DE102011107703A1 - Integrierter Stromsensor - Google Patents

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Abstract

Integrierter Stromsensor aufweisend, einen auf einem Metallträger angeordneten Halbleiterkörper, aufweisend eine erste Oberfläche mit einer an der ersten Oberfläche ausgebildeten Passivierungsschicht und einen unter dem Halbleiterkörper flächig ausgebildeten Magnetfeldkonzentrator, einen unter der Passivierungsschicht in dem Halbleiterkörper ausgebildeten ersten Hallsensor, einen unter der Passivierungsschicht in dem Halbleiterkörper ausgebildeten zweiten Hallsensor, wobei ein an der ersten Oberfläche zwischen dem ersten Hallsensor und dem zweiten Hallsensor ausgebildeter erster Leiter vorgesehen ist und der Magnetfeldkonzentrator unterhalb des ersten Hallsensors und unterhalb des zweiten Hallsensors und unterhalb des ersten Leiters ausgebildet ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen integrierten Stromsensor gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
  • Aus der WO 2006 037 695 A1 , der EP 1 182 461 B1 und der DE 10 2009 029 209 A1 sind Magnetfeldsensoren und oder Stromsensoren bekannt. Insbesondere wird in der WO 2006 037 695 A1 ein Träger mit einem aufliegenden Halbleiterkörper mit zwei Magnetfeldsensoren und einem unter dem Träger angeordneten Magnetfeldkonzentrator offenbart.
  • Vor diesem Hintergrund besteht die Aufgabe der Erfindung darin, eine Vorrichtung anzugeben, die den Stand der Technik weiterbildet.
  • Die Aufgabe wird durch einen integrierten Stromsensor mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
  • Gemäß dem Gegenstand der Erfindung wird ein integrierter Stromsensor bereitgestellt, aufweisend, einen auf einem Metallträger angeordneten Halbleiterkörper, aufweisend eine erste Oberfläche mit einer an der ersten Oberfläche ausgebildeten Passivierungsschicht und einen unter dem Halbleiterkörper flächig ausgebildeten Magnetfeldkonzentrator, einen unter der Passivierungsschicht in dem Halbleiterkörper ausgebildeten ersten Hallsensor, einen unter der Passivierungsschicht in dem Halbleiterkörper ausgebildeten zweiten Hallsensor, wobei ein an der ersten Oberfläche zwischen dem ersten Hallsensor und dem zweiten Hallsensor ausgebildeter erster Leiter vorgesehen ist und der Magnetfeldkonzentrator unterhalb des ersten Hallsensors und unterhalb des zweiten Hallsensors und unterhalb des ersten Leiters ausgebildet ist.
  • Ein Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist es, dass durch die erfindungsgemäße Anordnung ein Teil des Magnetfeldes des ersten Leiters oberhalb der Halbleiteroberfläche, sofern der Leiter stromdurchflossen ist, in Verbindung mit dem Magnetfeldkonzentrator unterhalb des Metallträgers, wobei der Magnetfeldkonzentrator aus einem ferromagnetischen Material vorzugsweise aus Weicheisen oder einem Mu-Metall als Platte oder als Folie ausgebildet ist, die magnetische Flussdichte durch die Hallsensoren wesentlich erhöht wird.
  • Anders ausgedrückt, die beiden Hallsensoren sind vorzugsweise unmittelbar oberhalb des Randes des Magnetfeldsensors angeordnet. Bei dem Rand treten die Flusslinien gebündelt aus. Es versteht sich, dass der Magnetfeldkonzentrator derart auszuführen ist, dass eine maximale Konzentrationswirkung hinsichtlich der magnetischen Feldlinien erzielt wird. Hierzu sollte der Magnetfeldkonzentrator beiden Hallsensoren fast vollständig überdecken, d. h. die Länge und die Breite des Magnetfeldkonzentrators sind geeignet zu wählen. Untersuchungen der Anmelderin haben gezeigt, dass sich die Sensitivität des Strommessers hierdurch wesentlich erhöhen lässt. Insbesondere lässt sich bei geringen Strömen im ersten Leiter, vorzugsweise unterhalb eines mA, eine Hallspannung detektieren.
