DE1937638A1 - Halbleiterbauelement mit einer Huelle mit zwei Stromleitern - Google Patents

Halbleiterbauelement mit einer Huelle mit zwei Stromleitern

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DE1937638A1
DE1937638A1 DE19691937638 DE1937638A DE1937638A1 DE 1937638 A1 DE1937638 A1 DE 1937638A1 DE 19691937638 DE19691937638 DE 19691937638 DE 1937638 A DE1937638 A DE 1937638A DE 1937638 A1 DE1937638 A1 DE 1937638A1
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Germany
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semiconductor component
conductive
face
opposite
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DE19691937638
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English (en)
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Summers John Gilbert
Pont Maurice Pierre
David Wilde
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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Description

PHB. 31890
JW/WG,
"Halbleiterbauelement mit einer Hülle mit zwei Stromleitern"
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit zwei Stromleitern, insbesondere Dioden mit einem Schottky-Uebergang, pn-Uebergangsdioden und Anordnungen mit Gunn· Effekt.
Derartige Bauelemente enthalten einen Hülle, die ein isolierendes Element enthält, das zwischen zwei elektrisch leitenden Teilen dor H(IlIe befestigt ist und einen elektrischen Isolator zwischen denselben bildet, wobei die Hülle die zwei elektrischen Anschlüsse des Bauelements bilden. Der Halbleiterkörper, der in dieser Hülle angeordnet ist, hat zwei Hauptelektroden, die mit je einem der genannten elektrisch leitenden Teilen und mit einem Gebiet des HalbleiterköVrpers elektrisch verbunden sind»
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Diese leitenden Teile können sich an einander ' gegenüberliegenden Enden der Hülle befinden, in weichem Fall da-s isolierende Element meistens rOhrFörmig und zwischen zwei metallenen Endteilen befestigt ist und einen axialen Isolator zwischen denselben bildet, welche Endteile elektrische Anschlüsse mit entgegengesetzter Polarität bilden. Die elektrischen Anschlüsse können sich auch an demselben Ende des Hauelementes befinden, in welchem Fall der eine leitende Teil meistens ein Aussenrohr enthält und das andere einem metallenen P Stab, der koaxial darin befestigt ist. Dieser Stab enthält einen stiftförmigen Teil, der an seinem freien Ende an das eine Ende des Aussenrohrs grenzt und einen der elektrischen Anschlüsse bildet. . ; ·". -' .'" ; " ■■.-'" -: '. -. : : " "':;... : ' \ -, ■
Bei der Montage derartiger Dauelemeiite ist es oft
schwer,, gute elektrische Verbindungen zwischen der Elektrode des Körpers und dem leitenden Teil der Hülle herzustellen und gute hermetische Abdichtungen zwischen dem leitenden Teil und dem isolierenden Element zu erhalten, also um den Körper mit seinen Verbindungen genügend einzukapseln und zu schützen. In manchen Fällen ist es nicht möglich, das Halbleiterbauelement elektrisch zu prüfen, bevor es in mindestens einem Teil der Hülle angeordnet wird. Wenn weiter die leitenden Teile, welche die elektrischen Anschlüsse des Bauelementes bilden, nicht praktisch gleichförmig und gleichbemessen sind (wie für Bauelemente mit/ Anschlüssen an demselben Ende und manch Bauelemente mit Anschlüseen an einander gegenüberliegenden Enden), ist oft ein völlig gesonderter Herstellungsprozess notwendig um Bauelemente
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entgegengesetzter Polarität- zu erhalten. . " ". ;
Fig. 1 zeigt eine bekannte Gunn-Effektdiode, die > mit Mikrowel1enfrequenzen schwingen kann» wenn eine Spannung über einer bestimmten Schwellenspannung den zwei Anschlüssen zu- * ^!«rülirt Kird. Metallene Fndteile 1 und 2 sind die zwei Anschlüsse j dos Hauel einentes, die an einander gegenüberliegenden Enden der j Hülle lioyeri. Kin* isol ierpndes Eiohr 3 ist zwischen diesen End-· teilen angpordnet und bildet einen axialen Isolator zwischen diesen TplIpiu Fin Halbleiterkörper U aus Galliumarsenid ist; mit piner Hauptriäche mit dem Ende des Endteils 2 innerhalb d*>r ί Hülle verbunden und bildet die eine Elektrode 5 des Körpersk» i Die andere Elektrode des Körpers h besteht aus eitler Metall« srhichbelekt rode 6, die mit der anderen ttauptflachedes Körpers · ■ '» kontaktiert ist. Diese Elektrode 6 ist über den Leiter 7 mit, ; einem Me tal 3 ring 8 elektrisch Verbundes^ ilier mit dem Eiidfcfiil 1 elektrisch verbunden ist. Der Leiter 7 bestehet aus ei«etn «innigen Draht, dessen beiden: Enden fim Ring 8 befestigt sind tind dessen ; Mitte mit der Elektrode 6 verbunden "istv
Dieses Halbleiterbauelemöhfc ist dazu entwarfen« * unr viele der früher auftretende SchwierigkfeitfiiiiÄü überwinden. ' Der Zusatz des Hinges 8 und des Drahtes 7 erleichtert eine gute elektrische Verbindung zwischen den Elektroden 6 und dem Endteil 1, aber es sind gute hermetische Abschlüsse zwischen dem Rohr *3 und dem Endteil 2 und zwischen dem Rohr 3 tlrid dem Ring 8 .| erTorderlich, um den Halbleiterkörper und diese DrahtVerbindung genügend zu schützen. Dieser letzte Abschluss mit dem Ring"' Ei : lässt sich manchmal schwer verwirklichen» Obschort die Ilalb- *
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lciterbaueieniente vor dom ganzen zusammenbau geprüft werden können, ist die Prüfung jedoch auch notwendig für das zusammen- ' gebnute Bauelement nach Fig. 1. Da das Bauelement nach Fig. 1 ein einfaches Bauelement mit Gunn-Effekt ist, treten Probleme in bezug auf Bauel einen t e mit. entgegengesetzter Polaritä't nicht· a u f.
■Die THiI Ie nach Fig. 1 Hisst sich für andere Bauelemente verwenden, In denen sonst Probleme in bezug auf die Bi Polarität auftreten können. Weil die zwei metallenen Endteile
Ψ praktisch gleich bemessen und gleichförmig sind, könnte ©in Bauelement mit entgegengesetzter -Polarität leicht erhalten werden, indem die Verbindungen der Anschlüsse untereinander umgetauscht werden würden.
