxidiert werden können, wie z. B. Kupfer, entfernen kann, zeigt es keine zufriedenstellende Reinigungswirkung bei der Verunreinigung mit Gold, und selbst wenn z. B. die Behandlung mit verdünnter Fluorwasserstoffsäure und SC-2 10 mal wiederholt wird, wird die Verunreinigung mit Gold lediglich auf ca. die Hälfte reduziert.

Andererseits umfaßt das Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen eine Stufe, bei der auf der Oberfläche des Si-Wafers starke, wenn auch nur muldenförmige Fehler entstehen, wie dies z. B. bei der reaktiven Ionenätzung (RIE) und der Ionen implantation der Fall ist. Da Schwermetalle im allgemeinen eine hohe Diffusionsge schwindigkeit zeigen, dringen sie leicht in einen solchen Fehlerbereich ein, weshalb bei dieser Stufe die Gefahr besteht, daß es zu einer starken Verunreinigung mit Schwer metallen kommt. Für eine derartige Verunreinigung ist demnach eine Reinigungs flüssigkeit erforderlich, die zu ätzen und den Fehlerbereich zu entfernen vermag. Andererseits sollte durch das Ätzen die Glätte der Si-Waferoberfläche nicht be einträchtigt werden. Erwünscht sind somit eine Reinigungsflüssigkeit und ein Reinigungsverfahren, welche das Ätzen bis zu einer Dicke von über 10 Å und ins besondere von ca. 20 bis 30 Å steuern. Bis zu dieser Größenordnung wird durch das Ätzen die Glätte der Oberfläche nämlich nicht beeinträchtigt. Außerdem ist es zur Erzielung einer hohen Produktivität wünschenswert, daß die Reinigung durch einfache Kontaktierung während einer kurzen Zeitdauer (ca. 1 Minute) erfolgt.

Eine Aufgabe der Erfindung ist daher die Bereitstellung einer Reinigungsflüssigkeit für Si-Wafer und ein Verfahren zur Reinigung von Si-Wafern, wobei die Oberfläche des Si-Wafers bei einem Ätzgrad einfach geätzt werden kann, der so eingestellt ist, daß bis zu einer Tiefe von über 10 Å weggeätzt und Gold und andere Schwermetalle bis zu einer Menge von 10¹⁰ Atome/cm² oder darunter entfernt werden oder ihr Anteil bis zu diesem Wert verringert wird.

Die Erfindung stellt zur Erzielung dieser Aufgabe eine Reinigungsflüssigkeit für Si-Wafer bereit, die 35 bis 65 Gew.-% HNO₃, 0,05 bis 0,5 Gew.-% HF, 0,05 bis 0,5 Gew.-% HCl, 0,002 bis 0,1 Gew.-% eines Tensids und Wasser enthält. Ferner stellt die Erfindung ein Verfahren zur Reinigung von Si-Wafern bereit, das die Stufe der Kontaktierung der Oberfläche der Si-Wafer mit der genannten Reinigungsflüssigkeit umfaßt.

Die Flüssigkeit für die Reinigung des Si-Wafers und das erfindungsgemäße Verfahren ermöglichen ein einfaches Ätzen der Oberfläche des Si-Wafers bei einem Ätzgrad, der auf ca. über 10 und insbesondere auf ca. 20 bis 30 Å eingestellt ist, ohne daß die Glätte der Oberfläche beeinträchtigt würde. Außerdem kann die Verunreinigung durch Gold und andere Schwermetalle auf maximal 1/100 vermindert werden. Da der Grad der Verunreinigung mit Schwermetallen beim gesteuerten Verfahren zur Herstellung von sehr hoch integrierten Schaltkreisen in der Größenordnung von 10¹² Atome/cm² liegt, kann durch diese Reinigung eine Verminderung auf 10¹⁰ Atome/cm² oder darunter erzielt werden.

Außerdem können mit der erfindungsgemäßen Flüssigkeit zur Reinigung von Si-Wafern die Ätzgeschwindigkeit sowie der Ätzgrad durch entsprechende Einstellung der Zusammensetzung der Reinigungsflüssigkeit eingestellt werden. Werden z. B. die Ätzgeschwindigkeit auf 20 bis 30 Å/min und die Reinigungszeit eingestellt, kann ein Reinigungsvorgang den oben erwähnten Ätzgrad von ca. 10 bis 20 Å erbringen und selbst dann, wenn die Reinigung zweimal wiederholt wird, ist die Glätte praktisch ausreichend für die Herstellung von sehr hoch integrierten Schaltkreisen.

Außerdem kann die erfindungsgemäße Flüssigkeit zur Reinigung von Si-Wafern selbst bei einer Temperatur von 10°C oder darunter durch entsprechende Wahl der Zusammensetzung ohne Beeinträchtigung des Reinigungseffekts verwendet werden. Selbst dann, wenn man das Problem der Verunreinigung der Luft in dem Raum, in dem für die Reinigung Säuren verwendet werden, in Betracht zieht, kann durch Verwendung der Reinigungsflüssigkeit bei einer Temperatur von 10°C oder darunter praktisch verhindert werden, daß aus der Reinigungsflüssigkeit Säuren entweichen.

Da die erfindungsgemäße Reinigungsflüssigkeit zur Reinigung von Si-Wafern ein sehr hohes Netzvermögen gegenüber Si-Wafern aufweist, kann die Oberfläche bis zur Spülung des Wafers mit reinem Wasser feucht gehalten werden, und die feinen Teilchen in der Reinigungsflüssigkeit können nur wenig an der Oberfläche des Si-Wafers haften bleiben, was für die Beseitigung der Verunreinigung durch feine Teilchen von Vorteil ist.