  • In einer Weiterbildung ist der erste Hallsensor wenigstens teilweise unterhalb einer in einer Öffnung der Passivierungsschicht ausgebildeten ersten Metallfläche angeordnet und der zweite Hallsensor wenigstens teilweise unterhalb einer in einer Öffnung der Passivierungsschicht ausgebildeten zweiten Metallfläche angeordnet. In einer anderen Weiterbildung ist die erste Metallfläche und die zweite Metallfläche mit einem oberhalb der Passivierungsschicht ausgebildeten ferromagnetischen ersten Draht verbunden und der erste Leiter wird in einen vorgegeben Abstand unter dem ersten Draht durchgeführt. Des Weiteren bildet der Draht einen insbesondere kreisförmig ausgebildeten Bogen aus. Außerdem ist gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Magnetfeldkonzentrator flächig unter dem Metallträger angeordnet.
  • Ein Vorteil der Weiterbildung ist es, dass durch die erfindungsgemäße Anordnung ein Teil des Magnetfeldes des ersten Leiters oberhalb der Halbleiteroberfläche, sofern der Leiter stromdurchflossen ist, mittels des ferromagnetischen ersten Drahtes konzentriert wird. In Verbindung mit dem Magnetfeldkonzentrator unterhalb des Halbleiterkörpers, wobei der Magnetfeldkonzentrator aus einem ferromagnetischen Material vorzugsweise als Platte oder als Folie ausgebildet ist, wird die magnetische Flussdichte für den unterhalb der ersten Metallfläche liegenden ersten Hallsensor und für unterhalb der zweiten Metallfläche liegenden zweiten Hallsensor wesentlich erhöht. Anders ausgedrückt sind der erste Hallsensor und der zweite Hallsensor in den beiden sich vorzugsweise gegenüberliegenden Spalt zwischen den beiden magnetfeldkonzentrierenden Vorrichtungen, d. h. dem Magnetfeldkonzentrator und dem ersten Draht, der vorzugsweise aus Weicheisen oder einem Mu-Metall besteht, angeordnet. Die Sensitivität des Strommessers lässt sich hierdurch, gegenüber der Ausführung ohne den ferromagnetischen Draht, weiter erhöhen. In einer besonders vorteilhaften Weiterbildung sind der erste Hallsensor und der zweite Hallsensor jeweils ausschließlich unter der zugeordneten Metallfläche ausgebildet.
  • In einer anderen Weiterbildung ist der erste Draht als sogenannter Banddraht ausgeführt und weist einen ersten Bond auf der ersten Metallfläche und einen zweiten Bond auf der zweiten Metallfläche auf. Hierdurch lässt sich der ferromagnetische Draht mittels eines Standardbondverfahrens kostengünstig während des Bondens aufbringen.
  • In einer besonders bevorzugten Ausführungsform weist der erste. Leiter, der vorzugsweise als Leiterbahn unterhalb Passivierungsschicht ausgebildet ist, eine an einem ersten Kopfende ausgebildete erste Anschlussfläche und eine an einem zweiten Kopfende ausgebildete zweite Anschlussfläche auf. Hierdurch lässt sich der erste Leiter vorzugsweise mittels eines Bonddrahtes mit dem Metallträger verbinden. Indem der Metallträger im Allgemeinen auch Leadframe genannt über Pins verfügt, lässt sich über die Pins mittels einer externen Stromquelle den ersten Leiter mit einem Strom beaufschlagen.
  • In einer alternativen Ausführungsform ist der erste Leiter als Leiterbahn auf der Passivierungsschicht ausgebildet und stoffschlüssig mit der Passivierungsschicht verbunden. Vorzugsweise weist der Leiter an dem jeweiligen Kopfende metallische Ausformungen aus, mit denen in einem gehäusten Zustand ein Anschluss mit einer externen Stromquelle durchgeführt wird.
