DE1942810A1 - Integrierte Hall-Effektanordnung - Google Patents

Integrierte Hall-Effektanordnung

Info

Publication number
DE1942810A1
DE1942810A1 DE19691942810 DE1942810A DE1942810A1 DE 1942810 A1 DE1942810 A1 DE 1942810A1 DE 19691942810 DE19691942810 DE 19691942810 DE 1942810 A DE1942810 A DE 1942810A DE 1942810 A1 DE1942810 A1 DE 1942810A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor body
hall element
integrated
semiconductor
conductors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19691942810
Other languages
English (en)
Other versions
DE1942810B2 (de
DE1942810C3 (de
Inventor
Bergmans Hendrik Jan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1942810A1 publication Critical patent/DE1942810A1/de
Publication of DE1942810B2 publication Critical patent/DE1942810B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1942810C3 publication Critical patent/DE1942810C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00Hall-effect devices
    • H10N52/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Description

ΑΓ·ίίι-·.'ί·:ίΓ: f«. ν.-f'.!-';.i-l: -,.υ:. J-.-.iir >.,>: ri^mLitcN
a*..-; PHN- 3463
i.: 21.August 1969
PHN
JW/RJ
"Integrierte Hall-Effektanordnung".
Die Erfindung bezieht sieh auf eine integrierte Hall-Effektanordnung, bei der ein Teil eines Halblei— terkörpers als Hal 1'-Eleinent wirksam ist und bei der im restlichen Teil des Halbleiterkörpers ein zum Hall-Element gehörender Hilfskreis integriert ist.
Für HaIl7Elemente werden u.a. Halbleiterkörper besonders geringer Dicke mit grosser Beweglichkeit der freien Ladungsträger, wie Indiumantimonid oder Indiumarsenid verwendet. Dabei kann eine Verstärkerschaltung für das Hall-Element nicht im Halbleiterkörper integriert werden. Ea ist auch bekannt, Halbleiterkörper,. z.B. eine Siliziumplatte als Substrat für das Hall-Eleeent zu ver-
Q0S810/047
- 2" ■ ■- ■.·.-■
PHN
wenden. In diesem Fall lässt sich der Hilfskreis im Halbleiterkörper integrieren. Dabei ist eine einfache Herateilung möglich, und zugleich wird eine günstige Wir-· kung der HaIl-Effektanordnung erhalten. Diese Hall-Effekt anordnungen lassen sich beispielsweise mit Vorteil in kollektorlosen Elektromotoren verwenden, bei denen mit
k Hilfe von Hall-Elementen die Ströme durch die Spulen geschaltet werden.
Es ist erwünscht, diese integrierte Hall-Effektanordnung in einer Hülle anzubringen, welche die Anordnung vor Einflüssen von. aussen schützt, und die robust ausgebildet sein nuss, so dass sich die Anordnung gut handhaben lässt. Dabei muss dann die Möglichkeit vorhanden sein, ein magnetisches Querfeld von ausreichender Stärke cm Ort das .Hall-Elementes zu erhalten, mit welchem . Magnetfeld sich elektrische Hall-Signale erzeugen lassen.
W Vm dies au erreichen ist nach der Erfindung der Halbleiterkörper auf «in@sB Träger befestigt, der einen Teil ein·· Gitters von Leitern bildet, wobei Kontaktstellen des Halbleiterkörpers mit dem End· dieser Leiter elektrisch leitend verbunden sind, während sich das Gitter mit den Halbleiterelement in einer Kunststoffhüllβ befindet, in der an der Unter- und Oberseite des Hali-Eleeentes eine Ausnehmung vorhanden, ist, die sich bis in der Nähe des Halbleiterkörper & erstreckt. Die erfindungsgeraiissa Hülle entspricht den gestellten Anforderungen« In den Ausnehamngeii
Ö810/0474
PHN 'Jko'3
der Hülle, die sich über und unter dem Hall-Element befinden, können Polschuhe aus einem ferroraagnetischen Material angebracht werden, die bis in der Nähe des Hall-Elementes reichen können. Die erfindungsgemässe Hülle bietet also die Möglichkeit, ein magnetisches Querfeld ausreichender Feldstärke zu erzeugen, so dass eine gute Wirkung der Hall-Effektanordnung gewährleistet ist.