Bestimmte Tunneldioden haben eine Hülle, die der des Bauelementes nach Fig. 1 entsprlchl. Der wichtigst· Unterschied ist, dass der metallene Endteil 1 nicht nahezu gleichförmig und gleich bemessen ist wie der Endteil 2, sondern statt*· dessen die Form einer ebenen Me tall scheibe aufweist» In einem derartigen Fall ist es nicht leicht:., an demselben Herstellunge-
band Tunneldiodenanordnungen mit beiden Polaritäten herzustellen»
Fig. 2 zeigt eine bekannte Diode miteinem pn-
Uebergang, die eine Hülle enthältf in der ein Halbleiterbaueleineni angeordnet ist. Die Hülle weist die koaxiale Anordnung eines rohrförmigen Isolierelementes 13 aufj das zwischen zwei praktisch gleichen rohrförmigen metallenen Endteilen 11 und 12 befestigt lsi Fin erster metallener Stab 18 ist koaxial innerhalb eitles Endteils 11 befestigt und ein zweiter Metallener Stab 19 inner-
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wvvv pmn 3189O
halb, des Endteils 12* Per Halbleiterkörper 14 au* Silizium enthält eine Anzahl ή-läitender Leitfähigkeit «gebiete, die eirtzeIn. mit nur einer HauptTiUehe des Körpers 1'» durch nur eine einer Anzahl Metall Schichtelektroden To köntakfciert sind-· Der Halbleiterkörper enthält weiter ein gemeinsames p-leitendes Gebiet, das in der Nähe der gegenüberliegenden Hauptfläche des Körpers 1't liegt, welche gegenüberliegende Hiuptfläche am Ende des Metallstabs 19 innerhalb der Hülle befestigt iet und der die Elektrode 15 des Elementes enthält. Auf diese Weise enthalt der Halbleiterkörper eine Reihe von pn1- Uebergangsdiodeni» welche Reihe bis 1000 Stück zählen kann, Eine derart grosse Anzahl von Dioden wird derart verwendet, dass, wenn der Wetalldiraht 17, der die eine Elektrode 16 mit dem Metallstab 18 elektrisch verbindet, in die Hülle gesteckt wird, eine hohe ¥ehrecheinlichtkeit besteht, dass er einen leitlichen elektrischen Kontakt mit einer der Elektroden 16 herstellen wird. In dem Bauelement nach Fig. 2 wird also nur eine der Reihe pn-Uebergangsdioden je verwendet. Der Metalldraht 1? wird am Ende desMetallatabs 18 innerhalb der Hülle befestigt und zwar.in einem Punktkontakt mit der Elektrode 16. Die Metallstäbe 18· und 19' sind mit den Endteilen 11 bzw. verlötet und halten die Stäbe 18 bzw. 19 an ihrer Stelle.
Wie in der britischen Patentschrift Nr* 1.024.210 beschrieben wurde, ist es*möglich, das Bauelement gut koaxial ausgerichtet zu montieren und gute hermetische Abdichtungen zwischen dem Isolator 13 und den rohrförmigen Endteilen 11 und zu erhalten. Die elektrische Verbindung mit der einen Elektrode 1'6 ist j.edoch von einem Druckkontakt mit dem Metalldraht 17 abhängig;
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-.6- , PUB. 31890
diese Verbindung kann -Ungewissheit In den elektrischen Charakteristiken des Bauelementes nach Fig. 2 .einrühren und deswegen ist es nicht möglich, das Halbleiterbauelement bevor das ganze Element zusammengebaut ist, völlig zu prüfen. Der Druckkontakt des Metalldraht·· 1? mit der einen Elektrode 16 bedeutet auch,
dass das Bauelement durch eine Stossbehandlung nach seinem völligen Zusammenbau empfindlicher ist gegen Beschädigung oder Aenderungen der Kennlinien. Weiter scheint es verschwenderisch zu sein, fast tausend Dioden herzustellen und nachher nur eine zu verwenden.
Die Schwerigkeiten, die bei den obengenannten
Bauelementen empfunden werden, bei denen die zwei Anschlüsse sich an einander gegegnUberliegenden Enden des Bauelementes befinden, sind meistens noch grosser für Bauelemente, bei denen die zwei · Anschlüsse sich an demselben Ende des Elementes befinden.
Ein Halbleiterbauelement mit einer Hülle mit zwei Stromleitern, welche Hülle einen isolierenden Körper enthält, der zwischen zwei elektrisch leitenden Teilen, welche die Stromleiter bilden, befestigt ist, wflhrend ein Halbleiterkörper vor-
handen ist, von dem eine erste Zone eine Elektrode enthält, die mit einem der Stromleiter elektrisch leitende verbunden ist, und eine zweite Zone eine Elektrode enthält, die mit dem zweiten Stromleiter verbunden ist, weist nach der Erfindung das Kennzeichen auf, dass der Halbleiterkörper auf einer Oberfläche eines •isolierenden Trägers befestigt ist, der mindestens an einander gegenüberliegenden, nahezu senkrecht auf der Oberfläche des Trägers stehenden Endflächen gegeneinander isolierte elektrisch
I '
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PUU, Π 1
loiloudr -c'iirhfen aufVoisi , wobc-i die leitende Schicht der einen T'nd fläche dos Trägorf? mit einem dpr Stromleiter und mit einer der rieklrodon des Halblei lerkofpers elektri sch verbunden ist, während die leitende Schicht an der gegenüberliegenden Endfläche ilcs Trägers mit dem anderen Stromleiter und mit der anderen Elektrode elektrisch verbunden ist.
fjns Anordnen des HaIbIeiterkörpers.auf einem isolierenden Träger und die riefest igung dor Stromleiter des Bauelementes an gegeneinander isolierten leitenden Schichten auf einander gegenüberliegenden Γ-iidflitchon des Trägers ermöglicht es, ein Halbleiterbauelement völlig zusammenzubauen und somit zu prüfen, bevor es in den anderen Teil des Bauelementes hineingebracht ii i i'd; oft erleichtert es die elektrische Verbindung zwischen dem riement und den Stromleitern, da jede leitende Schicht, je nach der Ttülle, mit demjenigen Teil des Bauelementes in Kontakt sein kann, der den elektrische Anschluss bildet. Abhängig vom Umstand, vie der isolierende Träger innerhalb der inneren Hülle gelagert ist und abhängig von dem Umstand, welcher leitende Schicht"an einer "seiner·Flächen mit welchem leitenden Teil der ITUlIe verbunden ist, kann ein Bauelement mit beiden Polaritäten leicht «!-halten werden. Dadurch kann ein Halbleiterbauelement mit beiden Polaritäten aus demselben isolierenden Träger und derselben Hülle aufgebaut werden.
Für die Hülle gibt es mehrere Konstruktionen und Formen. Jn einer Ausführungsform nach der Erfindung ist einer der genannten leitenden Teile ein Aussenrohr und der andere der genannten leitend'en Teile ein Metallstab, der koaxial im genannton
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Aussenrohr befestigt ist und an einem Ende einen etlftförmigen Teil aufweist, der den einen Anschluss des Halbleiterbauelementes bildet, der an einem Ende des Aussenrohrs liegt, das der andere Anschluss des Bauelementes bildet, wobei die leitende Schicht auf der einen EndfläcUe des Trägere mit der genannten ersten
Elektrode und mit einer elektrisch leitenden radialen Stütze elektrisch verbunden ist, die sich mit dem anderen Ende des genannten Aussenrohrs in elektrischem Kontakt befindet und diesem l'nde zugewandt ist, wobei die leitende Schicht ander gegenüberliegenden Endfläche des Trägers mit der genannten zweiten Elektrode und mit dem gegenüberliegenden Ende des genannten metallener rtabes elektrisch verbunden ist. Tn diesem Fall kann das Material des Aussenrohrs und das des metallenen Stabes aus versilbertem Kupfer bestehen.
