DE1942810C3 - Integrierte Hall-Effektanordnung - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Hall-Effektanordnung, bei der ein Teil eines plattenförmigen
Halbleiterkörpers als Hall-Element wirksam ist und bei der im restlichen Teil des Halbleiterkörpers ein
zum Hall-Element gehörender Hilfskreis integriert ist und bei der der Halbleiterkörper auf einem Träger
befestigt ist.
Für Hall-Elemente werden u. a. Halbleiterkörper besonders geringer Dicke mit großer Beweglichkeit der
freien Ladungsträger, wie Indiumantimonid oder Indiumarsenid, verwendet. Bei einer solchen beispielsweise
aus der DE-AS 10 89 047 bekannten Anordnung kann eine Verstärkerschaltung für das Hall-Element
nicht im Halbleiterkörper integriert werden. Bei der aus der genannten DT-AS bekannten Anordnung ist der
Halbleiterkörper auf einem Träger angeordnet und von einer Kunststoffhülle umgeben.
Aus der US-PS 33 05 790 ist eine Anordnung der eingangs genannten Art bekannt, bei dem eine
Siliziumplatte als Substrat für das Hall-Element verwendet wird. In diesem Fall läßt sich der Hilfskreis
im Halbleiterkörper integrieren. Dabei ist eine einfache Herstellung möglich, und zugleich wird eine günstige
Wirkung der Hall-Effektanordnung erhalten. Diese Hall-Effektanordnungen lassen sich beispielsweise mit
Vorteil in kollektorlosen Elektromotoren verwenden, bei denen mit Hilfe von Hall-Elementen die Ströme
durch die Spulen geschaltet werden.
Es ist erwünscht, diese integrierte Hall-Effektanordnung
in einer Hülle anzubringen, welche die Anordnung vor Einflüssen von außen schützt und die robust
ausgebildet sein muß, so daß sich die Anordnung gut handhaben läßt. Dabei muß dann die Möglichkeit
vorhanden sein, ein magnetisches Querfeld von fi5 ausreichender Stärke am Ort des Hall-Elementes zu
erzeugen, mit welchem Magnetfeld sich die elektrischen Ha!!-Si»nalp pr/pnsjpn lassen. Bei einer in einem
Gehäuse angeordneten Hall-Effektanordnung ist z. B. aus der US-PS 33 73 391 bekannt, zur Konzentration
des magnetischen Flusses in dem Gehäuse ein ferromagneiisches Teil anzuordnen, das nahe bis an das
Halbldterplättchen des Hall-Elementes reicht. Hierbei
ist jedoch nicht eine Verstärkerschaltung für das Hall-Element im Halbleiterkörper integriert. Weiter ist
dieses Gehäuse aufwendig und stellt große Anforderungen an die Herstellungsgenauigkeit.
Für integrierte Schaltungen ist es aus der GB-PS 11 17 675 bekannt, den Halbleiterkörper auf einem
Gitter aus Leitern anzuordnen, die Enden dieser Leiter mit den Kontaktstellen des Halbleiterkörpers zu
verbinden und den Halbleiterkörper mit dem Gitter mit einer Kunststoffhülle zu umgeben. Ein Hinweis auf eine
Hall-Effektanordnung ist dieser Patentschrift nicht zu entnehmen.
Dei Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Hall-EffektanordnuRg der eingangs genannten Art mit
einer Hülle zu umgeben, die derart geformt ist, daß ein starkes magnetisches Feld nahe dem Hall-Element
erzeugt werden kann und die mit den dazu gehörenden Leitern in Serienfertigung mit geringem Aufwand
herstellbar ist
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Träger einen Teil eines Gitters von Leitern
bildet, daß die Kontaktstellen des Halbleiterkörpers mit dem EnJe dieser Leiter elektrisch leitend verbunden
sind und daß sich das Gitter mit dem Halbleiterkörper in einer Kunststoffhülle befindet, in der an der Unter- und
Oberseite des Hall-Elementes eine Ausnehmung vorhanden ist, die sich bis in die Nähe des Halbleiterkörpers
erstreckt
In den Ausnehmungen der Hülle, die sich über und
unter dem Hall-Element befinden, können Polschuhe aus einem ferromagnetischen Material angebracht
werden, die bis in die Nähe des Hall-Elementes reichen können. Die Hall-Effektanordnung nach der Erfindung
bietet alsc die Möglichkeit, ein magnetisches Querfeld ausreichender Feldstärke zu erzeugen, so daß eine gute
Wirkung der Anordnung gewährleistet ist.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung verlaufen die Ausnehmungen kegelförmig, und zwar konvergierend
in Richtung des Hall-Elementes. Durch die entsprechende Form der in diese Ausnehmungen
passenden Polschuhe wird eine günstige Konzentration des magnetischen Flusses an der Stelle des Hall-Elementes
gewährleistet.