Da die erfindungsgemäße Reinigungsflüssigkeit zur Reinigung von Si-Wafern eine erneute Verunreinigung der Waferoberfläche durch Metallkomponenten in der Reinigungsflüssigkeit weitgehend verhindert, kann man durch einfache Kontaktierung unter Bildung einer dünnen Schicht der Reinigungsflüssigkeit auf der Oberfläche des Si-Wafers eine ausreichende Reinigungswirkung erzielen. Die Reinigungsflüssigkeit kann auf diese Weise in einer Vorrichtung zur Reinigung der einzelnen Wafer verwendet werden.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 zeigt in einem Diagramm die Ätzgeschwindigkeit der Reinigungsflüssigkeit für Si-Wafer vom P-Typ (Kristallorientierung: (100), elektrischer Widerstand: mehrere Ω-cm) in Abhängigkeit von der Konzentration eines in der Reinigungs flüssigkeit enthaltenen fluorhaltigen Tensids (gemäß Beispiel 3).

Fig. 2 zeigt in einem Diagramm die Adsorption des ¹⁹⁸Au aus der Reinigungsflüssig keit auf dem Si-Wafer in Abhängigkeit von der ¹⁹⁸-Au-Konzentration der Reinigungsflüssigkeit (gemäß Beispiel 9).

Als Tensid können beliebige nichtionische amphotere und kationische Tenside verwendet werden, vorausgesetzt, daß sie keine Metallkomponenten enthalten und ausgezeichnete Durchlässigkeit sowie ausgezeichnetes Netzvermögen für Si-Wafer, d . h. gute Benetzbarkeit sowie gute chemische Beständigkeit in oxidierenden sauren Flüssigkeiten, aufweisen. Konkrete Beispiele dafür sind Oxyethylen-Polyaddi tionsprodukte wie Polyoxyethylenalkylether mit C_8-18-Alkylgruppen und Polyoxy ethylenalkylphenolether mit C_7-10-Alkylgruppen, amphotere Imidazolinium betain-Tenside und fluorhalige Tenside, z. B. nichtionische Perfluoralkylaminoxide, amphotere Perfluoralkylbetaine und kationischen Perfluoralkyltrimethylammoniumverbindungen nahestehende quaternäre Ammoniumsalze. Ein Beispiel für das Oxyethylen-Poly additionsprodukt ist insbesondere ein Polyoxyethylennonylphenylether mit einer Molzahl für Ethylenoxid von ca. 10 und insbesondere 9 bis 13. Besonders bevorzugt sind unter den Tensiden fluorhaltige Tenside mit einer Perfluoralkylgruppe im Molekül mit C_4-10-Alkylgruppen.

Die Konzentration des Tensids in der Reinigungsflüssigkeit beträgt 0,002 bis 0,1 und bevorzugt 0,002 bis 0,05 Gew.-%.

Die HNO₃-Konzentration beträgt 35 bis 65 und bevorzugt 45 bis 55 Gew.-%. Einer seits kann, wenn die Konzentration von HNO₃ unter 35 Gew.-% liegt, eine zu friedenstellende Entfernung des Au nicht gewährleistet werden, sofern nicht die Konzentration an HF oder HCl über 0,5 Gew.-% liegt. Andererseits kann sich, wenn die Konzentration an HNO₃ über 65 Gew.-% liegt, auf der Waferoberfläche ein von der Norm abweichender hydrophiler Film bilden und die Vollständigkeit der Kri stallausbildung der gereinigten Oberfläche kann schwer gesteuert werden.

Die Konzentration an HF beträgt 0,05 bis 0,5 Gew.-% und vorzugsweise 0,1 bis 0,3 Gew.-%. Liegt die Konzentration an HF unter 0,05 Gew.-%, wird die Entfernung von Au zu stark beeinträchtigt, wohingegen, wenn die Konzentration an HF 0,5 Gew.-% überschreitet, es schwierig wird, den Ätzgrad zu steuern, d. h. die Glätte zu gewährleisten.

Die Konzentration an HCl beträgt 0,05 bis 0,5 Gew.-% und vorzugsweise 0,1 bis 0,3 Gew.-%. Liegt die Konzentration an HCl unter 0,05 Gew.-%, wird die Entfernung von Au zu stark beeinträchtigt, wohingegen, wenn die Konzentration an HCl 0,5 Gew.-% überschreitet, es schwierig wird, den Ätzgrad zu steuern, d. h. die Glätte zu gewährleisten.

Der erfindungsgemaßen Reinigungsflüssigkeit für Si-Wafer können z. B. organische Säuren wie Essigsäure zugesetzt werden, um den Ätzvorgang zu steuern, sowie Br₂ oder dergleichen, um das Oxidationsvermögen zu steigern, wobei diese Verbindungen in einer Menge zugesetzt werden, bei der sie die Reinigungswirkung nicht beein rächtigen.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren beeinträchtigt manchmal eine gewisse Art der Herstellung der Reinigungsflüssigkeit die Reinigungswirkung. Die am meisten bevorzugte Art der Herstellung besteht darin, daß eine 55 bis 70 Gew.-% Salpetersäure (konzentrierte Salpetersäure) enthaltende wässerige Lösung mit einer wässerigen, eine berechnete Menge an Fluorwasserstoffsäure enthaltenden Lösung, einer eine berechnete Menge an Chlorwasserstoffsäure enthaltenden wässerigen Lösung und einer eine berechnete Menge an Tensid enthaltenden wässerigen Lösung (das für jede wässerige Lösung verwendete Wasser ist reines Wasser) in der angeführten Reihenfolge versetzt wird. Die Reihenfolge der Zugabe von Fluorwasserstoff- und Chlorwasserstoffsäure kann jedoch auch umgekehrt werden. Wird das Tensid vor der Zugabe der Fluor wasserstoff- oder Chlorwasserstoffsäure zugesetzt, bedeutet dies eine Beeinträchtigung der Reinigungswirkung. Selbst dann, wenn die Reinigungsflüssigkeit auf diese bevorzugte Weise hergestellt wird, fällt die Reinigungswirkung der Reinigungs flüssigkeit nach 2 Stunden ab. Daher ist es wünschenswert, daß die Reinigungs flüssigkeit unmittelbar vor der Reinigung in einem Behälter zum Mischen der flüssigen Ausgangsstoffe hergestellt wird, der unmittelbar mit der Reinigungsvorrichtung verbunden ist.