In einer anderen Ausführungsform nach der Erfindung hat das genannte isolierende Element eilt· |irakti"ifch röhrförmige Konfiguration, die zwiechen dem ersten und dem sswelten metallenen Endteil befestigt ist und einen axialen Isolator zwischen diesen bildet, welche ßndtelle an gegenüberliegenden Enden der Hülle liegen und entgegengesetzte elektrische Anschlüsse bilden., wobei die leitende Schicht an der «linen Endfläche des Trägers, die an den ersten metallenen Endteil grenzt, mit dem genannten ersten metallenen Endteil und mit der genannten ersten Elektrode elektrisch verbunden ist, wobei die · leitende Schicht an der gegenüberliegenden Endfläche des Träger.s, die an den zweiten metallenen Endteil grenzt» mit d»itl genannten zweiten metallenen Endteil und mit der genannten zweiten Elek-
.:. ;^ , r e 9098 88 /1094 bad original.
mm*
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trode elektrisch verbunden 1st. .ν
In diesem Fall können der erst"e und der zweite metallene Endteil praktisch gleich und rohrffrriHlJr sein* wobei ein erster metallener Stab koaxial im ersten metallenen Endteil befestigt ist Und das Ende desselben innerhalb der Hülle mit der leitenden Schicht auf der genannten einen Endfläche in elektrischem Kontakt Ist, wobei eilt zweiter metallener Stab koaxial im zweiten metallenen Endteil befestigt ist und das Ende desselben innerhalb der Hülle mit der leitenden Schicht auf der v genannten gegenüberliegenden Endfläche in elektrischem Kontakt ist. .- :■". :, ;. \■■', ;;;' ν - : .■-■, .= / ' ."-'-
In diesem Fall können die genannten metallenen
Endteile je ein eingelassenes Ende aufweisen, über welches das rohrförmige isolierende Element passt und das Material der metallenen Endteile kann aus Titan oder Zirkon bestehen.
Das Material des isolierenden Elementes und das des isolierenden Trägers kann aus Aluminiumoxid bestehen.
Der Halbleiterkörper kann sich in einer Aus-
nehnum auf der einen Oberfläche des Trägers befinden* Auf diese Weise braucht der Halbleiterkörper nicht über dem Aussenpegel der genannten einen Oberfläche hinauszuragen. Diese dient als Schutz für den Halbleiterkörper und seine unmittelbaren Befestigungen beim Zusammenbau des Bauelementes, da es weniger gerShfdet wird ζ er'* «Ort zu werden oder dass dagegen gestossen wird, wenn es in die Hülle angeordnet wird.
In diesem Fall können die leitende Schicht an der einen Endfläche und die leitende Schicht an der genannten gegen·*
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überliegenden Endfläche sich teilweise über die eine Oberfläche erstrecken, einschlieesiich der Seite der Ausnehmung auf jener Oberfläche. Dadurch kann gewünschtenfalls eine Verbindung zwischen den Elektroden und denjenigen Teilen der leitenden Schichten hergestellt werden, die sich mindestens teilweise Über die Soite der Ausnehmung befinden. In diesem Fall kann die leitende Schicht an der einen Endfläche elektrisch verbunden sein mit der genannten ersten Elektrode durch einen Leiter, dessen eines Ende* mit tels einer tfKrmedruckverbindung mit der genannten ersten Blektrode auf der einen Hauptoberflache des HaibleiterkBrpers verbunden ist, dessenanderes Ende mittels einer Wärmedruckverbindung"mit demjenigen Teil der genannten leitenden Schicht auf der einen Endfläche verbunden ist, der sich über die eine Seite der genannten Ausnehmung erstreckt. Das zweite Gebiet des Halbleiterkörpers kann weiter durch die zweite Elektrode mit der leitenden Schicht auf der genannten gegenfiberliegeriden Endfläche dadurch verbunden sein, dass die gegenüberliegende Häuptoberfläche des Halbleiterkörpers mit demjenigen TeJ 1 der genannten leitenden Schicht an der gegen-Uberliegendon Endfläche verbunden wird, der sich mindestens über die andere Seite, der Ausnehmung erstreckt»
Die Grundform der Ausnehmung kann die einer U-förmigen Rinn« sein. Tn diesem Fall kann sich die leitende Schient über praktisch den ganzen "Boden" der U-förmigen Rinne erstrecken. Die leitenden Schichten können durch eine Rille, die sich quer über den ganzen "Boden" der Rinne erstreckt und in der sich keine leitende Schicht befindet, gegeneinander
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-η- ; . PTIB* 318ΡΟ
lsolinri- sein; sie können nucli. durch oiiieToJ], der sich, quer übi-M- ίΐί η garn1:».» eine Se j "to de τ 'Rinne erstreckt und auf der sich kfiinc leitende .Schicht befindet," gegeneinander isoliert sein, ν. el eher Teil die vertikale ^eJ te eines 5 tu Teilgebietes in dieser -■"•«■»it»! dor Hi tine bilden kann.
Pas Material der leitenden Schicht kann aus Gold best eh η η".
Her Halbleiterkörper kann an der einen Oberfläche
des Tr"ig(;rs durch ein schützendes synthetisches Harz eingekapselt werden. Das bedeutet im wesentlichen, dass der Halbleiterkörper 'zweimal eingekapselt wird-, nämlich in das Harz und in die Hülle; die hermetischen" Abschlüsse zwischen dem rohrförmigen Isolierelement und den metallenen Γηάteilen ist also nicht so kritisch für diese Ausbildung des orfindungsgemässen Bauelementes, In diesem Full kann dor Halbleiterkörper und seine Verbindung mit den leitenden Schichten, in Kunstharz eingebettet sein, welches Kunstharz völlig innerhalb der. Ausnehmung auf der genannten einen oberfläche des Trägers liegen kann. Auf diese Weise ist das Halbleiterbauelement durch die Ausnehmung g-e"schiltet und darin eingekapselt,"
In einer Ausführungsfonn enthält ein Halbleiterkörper "mit zwei Stromleitern eine Diode mit Schottky-Uebergang; in einer anderen Ausführungsfonn enthält er eine pn-Uebergangsdiode. In 'einer weiteren Ausführungsförm enthält er eine Anord-1 tiung mit Clunn-Rf f ekt. Andere Formen des erf indungsgemaesen Halblei terbauelemente-s mit zwei Anschlüssen sind möglich, beispielsweise Tunneldioden oder Varaktordioden; eine wesentliche Anforderung ist, dass das Halbleiterbauelement nur zwei äussere
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leitende Anschlüsse enthält. Unter Umständen ist es also möglich, dass Schal tuiigsj» lernen te-'auf dem isolierten Träger oder auf. ' dem Hnlbleiterkörper ausgebildet werden, beispielsweise Widerstände oder Kondensatoren, die durch Dünnschichttechniken gebildet sind, oder im Halbleiterkörper, beispielsweise andere Halbleiterschaltungselemente, die durch Diffusion gebildet sind.