  • In einer anderen Weiterbildung weist der Halbleiterkörper eine integrierte Schaltung auf, wobei die integrierte Schaltung in einer elektrischen Wirkverbindung mit den Hallsensoren und oder dem ersten Leiter steht. Mit der integrierten Schaltung lässt sich ein Strom in den ersten Leiter einprägen und die Stromstärke zuverlässig bestimmen.
  • Gemäß eine bevorzugten Ausführungsform ist eine dritte Metallfläche mit einem dritten Hallsensor und eine vierte Metallfläche mit einem vierten Hallsensor vorgesehen, wobei die dritte Metallfläche mittels eines zweiten ferromagnetischen Drahts mit der vierten Metallfläche verbunden ist und der erste Leiter unter dem zweiten Draht durchgeführt ist.
  • Untersuchungen der Anmelderin haben gezeigt, dass es vorteilhaft ist, den Magnetfeldkonzentrator stoffschlüssig mit dem Metallträger zu verbinden. In einer Weiterbildung ist der Magnetfeldkonzentrator einstückig ausgebildet und überdeckt die Hallsensoren zumindest teilweise. In einer anderen Ausführungsform sind der Halbleiterkörper und der Magnetfeldkonzentrator in einem einzigen gemeinsamen Gehäuse angeordnet. Das Gehäuse wird vorzugsweise in einem Moldprozess hergestellt. Hiermit lassen sich sämtliche Teile des Strommessers kostengünstig und zuverlässig zusammenfügen.
  • Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Hierbei werden gleichartige Teile mit identischen Bezeichnungen beschriftet. Die dargestellte Ausführungsformen sind stark schematisiert, d. h. die Abstände und laterale und vertikale Erstreckung sind nicht maßstäblich und weisen, sofern nicht anders angegeben auch keine ableitbare geometrische Relation zueinander auf. Darin zeigen die:
  • 1 eine schematische Querschnitt auf eine erfindungsgemäße Ausführungsform eines integrierten Strommessers,
  • 2 eine Ausschnittsvergrößerung auf eine Metallfläche der Ausführungsform der 1,
  • 3 eine perspektivische Ansicht auf die Ausführungsform der 1,
  • 4 eine perspektivische Ansicht auf eine weitere Ausführungsform,
  • 5 eine schematische Darstellung auf eine erste gehäuste Ausführungsform
  • 6 eine schematische Darstellung auf eine zweite gehäuste Ausführungsform,
  • 7 eine schematische Darstellung auf eine dritte gehäuste Ausführungsform.
  • Die Abbildung der 1 zeigt eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen integrierten Stromsensors 10, aufweisend einen auf einem Metallträger 20 angeordneten Halbleiterkörper 30, mit einer an der ersten Oberfläche ausgebildeten Passivierungsschicht 40 und einer in einer Öffnung der Passivierungsschicht 40 ausgebildeten ersten Metallfläche 50 und zweiten Metallfläche 60, und einen unter dem Metallträger 20 flächig ausgebildeten Magnetfeldkonzentrator 70. Des Weiteren weist der integrierte Stromsensor 10 einen in dem Halbleiterkörper 30 unterhalb der ersten Metallfläche 50 ausgebildeten ersten Hallsensor 80 und einen unterhalb der zweiten Metallfläche 60 ausgebildeten zweiten Hallsensor 90 auf. An der Oberfläche zwischen der ersten Metallfläche 50 und der zweiten Metallfläche 60 ist ein erster Leiter 100 ausgebildet. Die erste Metallfläche 50 und die zweite Metallfläche 60 sind mit einem oberhalb der Passivierungsschicht 40 ausgebildeten ferromagnetischen ersten Draht 110 elektrisch verbunden. Unterhalb des ersten Drahtes 110 und oberhalb der Passierungsschicht 40 ist der erste Leiter 90 in einen vorgegeben Abstand angeordnet. In dem Halbleiterkörper ist eine integrierte Schaltung – nicht dargestellt ausgebildet. Vorzugsweise sind die beiden Hallsensoren 80, 90 mit der integrierten Schaltung verbunden und werden mittels der integrierten Schaltung mit einem Betriebsstrom beaufschlagt. Ferner lässt sich mittels der integrierten Schaltung die Hallspannungen auswerten. Sobald der erste Leiter 100 stromdurchflossen ist, ist entsprechend der Flussrichtung des Stromes der Drehsinn des prinzipiell ringförmigen um den ersten Leiter 100 aufgebauten Magnetfelds festgelegt. Unterhalb des Metallträgers 20 verlaufen die Magnetfeldlinien des ersten Leiters 100 nahezu vollständig in dem Magnetfeldkonzentrator 70 und weichen hierdurch erheblich von der Kreisform ab. Oberhalb des Leiters 100 werden ein Teil der Feldlinien durch den ferromagnetischen Draht 110 gebündelt. Durch die Bündelung wird die Flussdichte in den Hallsensoren 80, 90 wesentlich erhöht und die Sensitivität des Strommessers gesteigert.