Da auf jeder Stufe der Zugabe ein ausreichendes Mischen erforderlich ist, ist die Mischungsvorrichtung, die auch eine Vorrichtung zum Wägen der flüssigen Aus gangsstoffe umfaßt, kompliziert gebaut und erfordert für die Steuerung eine besondere Sorgfalt. Daher wurde ein Mischungsvorgang unter Verwendung von zwei Teilflüssig keiten entwickelt. Dabei werden durch lediglich einen Mischungsvorgang eine gute Reinigungswirkung und ein hoher Ätzgrad bei guter Reproduzierbarkeit erzielt. Das Zweiteil-Mischverfahren besteht darin, daß man die oben genannten vier wässerigen Lösungen, die in konzentrierter oder verdünnter Form vorliegen können, in geeigneter Weise miteinander unter Bildung von zwei Lösungen, d. h. von zwei Teilflüssigkeiten mischt und diese beiden Lösungen miteinander vermischt, um die Reinigungsflüssigkeit herzustellen, und zwar während der Durchführung der Reinigung oder unmittelbar davor. Die erfindungsgemäße Reinigungsflüssigkeit kann somit in Form von zwei Flüssigkeiten bereitgestellt werden, wie z. B. in Form eines Gemisches aus einer wässerigen, Chlorwasserstoffsäure, Fluorwasserstoffsäure und ein Tensid enthaltenden Lösung mit einer wässerigen Salpetersäurelösung (im allgemeinen in Form von kon zentrierter Salpetersäure). Die Reinigungsflüssigkeit kann aber auch in Form von zwei Flüssigkeiten bereitgestellt werden, wobei die eine eine Salpetersäure (im allgemeinen in Form von konzentrierter Salpetersäure) und Fluorwasserstoffsäure enthaltende wässerige Lösung und die andere eine Chlorwasserstoffsäure und ein Tensid ent haltende wässerige Lösung darstellt. Die auf diese Weise bereitgestellten beiden Flüssigkeiten werden zur Herstellung der Reinigungsflüssigkeit miteinander gemischt. Da diese aus zwei Flüssigkeiten hergestellten Flüssigkeiten über lange Zeit gelagert werden können, können sie vorgängig hergestellt werden.

Durch Einstellung der Konzentration der obigen Säurekomponenten können auch das Ätzvermögen für den Si-Wafer sowie die Ätzgeschwindigkeit eingestellt werden. Ist die HNO₃-Konzentration hoch, kann durch Verminderung der HCl- und HF-Konzentration und im Falle einer niedrigen HNO₃-Konzentration durch Steigerung der HCl- und HF-Konzentration das erwünschte Ätzvermögen erzielt werden. Obwohl die Reinigungs wirkung durch Steigerung der HNO₃-Konzentration leicht angehoben werden kann, kann es durch die HNO₃-Atmosphäre zu einer Umweltverschmutzung kommen, wes halb für einen ausreichenden Abzug gesorgt werden muß. Ist eine große Menge an Flüssigkeit für die Reinigung der Wafer durch Eintauchen erforderlich, ist es daher wünschenswert, eine Zusammensetzung zu wählen, bei der die HNO₃-Konzentration gering ist. Wird die Temperatur der Behandlungsflüssigkeit auf 10°C oder darunter herabgesetzt, da auf diese Weise die Verdampfung der HNO₃ unterdrückt werden kann, kann die Umweltverschmutzung beträchtlich vermindert werden, selbst wenn die Reinigungswirkung durch Zunahme der HNO₃-Konzentration angehoben wird.

Die Reinigung der Si-Wafer mit der erfindungsgemäßen Reinigungsflüssigkeit umfaßt die Kontaktierung des Si-Wafers mit der Reinigungsflüssigkeit. Die Schwermetalle auf dem Si-Wafer werden in der zu entfernenden Reinigungsflüssigkeit gelöst. Im allgemeinen wird die erwünschte Reinigung dadurch erzielt, daß man den Si-Wafer mit der Reinigungsflüssigkeit während ca. 30 Sekunden bis 3 Minuten in Berührung bringt. Durch Wahl der Zusammensetzung der Reinigungsflüssigkeit und Kontaktierung des Si-Wafers mit der Reinigungsflüssigkeit, z. B. während ca. 1 Minute, kann die Verunreinigung durch Gold, Kupfer, Eisen und andere Schwermetalle auf maximal 1/100, verglichen mit der bisherigen Reinigung und - wenn diese Reinigung zweimal nacheinander wiederholt wird - auf maximal 1/1000 herabgesetzt werden. Die Kontaktierungs- bzw. Reinigungstemperatur beträgt ca. 0 bis 30°C und vorzugsweise ca. 5 bis 25°C. Selbst wenn die Kontaktierungstemperatur unter 10°C liegt, kann, wie in Beispiel 5 gezeigt, eine ausreichende Reinigungswirkung erzielt werden.

Die in der erfindungsgemäßen Reinigungsflüssigkeit gelösten Schwermetalle werden auf dem Si-Wafer weniger stark erneut adsorbiert. Sogar dann, wenn z. B. die Kupfer konzentration in der Reinigungsflüssigkeit 100 ppb erreicht, liegt die Adsorption auf dem Si-Wafer in der Größenordnung von 10⁸ Atome/cm². Eine zufriedenstellende Reinigungswirkung kann daher nur durch Überziehen des Si-Wafers mit einer ganz dünnen Schicht der Reinigungsflüssigkeit in einer Dicke von z. B. 0,1 bis 1 mm erreicht werden.