•Nach einer zweiten Ansicht der Erfindung enthalt ein isolierender Träger einen Halbleiterkörper auf der einen Oberfläche desselben und gegeneinander isolierte leitende Schichten wenigstens auf gegenüberliegenden Endflachen des-SeIl)GIi, welche Endflächen praktisch senkrecht auf der einen Ober·· flache des ..Trägers stehen, welcher Träger in einer Hülle angeordnet werden kann und ein Halbleiterbauelement mi.t sr.wei Klemmen nach der ersten Ansicht der Erfindung bildet.
Der isolierende Träger kann in einer Ausnehmung
auf einer' Oberflache desselben einen Halbleiterkörper enthalten und gegeneinander isolierte leitende Schichten auf gegenüberliegenden Endflächen desselben, welche Endflächen praktisch senkrecht auf der einen Oberfläche dee Trägers stehen, welche leiten** den Schichten sich teilweise über die eine OberflÄche, eirischliesslich der Seite der Ausnehmung erstrecken, wobei der TIalbleiterkörpe'r und seine Anschlüsse mit den leitenden Schichten an der einen Oberfläche durch ein schützenden synthetisches Harr eingekapselt sind, welches Harz sich völlig innerhalb 4*r Ausnehmung auf der genannten einen Oberfläche des Trägere befindet, welcher Träger entweder Innerhalb einer Hülle angeordnet werden kann und eine besondere Ausführungsform eines Halbleiterbau-
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elemente· mit zwei Stromleitern nach der ersten' Ansicht der Erfindung bildet, oder durch die genannte eine Oberfläche desselben mit einem Substrat verbunden werden kann« wodurch Teile der genannten gegeneinander isolierten leitenden Schichten, die sich teilweise über die genannte eine Oberfläche des Trägers erstrecken, mit Teilen eines leitenden Musters auf dem genannten Substrat elektrischen Kontakt machen können.
Auf diese Weise kann ein vielseitiger isolierender Träger in Reihe hergestellt werden und danach den Wünschen des Kunden gemäss entweder in einer Hülle montiert werden und ein Halbleiterbauelement mit zwei Stromleitern nach der freien Ansicht der Erfindung bilden, oder nach Umkehrung kann es mit seiner Endfläche mit einem dünnen Schicht oder einer gedruckten Schaltung verbunden werden, dies zur Bildung einer"integrierten Hybridschaltung". Isolierte Träger, die sich für derartige Hybridschaltungen eignen, sind mit einer derartigen Konstruktion, wie die nach der Erfindung bekannt. Derartige isplierte Träger bilden den Gegenstand der britischen Patentanmeldung hO8O-i/66, die sich nicht auf zwei Anschlüsse beschränkt, sondern auch eine oder mehrere Anschlüsse enthält, wie beispielsweise für Transistoren und integrierte Schaltungen; die isolierten Träger nach der zweiten Ansicht der Erfindung weichen was die Struktur anbelangt dadurch von diesen ab, dass die leitenden Schichten, mit denen die Halbleiterkörperelektroden verbunden sind, sich auch über beide Endflächen des Trägers erstrecken, welche Endflächen senkrecht auf der Oberfläche stehen, auf der der Halbleiterkörper montiert ist. Es ist gerade dieses Merkmal, das
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einen vielseitigeren Träger liefert»
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den
Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigenj
FIg. 3 einen Schnitt durch ein Halbleiterbauelement mit'zwei Stromleitern nach ersten Ansicht der Erfindung,
Fig. k eine schaubildliche Darstellung eines
Isolierenden Ti'ägers nach der zweiten Ansicht der Erfindung, der in dom TIalbleiterbauelement nach Fig. 3 vorhanden" ist,
Fig. 5 einen Schnitt durch ein weiteres Halbleiterbauelement mit zwei Stromleitern nach der ersten Ansicht der Erfindung,
FIg. 6 einen Schnitt durch einen weiteren isolierenden Träger nach der zwei ten Ansicht der Frfiridung, der in dem Halbleiterbauelement* nach Fig. j vorhanden ist.
Dir· Halbleiterbauelement "nach Fig. 3 ist eine Diode mit Schottky-Uebergang aus Galliumarsenid, wobei sich die zwei elektrischen Anschlüsse an einander gegenüberliegenden Enden des Elementes befinden. Es enthält eine Hülle, in der ein ' isolierender Träger 30 au« Aluminiumoxid angeordnet ist. Der Träger 30 weilt auf der einen Oberfläche 3** einen Halbleiterkörper 2V aus Galliumarsenid auf und enthält gegeneinander isolierte leitende Schichten 31 und 32 aus Gold auf einander gegenüberliegenden Endflächen desselben, welche Endflächen senkrecht auf der einen Oberfläche 3'* des Trägers stehen. Die Hülle emtspricht praktisch der des Elementes nach Fig. 2 und enthält ein rolirförmiges isolierendes Element 23 aus Aluminium-
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-13- ΓΗΠ.
oxid, 'tins /"wischen zwei praktisch gleichen metallenen Endteilen 2 1 und .?" rmgeordne^l ist und einen axialen Isolator zwischen densol'ien bildet. Fins rohrförniige Isolierelement23 passt über die eingelassenen l'ntlen der metallenen Endteile 21 und 22.
Die zwei metallenen EndteTtte 21 und 22 bestehen
beide aus einem Material, wie Titan oder Zirkon und haben eine rohr rörrni gR Hauart . In jedem dieser Fndteilo sind Metallstab© 28 und 2·^ ' bzw, 28 und 20» koaxial angeordne t·. Das linde des Nickelstabes 28 Innerhalb· der Hülle ist in elektrischem Kontakt mit der leitenden Schicht 32 auf der benachbarten Endfläche dos Tr'igers 30 durch ein leitendes Epoxyharz in elektrischem Kontakt befestigt. Uns Ende des Nickel Stabes 29 in der Hülle ist mit der leitenden Schicht 31 auf der benachbarten Endfläche des Trägers TO verlötet, damit ein guter elektrischer Kontakt mit derselben erhalten v.i rd .* Ti taninetal 1 stljhe 28' und 20« sind mit den Endiellen 21 bzw, 22 "verlötet und sie halten die Stäbe 28 bv.w. 20 aus Mckelme t al 1 an ihrei* Stelle.
Der isolierende Träger 30 des Halbleiterbau-
elementes nach Fig. 3 ist in vergrössertem Masstab und schaubildlich in Kig. Ί dargestellt. Deutlichkeitshalber ist in Fdg. x-\ kein schützendes synthetisches Harz (Hezugszif f er 33 in lig. 3) dargestellt. Der isolierende Träger 30 aus Muminiumoxid trägt einen Halbleiterkörper 2*4 in einer Ausnehmung auf der einen Oberfläche 31'1 und hat gegeneinander isolierte leitende Schichten 31 und 32 an gegenüberliegenden Endflächen. Diese Endflächen stehen praktisch senkrecht auf der einen Oberfläche 3^ des Trägers 30, l'ie Grundform der Ausnehmung ist die einer U-förmigen Rinne 3 3.