  • Die Abbildung der 2 zeigt einen detaillierten Aufriss des Aufbaus des Halbleiterkörpers in der 1 im Bereich des Hallsensors 80. Zwischen der Metallfläche 50 und dem Hallsensor 80 ist eine isolierende Schicht 120 ausgebildet. Auf der Metallfläche 50 ist der erste Draht 110 mittels eines Bonds 125 verbunden. Indem der Abstand des Endes des ersten Drahtes 110 und des Hallsensors 80 nur wenige μm betragen treten nahezu alle magnetischen Feldlinien, welche in dem ersten Draht 110 verlaufen durch den Hallsensor 80 durch. Der Effekt wird durch den unter dem Metallträger 20 befindlichen Magnetfeldkonzentrator 70 verstärkt.
  • In der 3 ist eine zweite Ausführungsform dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Ausführungsform dargestellt in der Abbildung der 1 erläutert. Der Leiter 50 ist als massiver Draht mit einem rechteckigen Querschnitt ausgeführt und ist mit der Passivierungsschicht 40 stoffschlüssig verbunden. Die Anschlussflächen – nicht dargestellt – des ersten Leiters 100 sind derart ausgebildet, dass der ersten Leiter 100 auch in einem gehäusten Zustand von außen unmittelbar anschließen lässt. Beabstandet zu dem ersten Draht 110 ist zweiter ferromagnetischer Draht 120 ausgebildet. Die Enden des zweiten Drahtes 120 sind auf einer dritten Metallfläche 130 und auf einer vierten Metallfläche 140 mittels eines Bondverfahrens befestigt. Unterhalb der dritten Metallfläche 130 ist ein dritter Hallsensor 150 und unterhalb der vierten Metallfläche 140 ein vierter Hallsensor 160 angeordnet. Der Magnetfeldkonzentrator 70 ist einstückig derart ausgebildet, dass der Magnetfeldkonzentrator 70 genau die vier Hallsensoren 80, 90, 150, 160 überdeckt.
  • In der 4 ist eine alternative Ausführungsform eines Leiters 50 dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Ausführungsform, dargestellt in der Abbildung der 3, erläutert. Der Leiter 100 weist an beiden Enden Flächen 170 aus Metall zur Verbindung des Leiters 50 mittels Bonddrähte 180 mit dem in einzelne Streifen 190 ausgebildeten Metallträger 20.
  • In der 5 ist eine schematische Querschnittsansicht der Ausführungsform der 4 dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Ausführungsform, dargestellt in der Abbildung der 4, erläutert. Die einzelnen Vorrichtungen des integrierten Stromsensors 10 sind in einem Moldprozess in ein Standard IC Gehäuse 200 eingebettet. Das Gehäuse 200 ist bevorzugt aus einem Kunststoff ausgebildet. In der gehäusten Ausführungsform ist der integrierte Stromsensor 10 kostengünstig und zuverlässig herzustellen. Mittels einer ebenfalls in dem Halbleiterkörper ausgebildeten integrierten Schaltung lassen sich die gemessenen Hallspannungen auswerten und statische äußere Magnetfelder herausrechnen.