Da die erfindungsgemäße Reinigungsflüssigkeit ein Tensid enthält, hat sie ein sehr hohes Netzvermögen für die Si-Wafer, weshalb die gesamte Oberfläche des Wafers mit einer dünnen Flüssigkeitsschicht, wie oben erwähnt, überzogen werden kann. So z. B. wird ähnlich wie beim Schleuderbeschichtungsverfahren ein Si-Wafer drehbar hori zontal gehalten und die erfindungsgemäße Reinigungsflüssigkeit während des Drehens des Si-Wafers, wobei dieser in horizontaler läge bleibt, nach und nach auf die Oberfläche des Wafers getropft, so daß schließlich die gesamte Oberfläche mit der Schicht der Flüssigkeit überzogen ist. So z. B. wird es im Falle eines 6 Inch (15,24 cm) Wafers empfohlen, 10 bis 20 cm³ der Reinigungsflüssigkeit aufzutropfen. Dabei kann die Waferoberfläche gleichmäßig mit der Reinigungsflüssigkeit während einer vorge schriebenen Zeitdauer überzogen werden, worauf sie dann mit reinem Wasser gespült wird. Zur Trocknung der Waferoberfläche durch Zentrifugieren kann die Drehfrequenz angehoben werden, so daß eine Serie von Reinigungsbehandlungen durchgeführt werden kann (sogenannte Paddelbehandlung). Die Trocknung kann dadurch durchge führt werden, daß man eine reine Atmosphäre über die Waferoberfläche leitet. Es kann aber auch eine Reihe von Reinigungsstufen durchgeführt werden, bei der der Wafer senkrecht gehalten wird, die Reinigungsflüssigkeit von oben auf den Wafer gegossen oder gesprüht wird, um eine ganz dünne Flüssigkeitsschicht auf der Waferoberfläche zu bilden, wonach man den Wafer während einer vorgeschriebenen Zeitdauer stehenläßt, dann mit reinem Wasser spült und schließlich über seine Oberfläche eine erwärmte reine Atmosphäre leitet. Es kann aber auch das traditionelle Tauchverfahren angewandt werden. In diesem Fall wird der Wafer in die Reinigungsflüssigkeit getaucht und unmittelbar danach wieder herausgezogen.

Wird ein Si-Wafer mit einer Reinigungsflüssigkeit gereinigt und trocknet er vor der Spülung mit reinem Wasser an, bleiben die feinen Teilchen in der Reinigungs flüssigkeit im allgemeinen auf dem trockenen Bereich des Si-Wafers fest haften, wonach es sehr schwierig ist, sie durch Spülung mit reinem Wasser wieder zu ent fernen. Die erfindungsgemäße Reinigungsflüssigkeit weist ein hohes Netzvermögen für Si-Wafer auf, und es kommt nur selten vor, daß der Si-Wafer austrocknet, bevor er mit reinem Wasser gespült wird. Ein besonders hohes Netzvermögen hat eine Reinigungs flüssigkeit, die ein fluorhaltiges Tensid enthält. Werden z. B. lediglich 0,01% des Tensids zugesetzt, bleibt fast die gesamte Oberfläche des Si-Wafers bis zur Spülung mit reinem Wasser feucht. Werden 0,02% des Tensids zugesetzt, kann auch positives Netzvermögen gewährleistet werden. Selbst wenn ein Tensid vom Kohlenwasserstofftyp zugesetzt wird und wenn dieses die doppelte Menge eines fluorhaltigen Tensids ausmacht, zeigt die Reinigungsflüssigkeit ein zufriedenstellendes Netzvermögen.

Bei der erfindungsgemäßen Reinigungsflüssigkeit ermöglicht die Zugabe einer ge ringen Menge HF zum Hauptagens, der HNO₃, ein Ätzen der Oberfläche des Si-Wafers ohne spontane Oxidfilmbildung und, obwohl die zugesetzte HCl-Menge sehr gering ist, wird doch genügend Nitrosylchlorid gebildet, um die Metallverunreinigungen auf der Waferoberfläche zu lösen und zu entfernen.

Während Nitrosylchlorid das Ätzen begünstigt, hemmt das zugesetzte Tensid das Ätzen, aber gleichzeitig steuert die Zugabe einer geeigneten geringen Menge des Tensids die Erzeugung von Nitrosylchlorid in einer notwendigen und ausreichenden Menge. Die Geschwindigkeit des Ätzens des Si-Wafers wird auf diese Weise auf ca. 20 bis 30 Å/min eingestellt, so daß die Glätte der gereinigten Waferoberfläche nicht beeinträchtigt wird.

Beispiele

Nachfolgend wird die Erfindung durch Beispiele illustriert, die jedoch keinen einschränkenden Charakter haben.

In jedem Beispiel bedeutet die Prozentangabe bezüglich der Zusammensetzung der Reinigungsflüssigkeit (wäßrige Lösung) Gewichtsprozent. Wenn nicht anders angegeben, wird die Reinigungsflüssigkeit erfindungsgemäß so hergestellt, daß der Salpetersäure Fluorwasserstoffsäure, Salzsäure und ein Tensid in dieser Reihenfolge zugesetzt werden. Außerdem wird die Reinigung so durchgeführt, daß eine flüssige Schicht der Reinigungsflüssigkeit in der vorgeschriebenen Dicke auf dem Si-Wafer durch Vergießen, wie oben erwähnt, gebildet und während einer vorgeschriebenen Zeitdauer gehalten wird.