Bei einer günstigen Ausführungsform der integrierten HaIl-Efίektanordnung verlaufen nach der Erfindung die Ausnehmungen kegelförmig und zwar konvergierend in Richtung des Hall-Elementes. Durch den allmählichen Verlauf der in diese Ausnelimungen passenden Polschuhe wird eine günstige Konzentration des magnetischen Flusses an der Stelle des Hall-Elementes gewährleistet*
Bei einer weiteren Ausführungsform sind nach der Eriindung in den Ausnehmungen ferromagnetische Materialstückchen angebracht, die in die Kunststoffhülle aufgenommen sind, dies zur Bildung von Pol schuhen zur Erhaltung des Magnetfeldes des Hall-Elementes. Die Polschuhe sind bei dieser Ausführungsform bereits in die Ha-il-Effektanordnung aufgenommen, was in vielen Fällen Vorteile bieten kann. ■
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zr-ichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 ein Gitter von Leitern, auf dem der
009810/047 4 ■'"*" '■*'"'"""
Ί9428Τ0
PHN 3^63
Halbleiterkörper angeordnet ist,
Fig« 2 und 3 einen Schnitt bzw. eine Draufsicht einer umhüllten erfindungsgemässen Anordnung»
Fig. U einen Schnitt durch die Heil-Effektanordnung, wobei die Pol schuhe in die Hülle aufgeommen sind.
In Fig. 1 ist ein Gitter 1 dargestellt-, das eine Anzahl Leiter 2 enthält. Dieses Gitter ist vorzugsweise aus einer dünnen Platte einer Eieen-Nickellegierung hergestellt. Einer der Leiter 2 hat einen verbreiterten Teil 31 auf dem ein Halbleiterkörper k in Form einer dünnen Platte angeordnet ist. Dieser Halbleiterkörper kann vorzugsweise aus einem Silizium-Einkristall bestehen, der eine integrierte Schaltung enthält, in die1 ein Hall-Element und ein Verstärkerkreis für das Hall-Signal aufgenommen ist. Das Hall-Element 5 wird sich vorzugsweise in der Mitte des Halbleiterkörpere. A befinden und ist mit einer gestrichelten Linie schematisch dargestellt. Kontaktstellen 6 auf dem Halbleiterkörper werden durch -Golddrähtchen 7 mit Hilfe an sich bekannter Befestigungstechniken mit den Leitern 2 des Gitters elektrisch verbunden. Diese Drähtchen 7 liegen derart, dass sie nicht Über dem Hall-Element 5 verlaufen. ·
Das auf diese' Weise gebildeten Ganz« wird in eine Kunststoffhülle 8 eingebettet, die Fig. 2 und 3 s*igen eine Ausführungsform der umhüllten Hall-Effektanordnüng. Derjenige Teil des Gittere 1, der dazu dient, bei
00 9 8 10 /CU 74
19A2810
PHN 3463
der Herstellung der Ha11-Effektanordnung dieLeiter 2 in der gewünschten Lage untereinander zu halten, ist abgeschnitten. Beim Umhüllen, beispielsweise in einer Spritzmatrize werden in der Matrize Stifte angeordnet, die sich bis in der Nähe des Halbleiterkörper erstrecken, und die genau über und unter der Stelle, an der das Hall-Element 5 vorhanden ist, liegen· Auf diese Weise entstehen in der Kunststoffhülle 8 Ausnehmungen 9* Diese Ausnehmungen ermöglichen es nun. Polschuhe eines Magneten bis unmittelbar an dem Hall-Element anzuordnen, so dass an der Stelle
des Hall-Elementes ein starkes magnetisches Querfeld erhalten werden kann, mit welchem Magnetfeld elektrische Hall-Signale erzeugt werden können.
Es ist auch möglich, die ferromagnetisehen Polschuh« in die Hülle aufzunehmen* Fig. k zeigt davon ein Beispiel» Die Polschuhe 10 können sich dabei bis zur Aussenoberfläche der Kunststoffhüll· 8 erstrecken, wie dies dargestellt ist, sie können aber auch gewünschtenfalls etwas IMf der Hülle hinausragen»
Die Ausnehmungen 9 sind kegelförmig dargestellt, sie können jedoch auch eine andere Form haben· Eine allmählich konvergierende Form der Polschuhe ist jedoch zur Erhaltung einer Konzentration des magnetischen Flusses an der Stelle des Hall-Elementes günstig.
000110/0474