  • In der 6 ist eine schematische Querschnittsansicht einer zweiten Ausführungsform dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Ausführungsform, dargestellt in der Abbildung der 5, erläutert. Der Magnetfeldkonzentrator 70 ist unmittelbar unterhalb des Halbleiterkörpers 30 angeordnet. Auf der ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers 30 ist oberhalb des ersten Hallsensors 80 und oberhalb des zweiten Hallsensors 90 weder eine Metallfläche noch ein ferromagnetischer Draht ausgebildet. Jedoch sind die Hallsensoren oberhalb des Randes des Magnetfeldkonzentrators 70 angeordnet, genau an der Stelle an der die Feldlinien des Leiters 100 im stromdurchflossenen Fall gebündelt austreten. Es sei angemerkt, dass sich der Leiter 100 auf der Oberfläche des Gehäuses 200 oberhalb der ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers 30 befindet. In einer nicht dargestellten Ausführungsform weist das Gehäuse 200 an der Oberfläche eine Kavität zur wenigstens teilweisen Aufnahme des Leiters 100 auf. Hierbei ist es bevorzugt, dass die Breite der Kavität der Breite des Leiters 100 und die Tiefe der Kavität der Dicke des Leiters 100 entspricht. Indem der Magnetfeldkonzentrator 70 unmittelbar unterhalb des Halbleiterkörpers 30 angeordnet ist, sind die Hallsensoren zu dem Rand des Magnetfeldkonzentrators 70 nur sehr gering beabstandet. Hierdurch lässt sich die Sensitivität erhöhen. In einer nicht dargestellten Ausführungsform lässt sich der Metallträger entsprechend der Größe des Magnetfeldkonzentrators 70 ausformen. Insbesondere bei einer an die Größe des Magnetfeldkonzentrators 70 angepassten Kavität lässt sich eine plane Anordnung zwischen den Streifen 190 und des Mittelteils des Metallträgers 20 erzielen.
  • In der 7 ist eine schematische Querschnittsansicht einer dritten Ausführungsform dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Ausführungsform, dargestellt in der Abbildung der 6, erläutert. Der Magnetfeldkonzentrator 70 ist unmittelbar oberhalb des Halbleiterkörpers 30 angeordnet. Die Hallsensoren sind unmittelbar unterhalb des Randes des Magnetfeldkonzentrators 70 angeordnet, genau an der Stelle, an der die im Magnetfeldkonzentrators gebündelten Feldlinien des stromdurchflossenen Leiters 100 gebündelt aus dem Magnetfeldkonzentrator 70 austreten. Indem der Magnetfeldkonzentrator 70 unmittelbar oberhalb des Halbleiterkörpers 30 angeordnet ist, weisen die Hallsensoren zu dem Rand des Magnetfeldkonzentrators 70 den Kleinsten der Abstände aller bisherigen Ausführungsformen aus. Hierdurch ist die Flussdichte durch die Hallsensoren besonders groß. Infolgedessen lässt sich die Sensitivität des Magnetfeldsensors weiter erhöhen. Ferner schließt das Gehäuse 200 mit der Unterseite des Trägers 20 ab und an der Unterseite des Trägers 20 ist der Leiter 100 angeordnet. Es versteht sich, dass zwischen dem Leiter 100 und dem Träger 20 eine Isolationsschicht ausgebildet ist. Indem der Träger 20 aus einem nichtmagnetischen Werkstoff besteht, lässt sich eine Beeinflussung des Verlaufs der magnetischen Feldlinien des Leiters 100 durch den Träger 20 vernachlässigen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2006037695 A1 [0002, 0002]
    • EP 1182461 B1 [0002]
    • DE 102009029209 A1 [0002]

Claims (13)

  1. Integrierter Stromsensor (10) aufweisend, – einen auf einem Metallträger (20) angeordneten Halbleiterkörper (30), aufweisend eine erste Oberfläche mit einer an der ersten Oberfläche ausgebildeten Passivierungsschicht (40) – einen unter dem Halbleiterkörper (30) flächig ausgebildeten Magnetfeldkonzentrator (70), – einen unter der Passivierungsschicht (40) in dem Halbleiterkörper (30) ausgebildeten ersten Hallsensor (80), – einen unter der Passivierungsschicht (40) in dem Halbleiterkörper (30) ausgebildeten zweiten Hallsensor (90), dadurch gekennzeichnet, dass – ein an der ersten Oberfläche zwischen dem ersten Hallsensor (80) und dem zweiten Hallsensor (90) ausgebildeter erster Leiter (100) vorgesehen ist und der Magnetfeldkonzentrator (70) unterhalb des ersten Hallsensors (80) und unterhalb des zweiten Hallsensors (90) und unterhalb des ersten Leiters (100) ausgebildet ist.