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BAD
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Die leitenden Schichten 31 und 3? wtii«n Till· und 38 auf, die eich teilweise Über die eine Oberfläche3k eretreeken, Teile 39 und UÖr die eich über die Seite der Rinn· 35 erstrecken und Teile ^1 und k2t die eich über den "Boden" der Rinne 35 erstrecken. Hie leitenden Schichten 31, 37» 39, *M und 32, 38, -kQ-tUS »ind durch eine Rille 36 gegeneinander Isoliert», die sich quer U-ber den ganzen "Boden" der Rinne 35 «rf·treckt und in der eich keine leitende Schicht befindet. Die Elektrode 26 auf der einen Hauptoberfläche dee Halbleiterkörper« 2k besteht aus Gold und macht einen gleichrichtenden Kontakt mit dem Körper 2') mit einer Sperrschicht an der Zwischenflache Metall/Halbleiter, Die Elektrode 26 let mit der leitenden Schicht 31 am einen Ende des Trägere 30 durch einen Golddrahtleiter 27, dessen «ines Ende durch eine Wärmedruckverbindung mit der Elektrode 26 verbunden ist elektrisch verbunden, während das andere End· durch ·£η· Wlrtnedruckverbindung mit dem Teil 41 der leitenden Schicht 31 %' 37» 30', 'H verbunden ist« Die gegenüberliegende Hauptflltch· des Halb·· leiterkörpere 2k 1st mit der leitenden Schicht Mti verbunden, welche die ohmsche Elektrode ^5*auf dem Körper 2V bildet· Ueber die leitende Schicht 32, 38, ko, U2 ist diese mit dem Teil 32 auf der gegenüberliegenden Endfläche dee Trägers 30 elektrisch verbunden.
Der Halbleiterkörper 2k und seine Verbindungen
mit den Teilenkl und k2 der leitenden Schichten 3I, 37, 39, ki und 32, 38, k0t k2 sind auf der einen Oberfläche 3k des Trägers 30 durch ein schützendes synthetisches Harz 33 eingekapselt (siehe Fig.3). Dieses Harz 33 liegt völlig innerhalb der Rinne
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33 auf der einen Oberflllche 3^ de· Trägers, Die. erhaltene Kon struktion ist somit gedrängt, stark und schützt den Halbleiterkörper 2^ und seine unmittelbaren Verbindungen genügend.
Die Abmessungen des Halbleiterbauelementee nach Fig. 3 sind folgende! das rohrFörmige isolierende Element 23 hat eine Länge von 1,8 mm und einen Aussendurchmesser von 2,-V mm und eine licht Veite von 1,8 mm. Die metallenen Endteile 21 und 22 haben je eine lichte Veite von 0,95 mm undeinen maximalen Aussendurchmesser von 2,5 mm. Das rohrförmige Isölierelement 23 passt über eingelassene Enden mit einem Auesendurchmesser von 1,72 mm auf die metallenen Endteil© 21 und 22. Die Nlckelstäbe 2S und 29, die in den metallenen Endteilen befestigt sind, haben je einen Durchmesser von 0,91 mm. Die angrenzenden Enden der Xickelstäbe 28 und 29 sind kegelförmig*und lassen eine runde ebene Stirnfläche von 0,76 mm Durchmesser frei. Die Endfläche·des isolierenden Trägers 30, die durch die leitenden Schichtteile 31 und 32 bedeckt sind, haben eine ITShe von 0,80 mm ,und eine TVre-lte von 0,38 mm. Dio Länge des Trägers 30 ist 1,9 mm. Die Rinne 35 hat eine Tiefe von 0,50 mm und eine mittlere Länge von 0,13 mm.
Das Halbleiterbauelement nach Fig. 3 wird wie folgt hergestellt.
Zunächst wird der isolierende Träger nach Fig. h
hergestellt. Der isolierende Träger 30 ist mit Gold metallisiert über die ganze eine Oberfläche 3^, einechlieselich der ganzen Rinne 35 und "Ober; die ganzen Endflächen senkrecht auf der einen Oberfläche 3*». Die Rille J6 wird praktisch parallel zu den genannten Endflächen über den ganzen "Boden" der Rinne 35 ange-
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■τ -13- r ρτΐη, 31Β9Ο
bracht, so da*s die darunter liegenden isolierten leitenden Schichten 31, 37, 30,"h 1 und 32, ""-3A, J»O, '*2 erhal ten werden. Der Halbleiterkörper M1. der durch die .gleichrichtende Elektrode 26 mit nur einer HauptflHche kontaktiert ist, wird dann mit seiner gegenüberliegenden Hauptflache mit dem Teil '»2 der leitenden Schicht 32« 33f '40, '»2 verbunden zur Bildung der ohinschen Elektrode 2~, die mit dem Teil 32 der gekannten leitenden Schickt verbunden ist. Der Leitungsdraht 27 wird danach mittels einer Vfirmedurckverbindunß mit der Floktrode 26 und mit dem Teil -»1 der leitenden Schicht 31, 37» 3°, !»"1 verbunden und verbindet auf diese Veise elektrisch die Elektrode 26 mit dem Teil 31 der genannten leitenden Schicht, Der Halblei torkörper und seine unmittelbaren Verbindungen werden danach durch synthetisches Harz 33 eingekapselt.
Die elektrischen Kennlinien des erhaltenen eingekapselten Elementes können geprüft werden bevor es in der Hülle angeordnet wird. Es ist nicht 'wahrscheinlich, dass diese Hülle diese Kennlinien wesentlich ändern wird, Die !lai^eiiikapselung wirkt als Umhüllung, nebst der der ganzen Hülle, so dass schliesslich der Halbleiterkörper doppelt geschützt ist.
Zur Heretellung der Hülle werden zunächst die nietallonen fvndteile 21 und 22 mit dem rohrförmigen Körper 23 verlötet, dies zur Erhaltung einer koaxialen Hölle.Auf die in der britischen Patentschrift Xr, 102ί»2Τ0 beschriebene Veise werden eine besonders gute axiale Ausrichtung und hermetische Abdichtungen erhalten. Die leitende Schicht 31 an der einen Endfläche des isolierenden Tragers wird danach mit dem kegelförmigen Ende des
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Vickelslibea Γ""» verlötet, um damit einen fclsktriechen Kontakt r,u Ml den und dieses Ganze wird -durch den metallenen Endteil 22 Mndurrh in die koaxiale Hülle gesieckt und darin be Festigt. T)Ie 'iiiiTiG 15 und das Harz 33, das den Halbleiterkörper 2'i ·!«- Kapselt, wirkt als Schutz Tür den Halbleiterkörper Z'U und seine unmittelbaren-" Verbindungen, so dass bei diesem Hineinstecken in die'-Hülle- weniger Gefahr besteht,.dass gegen den Körper' geaiossen wird. Der titanetab 29' wird danach an seiner Stelle mit dem Musseraten Ende des Endteils 22 verlötet. .