Die Reinigungswirkung wird unter Verwendung eines Radioisotopenelements (RI) nach dem Tracerverfahren nachgewiesen. Zum Nachweis der Reinigungswirkung auf eine Verunreinigung mit Gold wird als radioaktive Markierung ¹⁹⁸Au verwendet, wobei die Strahlungsimpulse für ¹⁹⁸Au auf der Oberfläche des Si-Wafers vor und nach der Reinigung miteinander verglichen werden. Die Reinigungswirkung wird dann so festgestellt, daß man das Verhältnis der Strahlung des auf der Waferoberfläche haftenden Goldes nach der Reinigung zur Strahlung des auf der Waferoberfläche haftenden Goldes vor der Reinigung (nachfolgend als Restverhältnis in % bezeichnet) feststellt. Bei einer Verunreinigung mit Kupfer werden als Markierung ⁶⁴Cu und bei einer Verunreinigung mit Eisen ⁵⁹Fe verwendet, wobei die Reinigungswirkung auf ähnliche Weise ermittelt wird.

Nachfolgend bedeuten ¹⁹⁸Au Gold, das mit ¹⁹⁸Au, ⁶⁴Cu Kupfer, das mit ⁶⁴Cu, und ⁵⁹Fe Eisen, das mit ⁵⁹Fe markiert ist. Der Ausdruck "Reinigungsdauer" bedeutet die Zeitdauer, während der die flüssige Schicht der Reinigungsflüssigkeit festgehalten wird.

Beispiel 1

Ein Si-Wafer für einen Halbleiter vom P-Typ (elektrischer Widerstand: mehrere Ohm·cm; Kristallorientierung: (100)), der mit ¹⁹⁸Au in einer Menge von ca. 10¹³ Atome/cm² verunreinigt war, wurde mit einer Reinigungsflüssigkeit (Aqua regia oder SC-2), der gewöhnlich eine starke Lösungswirkung für metallisches Gold zuge schrieben wird, bzw. mit einer erfindungsgemäßen Reinigungsflüssigkeit (Dicke der Flüssigkeitsschicht: ca. 1 mm) gereinigt, wonach die ¹⁹⁸Au Restverhältnisse nach der Reinigung miteinander verglichen wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 zusammengefaßt.

Tabelle 1

Tabelle 1 zeigt (A) das Restverhältnis für ¹⁹⁸Au nach der ersten Reinigung und (B) das Restverhältnis für ¹⁹⁸Au nach der zweiten Reinigung. Wurde Aqua regia oder SC-2 verwendet, wurde unmittelbar nach der ersten Reinigung der Si-Wafer mit verdünnter Fluorwasserstoffsäure (HF : H₂O = 1 : 10) behandelt, wonach die zweite Reinigung erfolgte (Dicke der Flüssigkeitsschicht: ca. 6 mm). Wurde andererseits die er findungsgemäße Reinigungsflüssigkeit verwendet, wurde der Wafer nicht mit ver dünnter HF behandelt und nach dem Spülen mit reinem Wasser wurde die zweite Reinigung durchgeführt.

Aus den Ergebnissen dieses Beispiels geht hervor, daß bei der Reinigung mit Aqua regia oder SC-2 die Verunreinigung mit Gold dann, wenn die Waferoberfläche zweimal nacheinander gereinigt wurde, auf ein Restverhältnis von maximal 45% reduziert wurde. Wurde andererseits die erfindungsgemäße Reinigungsflüssigkeit verwendet, betrug selbst dann, wenn die Verunreinigung mit Gold auf der Waferoberfläche 10¹³ Atome/cm² betrug, das Restverhältnis nach der ersten Reinigung 0,6%, das heißt das Verhältnis lag in der Größenordnung von 10¹⁰ Atome/cm², und durch die zweite darauffolgende Reinigung konnte das Restverhältnis auf 0,02% reduziert werden, das heißt das Verhältnis konnte auf 10⁹ Atome/cm² herabgesetzt werden. Ferner zeigen die Ergebnisse, daß die Reinigungsdauer im Falle der erfindungsgemäßen Reinigungs flüssigkeit lediglich 1 Minute betrug.

Beispiel 2

Die Reinigungswirkung einer kein Tensid enthaltenden Reinigungsflüssigkeit wurde mit der einer ein Tensid enthaltenden Reinigungsflüssigkeit verglichen und zwar bei der Reinigung von Wafern für einen Halbleiter vom P-Typ (elektrischer Widerstand: mehrere Ohm·cm; Kristallorientierung: (100)), die mit ¹⁹⁸Au in einer Menge von ca. 10¹² Atome/cm² verunreinigt waren. Der Si-Wafer wurde fünfmal mit der Reinigungs flüssigkeit mit der in Tabelle 2 angegebenen Zusammensetzung gereinigt (Dicke der Flüssigkeitsschicht: 0,5 bis 1 mm). Auf diese Weise wurde die Beständigkeit der Reinigungswirkung untersucht. Die Säurekonzentrationen in jeder Reinigungsflüssigkeit in Tabelle 2 waren eingestellte Konzentrationen, bei denen der Ätzgrad für den Si-Wafer durchschnittlich 15 Å betrug, wenn die Reinigung bei Raumtemperatur (20°C) während 1 Minute durchgeführt wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 zusammen gefaßt.

Aus Tabelle 2 geht hervor, daß die Reinigungswirkung der Reinigungsflüssigkeit ohne Tensid unbeständig und schwer zu steuern ist, während die Reinigungswirkung der erfindungsgemäßen Reinigungsflüssigkeit beständig ist, wenn bestimmte Tenside verwendet werden, obwohl je nach Art des verwendeten Tensids ein geringer Unter schied in der Reinigungswirkung festzustellen ist. Ferner wurde gefunden, daß die Reinigungsflüssigkeit, die ein Tensid mit einer Perfluoralkylgruppe enthält, deren Alkylgruppe 8 C-Atome im Molekül aufweist, eine besonders hohe und beständige Reinigungswirkung hat. Dies zeigt, daß die bei der erfindungsgemäßen Reinigung erzielten Ergebnisse keine große Streuung und hohe Zuverlässigkeit aufweisen.

Tabelle 2

Beispiel 3

Bei einer erfindungsgemäßen Reinigungsflüssigkeit mit einer Säurezusammensetzung von 55% HNO₃, 0,1% HF und 0,1% HCl wurde zur Herstellung mehrerer Reini gungsflüssigkeiten die Konzentration des Tensids, eines quarternären Perfluor alkylammoniumsalzes mit einem C₆-Alkyl, variiert und im Hinblick auf jede der auf diese Weise hergestellten Reinigungsflüssigkeiten die Ätzgeschwindigkeit bei 25°C ermittelt. Die Si-Wafer, die gereinigt wurden, waren Wafer für Halbleiter vom P-Typ (elektrischer Widerstand: mehrere Ohm·cm; Kristallorientierung (100)). Die Reinigung wurde bei 25°C während 1 Minute durchgeführt. Die Dicke der Flüssigkeitsschicht betrug ca. 1 mm. Die Ergebnisse sind in Fig. 1 angegeben.

Fig. 1 zeigt, daß für die Herstellung einer Reinigungsflüssigkeit mit einer Ätz geschwindigkeit von ca. 20 bis 30 Å/min, die für die Reinigung von Si-Wafern ge eignet ist, es erwünscht ist, die Konzentration des Tensids in der Reinigungsflüssigkeit auf einen Bereich von 0,002 bis 0,05% herabzusetzen.

Beispiel 4

In eine erfindungsgemäße Reinigungsflüssigkeit, die 0,02% eines Perfluoralkylbetains mit einem C₇-Alkyl enthielt, wurden zur Untersuchung der Reinigungswirkung bei Verunreinigung mit ¹⁹⁸Au die Konzentration der Säurekomponenten variiert (Dicke der Flüssigkeitsschicht: ca. 1 mm). Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 angegeben. Das Restverhältnis für ¹⁹⁸Au in Tabelle 3 wurde erhalten durch Entfernung der ¹⁹⁸Au-Ver unreinigung (10¹² Atome/cm²) auf Wafern für Halbleiter vom P-Typ (elektrischer Widerstand: mehrere Ohm·cm; Kristallorientierung (100)) mit jeder der Reinigungs flüssigkeiten bei 25°C während 40 sec.

Tabelle 3

Aus Tabelle 3 geht hervor, daß bei Steigerung der HNO₃-Konzentration die Reini gungswirkung auf ¹⁹⁸Au ebenfalls zunimmt und bei niedriger HNO₃-Konzentration durch Anheben der HF- oder HCl-Konzentration eine zufriedenstellende Reinigungs wirkung erzielt werden kann.

Beispiel 5

Betrug die Temperatur der erfindungsgemäßen Reinigungsflüssigkeit 10°C oder darunter (Dicke der Flüssigkeitsschicht: ca. 1 mm) wurde die Reinigungswirkung auf eine Verunreinigung mit ¹⁹⁸Au in einer Menge von 10¹² Atome/cm² auf Wafern für Halbleiter vom N-Typ (elektrischer Widerstand: mehrere Ohm·cm; Kristallorien tierung: (100)) untersucht. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 angegeben. Das verwendete Tensid war ein quarternäres Perfluoralkylammoniumsalz mit einem C₈-Akyl. Die Reinigung wurde während 40 sec durchgeführt.

Tabelle 4

Aus Tabelle 4 geht hervor, daß dann, wenn die Reinigungstemperatur auf unter 10°C herabgesetzt wird, nur durch geringe Anhebung der HF- und HCl-Konzentration die Reinigungsflüssigkeit ein ausreichendes Reinigungsvermögen gewährleistet. Außerdem war die HNO₃-Konzentration in der Reinigungskabine, in der die Reinigung bei 5°C durchgeführt wurde, fast dieselbe, wie in dem daran angrenzenden Reinigungsraum, das heißt die HNO₃-Konzentration in der Reinigungskabine lag bei 1 ppb oder darunter. Wurde demgegenüber dieselbe Reinigung bei 25°C durchgeführt, erreichte die HNO₃-Kon zentration in der Reinigungskabine 18 ppb, weshalb für ausreichenden Abzug gesorgt werden mußte.

Beispiel 6

Bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Reinigungsflüssigkeit wurde die Reihenfolge der Zugabe der flüssigen Ausgangsstoffe zur Salpetersäure variiert und der Einfluß der Reinigungswirkung der Reinigungsflüssigkeit auf ¹⁹⁸Au-Verunreinigungen (10¹² Atome/cm²) auf Si-Wafern für Halberleiter vom N-Typ (elektrischer Widerstand: mehrere Ohm·cm; Kristallorientierung: (100)) geprüft. Die Reinigungsflüssigkeit bestand aus 55% HNO₃, 0,1% HF, 0,1% HCl und 0,02% Tensid. Das Tensid war ein quarternäres Perfluoralkylammoniumsalz mit einem C₈-Alkyl. Die Reinigung (Dicke der Flüssigkeitsschicht: ca. 1 mm) wurde bei 20°C während 1 min vor genommen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 angegeben. Die mit einem Sternchen (*) markierten Reinigungsflüssigkeiten Nr. 601 und 602 waren bevorzugte Ausführungs formen der Erfindung.

Tabelle 5

Die Zugabe dieser Komponenten erfolgte so, daß nach der ersten Zugabe kräftig gerührt wurde, dann die zweite Zugabe erfolgte, wieder kräftig gerührt wurde, dann die dritte Zugabe und wieder ein kräftiges Rühren erfolgte. Es versteht sich von selbst, daß dort, wo die Zugabe eines Tensids der Zugabe von HF bzw. von HCl vorangeht, die Reinigungswirkung etwas herabgesetzt wird.

Beispiel 7

Die Flüssigkeiten A und B in Tabelle 6 wurden getrennt hergestellt, wonach sie zur Herstellung der erfindungsgemäßen Reinigungsflüssigkeiten gemischt wurden. An schließend wurde die Reinigungswirkung der Reinigungsflüssigkeit untersucht. Festgestellt wurde die Reinigungswirkung der Reinigungsflüssigkeiten bei einer Verunreinigung mit ¹⁹⁸Au (10¹² Atome/cm²) auf einem Si-Wafer für Halbleiter vom N-Typ (elektrischer Widerstand: mehrere Ohm·cm; Kristallorientierung: (100)) und der Grad der Ätzung durch die Reinigungsflüssigkeiten. Die Reinigung (Dicke der Flüssigkeitsschicht: ca. 1 mm) wurde bei 20°C während 1 Minute durchgeführt. Das verwendete Tensid war ein quarternäres Perfluoralkylammoniumsalz mit einem C₉-Alkyl.

Tabelle 6

Die Gemische der Reinigungsflüssigkeiten und die Reinigungsbedingungen sind in diesem Beispiel dieselben wie in Beispiel 6, und es versteht sich von selbst, daß sich die Reinigungswirkung bei dieser Methode des Mischens der beiden Flüssigkeiten nicht von der besten Reinigungswirkung in Beispiel 6 unterscheidet, wobei die einzelnen Komponenten nacheinander zugesetzt werden und der Ätzgrad gut gesteuert wird.

Beispiel 8

Nach einer Behandlung wie der reaktiven Ionenätzung und der Ionenimplantation ist es, da auf der Oberfläche des Si-Wafers Kristallbaufehler entstehen, manchmal notwendig, die Oberfläche auf über 10 Å zu ätzen, um diese Fehler zu entfernen. Die Ver minderung der Glätte der Waferoberfläche infolge des Ätzens wird in vielen Fällen durch den Unterschied in der Ätzgeschwindigkeit durch die Reinigungsflüssigkeit je nach der Kristallorientierung verursacht. Daher wurden zwei Arten von Si-Wafern mit unterschiedlicher Kristallorientierung, das heißt ein Wafer für Halbleiter vom N-Typ (elektrischer Widerstand: mehrere Ohm·cm; Kristallorientierung: (100)) (nachfolgend als (100) bezeichnet) und ein Si-Wafer für Halbleiter vom N-Typ (elektrischer Widerstand: mehrere Ohm·cm; Kristallorientierung (111)) (nachfolgend als (111) bezeichnet) mit der erfindungsgemäßen Reinigungsflüssigkeit (zusammengesetzt aus 55% HNO₃, 0,1% HF, 0,1% HCl und 0,02% eines quarternären Perfluoralkyl-di methylhydroxyethylammoniumsalzes mit einem C₈-Alkyl) gereinigt, wonach die Ätzgrade auf den Waferoberflächen nach der Reinigung verglichen wurden. Die Reinigung (Dicke der Flüssigkeitsschicht: ca. 1 mm) wurde bei 25°C während 10 Minuten durchgeführt.

Die Ätzgrade von (100) und (111) zeigen eine Streuung zwischen 120 Å und 180 Å und es war kein beträchtlicher Unterschied zwischen ihnen festzustellen. Dieses Beispiel zeigt, daß die Ätzwirkung der erfindungsgemäßen Reinigungsflüssigkeit durch die Kristallorientierung des Si-Wafers nicht beeinflußt wird.

Beispiel 9

Die Adsorption von ¹⁹⁸Au auf der Oberfläche des Si-Wafers aufgrund der erfin dungsgemäßen Reinigungsflüssigkeit wurde bei unterschiedlicher Konzentration an ¹⁹⁸Au in der Reinigungsflüssigkeit ermittelt. Die Dicke der Flüssigkeitsschicht betrug ca. 1 mm. Die Ergebnisse sind in Fig. 2 dargestellt.

Aus Fig. 2 geht hervor, daß bei höherer Goldkonzentration in der erfindungsgemäßen Reinigungsflüssigkeit auf dem Si-Wafer nur ganz wenig Gold aus der Reinigungs flüssigkeit adsorbiert wird.

Beispiel 10

In einer Laborvorrichtung mit ähnlichem Aufbau wie bei einem Schleuderbeschichter für Photoresists wurde ein 6 Inch (15,24 cm) Si-Wafer, bei dem nur eine Oberfläche mit ¹⁹⁸Au in einer Menge von 10¹² bis 10¹³ Atome/cm² verunreinigt war, mit der verunreinigten Fläche nach oben montiert, wonach, während der Si-Wafer gedreht wurde, ca. 5 cm³ einer Reinigungsflüssigkeit aus 55% HNO₃, 0,2% HF, 0,2% HCl und 0,02% eines Polyoxyethylenalkylnonylethers mit einem C₉-Alkyl aufgetropft wurde, um die Reinigungsflüssigkeit dann über die gesamte Waferoberfläche zu verteilen. Danach wurde die Drehbewegung eingestellt und der Wafer 1 Minute ruhen gelassen. Die Dicke der Flüssigkeitsschicht betrug zu diesem Zeitpunkt ca. 0,5 mm. Danach wurde der Si-Wafer wieder in Drehung versetzt, wobei man zur Spülung des Wafers während 30 sec auf die Oberfläche reines Wasser goß und danach den Si-Wafer bei höherer Geschwindigkeit wieder drehte, um ihn zu trocknen, wonach das ¹⁹⁸Au-Rest verhältnis auf der Waferoberfläche ermittelt wurde. Auf ähnliche Weise wurde auch ein 6 Inch (15,24 cm)-Si-Wafer, der mit ⁶⁴Cu bzw. ⁵⁹Fe verunreinigt war, gereinigt, wonach das ⁶⁴Cu- bzw. ⁵⁹Fe-Restverhältnis ermittelt wurde. Die Ergebnisse zeigten, daß das Restverhältnis für ¹⁹⁸Au 0,6%, für ⁶⁴Cu 0,2% und für ⁵⁹Fe 0,1% oder darunter betrug.

Außerdem wurden gute Ergebnisse auch bei der Trocknung durch Darüberleiten von reinem Stickstoff erzielt, die den obigen Ergebnissen bei der Entfernung der Verunreinigung von ¹⁹⁸Au, ⁶⁴Cu bzw. ⁵⁹Fe ähneln.

Beispiel 11

Ein ähnlich wie in Beispiel 9 mit ¹⁹⁸Au, ⁶⁴Cu bzw. ⁵⁹Fe verunreinigter Si-Wafer wurde annähernd senkrecht gehalten, wonach dieselbe Reinigungsflüssigkeit wie in Beispiel 9 auf die Si-Waferoberfläche gesprüht wurde. Nachdem man festgestellt hatte, daß die gesamte Si-Waferoberfläche mit der Reinigungsflüssigkeit benetzt war, ließ man den Si-Wafer 1 Minute ruhen (zu diesem Zeitpunkt betrug die Dicke der Flüssigkeitsschicht ca. 0,5 mm), wonach der Si-Wafer mit reinem Wasser gespült wurde. Danach wurde durch Mikrofiltration hochgereinigte Luft zur Trocknung des Wafers darüber geleitet. Die Restverhältnisse an Schwermetallen auf der Waferoberfläche wurden dann fest gestellt. Das Restverhältnis für ¹⁹⁸Au betrug 0,4%, das für ⁶⁴Cu 0,2% und das für ⁵⁹Fe 0,1% oder darunter.

Claims

1. Reinigungsflüssigkeit für Si-Wafer, bestehend aus 35 bis 65 Gew. % HNO₃, 0,05 bis 0,5 Gew.% HF, 0,05 bis 0,5 Gew.% HCl, 0,002 bis 0,1 Gew.% eines Tensids und Wasser.

2. Reinigungsflüssigkeit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Tensid eine Verbindung mit einer Perfluoralkylgruppe im Molekül umfaßt.

3. Reinigungsflüssigkeit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß diese in Form von zwei Flüssigkeiten bereitgestellt wird, von denen eine eine Chlorwasserstoffsäure, Fluorwasserstoffsäure und ein Tensid enthaltende wäßrige Lösung ist und die andere konzentrierte Salpetersäure, und die für die Verwendung erforderliche Flüssigkeit durch Mischen der beiden Flüssigkeiten hergestellt wird.

4. Reinigungsflüssigkeit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit für die Reinigung des Si-Wafers in Form von zwei Teilflüssigkeiten bereitgestellt wird, von denen die eine eine wäßrige konzentrierte Salpetersäure und Fluorwasserstoffsäure enthaltende Lösung und die andere eine wäßrige Chlorwasserstoffsäure und ein Tensid enthaltende Lösung ist und die Flüssigkeit für ihre Verwendung durch Mischen der beiden Teilflüssigkeiten hergestellt wird.

5. Reinigungsflüssigkeit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit durch Zugabe einer wäßrigen HF-Lösung, einer wäßrigen HCl-Lösung und einer wäßrigen Tensidlösung zu einer wäßrigen HNO₃-Lösung hergestellt wird.

6. Reinigungsflüssigkeit nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die wäßrige HF-Lösung, die wäßrige HCl-Lösung und die wäßrige Tensidlösung der HNO₃-Lösung in dieser Reihenfolge zugesetzt werden.

7. Reinigungsflüssigkeit nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die wäßrige HCl-Lösung, die wäßrige HF-Lösung und die wäßrige Tensidlösung der HNO₃-Lösung in dieser Reihenfolge zugesetzt werden.

8. Verfahren zur Reinigung eines Siliziumwafers, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Flüssigkeit für die Reinigung von Siliziumwafern, die 35 bis 65 Gew. % HNO₃, 0,05 bis 0,5 Gew.% HF, 0,05 bis 0,5 Gew.% HCl, 0,002 bis 0,1 Gew.% eines Tensids und Wasser umfaßt, mit der Oberfläche des Siliziumwafers in Berührung bringt.

9. Verfahren zur Reinigung eines Siliziumwafers nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Tensidkomponente eine Verbindung um faßt, die eine Perfluoralkylgruppe im Molekül enthält.

10. Verfahren zur Reinigung eines Siliziumwafers nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungstemperatur 0 bis 30°C beträgt.

11. Verfahren zur Reinigung eines Siliziumwafers nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungstemperatur 10°C oder darunter beträgt.

12. Verfahren zur Reinigung eines Siliziumwafers nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierung so durchgeführt wird, daß die gesamte Oberfläche des Siliziumwafers mit einer Flüssigkeitsschicht, bestehend aus der Flüssigkeit für die Reinigung des Siliziumwafers, überzogen wird.

13. Verfahren zur Reinigung eines Siliziumwafers nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Flüssigkeitsschicht 0,1 bis 1 mm beträgt.

14. Verfahren zur Reinigung eines Siliziumwafers nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Bildung der Flüssigkeitsschicht durch Auftropfen der Flüssigkeit für die Reinigung der Siliziumwafer auf die Oberfläche eines Siliziumwafers erfolgt, der in einer horizontalen Ebene gedreht wird.

15. Verfahren zur Reinigung eines Siliziumwafers nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Bildung der Flüssigkeitsschicht durch Gießen der Flüssigkeit für die Reinigung des Siliziumwafers auf die Oberfläche des senkrecht gehaltenen Wafers durchgeführt wird.

16. Verfahren zur Reinigung eines Siliziumwafers nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Bildung der Flüssigkeitsschicht durch Aufsprühen der Flüssigkeit für die Reinigung des Siliziumwafers auf die Oberfläche des senkrecht gehaltenen Wafers durchgeführt wird.

17. Verfahren zur Reinigung eines Siliziumwafers nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß es außerdem noch die Spülung mit reinem Wasser umfaßt.

18. Nach dem Reinigungsverfahren nach Anspruch 8 gereinigter Siliziumwafer.