  2. Integrierter Stromsensor (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Hallsensor (80) wenigstens teilweise unterhalb einer in einer Öffnung der Passivierungsschicht (40) ausgebildeten ersten Metallfläche (50) angeordnet ist und der zweite Hallsensor (90) wenigstens teilweise unterhalb einer in einer Öffnung der Passivierungsschicht ausgebildeten zweiten Metallfläche (60) angeordnet ist.
  3. Integrierter Stromsensor (10) nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Metallfläche (50) und die zweite Metallfläche (60) mit einem oberhalb der Passivierungsschicht (40) ausgebildeten ferromagnetischen ersten Draht (110) verbunden ist und der erste Leiter (100) in einen vorgegeben Abstand unter dem ersten Draht (110) durchgeführt ist.
  4. Integrierter Stromsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Magnetfeldkonzentrator (70) flächig unter dem Metallträger (20) angeordnet ist.
  5. Integrierter Stromsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Draht (110) als Bonddraht ausgeführt ist und einen ersten Bond auf der ersten Metallfläche (50) und einen zweiten Bond auf der zweiten Metallfläche (60) aufweist.
  6. Integrierter Stromsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Hallsensor (80) und der zweite Hallsensor (90) jeweils ausschließlich unter der zugeordneten Metallfläche (50, 60) ausgebildet sind.
  7. Integrierter Stromsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Leiter (100) eine an einem ersten Kopfende ausgebildete erste Anschlussfläche und eine an einem zweiten Kopfende ausgebildete zweite Anschlussfläche aufweist.
  8. Integrierter Stromsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Leiter (100) mittels eines Bonddrahtes (180) mit dem Metallträger (20) verbunden ist.
  9. Integrierter Stromsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (30) eine integrierte Schaltung aufweist und die integrierte Schaltung in einer elektrischen Wirkverbindung mit den Hallsensoren (80, 90, 150, 160) und oder dem ersten Leiter (100) steht.
  10. Integrierter Stromsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein dritte Metallfläche (130) mit einem dritten Hallsensor (150) und eine vierte Metallfläche (140) mit einem vierten Hallsensor (160) vorgesehen sind und die dritte Metallfläche (130) mittels eines zweiten ferromagnetischen Drahts (120) mit der vierten Metallfläche (140) verbunden ist und der erste Leiter (100) unter dem zweiten Draht (120) durchgeführt ist.
  11. Integrierter Stromsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Magnetfeldkonzentrator (70) stoffschlüssig mit dem Metallträger (20) verbunden ist.
  12. Integrierter Stromsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Magnetfeldkonzentrator (70) einstückig ausgebildet ist und die Hallsensoren (80, 90, 150, 160) zumindest teilweise überdeckt.
  13. Integrierter Stromsensor (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (30) und der Magnetfeldkonzentrator (70) in einem einzigen gemeinsamen Gehäuse (200) angeordnet sind.
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