Das kegelförmige Ende des Nickel Stabes. _2fr wird
danach durch den metallenen 'Endteil 21 hindurch in die Hülle gesteckt und durch leitendes Epoxyharz bildet es mit der leitenden Schicht 32 an der gegenüberliegenden Endfläche des TrSgere einen nlektrischon Kontakt. Dieser Stab 2B wird an seiner Stelle befestigt, sobald dieser elektrische Kontakt erhalten ist. Der Titanslab 28' vii^d schlieselich an seiner Stelle mit dem fluseer- · slen Tnde dos Endtpils 21 verlötet, so dass die Hülle vollendet ist. Der Gebrauch von gesonderten PtHbe.n 28' und 29* ermöglicht es, ihre Hussersten Enden abzuschneiden, ohne dass die elektrischen Kontakte zwischen den ."tS.ben 28 und 29 bzw, den leitenden Schichten 30 und 31 zerstört werden.. Die Stube 28' und 2?'. werden rlach abgeschnitten mit den vorn rohrförmigen Isolierelement abgewandten Enden der metallenen Endteile 21 bzw. 22, und bilden mit diesen dio zwei Anschlüsse des Halbleiterbauelement es.·
Her in Eig. h dargestellte isolierende Träger
(mit oder ohne Zusatz des schützenden synthetischen Harzes aus Eig. 3) ist ein vielseitiges Einzelteil. Es kann nicht nur
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in einer Hülle angeordnet werden zur Bildung des Halbleiterbauelementes nach lig* 3 mit zwei Stromleitern, sondern, es kann< auch mit der einen Oberfläche 3** mit dein isolierenden Substrat verbunden werden, wodurch die Teile 37 und 38 der gegeneinander isolierten leitenden Schichten 31, 37» 39» *»1. und 32» 3R» V JfO, k2 mit den Teilen eines leitenden Musters auf dem genannten Substrat elektrischen Kontakt machen k3nnen<> Auf diese Weise kann, eine integrierte Hybridschaltung erhalten wei'den« Es ist deswegen möglich» den Träger nach Fig« U in Reihe herzustellen (mit oder ohne Zusatz dee Harzes 33 nach Fig. 3) und tlann abhängig von den Vünsöhen des Kunde« diesen Träger entweder au montieren zur Bildung des Halbleiterbauelemente^ nach FIg* 3» oder, nach Inversion« mit einer Bndfläche mit einem dünnen Film oder einer gedruckten Schaltung au verbinden, dies zur Bildung einer integrierten Hybridschaltung.
Das Halbleiterbauelement nach Fig» 5 ist eine
pn-Uebergangsdiode nach der Erfindung, wobei die zwei elektrische! Anschlüsse an demselben Ende des Halbleiterbauelemente» liegen« ,. Es enthält einen versilberten kupfernen Metallstab 51s der
koaxial in einem versilberten kupfernen Aussenrohr 50 befestigt.
ist« Der Metallstab 51 enthält einen stiftförmigen Teil 52 an einem Ende, dies zur Bildung des einen Anschlusses dei Halb« leiterbattelemerites, der an einem Ende des Aussenrohrs 56 liegt* das den anderen Anschluss des Halbleiterbauelementee bildet« „
1 r
Die zwei Anschlüsse des Haibleiterbatielementes sind durch einem radialen Isolator 56 gegeneinander isoliert, der »ich an einem Ränder Innenwand des Au^eftnröhre 50 abstützt« der sifelt aeits am metallenen Stab 51 abetütist. : ."
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Entsprechende Teile des isolierenden Trägers in
dem Halbleiterbauelement nach Fig. 5» die in vergrössertem Mass-* stab in Fig, 6 dargestellt sind, werden mit demselben Bezugszlfforn In den Fig. 5 und 6 wie in den Fig. 2 und 3 angedeutet. Durch die leitende Schicht 31, 37, 39, 61 und den Golddrahtleiter 27 ist der Teil 31 tier leitenden Schicht mit der einen Endflache des Trägers 30 elektrisch mit der Elektrode 26 an einer TTauptflache des IIalbleiterkBrpers 2h verbunden und macht mit einem n-leitenden Gebiet h des Körpers 2k Kontakt. Der* Teil 31 der leitenden Schicht ist ebenfalls durch Verlötung mit dem Montageteil 55 einer elektrisch leitenden radialen Unterstützung 53 verbunden, die mit und nach dem 'anderen Ende' des Aussenrohrs 50 in elektrischem Kontakt ist. Was den Trager ans Figi h anbelangt, ist die gegenüberliegende Hauptoberfläche des IJalbleiterkörpers 2h mit dem Teil ?i2 der leitenden Schicht verbunden, dies zur Bildung der Elektrode 25, die ein p-leitendes Gebiet des Körpers 2^4 kontaktiert, das auf diese 'Weise durch die leitende Schicht 32, 33, hü, h2 mit dem Teil 32 der leitenden Schicht an der gegenüberliegenden Endfläche des Tragers elektrisch verbunden ist. Der Teil 32 der leitenden Schicht ist ebenfalls durch das leitende Epoxyharz mit dem gegenüberliegenden Ende 5^ des Metallstabes 51 elektrisch verbunden«
Im Träger nach Fig, 6 hat nur eine Seite der
U-f8rmigen Rinne 35 an der Seite Jk des Trager» einen stufenförmigen Teil 6o,. dessen horizontaler Teil durch den Teil 61 der leitenden Schicht 31, 37» 39» ^l bedeckt ist und dessen vertikaler Teil nicht mit einer leitenden Schicht versehen ist.
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Der Teil 62 des '"Bodens" der Rinne 35 an der nasis des stufenförmigen Teils 60 enthält ebenfalls eine le L tende Schicht', während der Rest des Bodens durch den leitenden .>chiqhtte-il -*2 der leitenden Schicht 32, 33, '»0, h?. bedeckt ist. Auf diese Weise sind die leitenden Schichten 31 , 37, 3°, -'♦ 1 und- 32. 38, JtO, k2 des Trägers nach Fig. 6_ gegeneinander isoliert.
•Der Halbleiterkörper 2.U und seine unmittelbaren
Verbindungen über den Golddraht 27 mit dem leitenden.Schicht teil 61 und dem leitenden Schicht teil '+2 werden nuf der einen Ober— ,fläche 3'» des Trägers 30 durch ein schützendes synethetisches Harz 33 eingekapselt. Das Harz 33 liegt völlig in der Rinne 35 auf der einen Oberfläche 3'i. Auf diese Weise wird der vielseitige Träger aus 'Fig. 6, der dem nach Fig. ^entspricht, erhalten. Die Abmessungen des Trägers nach Fig. 6 sind praktisch dieselben wie die nach Fig, ^. Was die Tlülle anbelangt, das Aussenrohr50 hat eine länge von ^^ nun und einen Aussendurchmesser von '»,Ι nun und eine lichte Veite von 3,13 mm. Der.stiftförmige Teil 52 des einen Endes des Metallstabes 51 hat einen Durchmesser von 0,50 ram und eine Länge von 2,5 mm. Das gegenüberliegende Ende 5^
(..- ■"■■■: :."" ■'"■ ■ ■".' - - -."." "■■.--■■-.■ -- ;■■:·;■■;"■. .."■"".' des Metallstabes $\ ist etwas kegelfärmig und lässt eine runde
ebene Kndoberfläche miteinem Durchmesser von 1 mm übrig»
Bei der Montage der pn-Uebergangsdiode nach Fig. 5 wird zunächst der isolierende Träger nach Fig.6 zusammengestellt. Der Träger 30 wird danach an der radialen Stütze 53 b*feetlgta indem der leitende Schichtteil 31 an einen Ende des Trägers mit dem Montageteil 35 auf der radialen Stütze 5O verlötet, wird» Ein Halbleiterbauelement mit einer Polarität, die der nach Fig· 5
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entgegengesetzt, lffssl sich aus demselben Träger 30 und der·-* selben Hülle herstellen, indem statt dessen der leitende Schicht*· teil 32 mit dem Montageteil 55 verlötet wird. .--,-
Es ist schwer, gute hermetische Abschlüsse zwischen
dem radialen Isolator 56 und dem Metallstab 51 oder dem Aussen- _\ rohr 50 ?.u erhalte«. Derartige gute hermetische Abschlüsse sind jedoch nicht wesentlich für das Halbleiterbauelement nach Fig*'5* da der HaibleiterRSrper 2h und seine unmittelbaren Befestigung durch das synthetische Harz 33· genügend eingekapselt, sitid* * :
Die Bildung eines befriedigenden elektrischen Kon» * taktes durch das leitende Epoxyharz zwischen dem leitenden Schicht* teil 32 nn der gegenüberliegenden Endfläche des Trägers 30 tind dem Ende ?h des Metallstabes 51 wird dadurch erleichtert, dass die radiale Stütze 53 in Form einer Schraube ausgebildet wird und das Aussenrohr 50 an der Innenwand an dem gegenüber dem Klemmende
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liegenden Ende mit Gewinde 57 versehen tfird«
Vie beim isolierenden Träger nachi-Fig. Hr kann der nach Fig. 6 mit seiner einen Oberfläche 3^.:.tnii einem isolierenden Substrat verbunden werden, wodurch die Teile 37 und 38 der gegeneinander isolierten leitenden Schichten 31» 37» 39» 61 und -32» 38, hQ, i<2 mit Teilen eines leitenden Muster auf dem genannten Substrat elektrischen Kontakt mächen k8ntten# Auf diose Weise kann eine integrierte Hybridschaltung erhalten liefderi, statt des Halb- ' leiterbauelementes nach Fig. 5· r
Er dürfte einleuchten, dass im Rahmen der Er-,
findung noch viele Abwandlungen ittBglich sind» S© kann beispiels-* weise das Halbleiterbauelement mit zwei Ättschiüssen eine
SO066Ö71OS4
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«2Ϊί- HID. 3I89O
■ ■ .-■"■"- * ·
diode, eine Varaktordiode oder· sogar unter Umständen ein Halbleiterbauelement mit Gunn-Effekt enthalten; eine '.we sent liehe Anforderung ist, dass das Halbleiterbauelement nur zwei aus sere leitende Verbindungen hat» die mit den zwei Anschlüssen des Halbleiterbaueiementes Über die leitenden Schichten elektrisch verbunden werden müssen· Die Hülle kann beispielsweise eine andere Form haben als die der Fig» 3 und 5, insofern die Hülle als Ganzes zwei elektrische Anschlüsse hat, die eine elektrische Verbindung mit den gegeneinander isolierten leitenden Schichten an den gegenüberliegenden Endflächen des Trägers und Mitteln um den-.'Träger an; seiner gewünschten Stelle zu befestigen, herstellen können, Die Ausnehmung- auf der Oberfläche Jh des isolierenden Trägers kann eine Grundform aufweisen, die von einer TJ-förmigen Rinne abweicht und -dies kann unter Umständen die elektrischen Verbindungen zwischen den Elektroden des Körpers und den leitenden Schichten an den Seiten der Ausnehmung erleichtern« A^Cch kann keine Ausnehmung an derSeite 3h des isolierenden Trägers vorhander! sein* Eine wesentliche Anforderung ist, dass die gegen** einander isolierten leitenden S&hichten sieh mindestens an einander gegenüberliegenden Endflächen des Trägers erstrecken, welche gegenüber einander liegenden Endflächen senkrecht atif der einen Oberfläche Jh desselben stehen.
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Claims (3)

PATEVTAVSPRUECHE :
1. J . ■ Halbleiterbauelement mit einer Hülle mit zwei Stromleitern, welche Hülle einen isolierenden Körper enthält, der zwischen zwei elektrisch leitenden Tollen befestigt ist, welche die Stromleiter bilden, während ein Halbleiterkörper vorhanden ist, von dem eine erste Zone eine Elektrode enthält, die mit einem der Stromleiter elektrisch leitend verbunden ist, und eine zweite Zone eine Elektrode enthält, die mit dem zweiten \ Stromleiter verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass der . '·_ Halbleiterkörper auf einer Oberfläche eines lsolieronden Trägers befestigt ist, der mindestens an einander gegenüberliegenden etwa senkrecht auf der Oberfläche des Trägers stehenden EndflHchen gegeneinander isolierte elektrisch leitende" Schichten ^ aufweist, wobei die'leitende Schicht der einen Endfläche des Trägers mit einem der Stromleiter und mit einer der Elektroden / des Halbleiterkörpers elektrisch verbunden ist, während die Ioitendο Schicht au der gegenüberliegenden Endfläche des Trägers mit dem anderen StromleiterVund mit der anderen Elektrode elektrisch verbunden ist, ■ ' ■
2, Halbleiterbauelement nach Anspruch T1 dadurch '
gekennzeichnet, das» einer der genannten leitenden Teile ein Aussenrohr und der andere der genannten leitenden Teile ein Metallstab ist, der koaxial im genannten Auseonrohr befestigt ist und an einem Ende einen stiftform!gen Teil aufweist, der den einen Anschluss des Halbleiterbauelementae bildet, der an .einem Ende des Aussenrohrs liegt, das der andere Anschluss des Ilälbteiterbaueiemeiites bildet, wobei die leitende» Schicht auf
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der einen Endfläche des Trägers mit der geimiinten ersten Elektrode und mit einer elektrisch leitenden radialen Stütze elektrisch * verbunden ist; welche 3 t Qt ze nii t und nach dem anderen Ende des genannten Aussenrohrs in elektrischem Kontakt steht, wobei die leitende Schicht an der gegenüberliegenden Endfläche des Trägers mit der genannten zweiten Elektrode und mit dem gegenüberliegender Ende des genannten Metallstabes elektrisch verbunden ist.
3. Halbleiterbauelementt nach Anspruch 1 oder 2,
fc dadurch gekennzeichnet, dass das Material dos Aussenrohrs und das des Metallstabes aus versilbertem Kupfer besteht. •V. Halbleiterbauelement mich Anspruch 1, dadurch - *
gekennzeichnet, dass das genannte isolierende Element eine praktisch rohrförmige Konstruktion hat und zwischen dem ersten und dem zweiten metallenen Endteil -befestigt ist und einen axialen Isolator zwischen denselben bildet, weiche Endteile an gegenüberliegenden Enden der Hülle liegen und entgegengesetzte elektrische Anschlüsse bilden, wobei die leitende Schicht an der einen Endfläche des'Trägers, die an den ersten metallenen Endteil grenzt, mit dem genannten ersten metallenen Endteil und mit der genannten ersten Elektrode elektrisch verbunden ist, wobei die leitende Schicht der gegenüberliegenden Endfläche des Trägers, die an .den', zweiten metallenen Endteil grenzt, mit den genannten zweiten metallenen Endteil und mit der genannten zweiten Elektrode elektrisch verbunden ist.
.3» Halbleiterbauelement nach Anspruch k, dadurch
gekennzeichnet, dass der erste und zweite metallene Endteil praktisch gleich und rohrförmig sind, wobei ein erster metallener
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"tab koaxial in den ersten metallenen Endteilsjbefestigt ist und da? Fade desselben iuierhalb der Hülle mit der leitenden Schicht auf der genannten Endfläche elektrisch kontaktiert ist und wobei ein zwei Ier metallener Stab koaxial in dem zweiten, metallenen End* teil befestigt i^t und das Ende desselben innerhalb-der-Hülle mit der leitenden Schicht auf der genannten gegenüberliegeöden i'ndf lache elektrischen Kontakt macht.
Halbleiterbauelement nach Anspruch H, oder 5»
dadurch gekennzeichnet, dass die genannten metallenen Endteile je ein kegelPÖrmiges Fnde aufweisen, über das das rohrförmige i«o] iere !p "lonw*ni passt.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch k-6r dadurch."
,-.ekon'ize i ohne t f dsss das Material der metallenen End teile aus Titan odpt· -'irkou besieht,
^. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden
'.si Sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Material des isolierenden riomoites und das des isolierenden Trägers aus Aluminiumoxid besteht,
0. Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet:f dass der Halbleiterkörper in einer Ausuehnun-g auf der einen Oberfläche des Trägers liegt*
10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9* dadurch gekennzeichnet, dsss die leitende Schicht auf der einen Endfläche inid die leitejide hellicht auf der gegenüberliegenden Endfläche sich Je teilweise über die eine Oberfläche erstrecken, einschliesslich der Seiten der Ausnehmung auf der einen Oberfläche.
11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 10, dadurch {jekonrizei chnet, dass die leitende Schicht auf der einen Endfläche mi L der genannten ersten Elektrode durch einen Leiter elektrisch
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verbunden.-,ist, dessen eines Ende durch eine WMrmedruckverbindung; mit der genannten ersten Elektrode auf der einen Hauptoberfläche des Halbleiterkörpers verbunden ist, dessen anderes Ende durch > eine VärmedrJuckverbinduiig mit dom jenigen Teil der genannten lei·* tenden Schicht auf der einen Endfläche verbunden ist, dei* sich, über eine Seite der genannten Ausnehmung, erstreckt. 12» Halbleiterbauelement nach Anspruch 10 oder 1Iy
dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Gebiet des Halbleiter--' körpers durch die zveiie Klektrode dadurch mit der leitenden Schicht auf der genannten gegenüberliegenden Endfläche elektrisch verbunden ist, dass die gegenüberliegende Hauptoberf!Sehe des Halbleiterkörpers mi L demjenigen Teil der genannten leitenden Schicht auf der gegenüberliegenden Endfläche verbunden wird, der sich mindestens über die andere Seite der Ausnehmung erstreck 13« Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche
10-12, dadurch gekennzeichnet, dass die Grundform der Ausnehmung
eine Γ-fÖrmige Rinne ist. .. -'. - '
1^4» " " · Halbleiterbauelement nach einem der vor stehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der IeI- · tenden Schichten aus Gold besteht»
15· Halbleiterbauelement nach einem der vorstehenden
Ansprüche, dadurch gekennsselehnei* dass der Halbleiterkörper auf der einen Oberfläche des Trägers durch ein schützendes synthetisches Harz eingekapselt ist.
1C* , Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 10 und 15» .dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper und seine ' Befestigungen mit den leitenden Schichten auf der einen Oberfläche durch das TIarz eingekapselt sind, welches Harz völlig innerhalb der Ausnehmung der genannten einen Oberfläche des " Trägers liegt, 80 9 886/1094
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17· TIalble i terbauelement nach einem der vorstehenden
Ansprüche·mit einer Diode mit einem Schottky-Üebergäng-·
1B. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche
1-Io mit einer pn-Uebergaivgsdiode.
1°, Tlalblei Lerbnueleinen-1 nach einem der Ansprüche
1-16 mit einer -\nordnung mit Gunn-Effekt,
20, Isolierender Träger mit einem Halbleiterkörper auf der einen Oberflache desselben und gegeneinander isolierten leitenden Schichten auf gegenüberliegenden Endflachen desselben, welche' Endflächen praktisch senkrecht auf der einen Oberfläche des Trägers stehen, welcher Träger in einer Hülle angeordnet werden kann zur Bildung eines llalbleiterbauelemerites init zwei Klemmen nach einem der vorstehenden Ansprüche.
21, Isolierender Träger mit einem Halbleiterkörper, der in einer Ausnehmung auf einer Oberfläche desselben und mit gegeneinander isolierten leitenden Schichten auf gegenüber liegen*» den Endflächen desselben, Welche Endflächen:- praktisch senkrecht auf der einen Oberfläche des Trägers stehen, welche leitenden Schichten sich teilweise' über die eine Oberfläche erstrecken, einschliesslich der Seiten der Ausnehmung, wobei der HaIbI·itey« körper und seine Verbindungen mit den leitenden Schichten auf der einen Oberfläche durch ein schützendes synthetisches Harz eingekapselt sind,, welches Harz völlig Innerhalb der Ausnehmung · auf der genannten einen Oberfläche des Trägers liegt» welcher Träger entweder in einer Hülle angeordnet werden kann, zur Bildung eines Bauelementes mit zwei Klemm·» nach Anspruch' 1.6
' ,BADOrIlGiNAL
-30- PH*. 3ISOO
oder durch die genannte eine Oberfläche desselben in! t einem Substrat verbunden werden kann, wodurch Teile der genannte-« gegeneinander isolierten leitenden Schichten, die sich teilweise Über die genannte eine Oberflache des Trägers erstrecken, mit Teilen eines leitenden Musters auf dem genannten Substrat einen elektrischen Kontakt machen können*
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