Claims (3)

  1. PHN 3^63
    Patentansprüche:
    Integrierte H&ll-Effektanordnung, bei der ein Teil eine« Halbleiterkörpers als Hall-Element wirksam ist und bei der im restlichen Teil des Halbleiterkörpers ein zum Hall-Element gehörender Hilfskreis integriert ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper auf einem Träger befestigt ist, der einen Teil eines Gitters von Leitern bildet, wobei Kontaktstellen des Halbleiterkörpers mit dem Ende dieser Leiter elektrisch leitend verbunden sind, während sich das Gitter mit dem Halbleiterelement in einer Kunststoffhülle befindet, in der an der Unter- und Oberseit· des Hall-Elementes eine Ausnehmung vorhanden ist, die sich bis in der Nähe des Halbleiterkörper» erstreckt.
  2. 2. Integriertes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmungen kegelförmig verlaufen und zwar konvergierend in Richtung des Hall-Elementes. .
  3. 3. Integriertes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass in der Ausnehmung Stückchen ferromagnetiechen Materials angeordnet sind, die in die Kunststoffhülle aufgenommen sind, ua Polschuh· für das Magnetfeld an der Stelle des Hall-Elementes zu bilden.
    .0098 10/0474
    194213
    PHN
    Auszug; ' · ■ .
    Integrierte HaIl-EfT β Jet anordnung, bei der ein Teil eines Halbleiterkörpers als Hall-Element wirksam ist und bei der in den restlichen Teil eine Verstärkerschaltung aufgenommen ist, weicher Halbleiterkörper mit Leitern verbunden und in eine Kunststoffhülle aufgenommen ist, in welcher Hülle an der Stell· der Unter- und Oberseite des Hall-Elementes eine sich bis in der Nähe des Halbleiterkörpers erstreckende Ausnehmung vorhanden ist,- in die Pol schuhe aus f erromagne ti schem Material aufgenommen werden können.
    009810/0474
DE1942810A 1968-08-31 1969-08-22 Integrierte Hall-Effektanordnung Expired DE1942810C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6812451A NL6812451A (de) 1968-08-31 1968-08-31

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1942810A1 true DE1942810A1 (de) 1970-03-05
DE1942810B2 DE1942810B2 (de) 1977-10-06
DE1942810C3 DE1942810C3 (de) 1978-06-01

Family

ID=19804517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1942810A Expired DE1942810C3 (de) 1968-08-31 1969-08-22 Integrierte Hall-Effektanordnung

Country Status (12)

Country Link
US (1) US3667000A (de)
AT (1) AT308199B (de)
BE (1) BE738220A (de)
CH (1) CH502703A (de)
DE (1) DE1942810C3 (de)
DK (1) DK124365B (de)
ES (1) ES370984A1 (de)
FR (1) FR2017194A1 (de)
GB (1) GB1270316A (de)
NL (1) NL6812451A (de)
NO (1) NO125420B (de)
SE (1) SE341226B (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3800193A (en) * 1972-09-05 1974-03-26 Ibm Magnetic sensing device
JPS529515B2 (de) * 1972-11-08 1977-03-16
US3845445A (en) * 1973-11-12 1974-10-29 Ibm Modular hall effect device
EP0053483B1 (de) * 1980-11-28 1985-10-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Herstellung eines Moduls für ein fiberoptisches Nachrichtensystem
DE3243039A1 (de) * 1982-11-22 1984-05-24 Telefunken electronic GmbH, 6000 Frankfurt Magnetempfindliches halbleiterbauelement
US5017804A (en) * 1987-07-23 1991-05-21 Siliconix Incorporated Hall sensing of bond wire current
DE4305439C2 (de) * 1993-02-23 1999-10-21 Eldo Elektronik Service Gmbh Umkapselung für einen elektronischen Sensor zur Feldstärkemessung
US5587857A (en) * 1994-10-18 1996-12-24 International Business Machines Corporation Silicon chip with an integrated magnetoresistive head mounted on a slider
US5883567A (en) * 1997-10-10 1999-03-16 Analog Devices, Inc. Packaged integrated circuit with magnetic flux concentrator
DE102012202179B4 (de) 2012-02-14 2021-09-23 Robert Bosch Gmbh Magnetfeldsensor und Verfahren zum Herstellen eines Magnetfeldsensors
CN109387681B (zh) * 2018-12-28 2024-08-13 杭州思泰微电子有限公司 基于磁场检测的双通道电流传感器结构