Gemäß einer anderen Weiterbildung der Erfindung sind in den Ausnehmungen ferromagnetische Materialstückchen
angebracht, die in die Kunststoffhülle aufgenommen sind. Sie bilden Polschuhe zum Erzeugen
des Magnetfeldes des Hall-Elementes. Die Polschuhe sind bei dieser Weiterbildung bereits in die Hall-Effektanordnung
aufgenommen, was in vielen Fällen Vorteile bieten kann.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden
näher jeschrieben. Es zeigt
Fig. 1 ein Gitter von Leitern, auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist,
F i g. 2 und 3 einen Schnitt bzw. eine Draufsicht einer Hall-Fffektanordnung nach einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung,
F i g. 4 einen Schnitt durch eine Hall-Effektanordnung nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei der
die Polschuhe in die Hülle aufgenommen sind.
In Fig. 1 ist ein Gitter 1 dargestellt, das eine Anzahl
Leiter 2 enthält Dieses Gitter ist vorzugsweise aus einer dünnen Platte einer Eisen-Nickel-Legierung hergestellt.
Einer der Leiter 2 hat einen verbreiterten Teil 3, auf dem ein Halbleiterkörper 4 in Form einer dünnen Platte
angeordnet isL Dieser Halbleiterkörper kann Vorzugsweise aus einem Silizium-Einkristall bestehen, der eine
integrierte Schaltung enthält, in die ein Hall-Element und ein Verstärker für das Hall-Signal aufgenommen ist.
Das Hall-Element 5 wird sich vorzugsweise in der Mitte des Halbleiterkörper 4 befinden und ist mit einer ι ο
gestrichelten Linie schematisch dargestellt Kontaktstellen 6 auf dem Halbleiterkörper werden durch
Golddrähtchen 7 mit Hilfe an sich bekannter Befestigungstechniken mit den Leitern 2 des Gitters elektrisch
verbunden. Diese Drähtchen 7 liegen derart, daß sie nicht über dem Hall-Element 5 verlaufen.
Das auf diese Weise gebildete Ganze wird in eine Kunststoffhülle 8 eingebettet. Die F i g. 2 und 3 zeigen
ein Ausführungsbeispiel der umhüllenden i.all-Effektanordnung.
Derjenige Teil des Gitters 1, der dazu dient, bei der Herstellung der Hall-Effektanordnung die Leiter
2 in der gewünschten Lage zueinander zu halten, ist abgeschnitten. Beim Umhüllen, beispielsweise in einer
Spritzmatrize, werden in der Matrize Stifte angeordnet, die sich bis in die Nähe des Halbleiterkörpers erstrecken
und die genau über und unter dei Stelle, an der das Hall-hlement 5 vorhanden ist, liegen. Auf diese Weise
entstehen in der Kunststoffhülle 8 Ausnehmungen 9. Diese Ausnehmungen ermöglichen es nun, Polschuhe
eines Magneten unmittelbar an dem riall-Element
anzuordnen, so daß an der Stelle des Hall-Elementes ein starkes magnetisches Querfeld besteht, mit dem ciie
elektrischen Hall-Signale erzeugt werden können.
Es ist auch möglich, die ferromagnetischen Polschuhe
in die Hülle aufzunehmen. Fig.4 zeigt davon ein Beispiel. Die Polschuhe können sich dabei bis zur
Außenoberfläche der Kunststoffhülle 8 erstrecken, wie dies dargestellt ist, sie können aber auch gewünschtenfalls
etwas aus der Hülle herausragen.
Die Ausnehmungen 9 sind kegelförmig dargestellt, sie können jedoch auch eine andere Form haben. Eine
allmählich konvergierende Form der Polschuhe ist Konzentration des magnetischen Flusses an der Stelle
des Hall-Elementes günstig.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Integrierte Hall-Effektanordnung, bei der ein Teil eines plattenförmigen Halbleiterkörpers als
Hall-Element wirksam ist und bei der im restlichen Teil des Halbleiterkörpers ein zum Hall-Element
gehörender Hilfskreis integriert ist und bei der der Halbleiterkörper auf einem Träger befestigt ist,
dadurch gekennzeichnet, daß der Träger (3) einen Teil eines Gitters (1) von Leitern (2) bildet,
daß die Kontaktstellen (6) des Halbleiterkörpers (4) mit dem Ende dieser Leiter (2) elektrisch leitend
verbunden sind und daß sich das Gitter (1) mit dem Halbleiterkörper (4) in einer Kunststoffhülle (8)
befindet, in der an der Unter- und Oberseite des Hall-Elementes (5) eine Ausnehmung (9) vorhanden
ist, die sich bis in der Nähe des Halbleiterkörpers (4) erstreckt.
2. Integrierte Hall-Effektanordnung nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmungen (9) kegelförmig verlaufen, und zwar
konvergierend in Richtung des Hall-Elementes (5).
