DE3243039A1 - Magnetempfindliches halbleiterbauelement - Google Patents

Magnetempfindliches halbleiterbauelement

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DE3243039A1
DE3243039A1 DE19823243039 DE3243039A DE3243039A1 DE 3243039 A1 DE3243039 A1 DE 3243039A1 DE 19823243039 DE19823243039 DE 19823243039 DE 3243039 A DE3243039 A DE 3243039A DE 3243039 A1 DE3243039 A1 DE 3243039A1
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semiconductor component
magnetically sensitive
sensitive semiconductor
ferromagnetic particles
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Reinhold 7100 Heilbronn Kaiser
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Telefunken Electronic GmbH
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Telefunken Electronic GmbH
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/82Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00Hall-effect devices
    • H10N52/80Constructional details

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

  • Magnetempfindliches Halbleiterbauelement
  • Die Erfindung betrifft ein maynetempfindliches Halbleiterbauelement, welches in einen Isolierstoff eingebettet ist.
  • Magnetempfindliche Halbleiterbauelemente werden beispielsweise in der Meßtechnik zur Messung magnetischer Felder, als magnetisch gesteuerte Impulsgeber z, Bo für Tastaturen, für elektronische Zündanlagen von Kraftfahrzeugen, als Näherungsschalter sowie in der Regeltechnik eingesetzt.
  • Magnetempfindliche Halbleiterbauelemente bestehen im allgemeinen aus einem Halbleiterkörper mit einem oder mehreren pn-Übergängen wie z. B. magnetempfindliche Dioden oder Transistoren. Als magnetempfindliche Halbleiterbauelemente werden vor allem auch Hallelemente verwendet, die ein Widerstandsgebiet aufweisen, in dem Strombahnen durch elektrische Felder abgelenkt werden. Da magnetempfindliche Halbleiterbauelemente eine relativ geringe Magnetempfindlichkeit haben, empfiehlt es sich, das aus dem magnetempfindlichen Bauelement gewonnene Signal zu verstärken.
  • Bei modernen Bauelementen wird der dazu erforderliche Verstärker zusammen mit dem magnetempfindlichen Bauelement zu einem gemeinsamen IC integriert. Zur Erhöhung der Magnetempfindlichkeit kann auch eine magnetische Linse verwendet werden.
  • Magnetempfindliche Halbleiterbauelemente werden vorzugsweise auf einer Grundplatte montiert und in einen Isolierstoff (Moldmasse) eingebettet. Dies gilt auch für den Fall, daß im Halbleiterkörper außer dem magnetempfindlichen Bauelement noch ein Verstärker mitintegriert ist. I)er T#solierstoff wird bei einem solchen Rauelcmunt auf der magnetempfindlichen Seite so dünn bemessen, daß der Abstand zwischen dem magnetempfindlichen Bauelement und dem Pol des Magneten aus Empfindlichkeitsgründen möglichst gering eingestellt werden kann. Eine relativ dünne Isolierstoffeinbettung erschwert jedoch die Montage, führt zu Lebensdauerproblemen und beeinträchtigt die mechanische Stabilität des magnetempfindlichen Halbleiterbauelementes.
  • Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein magnetempfindliches Halbleiterbauelement anzugeben, das diese Nachteile nicht aufweist. Diese Aufgabe wird bei einem magnetempfindlichen Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung dadurch gelöst, daß der Isolierstoff ferromagnetische Partikel enthält, die die Magnetempfindlichkeit des Bauelementes erhöhen Die nach der Erfindung vorgesehenen ferromagnetischen Partikel werden vorzugsweise auf einen Bereich beschränkt, der dem magnetempfindlichen Halbleiterbauelement vorgelagert ist. Der Bereich, in dem sich die ferromagnetischen Partikel befinden, wird vorzugsweise trichterförmig ausgebildet.
  • Dieser Trichter erweitert sich vorzugsweise mit zunehmendem Abstand vom magnetempfindlichen Halbleiterbauelement. Der Einbau von ferromagnetischen Partikeln in den Isolierstoff bietet die Möglichkeit, die Isolierstoffeinbettung relativ dick auszubilden, so daß die im Zusammenhang mit bekannten magnetempfindlichen Halbleiterbauelementen zuvor beschriebenen Nachteile beim Bauelement nach der Erfindung nicht auftreten.
  • Die ferromagnetischen Partikel bestehen beispielsweise aus Eisen, Eisenoxid, Nickel oder Nickellegierungen.
  • Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Die Figur 1 zeigt ein magnetempfindliches Halbleiterbauelement nach der Erfindung, welches sich zusammen mit einem Verstärker, der die vom magnetempfindlichen Halbleiterbauelement gelieferten Signale verstärkt, in einem Halbleiterkörper 1 befindet.
  • Wie die Figur 1 weiter zeigt, ist der auf einem Träger 2 befindliche Halbleiterkörper 1 in einen Isolierstoff 3 eingebettet, der beispielsweise aus Epoxydharz oder aus Siliconpreßmasse besteht. In den Isolierstoff 3 sind außer dem Halbleiterkörper 1 und dem Träger 2 auch Anschlüsse. 4 eingebettet, die durch Zuleitungsdrähte 5 mit den auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers befindlichen Elektroden verbunde sind.
  • Der Isolierstoffkörper 3 weist bei der Anordnung der Figur 1 auf der Oberseite eine Vertiefung auf, die mit Kunststoff bzw.
  • Isolierstoff 6 gefüllt ist, in den ferromagnetische Partikel eingebettet sind. Der Kunststoff 6 besteht beispielsweise aus Epoxydharz. Die ferromagnetischen Partikel bestehen beispielsweise aus Eisen, Eisenoxid, Nickel oder einer Nickellegierung. Der Kunststoff 6 befindet sich auf derjenigen Oberflächenseite des Halbleiterkörpers 1, auf der sich das magnetempfindliche Halbleiterbauelement befindet. Der Bereich 6 ist trichterförmig ausgebildet, um die magnetischen Kraftlinien besser auf das magnetempfindliche Bauelement zu konzentrieren.
  • Die Weite des Trichters 6 nimmt mit zunehmendem Abstand von der Halbleiteroberfläche zu.
  • Die Anordnung der Figur 2 unterscheidet sich von der Anordnung der Figur 1 dadurch, daß nicht nur auf der Oberseite, sondern auch auf der Unterseite der Anordnung ein Bereich 6 mit ferromagnetischen Partikeln vorhanden ist.
  • Die Herstellung der Anordnung der Figuren 1 und 2 erfolgt beispielsweise dadurch, daß der Halbleiterkörper 1 zusammen mit seinem Trägerkörper 2 und den Anschlüssen 4 in einen Isolierstoff 3 eingebettet wird. Der Isolierstoffkörper 3 wird ein- oder beid@eitig mit einer Vertielung versehen, in die ein Kunststoff 6 eingebracht wird, der nit dcn ferromagnetischen Partikeln vermengt ist.
  • Leerseite