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2877394A (en) * 1959-03-10 Hall effect device
GB1118284A (de) *
US3050698A (en) * 1960-02-12 1962-08-21 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor hall effect devices
CH385681A (de) * 1960-09-29 1964-12-15 Siemens Ag Einrichtung zur Übermittlung von Steuerbefehlen, insbesondere für Förderanlagen oder dergleichen
US3239786A (en) * 1963-05-09 1966-03-08 Gen Precision Inc Hall generator and method of fabrication
US3413713A (en) * 1965-06-18 1968-12-03 Motorola Inc Plastic encapsulated transistor and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
DE1942810B2 (de) 1977-10-06
FR2017194A1 (de) 1970-05-22
NL6812451A (de) 1970-03-03
CH502703A (de) 1971-01-31
AT308199B (de) 1973-06-25
BE738220A (de) 1970-03-02
DK124365B (da) 1972-10-09
GB1270316A (en) 1972-04-12
NO125420B (de) 1972-09-04
DE1942810C3 (de) 1978-06-01
ES370984A1 (es) 1971-08-01
US3667000A (en) 1972-05-30
SE341226B (de) 1971-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1942810A1 (de) Integrierte Hall-Effektanordnung
US2938160A (en) Switching devices
DE102005038293A1 (de) Magnetsensorvorrichtung die auf dem Magneten angebrachte Komponenten aufweist
DE949076C (de) Ferromagnetischer Kern fuer mehrere magnetische, statische Kippschaltelemente
EP0188789B1 (de) Magnetfeldsensor
DE3850463T2 (de) Halbleiterbauelement zum Detektieren von magnetischen Kräften und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE1160551B (de) Anordnung der Schaltungselemente einer logischen Schaltung mit Halbleiterdioden in einem und als Teile eines einkristallinen Halbleiterkoerpers
DE2833488C2 (de) Mit einem Permanentmagnetschlüssel betätigbares elektrisches Schloß
DE68921148T2 (de) Gehäuse für integrierte Schaltung hoher Dichte.
DE3447327A1 (de) Magnetfelddetektor
GB1165823A (en) The use of Metal Rasters to Short-Circuit Hall Voltages in Semiconductor Magneto-Resistive Members
DE1209209C2 (de) In einer isolierenden Masse vergossenes Halbleiterelment
DE1541640A1 (de) Schwingkristall
DE1490406A1 (de) Halbleiterkoerper und Verfahren zu seiner Herstellung
DE767407C (de) Antenne fuer Fahrzeuge mit versenkt eingebautem Peilrahmen
AT243926B (de) Steuerbarer Leistungsgleichrichter
DE3129287A1 (de) "halbleiterelement"
DE2118522A1 (de) Hall Elementvorrichtung
DE1210043B (de) Hall-Wiedergabe-Magnetkopf
DE1991598U (de) Isolierte Ver bindungsklemme insbesondere dreipolig mit Schutz oder Nulleiterklemme
AT287808B (de) Halbleiterbauelement
DE1789142A1 (de) Magnetisch steuerbares halbleiterbauelement
DE7021446U (de) Elektrische klingel fuer weckeruhren.
DE1801961C3 (de) Halbleiter-Hochspannungsgleichrichter und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1514859C3 (de) Mikrominiaturisierte integrierte Halbleiterschaltungsanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee