DE1943029B2 - Vorrichtung zum kontinuierlichen abscheiden eines dotierungs mittels auf der oberflaeche von halbleiterplaettchen - Google Patents
Vorrichtung zum kontinuierlichen abscheiden eines dotierungs mittels auf der oberflaeche von halbleiterplaettchenInfo
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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