Claims (11)

  1. Patentansprüche Magnetempfindliches Halbleiterbauelement, welches in einen Isolierstoff eingebettet ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierstoff ferromagnetische Partikel enthält, die die Magnetempfindlichkeit des Bauelementes erhöhen.
  2. 2) Hagnetempfindliches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ferromagnetischen Partikel auf einen Bereich beschränkt sind, der dem Halbleiterbauelement vorgelagert ist.
  3. 3) Magnetempfindliches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet1 daß der Bereich, in dem sich die ferromagnetischen Partikel befinden, trichterförmig ausgebildet ist.
  4. 4) Magnetempfindliches Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Trichter mit zunehmendem Abstand vom magnetempfindlichen Bauelement erweitert.
  5. 5) Magnetempfindliches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierstoff das Halbleiterbauelement allseitig umschließt und daß ferromagnetische Partikel auf beiden Seiten des Halbleiterbauelementes vorhanden sind.
  6. 6) Magnetempfindliches Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ferromagnetische Partikel auf beiden Seiten des Malbleiterbauelementes vorhanden sind.
  7. 7) Magnetempfindliches Haibleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierstoffkörper en- oder beidseitig eine Vertiefung aufweist, die mit einem Kunststoff gefüllt ist, in dem sich die ferromagnetischen Partikel befinden.
  8. 8) Magnetempfindliches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierstoff aus Epoxydharz oder aus Siliconpreßmasse besteht.
  9. 9) Magnetempfindliches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Kunststoff, in den die ferromagnetischen Partikel eingebettet sind, aus Epoxydharz besteht.
  10. 10) Magnetempfindliches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die ferromagnetischen Partikel aus Eisen, Eisenoxid, Nickel oder aus einer Nickellegierung bestehen.
  11. 11) Verfahren zum Herstellen eines magnetempfindlichen Halbleiterbauelementes nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper zusammen mit seinem Trägerkörper und den Anschlüssen in einen Isolierstoff eingebettet wird, daß der Isolierstoffkörper ein- oder beidseitig mit einer Vertiefung versehen wird, und daß in die Vertiefung ein Kunststoff eingebracht wird, der mit ferromagnetischen Partikeln vermengt ist.
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