3. Integrierte Hall-Effektanordnung nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in der
Ausnehmung (9) Stückchen (10) ferromagnetischen Materials angeordnet sind, die in die Kunststoffhülle
(9) aufgenommen sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6812451A NL6812451A (de) | 1968-08-31 | 1968-08-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1942810A1 DE1942810A1 (de) | 1970-03-05 |
DE1942810B2 DE1942810B2 (de) | 1977-10-06 |
DE1942810C3 true DE1942810C3 (de) | 1978-06-01 |
Family
ID=19804517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1942810A Expired DE1942810C3 (de) | 1968-08-31 | 1969-08-22 | Integrierte Hall-Effektanordnung |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3667000A (de) |
AT (1) | AT308199B (de) |
BE (1) | BE738220A (de) |
CH (1) | CH502703A (de) |
DE (1) | DE1942810C3 (de) |
DK (1) | DK124365B (de) |
ES (1) | ES370984A1 (de) |
FR (1) | FR2017194A1 (de) |
GB (1) | GB1270316A (de) |
NL (1) | NL6812451A (de) |
NO (1) | NO125420B (de) |
SE (1) | SE341226B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4305439A1 (de) * | 1993-02-23 | 1994-08-25 | Eldo Elektronik Service Gmbh | Umkapselung für ein elektronisches Bauelement |
DE102012202179B4 (de) | 2012-02-14 | 2021-09-23 | Robert Bosch Gmbh | Magnetfeldsensor und Verfahren zum Herstellen eines Magnetfeldsensors |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3800193A (en) * | 1972-09-05 | 1974-03-26 | Ibm | Magnetic sensing device |
JPS529515B2 (de) * | 1972-11-08 | 1977-03-16 | ||
US3845445A (en) * | 1973-11-12 | 1974-10-29 | Ibm | Modular hall effect device |
EP0053483B1 (de) * | 1980-11-28 | 1985-10-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zur Herstellung eines Moduls für ein fiberoptisches Nachrichtensystem |
DE3243039A1 (de) * | 1982-11-22 | 1984-05-24 | Telefunken electronic GmbH, 6000 Frankfurt | Magnetempfindliches halbleiterbauelement |
US5017804A (en) * | 1987-07-23 | 1991-05-21 | Siliconix Incorporated | Hall sensing of bond wire current |
US5587857A (en) * | 1994-10-18 | 1996-12-24 | International Business Machines Corporation | Silicon chip with an integrated magnetoresistive head mounted on a slider |
US5883567A (en) * | 1997-10-10 | 1999-03-16 | Analog Devices, Inc. | Packaged integrated circuit with magnetic flux concentrator |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2877394A (en) * | 1959-03-10 | Hall effect device | ||
GB1118284A (de) * | ||||
US3050698A (en) * | 1960-02-12 | 1962-08-21 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor hall effect devices |
CH385681A (de) * | 1960-09-29 | 1964-12-15 | Siemens Ag | Einrichtung zur Übermittlung von Steuerbefehlen, insbesondere für Förderanlagen oder dergleichen |
US3239786A (en) * | 1963-05-09 | 1966-03-08 | Gen Precision Inc | Hall generator and method of fabrication |
US3413713A (en) * | 1965-06-18 | 1968-12-03 | Motorola Inc | Plastic encapsulated transistor and method of making same |
-
1968
- 1968-08-31 NL NL6812451A patent/NL6812451A/xx unknown
-
1969
- 1969-08-22 DE DE1942810A patent/DE1942810C3/de not_active Expired
- 1969-08-25 US US852644A patent/US3667000A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-08-28 GB GB42929/69A patent/GB1270316A/en not_active Expired
- 1969-08-28 SE SE11960/69A patent/SE341226B/xx unknown
- 1969-08-28 DK DK461869AA patent/DK124365B/da unknown
- 1969-08-28 AT AT823969A patent/AT308199B/de not_active IP Right Cessation
- 1969-08-28 CH CH1307769A patent/CH502703A/de not_active IP Right Cessation
- 1969-08-28 NO NO3446/69A patent/NO125420B/no unknown
- 1969-08-29 BE BE738220D patent/BE738220A/xx unknown
- 1969-08-29 ES ES370984A patent/ES370984A1/es not_active Expired
- 1969-08-29 FR FR6929668A patent/FR2017194A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4305439A1 (de) * | 1993-02-23 | 1994-08-25 | Eldo Elektronik Service Gmbh | Umkapselung für ein elektronisches Bauelement |
DE4305439C2 (de) * | 1993-02-23 | 1999-10-21 | Eldo Elektronik Service Gmbh | Umkapselung für einen elektronischen Sensor zur Feldstärkemessung |
DE102012202179B4 (de) | 2012-02-14 | 2021-09-23 | Robert Bosch Gmbh | Magnetfeldsensor und Verfahren zum Herstellen eines Magnetfeldsensors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AT308199B (de) | 1973-06-25 |
US3667000A (en) | 1972-05-30 |
NL6812451A (de) | 1970-03-03 |
CH502703A (de) | 1971-01-31 |
DK124365B (da) | 1972-10-09 |
NO125420B (de) | 1972-09-04 |
BE738220A (de) | 1970-03-02 |
ES370984A1 (es) | 1971-08-01 |
FR2017194A1 (de) | 1970-05-22 |
GB1270316A (en) | 1972-04-12 |
DE1942810B2 (de) | 1977-10-06 |
SE341226B (de) | 1971-12-20 |
DE1942810A1 (de) | 1970-03-05 |
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